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Dokumentenidentifikation DE102005010272A1 14.09.2006
Titel Halbleiterbauelement sowie Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
Anmelder Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
Erfinder Schober, Wolfgang, Dr., 92224 Amberg, DE;
Bauer, Michael, Dipl.-Ing., 93152 Nittendorf, DE;
Kessler, Angela, Dr., 93053 Regensburg, DE;
Mahler, Joachim, Dr., 93051 Regensburg, DE;
Haimerl, Alfred, Dr., 93161 Sinzing, DE
Vertreter Schweiger & Partner, 80333 München
DE-Anmeldedatum 03.03.2005
DE-Aktenzeichen 102005010272
Offenlegungstag 14.09.2006
Veröffentlichungstag im Patentblatt 14.09.2006
IPC-Hauptklasse H01L 21/56(2006.01)A, F, I, 20051017, B, H, DE
IPC-Nebenklasse H01L 21/60(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, DE   
Zusammenfassung Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement (4), welches einen auf einem Substrat (2), insbesondere auf einem Chipträger, angeordneten Halbleiterchip (5), und ein Gehäuse (7), welches den Halbleiterchip (5) zumindest teilweise umgibt, aufweist, wobei der Chipträger zumindest teilweise mit einer Schicht (1) aus Polymerschaum versehen ist.

Beschreibung[de]

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement sowie ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements.

Gewöhnlich wird ein Halbleiterchip, der auf einem Chipträger oder einem Anschlussrahmen montiert und mit diesem beispielsweise durch Anschlussdrähte elektrisch verbunden bzw. gebondet ist, in einer Formmasse eingekapselt, um ein Halbleitergehäuse zu bilden. Diese Halbleitergehäuse sind meist aus einem Kunststoff hergestellt. Besonders weit verbreitete Verwendung finden hierfür Duroplaste, insbesondere Epoxidharz.

Jedoch weisen diese Verkapselungsmassen eine unzureichende Haftung zu den Grenz- bzw. Oberflächen des Halbleiterchips oder des Chipträgers auf, welche sie umschließen oder an die sie angrenzen. Dies führt zu erhöhten Ausfall- und Fehlerrisiken beim Halbleiterbauelement und nicht zuletzt zum Nichtbestehen von Bauteilqualifikationen.

Um eine ausreichende Haftung gemäß den an das Halbleiterbauelement gestellten Anforderungen und den Bauteilqualifikationen zu gewährleisten, wurde im Stand der Technik eine sehr gezielte und aufwändige Auswahl und Evaluierung geeigneter Pressmassen getroffen und die Chipträger-, Leadframe- bzw. Substratoberflächen wurden durch aufwändige mechanische Verfahren behandelt, wie Aufrauhen der zu verbindenden Oberflächen usw. Auch wurden physikalisch-chemische Methoden wie Plasmaätzen, elektrolytische Beschichtung mit haftverbessernden Schichten auf der Basis von anorganischen, metallischen Verbindungen zur Gewährleistung einer ausreichenden Haftung durchgeführt.

Jedoch entstehen durch die oben genannten mechanischen oder physikalisch-chemischen Verfahren zum Erreichen einer Haftverbesserung zwischen der Pressmasse und einem Substrat sehr hohe Prozesskosten und der Nachteil der Beschränkung der Applikation auf elektrisch leitfähige Oberflächen. Außerdem führten diese Verfahren auch nur teilweise zu der gewünschten bzw. erforderlichen Verbesserung der Pressmassenhaftung.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements sowie ein entsprechendes Halbleiterbauelement zu schaffen, wobei auf einfache und somit auch kostengünstige Art und Weise eine ausreichende Haftung zwischen der Pressmasse, aus welchem das Gehäuse des Halbleiterbauelements hergestellt ist, und einem Substrat bzw. metallischem Leadframe, auf welchem ein Halbleiterchip angeordnet ist, erreicht wird.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit den Merkmalen gemäß Anspruch 1 sowie durch ein Halbleiterbauelement mit den Merkmalen gemäß Anspruch 11 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen definiert.

