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Dokumentenidentifikation DE112004002090T5 28.09.2006
Titel Zener-Zap-Speicher
Anmelder Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
Erfinder Berg, Bengt, Solna, SE
Vertreter Patentanwälte Dr. Graf Lambsdorff & Dr. Lange, 81673 München
DE-Aktenzeichen 112004002090
Vertragsstaaten AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, EP, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW, BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW, AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR, BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG, BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG
WO-Anmeldetag 27.10.2004
PCT-Aktenzeichen PCT/SE2004/001557
WO-Veröffentlichungsnummer 2005043549
WO-Veröffentlichungsdatum 12.05.2005
Date of publication of WO application in German translation 28.09.2006
Veröffentlichungstag im Patentblatt 28.09.2006
IPC-Hauptklasse G11C 17/18(2006.01)A, F, I, 20051017, B, H, DE

Beschreibung[de]
TECHNISCHES GEBIET

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen integrierten Schaltkreis zum permanenten elektrischen Programmieren von Informationen in dem integrierten Schaltkreis. Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf einen integrierten Bipolar-Schaltkreis zum permanenten Programmieren von Informationen in dem integrierten Schaltkreis, wenn der integrierte Schaltkreis Komponenten umfasst, die außerstande sind, die zum elektrischen Programmieren der Informationen notwendige Spannung aufrecht zu erhalten.

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

Eine Möglichkeit zum permanenten und elektrischen Programmieren von bipolaren integrierten Schaltkreisen ist die Verwendung des sogenannten Zener-Zaps von NPN-Transistoren. Der NPN-Transistor kann durch das Aufprägen eines solchen starken Stroms durch den Transistor programmiert werden, so dass das Aluminium von dem Verbindungsmuster in das Silizium migriert und einen Kurzschluss zwischen der Basis und dem Emitter bildet.

Der NPN-Transistor kann in Abhängigkeit von der angeschlossenen Logik als eine logische Eins oder eine logische Null verwendet werden, wenn er gezappt wird. Daher kann eine Sequenz von anfänglich nicht-gezappten NPN-Transistoren verwendet werden, um eine Sequenz von binären Zahlen zu repräsentieren, die eine digitale Zahl repräsentiert. Diese Sequenz kann dann durch das Zappen selektierter Binär-Zahlen in der Sequenz geändert werden, um die durch die Sequenz der NPN-Transistoren repräsentierte digitale Zahl zu ändern.

Beispielsweise kann der Betriebspunkt für einen Leistungstransitor anfänglich auf einen vorbestimmten Wert in dem integrierten Schaltkreis gesetzt werden. Nach dem Testen und Tunen ist es möglich, dass der Betriebspunkt leicht geändert werden sollte, um eine bessere Performance zu erreichen. Falls der vorbestimmte Wert für den Betriebspunkt in dem integrierten Schaltkreis unter Verwendung von NPN-Transistoren gesetzt worden ist, kann dieser Wert später, nach dem Tunen, durch das Zappen von sorgfältig ausgewählten NPN-Transistoren geändert werden.

Es ist möglich, die NPN-Transistoren auf zwei verschiedene Weisen zu verbinden, um eine Zener-Diode herzustellen, nämlich durch eine Verbindung des Kollektors entweder mit der Basis oder mit dem Emitter. Die Kollektor-Basis-Verbindung benötigt weniger Spannung, um die Zener-Diode zu zappen, der verbrauchte Strom ist jedoch wesentlich größer. Falls als Speicherfunktion verwendet, wird die Kollektor-Emitter-Verbindung bevorzugt, da weniger Strom verbraucht wird. Falls größere Speicher programmiert werden sollten, könnten die Stromanforderungen andernfalls sehr hoch werden. Diese Alternative hat jedoch den Nachteil, dass eine größere Spannung benötigt wird.

Für Schaltkreise mit mehreren Komponenten werden geringe Abmessungen benötigt. Diese Komponenten mit geringen Abmessungen sind weniger tolerant hinsichtlich hoher Spannungen. Das bedeutet, dass sie eine hohe Spannung nicht aufrechterhalten können, ohne zerstört zu werden. Es wäre wünschenswert, mehrere NPN-Transistoren gleichzeitig auch in Schaltkreisen mit mehreren und daher kleinen Komponenten programmieren zu können, die außerstande sind, hohe Spannungen aufrechtzuerhalten.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine solche Vorrichtung und ein Verfahren zu schaffen, das die obigen Probleme zumindest verringert.

