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Dokumentenidentifikation DE102005014427A1 28.09.2006
Titel Verfahren zum Verkapseln eines Halbleiterbauelements und Halbleiterbauelement
Anmelder Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
Erfinder Wörner, Holger, Dipl.-Ing., 93049 Regensburg, DE;
Fürgut, Edward, Dipl.-Ing., 86453 Dasing, DE
Vertreter Schweiger & Partner, 80333 München
DE-Anmeldedatum 24.03.2005
DE-Aktenzeichen 102005014427
Offenlegungstag 28.09.2006
Veröffentlichungstag im Patentblatt 28.09.2006
IPC-Hauptklasse H01L 21/56(2006.01)A, F, I, 20051017, B, H, DE
IPC-Nebenklasse H03H 9/25(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, DE   B29C 45/14(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, DE   
Zusammenfassung Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verkapseln eines Halbleiterbauelements (1), welches zumindest einen auf einem Substrat (4) angeordneten Halbleiterchip (5) aufweist, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Aufbringen eines elastischen Dammes (11) auf dem Halbleiterchip (5); Einbringen des auf dem Substrat (4) angeordneten Halbleiterchips (5) in ein aus einer unteren und einer oberen Werkzeughälfte (14, 2) bestehendes Moldwerkzeug (15); Schließen des Moldwerkzeugs (15), so dass mit einer inneren Oberfläche (16) der oberen Werkzeughälfte (2) der elastische Damm (11) vollständig kontaktiert wird und Umspritzen des Halbleiterbauelements (1) mit einer Pressmasse (20).

Beschreibung[de]

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren, insbesondere ein Transfermoldverfahren, zum Verkapseln eines Halbleiterbauelements sowie ein Halbleiterbauelement, welches mittels des Verfahrens hergestellt ist.

Im Stand der Technik ist es bekannt, Halbleiterchips mittels eines Transfermoldverfahrens zu verkapseln. Um eine Oberfläche auf dem Halbleiterchip von dem Gehäusematerial freizuhalten bzw. gegen das Gehäusematerial während des Transfermoldverfahrens abzudichten, wie es beispielsweise bei Fingertip-Sensoren, Biosensoren, BAW/SAW-Filtern notwendig ist, stellte bisher die gängigste Variante, die zum Abdichten einer Oberfläche verwendet wurde, das Folienmolding dar.

Dabei wird über die obere Moldwerkzeughälfte eine Folie gespannt, die beim Klemmen der beiden Werkzeughälften so zusammengepresst wird, dass sie eine Dichtfunktion übernimmt. Hierbei ist jedoch von Nachteil, dass dieses Verfahren nur sehr grobe Toleranzen zulässt, ein hohes Risiko von Drahtbeschädigungen birgt und nur ein geringes Ausgleichsvermögen bei Chipdickenschwankungen aufweist, denn die verwendete Folie kann keine großen Schwankungen kompensieren.

Weiterhin ist im Stand der Technik ein Verfahren zum Herstellen von IC-Sensorgehäusen bekannt, bei welchem eine flexible Lage eingesetzt wird, die im Moldwerkzeug fixiert ist, und die die Abdichtung der freizuhaltenden Oberfläche des ICs übernimmt. Der Nachteil hierbei ist jedoch, dass ein produktspezifisches Moldwerkzeug verwendet werden muss. Darüber hinaus besteht bei diesem Verfahren eine Problematik bezüglich des Verschleißes der stark beanspruchten flexiblen Lage, da sie bei hohen Drücken und hohen Temperaturen eingesetzt wird.

Bei einem anderen aus dem Stand der Technik bekannten Verfahren, welches dem zuvor beschriebenen Verfahren ähnlich ist, wird das flexible Material nicht vollflächig sondern lediglich in Rahmenform angebracht. Es ergeben sich jedoch auch hierbei die gleichen Nachteile wie beim Einsatz der vollflächigen flexiblen Lage.

Auch sind Werkzeugkonstruktionen bekannt, bei denen eine gefederte Platte bzw. ein Stempel die Abdichtung übernimmt. Nachteilig hierbei sind die sowohl aufwendige als auch empfindliche Konstruktion sowie Probleme beim Abdichten der Führungen, was zu einem schnellen Festfressen der Stempel führt.

Oft wird aufgrund der oben genannten Probleme anstelle eines Moldverfahrens ein sogenanntes Dam & Fill-Dispensverfahren eingesetzt. Dieses Verfahren ist allerdings bezüglich der geometrischen Maßhaltigkeit, den Toleranzen, den verfügbaren Materialien und der Prozessführung nachteilig.

