PatentDe  


Dokumentenidentifikation DE69929771T2 12.10.2006
EP-Veröffentlichungsnummer 0001055012
Titel PLASMAABSCHEIDUNGSPROZESS VON DIELEKTRISCHEN FILMEN MIT GERINGER DIELEKTRIZITÄTSKONSTANTE
Anmelder Applied Materials, Inc., Santa Clara, Calif., US
Erfinder CHEUNG, David, Foster City, CA 94404, US;
YAU, Wai-Fan, Los Altos, California, US;
MANDAL, P., Robert, Saratoga, CA 95070, US;
JENG, Shin-Puu, Shan-Hua, Tainan, Taiwan 741, CN;
LIU, Kuo-Wei, Campbell, CA 95008, US;
LU, Yung-Cheng, San Jose, CA 95117, US;
BARNES, Mike, San Ramon, CA 94583, US;
WILLECKE, B., Ralf, Santa Clara, CA 95050, US;
MOGHADAM, Farhad, Los Gatos, CA 95030, US;
ISHIKAWA, Tetsuya, Santa Clara, CA 95050, US;
POON, Tze, Sunnyvale, CA 94086, US
Vertreter v. Füner Ebbinghaus Finck Hano, 81541 München
DE-Aktenzeichen 69929771
Vertragsstaaten BE, CH, DE, FR, GB, IE, IT, LI, NL
Sprache des Dokument EN
EP-Anmeldetag 10.02.1999
EP-Aktenzeichen 999068976
WO-Anmeldetag 10.02.1999
PCT-Aktenzeichen PCT/US99/02903
WO-Veröffentlichungsnummer 1999041423
WO-Veröffentlichungsdatum 19.08.1999
EP-Offenlegungsdatum 29.11.2000
EP date of grant 08.02.2006
Veröffentlichungstag im Patentblatt 12.10.2006
IPC-Hauptklasse H01L 21/316(2006.01)A, F, I, 20051017, B, H, EP
IPC-Nebenklasse C23C 16/40(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, EP   H01L 21/768(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, EP   

Beschreibung[de]

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von integrierten Schaltungen. Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren zur Abscheidung von dielektrischen Schichten auf einem Substrat.

Einer der Hauptschritte bei der Herstellung von modernen Halbleiterbauelementen besteht in der Ausbildung von metallischen und dielektrischen Filmen auf dem Substrat durch chemische Reaktion von Gasen. Auf solche Abscheidungsprozesse wird als chemische Gasphasenabscheidung oder CVD Bezug genommen. Bei herkömmlichen thermischen CVD-Prozessen werden einer Substratoberfläche, wo wärmeinduzierte chemische Reaktionen zur Erzeugung eines gewünschten Films erfolgen, reaktive Gase zugeführt. Die hohen Temperaturen, bei denen einige thermische CVD-Prozesse arbeiten, können Bauelementstrukturen beschädigen, die Schichten aufweisen, die vorher auf dem Substrat ausgebildet wurden. Ein bevorzugtes Verfahren zum Abscheiden von metallischen und dielektrischen Filmen bei relativ niedrigen Temperaturen sind plasmaverstärkte CVD-(PECVD-)Verfahren, wie sie in dem US-Patent 5,362,526 mit dem Titel "Plasmaverstärkter CVD-Prozess unter Verwendung von TEOS zur Abscheidung von Siliciumoxid" beschrieben sind. Plasmaverstärkte CVD-Verfahren begünstigen die Anregung und/oder Dissoziation der Reaktionsteilnehmergase durch Anlegen von Hochfrequenz-(RF-)Energie an eine Reaktionszone in der Nähe der Substratoberfläche, wodurch ein Plasma mit hochreaktiven Spezies erzeugt wird. Die starke Reaktivität der freigesetzten Spezies verringert die für den Ablauf einer chemischen Reaktion erforderliche Energie und senkt so die erforderliche Temperatur für solche PECVD-Prozesse ab.

Die Größen von Halbleiterbauelement-Geometrien haben sich drastisch verringert, seit solche Bauelemente das erste Mal vor mehreren Jahrzehnten eingeführt wurden. Seit damals folgen integrierte Schaltungen insgesamt der Regel zwei Jahre/halbe Größe (häufig als Gesetz von Moore bezeichnet), was bedeutet, dass sich die Anzahl der auf einen Chip passenden Bauelemente alle zwei Jahre verdoppelt. Die heutigen Herstellungswerke erzeugen routinemäßig Bauelemente mit Strukturelementgrößen von 0,35 &mgr;m und sogar 0,18 &mgr;m, während die Anlagen von morgen bald Bauelemente mit noch kleineren Geometrien herstellen werden.

Um die Größe von Bauelementen auf integrierten Schaltungen weiter zu reduzieren, wurde es erforderlich, leitende Materialien mit einem niedrigen spezifischen Widerstand und Isolatoren mit einem niedrigen k (Dielektrizitätskonstante < 4,0) zu verwenden, um die kapazitive Koppelung zwischen benachbarten Metallleitungen zu verringern. Zwischen den leitenden Materialien und den Isolatoren wurden Zwischen-/Sperrschichten verwendet, um eine Diffusion von Nebenprodukten, wie Feuchte, auf das leitende Material zu unterbinden, wie es in der internationalen Veröffentlichung WO 94/01885 beschrieben ist. Beispielsweise diffundiert Feuchte, die während der Ausbildung eines Isolators mit geringem k erzeugt werden kann, leicht zur Oberfläche des leitenden Metalls und erhöht den spezifischen Widerstand der leitenden Metalloberfläche. Eine aus herkömmlichen Siliciumoxid- oder Siliciumnitridmaterialien ausgebildete Sperr-/Zwischenschicht kann die Diffusion der Nebenprodukte blockieren. Die Sperr-/Zwischenschichten haben jedoch gewöhnlich Dielektrizitätskonstanten, die beträchtlich größer als 4,0 sind, wobei die hohen Dielektrizitätskonstanten einen kombinierten Isolator ergeben, der die Dielektrizitätskonstante nicht merklich verringert.