Es ist in dieser Hinsicht insbesondere die Aufgabe der Erfindung, eine solche Anordnung zu schaffen, die das Programmieren eines NPN-Transistors in Schaltkreisen mit Komponenten mit geringen Spannungstoleranzen ohne den Nachteil einer Erhöhung des Stromverbrauchs zu schaffen.

Diese Aufgaben werden gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung unter anderem durch einen integrierten Schaltkreis zum elektrischen permanenten Programmieren von Informationen in dem integrierten Schaltkreis durch das Treiben eines Stroms durch eine Zener-Diode gelöst. Der integrierte Schaltkreis umfasst einen ersten Strom-Einspeise-Schaltkreis mit einem Ausgang, einem Einspeisepunkt, der mit einer Versorgungsspannung verbindbar ist, und einem Steuereingang zum Steuern des Programmierens der Zener-Diode.

Der integrierte Schaltkreis umfasst auch zumindest einen zweiten Strom-Einspeise-Schaltkreis mit einem Ausgang, der durch einen Widerstand mit der Zener-Diode verbunden ist, einem Einspeisepunkt, der mit dem Ausgang des ersten Strom-Einspeise-Schaltkreises verbunden ist, und mit einem Steuereingang zum Steuern des Programmierens der Zener-Diode.

Schließlich umfasst der integrierte Schaltkreis einen ersten Spannungspegel-Controller, der vorgesehen ist, um die zum Programmieren der Zener-Diode notwendige Spannung über den ersten und den zumindest zweiten Strom-Einspeise-Schaltkreis aufzuteilen.

Durch diese Anordnung kann ein Prozess zum Herstellen von integrierten Schaltkreisen auch zum Herstellen von Schaltkreisen mit der Fähigkeit zum permanenten elektrischen Programmieren von Informationen durch Verwendung des Zappens eines Zener-beschalteten NPN-Transistors verwendet werden, wenn der Schaltkreis Komponenten aufweist, die außerstande sind, die für das Zappen notwendigen Spannungspegel aufrechtzuerhalten. Dadurch können in dem Schaltkreis kleinere Komponenten verwendet werden, was wiederum bedeutet, dass viel mehr Komponenten in einem integriertem Schaltkreis angeordnet werden können, wodurch die Herstellung von komplexeren Schaltkreisen ermöglicht wird, was das Programmieren von Informationen unter Verwendung des Zener-Zappens der Zener-beschalteten NPN-Transistoren einschließt.

Gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist der erste Spannungspegel-Controller zwischen dem Ausgang des zumindest zweiten Strom-Einspeise-Schaltkreises und dem Steuereingang des ersten Strom-Einspeise-Schaltkreises verbunden.

Gemäß einem anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel ist ein zweiter Spannungspegel-Controller vorgesehen, um die Spannung über dem Widerstand zu steuern, um dadurch den Strom durch den Transistor und durch die Zener-Diode einzustellen.

Gemäß einem anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel ist der zweite Spannungspegel-Controller zwischen die Zener-Diode und den Steuereingang des zweiten Strom-Einspeise-Schaltkreises geschaltet ist.

Gemäß einem anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel ist der erste Spannungspegel-Controller vorgesehen, um zu verhindern, dass der Spannungspegel über dem ersten und dem zumindest zweiten Strom-Einspeise-Schaltkreis nicht-aufrechthaltbare Pegel erreicht.

Gemäß einem anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel ist der erste Spannungspegel-Controller eine zweite Zener-Diode.

Gemäß einem anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel umfasst jeder der Strom-Einspeise-Schaltkreise: einen ersten und zweiten Transistor, deren Kollektoren mit dem Einspeisepunkt verbunden sind, wobei die Basis des ersten Transistors mit dem Steuereingang und über einen ersten Widerstand mit dem Emitter des ersten Transistors verbunden ist, wobei die Basis des zweiten Transistors mit dem Emitter des ersten Transistors und über einen zweiten Widerstand mit dem Emitter des zweiten Transistors verbunden ist, und wobei der Emitter des zweiten Transistors mit dem Ausgang des Strom-Einspeise-Schaltkreises verbunden ist.

Gemäß einem anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel ist die Zener-Diode ein NPN-Transistor, der einen mit dem Emitter verbundenen Kollektor umfasst.