Erfindungsgemäß bereitgestellt wird demnach ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren die Schritte aufweist:

  • – Aufbringen einer Lösung einer organischen Substanz auf ein Substrat, insbesondere auf einen Chipträger, wobei die organische Substanz Polymere und funktionale Moleküle aufweist, die geeignet sind, zu einer Schicht aus Polymerschaum zu reagieren und vernetzen;
  • – Erzeugen des Polymerschaums durch Anwenden von Wärme auf die organische Substanz, wobei die Temperatur unterhalb von 200 °C gehalten wird;
  • – Vernetzen des Polymerschaums durch Anwenden von Wärme auf den Polymerschaum, wobei die Temperatur oberhalb von 200 °C gehalten wird;
  • – Verkapseln eines auf dem Substrat angeordneten Halbleiterchips mit einem Kunststoffmaterial.

Beschichtungspolymere besitzen intrinsisch oberflächenaktive Gruppen oder können mit einer Reihe von hochaktiven Gruppen wie Silanen oder Isocyanaten verbunden werden, die auf dem polymeren metallischen oder keramischen Untergrund eine starke Haftung gewährleisten. Der Nachteil solcher hochreaktiven Polymergruppen besteht jedoch darin, dass sie aufgrund ihrer hohen Reaktivität dann meist nicht mehr für eine chemische Reaktion mit der Pressmasse, aus welcher das den Halbleiterchip umgebende Gehäuse gebildet wird, zur Verfügung stehen, wodurch die Anbindung des Verkapselungsmaterials auf einem anderen Weg sichergestellt werden muss. Daher wird das Substrat bzw. der Chipträger oder der Leadframe vor oder nach dem Die-/Wirebonden mit der Lösung der organischen Substanz, welche Polymere und funktionale organische Moleküle aufweist, die nach dem Aufbringen zu einer Polymerschicht reagieren und vernetzen, beschichtet. Die Lösung kann mittels eines Tauch-, Sprüh-, Tropf- oder Schablonendruckverfahrens auf das Substrat aufgebracht werden. Die Polymerbeschichtung führt während dem Aushärten zu einer Abspaltung von CO, CO2 oder anderen sich bei höheren Temperaturen abspaltenden Molekülsegmenten aus der Polymerkette, wodurch eine feste Polymerschaumschicht entsteht. Auch können spezielle Blockcopolymere, bei denen der Schaum durch die thermische Zersetzung einer thermolabilen Co-Komponente, z. B. Polypropylenoxid, entsteht, verwendet werden. Die Polymerschaumschicht weist Poren auf, in welche während der Verkapselung mit der Epoxidharz-Pressmasse die noch geschmolzenen Oligomerketten eindiffundieren können, was neben der erhöhten chemisch-physikalischen Haftung zwischen den Polymeren (Polymerschaum und Pressmasse, z. B. Epoxidharz) aufgrund der größeren Oberfläche und der Poren eines Schaumes, auch eine feste mechanische Verankerung der Pressmasse mit sich bringt. Weiterhin hat der Polymerschaum den Vorteil, dass ein sehr geringer dielektrischer Verlust bei hohen Schaltfrequenzen aufgrund der geringen Dielektrizitätskonstante (&egr; < 3) und des geringen Verlustfaktors tan &dgr; (< 10–2) des Materials auftritt, insbesondere wenn der Schaum auch als "low &kgr; Dielektrika" auf der Chipoberseite eingesetzt wird.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird ein Schritt des Herstellens einer elektrischen Verbindung zwischen dem Chipträger und dem auf dem Chipträger angeordneten Halbleiterchip vor dem Aufbringen der Lösung auf den Chipträger durchgeführt.