Daher ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Verkapseln von Halbleiterbauelementen sowie ein mittels des Verfahrens hergestelltes Halbleiterbauelement zu schaffen, wobei das Verfahren kein spezifisches Moldwerkzeug erfordert, jedoch eine zuverlässige Abdichtung jeglicher abzudichtender Bereiche gewährleistet.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zum Verkapseln eines Halbleiterbauelements mit den Merkmalen gemäß Anspruch 1 sowie durch ein Halbleiterbauelement mit den Merkmalen gemäß Anspruch 17 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den abhängigen Ansprüchen definiert.

Erfindungsgemäß bereitgestellt wird demnach ein Verfahren zum Verkapseln eines Halbleiterbauelements, welches zumindest einen auf einem Substrat angeordneten Halbleiterchip aufweist, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Aufbringen eines elastischen Dammes auf dem Halbleiterchip; Einbringen des auf dem Substrat angeordneten Halbleiterchips in ein aus einer unteren und einer oberen Werkzeughälfte bestehendes Moldwerkzeug; Schließen des Moldwerkzeugs, so dass mit einer inneren Oberfläche der oberen Werkzeughälfte der elastische Damm vollständig kontaktiert wird, und Umspritzen des Halbleiterbauelements mit einer Pressmasse. Mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens wird die Abdichtfunktion somit nicht mehr auf Seiten des Moldwerkzeuges sondern auf der Seite der abzudichtenden Fläche, d. h. auf dem Halbleiterbauelement bzw. auf dem Halbleiterchip selbst, realisiert. Dementsprechend wird der Damm, welcher aus einem elastischen Material besteht, auf dem Halbleiterchip derartig aufgebracht, dass er die abzudichtende Fläche vollständig umläuft. Während des Moldvorgangs bzw. während des Schließens der oberen und unteren Moldwerkzeughälften wird dieser Damm aufgrund seiner Elastizität um ein definiertes Maß zusammengedrückt. Dadurch entsteht über der abzudichtenden Fläche eine geschlossene Kavität, in die keine Pressmasse fließen kann. Die gewünschten Bereiche werden so auf einfache Art und Weise und ohne Verwendung eines spezifischen Moldwerkzeugs von der Pressmasse freigehalten. Weiterhin kann das Moldwerkzeug auch nicht derartig verschleißen, wie es bei denjenigen, die im Stand der Technik eingesetzt werden, der Fall ist. Das erfindungsgemäße Verfahren kann prinzipiell bei jeglicher Art von sogenannten "Exposed Die Packages" eingesetzt werden, bei denen ein Teil der Chipfläche frei von Pressmasse gehalten werden muss. Wie bereits erwähnt, sind hierfür typische Beispiele Fingertip-Sensoren, Biosensoren und BAW/SAW-Filter, aber auch Gehäuse, bei denen ein Heatspreader direkt auf dem Silizium kontaktiert werden soll. Eine weitere Einsatzmöglichkeit sind "Land-On-Top"(LOT)-Gehäuse, bei denen auf der Gehäuseoberseite Anschlussflächen für die Montage eines weiteren Gehäuses bereitgestellt werden müssen. Somit ist das erfindungsgemäße Verfahren vielfältig und variabel einsetzbar.

Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel umfasst das Verfahren weiterhin den Schritt des Fixierens des zumindest einen Halbleiterchips auf dem Substrat, insbesondere durch Aufkleben.

Bevorzugt ist es weiterhin, wenn das Verfahren den Schritt des Bondens des Halbleiterchips, insbesondere des Die-Wire-Bondens, umfasst.

Vorzugsweise wird das Aufbringen des elastischen Dammes mittels bekannter Verfahren wie Dispensen, Drucken oder unter Verwendung von Preforms durchgeführt.

Gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel umfasst das Verfahren weiterhin den Schritt des Aushärtens der Pressmasse.

Es ist besonders bevorzugt, wenn der Schritt des Schließens des Moldwerkzeugs unter Verwendung von Druck ausgeführt wird, so dass der Damm aufgrund seiner Elastizität um ein definiertes Maß zusammengedrückt wird. So können auch Höhentoleranzen der abzudichtenden Flächen während des Moldvorganges durch die Elastizität des Dammes ausgeglichen werden.