Alternativ ist der Kollektor des NPN-Transistors nicht verbunden. In diesem Fall wäre es zutreffender, den NPN-Transistor als Diode und nicht als Transistor zu bezeichnen.

Gemäß einem anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel umfasst der integrierte Schaltkreis Komponenten, die außerstande sind, die zum Zappen der Zener-Diode notwendigen Spannungspegel aufrechtzuerhalten.

Weitere Eigenschaften und Vorteile der Erfindung werden anhand der nachfolgend beschriebenen Ausführungsbeispiele verdeutlicht.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Die vorliegende Erfindung wird eingehend anhand der nachfolgenden detaillierten Beschreibung von Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die 1 bis 3, die lediglich zum Zwecke der Veranschaulichung beigefügt und für die vorliegende Erfindung nicht einschränkend sind, erläutert.

1 zeigt ein schematisches Schaltkreisdiagramm eines bevorzugten Ausführungsbeispiels gemäß der Erfindung.

2 zeigt ein schematisches Schaltkreisdiagramm einer Anordnung zum Bestimmen, ob eine Zener-Diode gezappt worden ist.

3 zeigt ein schematisches Schaltkreisdiagramm einer Anordnung zum Liefern von Steuerströmen zu dem Schaltkreis aus 1.

BEVORZUGTE AUSFÜHRUNGSBEISPIELE

Nachfolgend werden zum Zwecke der Erläuterung und nicht einschränkend spezifische Details beschrieben, z. B. besondere Verfahren und Anwendungen, um ein tiefes Verständnis der vorliegenden Erfindung zu ermöglichen. Es wird jedoch für Fachleute offensichtlich sein, dass die vorliegende Erfindung auch in anderen Ausführungsformen ausgeführt werden kann, die diese spezifischen Details nicht aufweisen. Ferner wird auf bekannte Verfahren und Vorrichtungen nicht detailliert eingegangen, um die Beschreibung der vorliegenden Erfindung nicht durch unnötige Details zu verkomplizieren.

1 zeigt ein schematisches Schaltkreisdiagramm eines bevorzugten Ausführungsbeispiels gemäß der Erfindung. Ein erster Stromerzeuger 101 umfasst einen Steuereingang 102, einen Einspeisepunkt 103 und einen Ausgang 104. Der Ausgang 104 des ersten Stromerzeugers 101 ist verbunden mit einem Einspeisepunkt 105 eines zweiten Stromerzeugers 106, der auch einen Steuereingang 107 und einen Ausgang 108 umfasst. Der erste und der zweite Stromerzeuger, die zwei Transistoren und zwei Widerstände umfassen, sind strukturell ähnlich.

Der erste Stromerzeuger umfasst einen ersten Transistor T1 mit einem Kollektor, der mit dem Einspeisepunkt 103 verbunden ist, und mit einer Basis, die mit dem Steuereingang 102 verbunden ist. Der Emitter des ersten Transistors T1 ist verbunden mit der Basis eines zweiten Transistors T2 und die Basis des ersten Transistors T1 ist verbunden mit dem Emitter des ersten Transistors T1 durch einen ersten Widerstand R1. In ähnlicher Weise ist die Basis des zweiten Transistors T2 mit dem Emitter des zweiten Transistors T2 durch einen zweiten Widerstand R2 verbunden, der Kollektor des zweiten Transistors T2 ist verbunden mit dem Einspeisepunkt 103 und der Emitter des zweiten Transistors T2 ist verbunden mit dem Ausgang 104.

Wie bereits erwähnt ist der zweite Stromerzeuger 106 ähnlich wie der erste Stromerzeuger 101 und umfasst daher jeweils einen dritten und einen vierten Transistor T3 und T4, deren Kollektoren mit dem Einspeisepunkt 105 für den zweiten Stromgenerator 106 verbunden sind, der auch der Ausgang für den ersten Stromgenerator 101 ist. Die Basen des jeweiligen dritten und vierten Transistors T3 und T4 sind jeweils mit Emittern durch dritte und vierte Widerstände R3 und R4 verbunden. Der Emitter des dritten Transistors T3 ist schließlich verbunden mit der Basis des vierten Transistors T4 und der Emitter des vierten Transistors bildet den Ausgang 108 des zweiten Stromgenerators. Die Basis des Transistors T3 ist verbunden mit dem Steuereingang 107.