Alternativ hierzu kann ein Schritt des Herstellens der elektrischen Verbindung zwischen dem Chipträger und dem auf dem Chipträger angeordneten Halbleiterchip nach dem Aufbringen der Lösung auf den Chipträger durchgeführt werden.

Vorzugsweise wird der Schritt des Herstellens der elektrischen Verbindung mittels eines Die-/Wire-Bonden-Prozesses durchgeführt.

Als organische Substanz kann z. B. ein Polyimid oder ein Hochleistungsthermoplast verwendet werden.

Alternativ hierzu kann als organische Substanz ein Blockcopolymer verwendet werden, bei welchem der Schaum durch die thermische Zersetzung einer thermolabilen Co-Komponente entsteht. Dies hat den Vorteil, dass die Poren des Schaums besonders fein hergestellt werden können.

Vorzugsweise ist die thermolabile Co-Komponente Polypropylenoxid.

In einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung wird die Schicht aus Polymerschaum mit Poren in einer Größenordnung hergestellt, welche überwiegend im sub-&mgr;m-Bereich liegt.

Vorzugsweise wird als Kunststoffmaterial zum Verkapseln des Halbleiterchips ein Duroplast, insbesondere Epoxidharz oder ein Silikonharz, verwendet.

In einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung wird das Verkapseln mit einer Epoxidharzpressmasse mittels eines Transferpress- bzw. Spritzpressvorgangs durchgeführt.

Des weiteren erfindungsgemäß bereitgestellt wird ein Halbleiterbauelement, welches einen auf einem Substrat, insbesondere auf einem Chipträger, angeordneten Halbleiterchip und ein Gehäuse, welches den Halbleiterchip zumindest teilweise umgibt, aufweist, wobei der Chipträger zumindest teilweise mit einer Schicht aus Polymerschaum versehen ist. Durch die auf dem Chipträger, Leadframe oder Substrat vorgesehene Schicht aus Polymerschaum wird auf einfache und kostengünstige Weise eine besonders gute Haftung auf die oben beschriebene Art und Weise an die Verkapselungsmasse aus Kunststoffmaterial, insbesondere aus einem Duroplast, erzielt, wodurch Fehlerrisiken des Halbleiterbauelements minimiert werden und somit die Qualität des Halbleiterbauelements verbessert wird, auch hinsichtlich spezieller Bauteilqualifikationen.

Vorzugsweise ist die Schicht aus Polymerschaum auf dem Chipträger an den Grenzoberflächen zu dem Gehäuse vorgesehen, so dass eine ausreichende Haftung des Gehäuses an dem Chipträger sichergestellt werden kann.

Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ist das Substrat bzw. der Chipträger aus Metall hergestellt.

Alternativ hierzu kann das Substrat bzw. der Chipträger aus Keramik oder Polymer oder einem Kunststoffsubstrat hergestellt sein. Die Verbesserung der Pressmassenhaftung durch Aufbringen einer Schicht aus Polymerschaum kann an allen Oberflächen, d. h. an Oberflächen jeglicher Materialien, erzielt werden.

Vorteilhafterweise weist die Schicht aus Polymerschaum eine Dielektrizitätskonstante von &egr; < 3, insbesondere < 1,5 auf. So werden sehr geringe Energieverluste bei hohen Schaltfrequenzen aufgrund der niedrigen Dielektrizitätskonstante und des geringen Verlustfaktors tan &dgr; (< 10–2) des Materials erzielt.

Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ist die Schicht aus Polymerschaum aus Polyimid oder einem Hochleistungsthermoplast hergestellt.

Vorteilhafterweise ist die Schicht aus Polymerschaum aus einem Blockcopolymer hergestellt, bei welchem der Schaum durch die thermische Zersetzung einer thermolabilen Co-Komponente entsteht.

Weiterhin vorteilhafterweise ist die thermolabile Co-Komponente Polypropylenoxid.