1A zeigt einen PECVD-Prozess zum Abscheiden einer Sperr-/Zwischenschicht, wie er in der internationalen Veröffentlichung WO 94/01885 beschrieben ist. Bei dem PECVD-Prozess wird eine dielektrische Schicht aus mehreren Komponenten abgeschieden, wobei zuerst eine Siliciumdioxid-(SiO2-)Zwischenschicht 2 auf einer mit einem Muster versehenen Metallschicht abgeschieden wird, die auf einem Substrat 4 ausgebildete Metallleiter 3 aufweist. Die Zwischenschicht 2 wird durch eine plasmaverstärkte Reaktion von Silan (SiH4) und Stickoxid (N2O) bei 300°C abgeschieden. Dann wird eine selbstebnende dielektrische Schicht 5 mit niedrigem k auf der Zwischenschicht 2 durch Reaktion einer Silanverbindung und einer Peroxidverbindung abgeschieden. Die selbstebnende Schicht 5 hält Feuchte zurück, die durch Erhitzen entfernt wird. Die Zwischenschicht 2 ist ein oxidierter Silanfilm, der wirksame Sperreigenschaften hat, wenn er so abgeschieden wird, dass er eine Dielektrizitätskonstante von wenigstens 4,5 hat. Die Dielektrizitätskonstante des oxidierten Silanfilms kann auf etwa 4,1 verringert werden, wenn die Prozessbedingungen so verändert werden, dass die Feuchtesperreigenschaften des Films verringert werden. Herkömmliche Zwischenschichten, wie SiN, haben noch höhere Dielektrizitätskonstanten, und die Kombination von dielektrischen Schichten mit geringem k mit dielektrischen Zwischenschichten mit hohem k können eine geringe oder keine Verbesserung der Dielektrizitätskonstanten und der kapazitiven Koppelung der Gesamtschicht ergeben.

Wie in 1B gezeigt ist, beschreibt die WO 94/01885 weiterhin eine fakultative SiO2-Deckschicht 6, die auf der dielektrischen Schicht 5 mit geringem k durch die Reaktion von Silan und N2O abgeschieden wird. Die Deckschicht 6 ist ebenfalls ein oxidierter Silanfilm, der gute Sperreigenschaften hat, wenn er so abgeschieden wird, dass er eine Dielektrizitätskonstante von etwa 4,5 bereitstellt. Sowohl die Zwischenschicht als auch die Deckschicht 6 haben eine Dielektrizitätskonstante von mehr als 4,5. Die Schichten mit der hohen Dielektrizitätskonstante vermindern den Vorteil der dielektrischen Schicht 5 mit geringem k beträchtlich.

Wenn die Bauelemente kleiner werden, tragen die Zwischenschichten und Deckschichten mit hohen Dielektrizitätskonstanten stärker zur gesamten Dielektrizitätskonstanten einer dielektrischen Schicht mit vielen Komponenten bei. Außerdem haben bekannte dielektrische Materialien mit geringem k gewöhnlich einen niedrigen Oxidgehalt, was das Material als Ätzstoppschicht beim Ätzen von Durchgängen und/oder Zwischenverbindungen ungeeignet macht. Zur Herstellung von Zwischenverbindungsleitungen in dielektrischen Materialien mit geringem k war Siliciumnitrid das Ätzstoppmaterial der Wahl. Siliciumnitrid hat jedoch eine relativ hohe Dielektrizitätskonstante (eine Dielektrizitätskonstante von etwa 7) verglichen mit den umgebenden Dielektrizitätsschichten mit geringem k. Es wurde auch festgestellt, dass das Siliciumnitrid die kapazitive Koppelung zwischen Zwischenverbindungsleitungen beträchtlich steigern kann, auch wenn ein dielektrisches Material mit ansonsten geringem k als Hauptisolator verwendet wird. Dies kann zu einem Übersprechen und/oder einer Widerstandkapazitäts-(RC-)Verzögerung führen, was die Gesamtleistung der Vorrichtung verschlechtert. Somit werden Siliciumnitrid-Ätzstoppschichten gewöhnlich nach dem Ätzen der darunter liegenden dielektrischen Schichten entfernt.

Im Idealfall könnte sich eine dielektrische Schicht mit niedrigem k und sowohl guten Sperreigenschaften zur Verwendung als Zwischenschicht als auch ausreichendem Oxidgehalt zur Verwendung als Ätzstopp erweisen und in den gleichen Kammern wie vorhandene dielektrische Materialien mit geringem k abgeschieden werden. Solche Sperrschichten würden die gesamte Dielektrizitätskonstante der dielektrischen Schichten nicht erhöhen, und eine solche Ätzstoppschicht würde nach dem Ätzen der darunter liegenden Schichten nicht entfernt werden müssen.

Das US-Patent 5,554,570 beschreibt Sperrschichten zur Verwendung mit thermischen CVD-Siliciumoxiden, wobei zur Erhöhung der Dichte der abgeschiedenen Filme und zur Verbesserung der Haftung zwischen den Schichten anstelle von Silan ein Organosilan mit einer C-H-Gruppe oxidiert wird. Beispielsweise kann eine thermische CVD-Schicht, die aus Tetraethoxysilan (TEOS) und Ozon erzeugt wird, zwischen PECVD-Siliciumoxidfilmen abgeschieden werden, die aus einem Organosilicium und N2O oder O2 erzeugt wird.

Die in dem '570-Patent beschriebenen Sperrschichten sind vorzugsweise dichte Siliciumdioxidschichten mit geringen Kohlenstoffgehalten. Die dichten Schichten werden unter Verwendung von hochfrequenter HF-Leistung abgeschieden, obwohl sich auch die Verwendung von niederfrequenter HF-Leistung zur Verbesserung der Filmbelastung durchsetzt. Die Sperrschichten werden vorzugsweise aus Alkoxysilanen oder chlorierten Alkylsilanen und N2O hergestellt, um den Kohlenstoffgehalt zu verringern und um die Dichte der Schichten zu steigern.

Das '570-Patent gibt keine Prozessbedingungen zur Herstellung von Sperrschichten mit niedrigen Dielektrizitätskonstanten oder von Ätzstoppschichten mit hohen Oxidgehalten an. Das '570-Patent schlägt auch eine Verwendung der beschriebenen Schichten als Sperrschicht angrenzend an eine dielektrische Schicht mit geringem k oder als Ätzstopp vor.

Es besteht ein Bedürfnis für dielektrische Schichten mit niedrigen Dielektrizitätskonstanten, guten Sperreigenschaften und hohem Oxidgehalt zur Verwendung als Sperrschichten oder Ätzstoppschichten bei Submikron-Bauelementen.

Die EP-A-0522799 bezieht sich auf ein Verfahren zur Ausbildung eines dünnen Dielektrikums mit hohem Zwischenniveau durch PECVD.

Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zum Abscheiden eines Films mit niedriger Dielektrizitätskonstante auf einem Halbleitersubstrat bereit, bei welchem eine siliciumorganische Verbindung mit einem oxidierenden Gas unter HF-Plasma-Bedingungen umgesetzt wird, die für die Abscheidung eines Films mit niedriger Dielektrizitätskonstante auf ein Halbleitersubstrat ausreicht, wobei die siliciumorganische Verbindung wenigstens ein an ein Siliciumatom gebundenes Wasserstoffatom und wenigstens ein an ein Siliciumatom gebundenes Kohlenstoffatom umfasst, die HF-Plasmabedingungen eine Leistungsdichte von unter 1 W/cm2 aufweisen und der Film mit niedriger Dielektrizitätskonstante ein Siliciumoxidfilm mit einem Kohlenstoffgehalt von 1 bis 50 Atomgew.-% und einer Dielektrizitätskonstante von unter 3 ist, und der Film mit niedriger Dielektrizitätskonstante unter Bildung einer Zwischenverbindungsöffnung geätzt wird.