Als Pressmasse wird gemäß noch einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel des Verfahrens ein thermoplastisches Material, insbesondere Epoxidharz, verwendet.

Als Dammmaterial ist ein elastisches Kunststoffmaterial bevorzugt, insbesondere können Silikon oder Polyurethan verwendet werden.

Gemäß einem anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel wird als Dammmaterial Gummi verwendet.

Vorzugsweise wird der Damm derart auf dem Halbleiterchip aufgebracht, dass er eine abzudichtende Fläche vollständig umläuft. Die Höhe des Dammes ist ebenfalls so zu wählen, dass Toleranzen der Bauteilhöhen berücksichtigt und dadurch ausgeglichen werden.

Weiterhin bevorzugt ist es, wenn der Damm, die abzudichtende Fläche des Halbleiterchips und ein Teil der inneren Oberfläche der oberen Werkzeughälfte des Moldwerkzeugs bei geschlossenen Moldwerkzeug eine geschlossene Kavität bilden, die gegen Pressmasse abgedichtet ist.

Vorzugsweise weist das Substrat eine erste und eine zweite der ersten Oberfläche gegenüberliegende Oberfläche auf, wobei der Halbleiterchip auf der ersten Oberfläche des Substrats aufgebracht wird.

Gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel liegt das Substrat mit seiner zweiten Oberfläche auf einer inneren Oberfläche der unteren Werkzeughälfte des Moldwerkzeugs auf.

Der Halbleiterchip weist darüber hinaus eine erste und eine zweite der ersten Oberfläche gegenüberliegende Oberfläche auf, wobei der Damm auf der ersten Oberfläche des Halbleiterchips gebildet wird.

Vorzugsweise wird der Halbleiterchip mit seiner zweiten Oberfläche auf der ersten Oberfläche des Substrats fixiert.

Auch ist es bevorzugt, wenn der Schritt des Umspritzens des Halbleiterbauelements mittels eines Transfer-Moldverfahrens durchgeführt wird.

Erfindungsgemäß wird weiterhin ein Halbleiterbauelement bereitgestellt, welches einen auf einem Substrat aufgebrachten und in einem Gehäuse verkapselten Halbleiterchip aufweist, wobei der Halbleiterchip und das Substrat jeweilig eine erste und eine zweite Oberfläche aufweisen, wobei der Halbleiterchip mit seiner zweiten Oberfläche auf der zweiten Oberfläche des Substrats aufliegt, wobei der Halbleiterchip auf seiner ersten Oberfläche einen eine abzudichtende Fläche eingrenzenden Damm aufweist.

Das Halbleiterbauelement kann einen Leadframe aufweisen, an welchen der Halbleiterchip über Leitungsdrähte gebondet ist.

Noch eine weitere bevorzugte Ausführungsform des Halbleiterbauelement sieht vor, dass der Halbleiterchip auf dem Substrat aufgeklebt ist.

Vorzugsweise ist das Gehäuse des Halbleiterbauelements mittels eines Transfer-Moldverfahrens gebildet.

Das Gehäuse des Halbleiterbauelements ist gemäß noch einer weiteren Ausführungsform aus einem thermoplastischen Material, insbesondere aus Epoxidharz, hergestellt.

Der Damm ist bevorzugt aus einem elastischen Material, insbesondere aus einem elastischen Kunststoffmaterial, hergestellt.

Besonders bevorzugte Materialien, aus denen der Damm des Halbleiterbauelements hergestellt ist, sind Silikon oder Polyurethan.

Alternativ kann der Damm aber auch aus Gummi hergestellt sein.

Die Erfindung wird anhand der Zeichnung näher beschrieben. In der Zeichnung zeigt

1 einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement und eine obere Moldwerkzeughälfte, wie sie im Stand der Technik verwendet wird;

2 einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement und eine weitere obere Moldwerkzeughälfte, wie sie im Stand der Technik verwendet wird;

3 einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement und noch eine weitere obere Moldwerkzeughälfte gemäß dem Stand der Technik;

4 einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement und eine Moldwerkzeughälfte gemäß dem Stand der Technik;

5 einen schematischen Querschnitt durch ein Substrat mit Halbleiterchips;

6 einen schematischen Querschnitt durch ein Substrat mit Halbleiterchips, welche in ein Moldwerkzeug eingebracht werden;

7 einen schematischen Querschnitt durch ein Substrat mit Halbleiterchips in einem Moldwerkzeug, welches geschlossen wird;

8 einen schematischen Querschnitt durch ein Substrat mit Halbleiterchips in einem geschlossenen Moldwerkzeug beim Umspritzvorgang.