Vorteilhaft ist es ferner, wenn die Schicht aus Polymerschaum Poren in einer Größenordnung aufweist, welche überwiegend im sub-&mgr;m-Bereich liegen. In diese Poren diffundieren während der Verkapselung mit der Epoxidharz-Pressmasse die noch geschmolzenen Oligomerketten hinein, was neben der erhöhten chemisch-physikalischen Haftung zwischen den beiden Polymeren (Polymerschaum und Pressmasse) aufgrund der größeren Oberfläche und der Poren eines Schaums auch eine feste mechanische Verankerung der Pressmasse mit sich bringt.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist das Gehäuse aus einem Kunststoffmaterial hergestellt.

Hierbei ist das Kunststoffmaterial vorteilhafterweise ein Duroplast, insbesondere Epoxidharz.

Vorteilhaft ist es ferner, wenn das Gehäuse mittels eines Transferpressvorgangs hergestellt ist.

Vorzugsweise weist die Schicht aus Polymerschaum eine Dicke in einem Bereich zwischen 2 nm – 10 &mgr;m in Abhängigkeit des polymeren Systems, der Konzentration der Ausgangslösung und den Verarbeitungsbedingungen wie Beschichtungstechnik, Temperatur, Lösungsmitteltyp, Beschichtungsgeschwindigkeit usw. auf.

Die Erfindung wird anhand der Zeichnung näher beschrieben. In der Zeichnung zeigt

1 zwei perspektivische Schnittansichten durch eine Schicht aus einem Blockcopolymer;

2 eine molekulare Darstellung eines Polymerschaums;

3 ein Halbleiterbauelement, welches zumindest teilweise mit einer organischen Substanz beschichtet wurde;

4 schematisch die Bildung der Schicht aus Polymerschaum in zwei Verfahrensschritten;

5 eine schematische Schnittansicht durch ein Halbleiterbauelement mit Verkapselung;

6 zwei schematische Schnittansichten durch die Schicht aus Polymerschaum beim Transferpressvorgang.

1 zeigt perspektivisch zwei Schnittansichten durch eine Schicht 1 aus einem Blockcopolymer. In 1a) ist eine Darstellung der Schicht 1 gezeigt, wie sie auf ein Substrat 2 (nicht gezeigt) aufgetragen werden kann, bevor eine Temperaturbehandlung zur Bildung eines Schaumes durchgeführt worden ist. Die Schicht 1 weist hier noch getrennte Phasen auf, wobei die schwarzen gefüllten Kreise eine thermolabile Co-Komponente darstellen, welche sich unter Temperatureinwirkung zersetzt und so die Poren 3 in der Schicht 1 bildet, wie es in 1b) dargestellt ist, wobei die in der Schicht 1 dargestellten offenen Kreise hier Leerstellen bzw. Luft in dem Material darstellen.

2 zeigt eine molekulare Darstellung eines Polymerschaums, wie er in Bezug auf die 1 beschrieben wurde und wie er für die Herstellung des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements 4 (nicht gezeigt) verwendet werden kann. Hier ist (t.Bu-O-CO)2O als thermisch labile Gruppe in die Polymerhauptkette eingebaut worden, die sich unterhalb von Tg des Polymeren zersetzt und so zur Bildung der Poren im Größenbereich von nm führt.

3 zeigt ein Halbleiterbauelement 4, welches zumindest teilweise mit einer organischen Substanz beschichtet wurde, aus welcher in zwei weiteren Verfahrensschritten die Schicht 1 aus Polymerschaum gebildet wird. In diesem Beispiel wurde die Schicht 1 auf der Oberfläche des Halbleiterchips 5 und der oberen und unteren Oberfläche des Substrats 2 bzw. Chipträgers aufgebracht. Auch ist hier der Halbleiterchip 5 bereits durch Leitungsdrähte 6 mit dem Substrat 2 elektrisch verbunden worden.