Die Siliciumoxidschicht wird durch plasmagestützte chemische Gasphasenabscheidung eines Organosilans, eines Organosiloxans oder von Kombinationen davon unter Verwendung von HF- oder Mikrowellenleistung zur Erzeugung von reaktiven Sauerstoffatomen erzeugt. Die Eigenschaften der Siliciumoxidschichten werden einfach durch Prozessvariationen gesteuert, und es können verschiedene Schichten in einer Abscheidungskammer abgeschieden werden, wie es für einen verbesserten Doppeldamaszenprozess gezeigt ist. Zusätzlich können die Siliciumoxidschichten als Haftschicht zwischen verschiedenen Schichten oder als eine dielektrische Intermetallschicht verwendet werden. Eine Siliciumoxidschicht kann durch Reaktion von Stickoxid N2O und einer Siliciumverbindung erzeugt werden, die Si-H-Bindungen enthält, beispielsweise Methylsilan CH3SiH3, Dimethylsilan (CH3)2-SiH2 oder 1,1,3,3-Tetramethyldisiloxan (CH3)2-SiH-O-SiH-(CH3)2.

Die Siliciumoxidschichten werden zur Stabilisierung ihrer Eigenschaften bei niedrigem Druck und hoher Temperatur gehärtet. Die Siliciumoxidschichten können unter Verwendung von gesondertem Anlegen von HF-Leistung an die Abscheidekammer erzeugt werden, um die Porosität der abgeschiedenen Schichten zu steigern. Die Verwendung von HF-Leistung mit niedrigen Niveaus wird bei Kammerdrucken bevorzugt, die kleiner als etwa 1333 Pa (10 Torr) sind. Zum Oxidieren von Gasen in einer Dissoziationskammer wird Mikrowellenleistung bereitgestellt, um die Bildung von reaktiven Oxidationsmitteln zu steuern, ohne das Leistungsniveau in der Abscheidungskammer zu erhöhen.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform wird eine Siliciumoxidschicht auf einer ein Muster bildenden Metallschicht durch plasmagestützte Reaktion von einer oder mehreren Organosilan- und/oder Organosiloxanverbindungen abgeschieden, die Si-H-Bindungen aufweisen.

Das Siliciumoxid der vorliegenden Erfindung ist weiterhin nützlich bei einem integrierten Prozess zur Herstellung von zuverlässigen dualen Damaszenstrukturen in einer Abscheidungskammer für eine reduzierte kapazitive Koppelung zwischen Zwischenverbindungsleitungen. Beispielsweise wird ein dielektrischer Film mit geringem k und hohem Kohlenstoffgehalt von mehr als etwa 20 Atomgew.-% als dielektrische Schicht auf Kontaktlochniveau abgeschieden. Dann wird ein dielektrischer Film mit geringem k und niedrigem Kohlenstoffgehalt von weniger als etwa 10 Atomgew.-% auf der Schicht mit hohem Kohlenstoffgehalt abgeschieden, um eine dielektrische Schicht auf Grabenniveau zu bilden. Eine Doppeldamaszen-Ätzung bildet dann die Gräben in der dielektrischen Schicht auf Grabenniveau und stoppt an der dielektrischen Schicht auf Kontaktlochniveau. Nach dem Ätzen der Kontaktlöcher der dielektrischen Schicht mit Kontaktlochniveau wird die obere Fläche planarisiert, so dass eine ebene Fläche auf der dielektrischen Schicht mit Grabenniveau verbleibt.

Zum Erreichen und zum Verstehen der erwähnten Merkmale, Vorteile und Ziele der vorliegenden Erfindung im Einzelnen erfolgt eine spezielle Beschreibung der vorstehend kurz zusammengefassten Erfindung unter Bezug auf Ausführungsformen, die in den beiliegenden Zeichnungen dargestellt sind.

Zu vermerken ist jedoch, dass die beiliegenden Zeichnungen nur typische Ausgestaltungen der Erfindung wiedergeben und deshalb ihr Umfang nicht als darauf begrenzt anzusehen ist, da die Erfindung sich auch auf andere gleichermaßen effektive Ausführungsformen erstrecken kann.

1A und 1B (Stand der Technik) sind schematische Darstellungen von dielektrischen Schichten, die auf einem Substrat durch die aus dem Stand der Technik bekannten Prozesse abgeschieden werden.

2 ist eine Schnittansicht eines CVD-Plasmareaktors, der zur Ausführung der vorliegenden Erfindung ausgestaltet ist.

3 ist eine Ansicht des Systemmonitors des CVD-Plasmareaktors von 2.

4 ist ein Ablaufdiagramm eines Rechnerprogrammprodukts zur Prozesssteuerung, das in Verbindung mit dem beispielsweisen CVD-Plasmareaktor von 2 verwendet wird.

5 ist ein Ablaufdiagramm, das die Schritte zeigt, die beim Abscheiden von Zwischen- und Deckschichten in einem Spaltfüllprozess nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ausgeführt werden.

6A bis 6E sind schematische Ansichten der auf einem Substrat durch das Verfahren von 5 abgeschiedenen Schichten.

7 ist eine Schnittansicht, die eine Doppeldamaszenstruktur mit den Siliciumoxidschichten zeigt.

8A bis 8H sind Schnittansichten, die eine Doppeldamaszen-Abscheidesequenz zeigen.

9 ist eine Schnittansicht, die eine Haftschicht zeigt, welche die Siliciumoxidschicht der vorliegenden Erfindung zwischen einer dielektrischen Prämetallschicht und einer dielektrischen Intermetallschicht aufweist.

10A bis 10H sind Schnittansichten, die eine Doppeldamaszen-Abscheidesequenz zeigen, wobei das Siliciumoxid der vorliegenden Erfindung verwendet wird, um einen dielektrischen Intermetallfilm an einem herkömmlichen Ätzstopp haften zu lassen.

11A bis 11D sind Schnittansichten, die eine integrierte Doppeldamaszen-Abscheidesequenz zeigen, wobei das Siliciumoxid der vorliegenden Erfindung verwendet wird, um einen herkömmlichen Ätzstopp zu beseitigen.

Für das weitere Verständnis der vorliegenden Erfindung wird auf die folgende, ins Einzelne gehende Beschreibung Bezug genommen.

Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zum Abscheiden einer Siliciumoxidschicht mit einer niedrigen Dielektrizitätskonstante, einem hohen Oxidgehalt und einem Kohlenstoffgehalt bereit, der ausreicht, um Sperreigenschaften zu geben. Die Siliciumoxidschicht weist ein oxidiertes Organosilan oder Organosiloxan auf und kann als eine Zwischenschicht angrenzend an andere dielektrische Materialien, als eine Ätzstoppschicht angrenzend an dielektrische Materialien mit geringerem Oxidgehalt, als eine dielektrische Intermetallschicht und als eine Haftschicht zwischen verschiedenen Materialien verwendet werden. Das oxidierte Organosilanmaterial wird durch plasmagestützte Oxidation der Organosilan- oder Organosiloxanverbindungen abgeschieden, wobei eine konstante HF-Leistung von etwa 10 W bis etwa 200 W oder von etwa 20 W bis etwa 500 W gepulste HF-Leistung zur Anwendung kommt. Die Siliciumoxidschicht kann auch unter Verwendung von häufigen Unterbrechungen, beispielsweise durch Wechseln der Kammern oder durch Vorsehen von Abkühlzeit, zum Verbessern der Porosität abgeschieden werden. Die HF-Leistung wird vorzugsweise mit hoher Frequenz, beispielsweise zwischen 13 MHz und 14 MHz, bereitgestellt. Die HF-Leistung wird vorzugsweise in kurz dauernden Zyklen bereitgestellt, wobei die Leistung bei den angegebenen Niveaus für Zyklen von weniger als etwa 200 Hz eingeschaltet ist und die Einschaltzyklen insgesamt etwa 10% bis etwa 30% des Gesamtarbeitszyklus ausmachen. Eine intermittierende HF-Leistung kann bei höheren Spitzenleistungsniveaus arbeiten und stellt die gleiche Gesamtleistungseingabe wie eine konstante HF-Leistung bei niedrigerem Leistungsniveau bereit.

Der Kohlenstoff, der in der Siliciumoxidschicht verbleibt, trägt zu niedrigen Dielektrizitätskonstanten und Sperreigenschaften bei. Der Restkohlenstoff liegt zwischen etwa 1 und etwa 50 Atomgew.-% und weist vorzugsweise ausreichende C-H- oder C-F-Bindungen auf, um der Siliciumoxidschicht hydrophobe Eigenschaften zu geben, was zu beträchtlich niedrigeren Dielektrizitätskonstanten und verbesserten Feuchtesperre-Eigenschaften führt.

Die Siliciumoxidschichten können aus Siliciumverbindungen erzeugt werden, die Kohlenstoff in Organogruppen enthalten, die nicht leicht durch Oxidation bei Prozessbedingungen entfernt werden. Vorzugsweise gehören dazu die -C-H-Bindungen, wie Alkyl- oder Arylgruppen, oder fluorierte Kohlenstoffderivate von ihnen. Zu geeigneten Organogruppen können auch Alkenyl- und Cyclohexenylgruppen sowie funktionelle Derivate gehören. Zu den Organosiliciumverbindungen gehören: Methylsilan, CH3-SiH3 Dimethylsilan, (CH3)2-SiH2 Trimethylsilan, (CH3)3-SiH Dimethylsilandiol, (CH3)2-Si-(OH)2 Ethylsilan, CH3-CH2-SiH3
Phenylsilan, C6H5-SiH3 Diphenylsilan, (C6H5)2-SiH2 Diphenylsilandiol, (C6H5)2-Si-(OH)3 Methylphenylsilan, C6H5-SiH2-CH3 Disilanmethan, SiH3-CH2-SiH3 Bis(methylsilan)methan, CH3-SiH2-CH2-SiH2-CH3 1,2-Disilanethan, SiH3-CH2-CH2-SiH3 1,2-Bis(methylsilan)ethan, CH3-SiH2-CH2-CH2-SiH2-CH3 2,2-Disilanpropan, SiH3-C(CH3)2-SiH3 1,3,5-Trisilan-2,4,6-trimethylen, -(-SiH2CH2-)3- (cyclisch) 1,3-Dimethyldisiloxan, CH3-SiH2-O-SiH2-CH3 1,1,3,3-Tetramethyldisiloxan, (CH3)2-SiH-O-SiH-(CH3)2 Hexamethyldisiloxan, (CH3)3-Si-O-Si-(CH3)3 1,3-Bis(silanmethylen)disiloxan, (SiH3-CH2-SiH2-)2-O Bis(1-methyldisiloxanyl)methan, (CH3-SiH2-O-SiH2-)2-CH2 2,2-Bis(1-methyldisiloxanyl)propan, (CH3-SiH2-O-SiH2-)2-C(CH3)2 2,4,6,8-Tetramethylcyclotetrasiloxan, -(-SiHCH3-O-)4- (cyclisch) Octamethylcyclotetrasiloxan, -(-Si(CH3)2-O-)4- (cyclisch) 2,4,6,8,10-Pentamethylcyclopentasiloxan, -(-SiHCH3-O-)5- (cyclisch) 1,3,5,7-Tetrasilan-2,6-dioxy-4,8-dimethylen, -(-SiH2-CH2-SiH2-O-)2- (cyclisch) 2,4,6-Trisilantetrahydropyran, und -SiH2-CH2-SiH2-CH2-SiH2-O- (cyclisch) 2,5-Disilantetrahydrofuran, -SiH2-CH2-CH2-SiH2-O- (cyclisch)

Die siliciumorganischen Verbindungen werden während der Abscheidung durch Reaktion mit Sauerstoff (O2) oder Sauerstoff enthaltenden Verbindungen, wie Stickoxid (N2O), Ozon (O3), Kohlendioxid (CO2) und Wasser (H2O), vorzugsweise N2O, oxidiert, so dass der Kohlenstoffgehalt des abgeschiedenen Films 1 bis 50 Atomgew.-%, vorzugsweise etwa 5 bis 30%, beträgt. Die oxidierte siliciumorganische Schicht hat eine Dielektrizitätskonstante von etwa 3,0 und hervorragende Sperreigenschaften. Die oxidierten siliciumorganischen Schichten haben ferner hohe Sauerstoffgehalte verglichen mit herkömmlichen dielektrischen Schichten mit niedrigem k sowie gute Hafteigenschaften.

Sauerstoff und Sauerstoff enthaltende Verbindungen werden vorzugsweise dissoziiert, um die Reaktivität, wenn es erforderlich ist, zu steigern, damit ein gewünschter Kohlenstoffgehalt in dem abgeschiedenen Film erreicht wird. Die HF-Leistung kann mit der Abscheidungskammer gekoppelt werden, um die Dissoziation der oxidierenden Verbindungen zu steigern. Die oxidierten Verbindungen können auch in einer Mikrowellenkammer dissoziiert werden, bevor sie in die Abscheidekammer eintreten, um eine übermäßige Dissoziation der Silicium enthaltenden Verbindungen zu verringern. Die Abscheidung der Siliciumoxidschicht kann kontinuierlich oder diskontinuierlich erfolgen. Obwohl die Abscheidung vorzugsweise in einer einzigen Abscheidungskammer erfolgt, kann die Schicht sequenziell in zwei oder mehr Abscheidekammern abgelegt werden. Außerdem kann die HF-Leistung zyklus- oder pulsförmig sein, um das Erhitzen des Substrats zu verringern und um eine größere Porosität in dem abgeschiedenen Film zu begünstigen. Während des Abscheidens der Siliciumoxidschicht wird das Substrat auf einer Temperatur von etwa –20°C bis etwa 400°C, und vorzugsweise von etwa –20°C bis 40°C gehalten.