1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement 1, welches einen auf einem Substrat 4 angeordneten bzw. darauf aufgeklebten Halbleiterchip 5 aufweist. Der Halbleiterchip 5 ist über Leitungsdrähte 6 mit Kontaktflächen (nicht gezeigt) auf dem Substrat 4 elektrisch verbunden. Über dem Halbleiterbauelement 1 ist eine obere Moldwerkzeughälfte 2 angeordnet, wie sie gängigerweise zum Abdichten während des sogenannten Folienmoldings im Stand der Technik verwendet wird. Dabei wird in die obere Moldwerkzeughälfte 2 eine Folie 3 gespannt. Wenn das Substrat 4 zwischen der oberen Moldwerkzeughälfte 2 und der unteren Moldwerkzeughälfte (nicht gezeigt) beim Schließen der beiden Werkzeughälften geklemmt wird, wird die Folie 3 derartig gespannt, dass sie eine Dichtfunktion übernimmt, so dass beim Umspritzvorgang der Teil der Oberfläche des Halbleiterchips 5, welcher von der Folie 3 kontaktiert wird, von Pressmasse wie z. B. Epoxidharz, freigehalten wird.

2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement und eine weitere obere Moldwerkzeughälfte, wie sie im Stand der Technik verwendet wird. Wie auch in 1, ist ein Halbleiterbauelement 1 unterhalb einer oberen Moldwerkzeughälfte 2 angeordnet; die untere Moldwerkezeughälfte ist auch in dieser Figur nicht gezeigt. Das Verfahren unterscheidet sich gegenüber dem in 1 dargestellten Folienmolding-Verfahren dadurch, dass anstelle der Folie 3 eine flexible Lage 7 zur Abdichtung des freizuhaltenden Bereichs auf der Oberfläche des Halbleiterchips 5 verwendet wird. Die flexible Lage 7 ist an der produktspezifisch ausgebildeten oberen Moldwerkzeughälfte 2 fixiert und somit einer hohen Beanspruchung, d. h. hohen Drücken und hohen Temperaturen während des Moldprozesses ausgesetzt.

3 zeigt noch einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement 1, wie es bereits im Zusammenhang mit der 1 beschrieben wurde. Darüber ist eine weitere aus dem Stand der Technik bekannte obere Moldwerkzeughälfte 2 angeordnet, welche sich von der in 2 dargestellten Konstruktion lediglich dadurch unterschiedet, dass die flexible Lage 7 nicht vollflächig an der oberen Moldwerkzeughälfte 2 angebracht ist, sondern nur in Form eines Rahmens. Jedoch ist auch diese flexible Lage 7 den gleichen hohen Beanspruchungen ausgesetzt wie die vollfächige flexible Lage 7 der 2.

In 4 ist ein schematischer Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement 1, wie es im Zusammenhang mit der 1 beschrieben wurde, und eine weitere obere Moldwerkzeughälfte 2 gemäß dem Stand der Technik dargestellt. Dieses Moldwerkzeug unterscheidet sich von den oben beschriebenen Werkzeugkonstruktionen dadurch, dass hier eine gefederte Platte 8 die Abdichtung eines Teils der Oberfläche des Halbleiterchips 5 übernimmt, wenn die obere Werkzeughälfte 2 und die untere Moldwerzeughälfte (nicht gezeigt) geschlossen werden und der Umspritzvorgang stattfindet.

Die 5 bis 8 zeigen jeweils schematische Querschnitte durch ein Substrat 4 mit darauf angeordneten Halbleiterchips 5 während verschiedener Verfahrenschritte des erfindungsgemäßen Verfahrens. 5 zeigt zwei auf einem Substrat 4 angeordnete Halbleiterchips 5, welche bereits über Leitungsdrähte 6 an das Substrat 4 angeschlossen sind. Die Halbleiterchips 5 weisen jeweils eine erste Oberfläche 9 und eine zweite Oberfläche 10 auf, welche der ersten Oberfläche 9 gegenüberliegt. Das Substrat 4 weist ebenfalls eine erste Oberfläche 12 und eine zweite der ersten Oberfläche 12 gegenüberliegende Oberfläche 13 auf. Die Halbleiterchips 5 sind mit ihren jeweiligen zweiten Oberflächen 10 auf der ersten Oberfläche 12 des Substrats aufgeklebt. Auf ihren jeweiligen ersten Oberflächen 9 ist ein elastisches Material, hier Silikon, in Form eines vollständig umlaufenden Damms 11 mittels eines Dispensverfahrens aufgebracht.