Der zweite Stromgenerator ist verbunden mit einem fünften Widerstand R5, welcher wiederum mit einem NPN-Transistor Tz verbunden ist, welcher die gezappte Zener-Diode implementiert. Zwischen dem NPN-Transistor Tz und dem Steuereingang 107 für den zweiten Stromgenerator sind jeweils drei Dioden D1, D2 und D3 verbunden. Darüber hinaus ist zwischen den Ausgang 108 des zweiten Stromerzeugers 106 und den Steuereingang 102 des ersten Stromerzeugers 101 eine zweite Zener-Diode Z1 geschaltet.

Die Funktionsweise des Schaltkreises ist wie folgt.

Ein erster Strom I1 wird in den Steuereingang 102 des ersten Stromerzeugers 101 eingespeist und ein zweiter Strom I2 wird in den Steuereingang 107 des zweiten Stromerzeugers 106 eingespeist. Falls der erste und der zweite Strom ausgeschaltet sind, sind die Transistoren T1 bis T4 nicht leitend und der Schaltkreis ist daher ausgeschaltet. Falls die Ströme I1 und I2 eingeschaltet sind und falls die Einspeisespannung hoch genug ist, sind die Transistoren T1 bis T4 leitend und der Schaltkreis beginnt zu arbeiten. Wenn die Spannung über dem NPN-Transistor Tz, der als Zener-Diode beschaltet ist, den Zenerdurchbruchspegel erreicht, etwa 6 bis 7 Volt, beginnt ein Strom durch den Schaltkreis zu fließen.

Der fünfte Widerstand R5 und die drei Dioden D1 bis D3 beschränken den Strom durch den Schaltkreis. Die drei Dioden D1 bis D3 sind vorgesehen, die Basis des Transistors T3 drei Diodenspannungsabfälle oberhalb der niedrigen Seite des Widerstands R5 zu legen, während die höhere Seite des Widerstands R5 zwei Diodenspannungsabfälle unterhalb der Basis des Transistors T3 ist, nämlich die Spannungsabfälle über dem Basis-Emitter der Transistoren T3 und T4. Daher bleibt ein Diodenspannungsabfall über dem Widerstand R5 übrig und diese Spannung und der Widerstandswert des Widerstands R5 bestimmen den Strom. Der Strom wird entsprechend ausgewählt, damit er zum Zappen des Transistors Tz hoch genug ist.

Folglich ist der durch den NPN-Transistor Tz fließende Strom zu groß für die Zener-Spannung. Die Spannung über dem NPN-Transistor Tz steigt zur selben Zeit stark an, wie die Spannung über dem Schaltkreis abfällt. Zu dieser Zeit findet der Durchbruch in dem NPN-Transistor Tz statt. Der NPN-Transistor wird daher kurzgeschlossen, die Spannung über dem früheren NPN-Transistor Tz nähert sich Null Volt und die gesamte Spannung wird über den beschriebenen Schaltkreis gelegt. Der Strom wird durch den Transistor R5 auf demselben Wert beibehalten, so daß der insgesamt verbrauchte Strom nicht zu hoch wird, selbst wenn mehrere Transistoren gleichzeitig gezappt werden.

Die Zener-Diode Z1 wird derart bereitgestellt, daß die Spannung über dem zweiten Stromerzeuger 106, d.h. jeweils den Transistoren T3 und T4, nicht zu hoch ist. Die Diode Z1 ist verbunden zwischen dem Emitter des Transistors T4 und der Basis von T1. Der Kollektor von T4 ist zwei Basis-Emitter-Spannungsabfälle unterhalb der Basis von T1. Daher wird die maximale Spannung über T4 die Spannung über der Diode Z1 minus zwei Diodenspannungsabfälle betragen, nämlich T1 und T2. Die maximale Spannung über T3 wird die Spannung über der Diode Z1 minus drei Diodenspannungsabfälle betragen, nämlich T1, T2 und T4. Durch eine geeignete Wahl der Diode Z1, d.h. des Spannungsabfalls über Z1, kann ein maximal aufrechterhaltbarer Spannungspegel über dem zweiten Stromgenerator 106 sichergestellt werden, d.h. T4 und T3. Wenn dieser Spannungspegel erreicht wird, wird die Spannung über dem ersten Stromerzeuger 101 weiter ansteigen, d.h. T1 und T2, da der Strom I1 teilweise durch Z1 fließen wird.