Die Organosilan- und Organosiloxanverbindungen weisen die Strukturen auf: wobei jedes Si an ein oder zwei Kohlenstoffatome gebunden ist und C in einer Organogruppe eingeschlossen ist, vorzugsweise in Alkyl- oder Alkenylgruppen, wie -CH3, -CH2-CH3, -CH2- oder CH2-CH2-, oder fluorierten Kohlenstoffderivaten davon. Die Kohlenstoffatome in den fluorierten Derivaten können zum Austausch von Wasserstoffatomen vollständig oder teilweise fluoriert sein. Wenn eine Organosilan- oder Organosiloxanverbindung zwei oder mehr Si-Atome aufweist, wird jedes Si von dem anderen Si durch -O-, -C- oder -C-C- getrennt, wobei C in einer Organogruppe eingeschlossen ist, vorzugsweise in Alkyl- oder Alkenylgruppen, wie -CH2-, -CH2-CH2-, -CH(CH3)- oder -C(CH3)2-, oder in fluorierten Derivaten davon.

Die bevorzugten Organosilan- und Organosiloxanverbindungen sind Gase oder Flüssigkeiten in der Nähe der Raumtemperatur und können über etwa 1333 Pa (10 Torr) verflüchtigt werden. Zu bevorzugten Organosilanen und Organosiloxanen gehören: Methylsilan, CH3-SiH3 Dimethylsilan, (CH3)2-SiH2 Trimethylsilan, (CH3)3-SiH Disilanmethan, SiH3-CH2-SiH3 Bis(methylsilan)methan, CH3-SiH2-CH2-SiH2-CH3 1,2-Disilanethan, SiH3-CH2-CH2-SiH3 1,2-Bis(methylsilan)ethan, CH3-SiH2-CH2-CH2-SiH2-CH3 2,2-Disilanpropan, SiH3-C(CH3)2-SiH3 1,3,5-Trisilan-2,4,6-Trimethylen, -(-SiH2CH2-)3- (cyclisch)
1,3-Dimethyldisiloxan, CH3-SiH2-O-SiH2-CH3 1,1,3,3-Tetramethyldisiloxan, (CH3)2-SiH-O-SiH-(CH3)2 1,3-Bis(silanmethylen)disiloxan, (SiH3-CH2-SiH2-)2-O Bis(1-methyldisiloxanyl)methan, (CH3-SiH2-O-SiH2-)2-CH2 2,2-Bis(1-methyldisiloxanyl)propan, (CH3-SiH2-O-SiH2-)2-C(CH3)2 2,4,6,8,10-Pentamethylcyclopentasiloxan, -(-SiHCH3-O-)5- (cyclisch) 1,3,5,7-Tetrasilan-2,6-dioxy-4,8-dimethylen, -(-SiH2-CH2-SiH2-O-)2- (cyclisch) 2,4,6-Trisilantetrahydropyran, -SiH2-CH2-SiH2-CH2-SiH2-O- (cyclisch) 2,5-Disilantetrahydrofuran, -SiH2-CH2-CH2-SiH2-O- (cyclisch)
und fluorierte Kohlenstoffderivate von ihnen, wie: Trifluormethylsilan, CF3-SiH3 1,2-Disilantetrafluorethylen, SiH3-CF2-CF2-SiH3 1,2-Bis(trifluormethylsilan)tetrafluorethan, CF3-SiH2-CF2-CF2-SiH2-CF3 2,2-Disilanhexafluorpropan, SiH3-C(CF3)2-SiH3 1,3-Bis(silandifluormethylen)disiloxan, (SiH3-CF2-SiH2-)2-O Bis(1-trifluormethyldisiloxanyl)difluormethan, (CF3-SiH2-O-SiH2-)2-CF2 2,4,6-Trisilantetrafluorpyran, und -SiH2-CF2-SiH2-CF2-SiH2-O- (cyclisch) 2,5-Disilantetrafluorfuran, -SiH2-CF2-CF2-SiH2-O- (cyclisch)

Die Kohlenwasserstoffgruppen in den Organosilanen und Organosiloxanen können teilweise oder gänzlich fluoriert sein, um die C-H-Bindungen in C-F-Bindungen umzuwandeln. Viele der bevorzugten Organosilan- und Organosiloxanverbindungen sind im Handel erhältlich. Zum Erhalten einer Mischung aus gewünschten Eigenschaften, wie die Dielektrizitätskonstante, Sauerstoffgehalt, Hydrophobozität, Filmbeanspruchung und Plasmaätzeigenschaften, kann eine Kombination von zwei oder mehr der Organosilane oder Organosiloxane verwendet werden.

Die Organosilan- und Organosiloxanverbindungen werden vorzugsweise während des Abscheidens durch plasmagestützte Reaktion mit Sauerstoff oxidiert, der während des Abscheidungsprozesses durch Zersetzung von Stickoxid (N2O) gebildet wird. Das Stickoxid reagiert mit den Organosilanen oder Organosiloxanen ohne Plasmaunterstützung nicht, und die Sauerstoff-Stickstoff-Bindungen werden leicht bei niedrigeren Energien als die Bindungen in den Organosilanen und Organosiloxanen aufgebrochen. Die oxidierten Verbindungen haften an kontaktierten Oberflächen, beispielsweise einer mit Muster versehenen Schicht eines Halbleitersubstrats, um einen abgeschiedenen Film zu bilden. Die abgeschiedenen Filme werden bei niedrigem Druck und einer Temperatur von etwa 100 bis etwa 450°C, vorzugsweise über etwa 400°C, gehärtet, um die Sperreigenschaften der Filme zu stabilisieren. Der abgeschiedene Film hat einen Kohlenstoffgehalt, der zur Bildung der Sperreigenschaften ausreicht. Der Kohlenstoffgehalt schließt vorzugsweise C-H- oder C-F-Bindungen ein, um einen hydrophoben Film zu erhalten, der eine hervorragende Feuchtesperre bildet.

Ein geeigneter CVD-Plasmareaktor, bei dem das Verfahren der vorliegenden Erfindung ausgeführt werden kann, ist in 2 gezeigt, die eine vertikale Schnittansicht eines Reaktors 10 für die chemische Gasphasenabscheidung mit parallelen Platten ist, der einen Hochvakuumbereich 15 hat. Der Reaktor 10 enthält einen Gasverteiler 11 zum Dispergieren von Prozessgasen durch perforierte Löcher in dem Verteiler auf ein Substrat oder einen Wafer (nicht gezeigt), der auf einer Substratträgerplatte oder einem Suszeptor 12 liegt, der durch einen Hubmotor 14 angehoben oder abgesenkt wird. Zum Einspritzen einer flüssigen Organosilan- und/oder Organosiloxanverbindung kann ein Flüssigkeitseinspritzsystem (nicht gezeigt) vorgesehen werden, wie es gewöhnlich für Flüssigkeitseinspritzung von TEOS verwendet wird. Die bevorzugten Methylsilane sind Gase.