In 4 ist schematisch die Bildung der Schicht 1 aus Polymerschaum in den zwei sich dem in 3 dargestellten Verfahrensschritt anschließenden Verfahrensschritten gezeigt. Von oben nach unten betrachtet, ist in dieser Figur die Schicht 1 aus einer organischen Substanz, welche Polymere und funktionale organische Moleküle, die nach dem Aufbringen zu einer Polymerschicht reagieren und vernetzen, als durchgehender schwarzer Balken dargestellt, was dem Zustand der in 3 dargestellten Beschichtung widerspiegelt. Unter Wärmeeinwirkung, wobei die Temperatur unterhalb von 200 °C gehalten wird, kommt es während dem Aushärten der Schicht 1 zu einer Abspaltung beispielsweise von CO, CO2 und anderen sich bei höheren Temperaturen abspaltenden Molekülsegmenten oder thermolabilen Gruppen. Diese treiben aus dem Material aus und hinterlassen Poren 3 in Form von Hohlräumen im überwiegend sub-&mgr;m-Größenbereich. In einem weiteren Verfahrensschritt, welcher unter Einwirkung von Temperaturen oberhalb von 200 °C durchgeführt wird, vernetzt dann der so gebildete Polymerschaum zu einer festen Masse bzw. Schicht 1 mit feinsten Poren 3 bzw. Hohlräumen.

In 5 ist eine schematische Schnittansicht durch ein Halbleiterbauelement 4 mit einer Verkapselung bzw. einem Gehäuse 7 dargestellt, welches den Halbleiterchip 5, welcher auf einem Substrat 2 bzw. Chipträger angeordnet ist, umgibt. Die Grenzflächen des Substrats 2 und des Halbleiterchips 5 zu dem Gehäuse 7 sind mit einer Schicht 1 aus Polymerschaum beschichtet, so dass eine sehr gute Haftung der Pressmasse des Gehäuses 7 aus Epoxidharz darauf sichergestellt ist.

6 zeigt schließlich zwei schematische Schnittansichten durch die Schicht 1 aus Polymerschaum beim Transferpressvorgang zur Bildung des Gehäuses 7 aus Epoxidharz. In 6a), welche den Beginn des Transferpressvorgangs darstellt, wird die Pressmasse mit Epoxidketten 8 auf die Oberfläche der Schicht 1 aus Polymerschaum, welche die Poren 3 aufweist, aufgebracht. Während dem Fortschreiten des Transferpressvorgangs, d. h. hier auch während dem Verkapselungsprozess des Halbleiterbauelements 4 (nicht dargestellt) mit der Epoxidharz-Pressmasse, können die Oligomerketten bzw. Epoxidketten 8 in die Poren 3 der Schicht 1 aus Polymerschaum hineindiffundieren, wie es in 6b) dargestellt ist. Dies erzielt, wie bereits erwähnt, neben der erhöhten physikalischen Haftung zwischen dem Polymerschaum und der Pressmasse aufgrund der größeren Oberfläche und der Poren eines Schaums, auch eine feste mechanische Verankerung der Pressmasse.

1Schicht 2Substrat 3Poren 4Halbleiterbauelement 5Halbleiterchip 6Leitungsdrähte 7Gehäuse 8Epoxidketten

Anspruch[de]
  1. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements (4), wobei das Verfahren die Schritte aufweist:

    – Aufbringen einer Lösung einer organischen Substanz auf ein Substrat (2), insbesondere auf einen Chipträger, wobei die organische Substanz Polymere und funktionale Moleküle aufweist, die geeignet sind, zu einer Schicht (1) aus Polymerschaum zu reagieren und vernetzen;

    – Erzeugen des Polymerschaums durch Anwenden von Wärme auf die organische Substanz, wobei die Temperatur unterhalb von 200 °C gehalten wird;

    – Vernetzen des Polymerschaums durch Anwenden von Wärme auf den Polymerschaum, wobei die Temperatur oberhalb von 200 °C gehalten wird;