2 zeigt ein schematisches Schaltkreisdiagramm einer Anordnung zum Erfassen, ob ein NPN-Transistor gezappt worden ist oder nicht. Ein erster und ein zweiter Transistor T1 und T2 weisen jeweils mit Masse verbundene Kollektoren auf. Die Basis von T1 ist verbunden mit dem Kollektor von T1, welcher auch mit dem Widerstand R1 verbunden ist. Die Basis von T2 ist verbunden mit dem Kollektor von T2 und der Emitter von T2 ist verbunden mit einem zweiten Widerstand R2. Der erste Widerstand hat einen Widerstandswert, der näherungsweise doppelt so hoch ist wie der Widerstandswert des zweiten Widerstands R2. Ein dritter Transistor T3 umfasst einen Kollektor, der mit dem NPN-Transistor verbunden ist (nicht gezeigt). Die Basis von T3 ist verbunden mit dem Emitter von T3 und ferner mit dem Emitter von T2.

Der erste Widerstand R1 ist ferner verbunden mit einem vierten Transistor T4 und der zweite Widerstand R2 ist verbunden mit einem fünften Transistor T5. Die Basis der Transistoren T4 und T5 ist verbunden mit einem Steuereingang 201 und die Kollektoren sind verbunden mit einem Stromspiegel T6, der zwei Transistoren T6' und T6'' zum Ziehen vom Strom umfasst. Der Kollektor von T4 ist ferner verbunden mit einem Ausgang 202.

Zum Betrieb des Schaltkreises wird der Steuereingang 201 auf näherungsweise 2 Volt erhöht. Falls der Zener-beschaltete NPN-Transistor (nicht gezeigt) gezappt worden ist, wird der Ausgang hoch sein, und falls der Transistor nicht gezappt worden ist, wird der Ausgang niedrig sein.

3 zeigt ein schematisches Schaltkreisdiagram einer Anordnung zum Bereitstellen der Steuerströme in dem Schaltkreis in 1. Die Schaltkreise auf der rechten Seite in 3 sind die in Verbindung mit 1 beschriebenen Schaltkreise und werden an dieser Stelle nicht weiter behandelt.

Die Transistoren T8 und T9 bilden wie die Transistoren T11 und T12 einen Stromspiegel zum Bereitstellen der Steuerströme I1 und I2. Die Transistoren T10, T13 und T14 liefern Schutz gegen hohe Spannungspegel. Ein niedriger Einspeisepunkt 301 liefert eine Treibspannung zu dem Schaltkreis. Der Eingang 301 ist ein Niederspannungseingang, etwa 8 Volt, verglichen mit dem Einspeisepunkt 103, welcher ein Hochpegelspannungseingang ist, etwa 30 bis 40 Volt. Ein Eingang 302 liefert einen Strom während des Zappens des NPN-Transistors. Zwei logische Eingänge 303 und 304 sorgen für die Steuerung des Schaltkreises. Falls der Eingang 303 in Bezug auf den Eingang 304 hoch ist, wird der Strom von dem Eingang 302 durch den Transistor T15 zu dem Niederspannungseingang 301 fließen. Falls das Gegenteil wahr ist, d.h. falls der Eingang 304 verglichen mit dem Eingang 303 hoch ist, wird der Strom durch den Transistor T16 zu den zwei Stromspiegeln fließen, die jeweils durch T8, T9 und T11, T12 gebildet werden, und das Zappen des NPN-Transistors wird ausgeführt.

Es ist offensichtlich, dass die Erfindung auf vielfältige Weise geändert werden kann. Solche Änderungen sollten jedoch nicht als eine Abweichung von dem Umfang der Erfindung betrachtet werden und sind durch den Umfang der angefügten Ansprüche abgedeckt.

Zusammenfassung Zener-Zap-Speicher

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen integrierten Schaltkreis zum elektrischen permanenten Programmieren von Informationen in dem integrierten Schaltkreis durch das Treiben eines Stroms durch einen NPN-Transistor. Der integrierte Schaltkreis umfasst einen ersten Strom-Einspeise-Schaltkreis mit einem Ausgang, der über einen Widerstand mit dem NPN-Transistor verbunden ist, einen mit einer Einspeisespannung verbindbaren Einspeisepunkt und einen Steuereingang zum Steuern des Programmierens des NPN-Transistors. Der integrierte Schaltkreis umfasst ferner zumindest einen zweiten Strom-Einspeise-Ausgang, der mit dem Einspeisepunkt für den ersten Strom-Einspeise-Schaltkreis verbunden ist, einen mit einer Einspeisespannung verbindbaren Einspeisepunkt und einen Steuereingang zum Steuern des Programmierens des NPN-Transistors. Der integrierte Schaltkreis umfasst schließlich einen ersten Spannungspegel-Controller, der vorgesehen ist, die zum Programmieren des NPN-Transistors benötigte Spannung über den ersten und den zumindest zweiten Strom-Einspeise-Schaltkreis aufzuteilen.