Der Reaktor 10 hat eine Heizung für die Prozessgase und das Substrat, beispielsweise Widerstandsheizwicklungen (nicht gezeigt) oder externe Lampen (nicht gezeigt). Gemäß 2 ist der Suszeptor 12 an einem Tragschaft 13 angebracht, so dass der Suszeptor 12 (und der auf der oberen Fläche des Suszeptors 12 gehaltene Wafer) steuerbar zwischen einer unteren Lade-/Entladeposition und einer oberen Behandlungsposition bewegt werden kann, die sich nahe an dem Verteiler 11 befindet.

Wenn sich der Suszeptor 12 und der Wafer in der Behandlungsposition 14 befinden, sind sie von einem Isolator 17 umgeben, während Prozessgase in einen Sammler 24 abgeführt werden. Während der Behandlung werden die in den Verteiler 11 eingelassenen Gase radial gleichförmig über der Oberfläche des Wafers verteilt. Eine Vakuumpumpe 32 mit einem Drosselventil steuert die Abflussrate der Gase aus der Kammer.

Ehe sie den Verteiler 11 erreichen, werden die Abscheidungs- und Trägergase durch Gasleitungen 18 in ein Mischsystem 19 eingegeben, wo sie kombiniert und dann zum Verteiler 11 geführt werden. In der Zuführgasleitung für das oxidierende Gas kann fakultativ ein Mikrowellenapplikator 28 angeordnet werden, um zusätzliche Energie zu liefern, die nur das oxidierende Gas dissoziiert. Der Mikrowellenapplikator stellt 0 bis 6000 W bereit. Im Allgemeinen hat die Prozessgaszuführleitung 18 für jedes der Prozessgase auch (i) Sicherheitsabsperrventile (nicht gezeigt), die verwendet werden können, um den Prozessgasstrom in die Kammer automatisch oder von Hand zu unterbrechen, und (ii) Massenstromsteuerungen (ebenfalls nicht gezeigt), die den Gasstrom durch die Gaszuführleitungen messen. Wenn bei dem Prozess giftige Gase verwendet werden, werden mehrere Sicherheitsabsperrventile in jeder Gaszuführleitung mit herkömmlichen Ausgestaltungen angeordnet.

Der in dem Reaktor 10 ausgeführte Abscheidungsprozess kann entweder ein thermischer Prozess oder ein plasmaverstärkter Prozess sein. Bei einem Plasmaprozess wird gewöhnlich ein reguliertes Plasma in der Nähe des Wafers durch HF-Energie gebildet, die an den Verteiler 11 von einer HF-Leistungsversorgung 25 aus (bei geerdetem Suszeptor 12) angelegt wird. Alternativ kann HF-Leistung für den Suszeptor 12 oder es kann HF-Leistung für verschiedene Komponenten bei verschiedenen Frequenzen bereitgestellt werden. Die HF-Leistungseinspeisung 25 kann HF-Leistung mit entweder Einzelfrequenz oder Mischfrequenz zuführen, um die Zersetzung von reaktiven Spezies zu verstärken, die in den Hochvakuumbereich 15 eingeführt werden. Eine Mischfrequenz-HF-Leistungseinspeisung führt gewöhnlich Leistung mit einer hohen HF-Frequenz (HF1) von 13,56 MHz dem Verteiler 11 und eine niedrige HF-Frequenz (HF2) von 360 KHz dem Suszeptor 12 zu. Die Siliciumoxidschichten der vorliegenden Erfindung werden besonders bevorzugt dadurch erzeugt, dass niedrige Pegel von HF-Leistung mit konstanter hoher Frequenz oder gepulste Pegel mit hochfrequenter HF-Leistung Verwendung finden. Gepulste HF-Leistung stellt vorzugsweise 13,56 MHz HF-Leistung bei etwa 10 W bis etwa 500 W, besonders bevorzugt von 20 W bis etwa 250 W während etwa 10% bis etwa 30% des Arbeitszyklus bereit. Eine konstante HF-Leistung sorgt vorzugsweise für 13,56 MHz HF-Leistung bei etwa 10 W bis etwa 200 W, vorzugsweise von etwa 20 W bis etwa 100 W. Eine Abscheidung bei niedriger Leistung erfolgt vorzugsweise in einem Temperaturbereich von etwa –20°C bis etwa 40°C. Bei dem bevorzugten Temperaturbereich wird der abgeschiedene Film teilweise während der Abscheidung polymerisiert, und die Polymerisation wird während der anschließenden Härtung des Films vervollständigt.

Wenn eine zusätzliche Dissoziation des oxidierenden Gases gewünscht ist, kann fakultativ eine Mikrowellenkammer verwendet werden, um 0 bis 300 W Mikrowellenleistung auf das oxidierende Gas vor dem Eintritt in die Abscheidungskammer aufzugeben. Eine gesonderte Aufgabe der Mikrowellenleistung würde eine übermäßige Dissoziation der Siliciumverbindungen vor der Reaktion mit dem oxidierenden Gas vermeiden. Wenn Mikrowellenleistung dem oxidierenden Gas aufgegeben wird, wird eine Gasverteilungsplatte bevorzugt, die gesonderte Kanäle für die Siliciumverbindung und das oxidierende Gas hat.

Gewöhnlich ist ein Teil der oder die gesamte Kammerauskleidung, der Verteiler 11, der Suszeptor 12 und verschiedene andere Reaktor-Hardware aus einem Material, wie Aluminium oder eloxiertem Aluminium, hergestellt. Ein Beispiel für einen solche CVD-Reaktor ist in dem US-Patent 5,000,113 mit dem Titel "Thermisches CVD/PECVD-Reaktor und Verwendung für die thermische chemische Gasphasenabscheidung von Siliciumdioxid sowie Planarisierungsprozess in mehrere Stufen in situ", ausgegeben für Wang et al. und übertragen auf Applied Materials, Inc., die Zessionarin der vorliegenden Erfindung, beschrieben.

Der Hubmotor 14 hebt und senkt den Suszeptor 12 zwischen einer Behandlungsposition und einer unteren Waferladeposition. Der Motor, das Gasmischsystem 19 und die HF-Leistungseinspeisung 25 werden von einer Systemsteuerung 34 über Steuerleitungen 36 gesteuert. Der Reaktor hat analoge Anordnungen, wie Massenstromregler (MCF), sowie Standard- oder gepulste HF-Generatoren, die von der Systemsteuerung 34 gesteuert werden, die die Systemsteuer-Software ausführt, die in einem Speicher 38 gespeichert ist, der bei der bevorzugten Ausgestaltung ein Festplattenlaufwerk ist. Zum Bewegen und zum Bestimmen der Position von beweglichen mechanischen Anordnungen, wie des Drosselventils der Vakuumpumpe 32 und des Motors zum Positionieren des Suszeptors 12, werden Motore und optische Sensoren verwendet.