In 6 ist ein weiterer Verfahrensschritt dargestellt, in welchem das Substrat 4 mit den darauf angebrachten Halbleiterchips 5 in einem gewöhnlichen Moldwerkzeug 15, wie es für das Transfer-Moldverfahren verwendet wird, angeordnet ist. Das Moldwerkzeug 15 besteht aus einer oberen Werkzeughälfte 2, welche eine innere Oberfläche 16 aufweist und einer unteren Werkzeughälfte 15, welche ebenfalls eine innere Oberfläche 17 aufweist. Das Substrat 4 liegt mit seiner zweiten Oberfläche 13 auf der inneren Oberfläche 17 der unteren Werkzeughälfte 14 auf. Die obere Werkzeughälfte 2 ist oberhalb der Halbleiterchips 5 angeordnet, kontaktiert diese jedoch noch nicht.

Im nächsten Schritt, welcher in 7 gezeigt ist, ist das Moldwerkzeug 15 geschlossen worden, so dass jetzt die innere Oberfläche 16 der oberen Werkzeughälfte 2 den elastischen Damm 11, welcher jeweils auf der ersten Oberfläche 9 der Halbleiterchips 5 aufgebracht ist, kontaktiert bzw. ihn aufgrund seiner Elastizität um ein definiertes Maß zusammendrückt. Dadurch entsteht über einer abzudichtenden Fläche 18 auf den Halbleiterchips 5 eine geschlossene Kavität 19, in die keine Pressmasse während des Umspritzprozesses fließen kann. Durch die gewählte Höhe des Dammes 11 werden Toleranzen bzw. Unebenheiten auf der Oberfläche des Halbleiterchips 5 ausgeglichen.

Schließlich ist in 8 die Situation nach dem Umspritzvorgang dargestellt, während welchem Epoxidharz in das geschlossene Moldwerkzeug 15 eingefüllt worden ist, um die Halbleiterchips 5 zu verkapseln. Der Epoxidharz wird ausgehärtet; danach kann das Moldwerkzeug 15 dann entfernt werden. Es kann erkannt werden, dass in die Kavität 19, welche durch den Damm 11, einen Teil der inneren Oberfläche 16 der oberen Werkzeughälfte 2 und die abzudichtende Fläche 18 auf dem Halbleiterchip 5 eingegrenzt wird, keine Pressmasse hinein geflossen ist und die gewünschten Bereiche freigehalten werden, was somit auf einfache Weise mittels herkömmlicher und produktunspezifischer Moldwerkzeuge erzielt worden ist. Ein Verschleiß der Dichtfunktion kann bei dem erfindungsgemäßen Verfahren auch nicht auftreten, da sich diese nicht im Moldwerkzeug 15 befindet sondern auf dem Halbleiterchip 5 selbst. So wird jede Dichtung nur einmal beansprucht und längere Moldtool-Standzeiten und damit auch geringere Fertigungskosten können mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens erzielt werden.

1Halbleiterbauelement 2obere Werkzeughälfte 3Folie 4Substrat 5Halbleiterchip 6Leitungsdrähte 7flexible Lage 8gefederte Platte 9erste Oberfläche des Halbleiterchips 10zweite Oberfläche des Halbleiterchips 11Damm 12erste Oberfläche des Substrats 13zweite Oberfläche des Substrats 14untere Werkzeughälfte 15Moldwerkzeug 16innere Oberfläche der oberen Werkzeughälfte 17innere Oberfläche der unteren Werkzeughälfte 18abzudichtende Fläche 19Kavität 20Pressmasse

Anspruch[de]
  1. Verfahren zum Verkapseln eines Halbleiterbauelements (1), welches zumindest einen auf einem Substrat (4) angeordneten Halbleiterchip (5) aufweist, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst:

    – Aufbringen eines elastischen Dammes (11) auf dem Halbleiterchip (5);

    – Einbringen des auf dem Substrat (4) angeordneten Halbleiterchips (5) in ein aus einer unteren und einer oberen Werkzeughälfte (14, 2) bestehendes Moldwerkzeug (15),