    – Verkapseln eines auf dem Substrat (2) angeordneten Halbleiterchips (5) mit einem Kunststoffmaterial.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei ein Schritt des Herstellens einer elektrischen Verbindung zwischen dem Chipträger und dem auf dem Chipträger angeordneten Halbleiterchip (5) vor dem Aufbringen der Lösung auf den Chipträger durchgeführt wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei ein Schritt des Herstellens der elektrischen Verbindung zwischen dem Chipträger und dem auf dem Chipträger angeordneten Halbleiterchip (5) nach dem Aufbringen der Lösung auf den Chipträger durchgeführt wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, wobei der Schritt des Herstellens der elektrischen Verbindung mittels eines Die-/Wire-Bonden-Prozesses durchgeführt wird.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei als organische Substanz ein Polyimid oder ein Hochleistungsthermoplast verwendet wird.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei als organische Substanz ein Blockcopolymer verwendet wird, bei welchem der Schaum durch die thermische Zersetzung einer thermolabilen Co-Komponente entsteht.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, wobei die thermolabile Co-Komponente Polypropylenoxid ist.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Schicht (1) aus Polymerschaum mit Poren (3) in einer Größenordnung hergestellt wird, welche überwiegend im sub-&mgr;m-Bereich liegt.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei als Kunststoffmaterial zum Verkapseln des Halbleiterchips (5) ein Duroplast, insbesondere Epoxidharz oder ein Silikonharz, verwendet wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei das Verkapseln mit einer Epoxidharzpressmasse mittels eines Transferpressvorgangs durchgeführt wird.
  11. Halbleiterbauelement (4), welches einen auf einem Substrat (2), insbesondere auf einem Chipträger, angeordneten Halbleiterchip (5) und ein Gehäuse (7), welches den Halbleiterchip (5) zumindest teilweise umgibt, aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass der Chipträger zumindest teilweise mit einer Schicht (1) aus Polymerschaum versehen ist.
  12. Halbleiterbauelement (4) nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (1) aus Polymerschaum auf dem Chipträger an den Grenzoberflächen zu dem Gehäuse (7) vorgesehen ist.
  13. Halbleiterbauelement (4) nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass der Chipträger aus Metall hergestellt ist.
  14. Halbleiterbauelement (4) nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass der Chipträger aus Keramik oder Polymer hergestellt ist.
  15. Halbleiterbauelement (4) nach einem der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (1) aus Polymerschaum eine Dielektrizitätskonstante von &egr; < 3, insbesondere < 1,5 aufweist.
  16. Halbleiterbauelement (4) nach einem der Ansprüche 11 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (1) aus Polymerschaum aus Polyimid oder einem Hochleistungsthermoplast hergestellt ist.
  17. Halbleiterbauelement (4) nach einem der Ansprüche 11 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (1) aus Polymerschaum aus einem Blockcopolymer hergestellt ist, bei welchem der Schaum durch die thermische Zersetzung einer thermolabilen Co-Komponente entsteht.
  18. Halbleiterbauelement (4) nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die thermolabile Co-Komponente Polypropylenoxid ist.
  19. Halbleiterbauelement (4) nach einem der Ansprüche 11 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (1) aus Polymerschaum Poren (3) in einer Größenordnung aufweist, welche überwiegend im sub-&mgr;m-Bereich liegt.
  20. Halbleiterbauelement (4) nach einem der Ansprüche 11 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse (7) aus einem Kunststoffmaterial hergestellt ist.
  21. Halbleiterbauelement (4) nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass das Kunststoffmaterial ein Duroplast, insbesondere ein Epoxidharz oder ein Silikonharz, ist.
  22. Halbleiterbauelement (4) nach einem der Ansprüche 11 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse (7) mittels eines Transferpressvorgangs hergestellt ist.
  23. Halbleiterbauelement (4) nach einem der Ansprüche 11 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (1) aus Polymerschaum eine Dicke in einem Bereich zwischen 2 nm – 10 &mgr;m aufweist.
Es folgen 3 Blatt Zeichnungen






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