Die Systemsteuerung 34 steuert alle Aktivitäten des CVD-Reaktors. Eine bevorzugte Ausgestaltung der Steuerung 34 hat ein Festplattenlaufwerk, ein Diskettenlaufwerk und einen Kartenkasten. Der Kartenkasten enthält einen Einzelkartenrechner (SBC), analoge und digitale Eingabe-/Ausgabekarten, Interface-Karten und Schrittmotor-Steuerkarten. Die Systemsteuerung entspricht dem Standard Versa Modular European (VME), der die Karte, den Kartenkäfig und Anschlussabmessungen und -typen definiert. Der VME-Standard definiert auch den Busaufbau mit einem 16-Bit-Datenbus und einem 24-Bit-Adressenbus.

Die Systemsteuerung 34 arbeitet unter der Steuerung eines Rechnerprogramms, das in dem Festplattenlaufwerk 38 gespeichert ist. Das Rechnerprogramm diktiert die Zeitsteuerung, das Mischen der Gase, die HF-Leistungspegel, die Suszeptorposition und andere Parameter eines speziellen Prozesses. Die Schnittstelle zwischen einem Benutzer und der Systemsteuerung erfolgt über einen CRT-Monitor 40 und einen Lichtstift 44, die in 3 gezeigt sind. Bei der bevorzugten Ausgestaltung wird ein zweiter Monitor 42 verwendet, wobei der erste Monitor 40 in der Reinraumwand für die Bedienungspersonen und der andere Monitor 42 hinter der Wand für die Service-Techniker angebracht ist. Beide Monitore 40, 42 zeigen gleichzeitig die gleiche Information an, jedoch nur ein Lichtstift 44 ist aktiviert. Der Lichtstift 44 erfasst Licht, das von der CRT-Anzeige emittiert wird, mit einem Lichtsensor in der Mitte des Stifts. Um einen speziellen Schirm oder eine spezielle Funktion auszuwählen, berührt die Bedienungsperson einen signierten Bereich des Anzeigeschirms und drückt den Knopf an dem Stift 44. Der berührte Bereich ändert seine hoch erleuchtete Farbe, oder es wird ein neues Menü oder ein neuer Schirm angezeigt, wodurch die Kommunikation zwischen dem Lichtstift und dem Anzeigeschirm bestätigt wird.

Gemäß 4 kann das Verfahren unter Verwendung eines Rechnerprogrammprodukts 410 ausgeführt werden, das beispielsweise auf der Systemsteuerung 34 läuft. Der Rechnerprogrammcode kann in jeder herkömmlichen, rechnerlesbaren Programmiersprache geschrieben werden, beispielsweise 68000-Assembly language, C, C++ oder Pascal. In eine Einzeldatei oder in Mehrfachdateien wird unter Verwendung eines herkömmlichen Text-Editors ein geeigneter Programmcode eingegeben und gespeichert oder in ein rechnernutzbares Medium, beispielsweise ein Speichersystem des Rechners, eingegliedert. Wenn der eingegebene Codetext in einer höheren Programmsprache eingegeben wird, wird der Code übersetzt, und der sich ergebende Compiler-Code wird dann mit einem Objektcode von vorher kompilierten Windows-Bibliotheksroutinen verbunden. Zur Ausführung des verbundenen kompilierten Objektcodes ruft der Systembenutzer den Objektcode auf, was das Rechnersystem veranlasst, den Code in den Speicher zu laden, von dem aus die CPU liest und den Code ausführt, um die in dem Programm angegebenen Aufgaben zu lösen.

4 zeigt ein veranschaulichendes Blockschaltbild des hierarchischen Steueraufbaus des Rechnerprogramms 410. Ein Benutzer gibt eine Prozesseinstellzahl und eine Prozesskammerzahl in eine Prozessselektor-Subroutine 420 ansprechend auf Menüs oder Projektionen ein, die auf dem CRT-Monitor 40 angezeigt werden, wobei er die Schnittstelle des Lichtstifts 44 verwendet. Die Prozesseinstellungen sind vorgegebene Einstellungen von Prozessparametern, die erforderlich sind, um spezifische Prozesse auszuführen, und die durch vorgegebene Einstellnummern identifiziert sind. Die Prozessselektor-Subroutine 420 (i) wählt eine gewünschte Prozesskammer an einem Mehrfachgerät, beispielsweise einer Centura®-Plattform (von Applied Materials, Inc. verfügbar) aus, und (ii) wählt einen gewünschten Satz von Prozessparametern aus, die erforderlich sind, um die Prozesskammer zur Ausführung des gewünschten Prozesses zu betreiben. Die Prozessparameter zur Durchführung eines spezifischen Prozesses beziehen sich auf Prozessbedingungen, wie beispielsweise die Prozessgaszusammensetzung und Durchsätze, Temperatur, Druck, Plasmabedingungen, wie HF-Vorspannungsleistungspegel und Magnetfeld-Leistungspegel, Kühlgasdruck sowie Kammerwandtemperatur, und werden für den Benutzer in Form eines Rezepts bereitgestellt. Die von dem Rezept spezifizierten Parameter werden unter Verwendung der Schnittstelle Lichtstift/CRT-Monitor eingegeben.

Die Signale zur Überwachung des Prozesses werden von den analogen und digitalen Eingabeplatten des Systemsteuerung bereitgestellt, und die Signale zum Steuern des Prozesses werden an den analogen und digitalen Ausgabeplatten der Systemsteuerung 34 ausgegeben.

Eine Prozess-Sequencer-Subroutine 430 hat einen Programmcode für das Annehmen der identifizierten Prozesskammer und eines Satzes von Prozessparametern aus der Prozessselektor-Subroutine 420 sowie für das Steuern des Betriebs der verschiedenen Prozesskammern. Mehrfachnutzer können Prozesseinstellnummern und Prozesskammernummern eingeben, oder ein Benutzer kann eine Vielzahl von Prozesskammernummern eingeben, so dass die Sequencer-Subroutine 430 so arbeitet, dass die gewählten Prozesse in der gewünschten Sequenz geplant werden. Vorzugsweise hat die Sequencer-Subroutine 430 einen rechnerlesbaren Programmcode zur Ausführung der Schritte, nämlich (i) Überwachen des Betriebs der Prozesskammern zur Bestimmung, ob die Kammern benutzt werden, (ii) Bestimmen, welche Prozesse in den in Verwendung befindlichen Kammern ausgeführt werden, und (iii) Ausführen des gewünschten Prozesses basierend auf der Verfügbarkeit einer Prozesskammer und der Art des auszuführenden Prozesses. Es können herkömmliche Verfahren zum Überwachen der Prozesskammern verwendet werden, beispielsweise das Abfragen. Wenn geplant wird, welcher Prozess auszuführen ist, kann die Sequencer-Subroutine 34 so ausgelegt sein, dass sie den vorhandenen Zustand der zu verwendenden Prozesskammer im Vergleich mit den gewünschten Prozesszuständen für einen ausgewählten Prozess oder das "Alter" jeder speziellen, vom Nutzer angegebenen Anforderung oder irgendeinen anderen relevanten Faktor, den ein Systemprogrammierer eingeschlossen haben möchte, um die Planungsprioritäten festzulegen, berücksichtigt.