    – Schließen des Moldwerkzeugs (15), so dass mit einer inneren Oberfläche (16) der oberen Werkzeughälfte (2) der elastische Damm (11) vollständig kontaktiert wird,

    – Umspritzen des Halbleiterbauelements (1) mit einer Pressmasse (20).
  2. Verfahren nach Anspruch 1, welches weiterhin den Schritt des Fixierens des zumindest einen Halbleiterchips (5) auf dem Substrat (4), insbesondere das Aufkleben zumindest einen Halbleiterchips (5) auf dem Substrat (4), umfasst.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, welches weiterhin den Schritt des Bondens des Halbleiterchips (5), insbesondere des Die-Wire-Bondens, umfasst.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Aufbringen des Dammes (11) durch Dispensen, Drucken oder unter Verwendung von Preforms erfolgt.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, welches weiterhin den Schritt des Aushärtens der Pressmasse (20) umfasst.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der Schritt des Schließens des Moldwerkzeugs (15) unter Verwendung von Druck ausgeführt wird, so dass der Damm (11) aufgrund seiner Elastizität um ein definiertes Maß zusammengedrückt wird.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei als Pressmasse (20) ein thermoplastisches Material, insbesondere Epoxidharz, verwendet wird.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei als Dammmaterial ein elastisches Kunststoffmaterial, insbesondere Silikon oder Polyurethan verwendet wird.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei als Dammmaterial Gummi verwendet wird.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei der Damm (11) derart auf dem Halbleiterchip (5) aufgebracht wird, dass er eine abzudichtende Fläche (18) vollständig umläuft.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei der Damm (11), die abzudichtende Fläche (18) des Halbleiterchips (5) und ein Teil der inneren Oberfläche (16) der oberen Werkzeughälfte (2) des Moldwerkzeugs (15) bei geschlossenen Moldwerkzeug (15) eine geschlossene Kavität (19) bilden, die gegen Pressmasse (20) abgedichtet ist.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei das Substrat (4) eine erste (12) und eine zweite der ersten Oberfläche (12) gegenüberliegede Oberfläche (13) aufweist, wobei der Halbleiterchip (5) auf der ersten Oberfläche (12) des Substrats (4) aufgebracht wird.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei das Substrat (4) mit seiner zweiten Oberfläche (13) auf einer inneren Oberfläche (17) der unteren Werkzeughälfte (14) des Moldwerkzeugs (15) aufliegt.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei der Halbleiterchip eine erste und eine zweite der ersten Oberfläche gegenüberliegende Oberfläche aufweist, wobei der Damm wird auf der ersten Oberfläche des Halbleiterchips gebildet wird.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, wobei der Halbleiterchip (5) mit seiner zweiten Oberfläche (10) auf der ersten Oberfläche (12) des Substrats (4) fixiert wird.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei der Schritt des Umspritzens des Halbleiterbauelements (1) mittels eines Transfer-Moldverfahrens durchgeführt wird.
  17. Halbleiterbauelement (1), welches einen auf einem Substrat (4) aufgebrachten und in einem Gehäuse verkapselten Halbleiterchip (5) aufweist, wobei der Halbleiterchip (5) und das Substrat (4) jeweilig eine erste (9, 12) und eine zweite Oberfläche (10, 13) aufweisen, wobei der Halbleiterchip (5) mit seiner zweiten Oberfläche (10) auf der zweiten Oberfläche (13) des Substrats (4) aufliegt, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip (5) auf seiner ersten Oberfläche (9) einen eine abzudichtende Fläche (18) eingrenzenden Damm (11) aufweist.
  18. Halbleiterbauelement nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass es weiterhin einen Leadframe aufweist, an welchen der Halbleiterchip (5) über Leitungsdrähte (6) gebondet ist.
  19. Halbleiterbauelement nach Anspruch 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip (5) auf dem Substrat (4) aufgeklebt ist.
  20. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 17 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse mittels eines Transfer-Moldverfahrens gebildet ist.
  21. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 17 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse aus einem thermoplastischen Material, insbesondere aus Epoxidharz, hergestellt ist.
  22. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 17 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass der Damm (11) aus einem elastischen Material, insbesondere aus einem elastischen Kunststoffmaterial, hergestellt ist.
  23. Halbleiterbauelement nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass der Damm (11) aus Silikon oder Polyurethan hergestellt ist.
  24. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 17 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass der Damm (11) aus Gummi hergestellt ist.
Es folgen 2 Blatt Zeichnungen






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