Anspruch[de]
  1. Integrierter Schaltkreis zum elektrischen dauerhaften Programmieren von Information in dem integrierten Schaltkreis durch das Treiben eines Stroms durch eine Zener-Diode,

    gekennzeichnet durch

    – einen ersten Strom-Einspeise-Schaltkreis mit

    • einem Ausgang,

    • einem Einspeisepunkt, der mit einer Einspeise-Spannung verbindbar ist, und

    • einem Steuereingang zum Steuern des Programmierens der Zener-Diode,

    – zumindest einen zweiten Strom-Einspeise-Schaltkreis mit

    • einem Ausgang, der durch einen Widerstand mit der Zener-Diode verbunden ist,

    • einem Einspeisepunkt, der mit dem Ausgang des ersten Strom-Einspeise-Schaltkreises verbunden ist, und

    • einem Steuereingang zum Steuern des Programmierens der Zener-Diode, und

    – einen ersten Spannungspegel-Controller, der vorgesehen ist, um die zum Programmieren der Zener-Diode notwendige Spannung über den ersten und den zumindest zweiten Strom-Einspeise-Schaltkreis aufzuteilen.
  2. Integrierter Schaltkreis gemäß Anspruch 1, wobei

    – der erste Spannungspegel-Controller zwischen einem Ausgang des zumindest zweiten Strom-Einspeise-Schaltkreises und dem Steuereingang des ersten Strom-Einspeise-Schaltkreises verbunden ist.
  3. Integrierter Schaltkreis gemäß Anspruch 1, wobei

    – ein zweiter Spannungspegel-Controller vorgesehen ist, um die Spannung über dem Widerstand zu steuern, um dadurch den Strom durch den Widerstand und die Zener-Diode einzustellen.
  4. Integrierter Schaltkreis gemäß Anspruch 3, wobei

    – der zweite Spannungspegel-Controller zwischen der Zener-Diode und dem Steuereingang des zweiten Strom-Einspeise-Schaltkreises verbunden ist.
  5. Integrierter Schaltkreis gemäß Anspruch 2, wobei

    – der erste Spannungspegel-Controller vorgesehen ist, um zu verhindern, daß der Spannungspegel über dem ersten und dem zumindest zweiten Strom-Einspeise-Schaltkreis nicht-aufrechthaltbare Pegel erreicht.
  6. Integrierter Schaltkreis gemäß Anspruch 1, wobei

    – der erste Spannungspegel-Controller eine zweite Zener-Diode ist.
  7. Integrierter Schaltkreis gemäß Anspruch 1, wobei jeder der Strom-Einspeise-Schaltkreise die folgenden Merkmale umfaßt:

    – einen ersten und einen zweiten Transistor, deren Kollektoren mit dem Einspeisepunkt verbunden sind, wobei

    – die Basis des ersten Transistors mit dem Steuereingang und über einen ersten Widerstand mit dem Emitter des ersten Transistors verbunden ist, wobei

    – die Basis des zweiten Transistors mit dem Emitter des ersten Transistors und über einen zweiten Widerstand mit dem Emitter des zweiten Transistors verbunden ist, und wobei

    – der Emitter des zweiten Transistors mit dem Ausgang des Strom-Einspeise-Schaltkreises verbunden ist.
  8. Integrierter Schaltkreis gemäß Anspruch 1, wobei

    – die Zener-Diode ein NPN-Transistor mit einem Kollektor, der mit dem Emitter verbunden ist, ist.
  9. Integrierter Schaltkreis gemäß Anspruch 1, wobei

    – der integrierte Schaltkreis Komponenten umfasst, die außerstande sind, die zum Zappen der Zener-Diode notwendigen Spannungpegel aufrechtzuerhalten.
Es folgen 3 Blatt Zeichnungen






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