Wenn die Sequencer-Subroutine 430 einmal bestimmt, welche Prozesskammer und welche Prozesseinstellkombination als nächste ausgeführt werden sollen, veranlasst die Sequencer-Subroutine 430 die Ausführung des eingestellten Prozesses, indem sie die speziellen Prozesseinstellparameter einer Kammerverwaltungs-Subroutine 440 zuführt, die die Vielzahl der Behandlungsaufgaben in einer Behandlungskammer 10 nach dem eingestellten Verfahren, das von der Sequencer-Subroutine 430 bestimmt wurde, steuert. Beispielsweise hat die Kammerverwaltungs-Subroutine 440 einen Programmcode zum Steuern der CVD-Prozessabläufe in der Prozesskammer 10. Die Kammerverwaltungs-Subroutine 440 steuert auch die Ausführung der verschiedenen Kammerkomponenten-Subroutinen, welche den Ablauf der Kammerkomponente steuert, der erforderlich ist, um die ausgewählte Prozesseinstellung auszuführen. Beispiele für Kammerkomponenten-Subroutinen sind die Suszeptorsteuer-Subroutine 450, die Prozessgassteuer-Subroutine 460, die Drucksteuer-Subroutine 470, die Heizungssteuer-Subroutine 480 und die Plasmasteuer-Subroutine 490. Der Fachmann erkennt leicht, dass auch andere Kammersteuer-Subroutinen eingeschlossen werden können, was davon abhängt, welche Prozesse in dem Reaktor 10 ausgeführt werden sollen.

In Betrieb steuert die Kammerverwaltungs-Subroutine 440 die Prozesskomponenten-Subroutinen entsprechend dem auszuführenden speziellen eingestellten Prozess selektiv zeitlich oder ruft sie selektiv auf. Die Kammerverwaltungs-Subroutine 440 steuert die Prozesskomponenten-Subroutinen zeitlich gleichzeitig in Bezug darauf, wie die Sequencer-Subroutine 430 zeitlich steuert, welche Prozesskammer 10 und welche Prozesseinstellung als Nächste auszuführen sind. Gewöhnlich enthält die Kammerverwaltungs-Subroutine 440 Schritte, die verschiedenen Kammerkomponenten zu überwachen, zu bestimmen, welche Komponenten basierend auf den Prozessparametern für den auszuführenden eingestellten Prozess aktiviert werden müssen, und die Ausführung durch eine Kammerkomponenten-Subroutine herbeizuführen, die auf die Überwachungs- und Bestimmungsschritte anspricht.

Es wird nun die Arbeitsweise der speziellen Kammerkomponenten-Subroutinen anhand von 4 beschrieben. Die Subroutine 450 für die Positionssteuerung des Suszeptors hat einen Programmcode zum Steuern von Kammerkomponenten, die verwendet werden, um das Substrat auf den Suszeptor 12 zu laden und fakultativ das Substrat auf eine gewünschte Höhe im Reaktor 10 anzuheben, um den Abstand zwischen dem Substrat und dem Gasverteiler 11 zu steuern. Wenn ein Substrat in den Reaktor 10 geladen wird, wird der Suszeptor 12 für die Aufnahme des Substrats abgesenkt, und danach wird der Suszeptor 12 auf die gewünschte Höhe in der Kammer angehoben, um das Substrat in einer ersten Entfernung oder einem ersten Abstand von dem Gasverteiler 11 während des CVD-Prozesses zu halten. In Betrieb steuert die Suszeptorsteuer-Subroutine 450 die Bewegung des Suszeptors 12 ansprechend auf die Prozesseinstellparameter, die von der Kammerverwaltungs-Subroutine 440 übertragen werden.

Die Prozessgassteuer-Subroutine 460 hat einen Programmcode zum Steuern der Prozessgaszusammensetzung und der Durchsätze. Die Prozessgassteuer-Subroutine 460 steuert die Offen-/Schließstellung der Sicherheitsabsperrventile und fährt auch die Massenstromregler hoch oder nach unten, um den gewünschten Gasdurchsatz zu erhalten. Die Prozessgassteuer-Subroutine 460 wird durch die Kammerverwaltungs-Subroutine 440 aufgerufen, wie dies auch für alle Kammerkomponenten-Subroutinen der Fall ist, und empfängt von der Kammerverwaltungs-Subroutine Prozessparameter, die sich auf die gewünschten Gasdurchsätze beziehen. Gewöhnlich arbeitet die Prozessgassteuer-Subroutine 460 durch Öffnen der Gaszuführleitungen und durch wiederholtes (i) Ablesen der erforderlichen Massenstromregler, (ii) Vergleichen der Ablesungen mit den gewünschten Durchsätzen, die von der Kammerverwaltungs-Subroutine 440 erhalten werden, und (iii) Einstellen der Durchsätze der Gaszuführleitungen, wenn erforderlich. Weiterhin weist die Prozessgassteuer-Subroutine 460 die Schritte auf, die Gasdurchsätze auf gefährliche Durchsätze hin zu überwachen und die Sicherheitsabsperrventile zu aktivieren, wenn ein gefährlicher Zustand erfasst wird.

Bei einigen Prozessen wird ein Inertgas, wie Helium oder Argon, in den Reaktor 10 strömen gelassen, um den Druck in der Kammer zu stabilisieren, bevor reaktive Prozessgase in die Kammer eingeführt werden. Für diese Prozesse wird die Prozessgassteuer-Subroutine 460 so gesteuert, dass sie Schritte enthält, das Inertgas in die Kammer 10 über einen Zeitraum strömen zu lassen, der erforderlich ist, um den Druck in der Kammer zu stabilisieren, wonach die oben beschriebenen Schritte ausgeführt werden. Wenn ein Prozessgas aus einem flüssigen Vorläufer verdampfen soll, beispielsweise 1,3,5-Trisilan-2,4,6-Trimethylen (1,3,5-Trisilancyclohexan), würde zusätzlich die Prozessgassteuer-Subroutine so geschrieben, dass sie Schritte enthält, ein Fördergas, wie Helium, durch den flüssigen Vorläufer in einer Blasenbildungsanordnung als Blasen hindurchströmen zu lassen. Für diese Prozessart reguliert die Prozessgassteuer-Subroutine 460 den Strom des Fördergases, den Druck der Blasenbildungseinrichtung und die Temperatur der Blasenbildungseinrichtung, um die gewünschten Prozessgasdurchsätze zu erhalten. Wie vorstehend erörtert, werden die gewünschten Prozessgasdurchsätze zur Prozessgassteuer-Subroutine 460 als Prozessparameter übertragen. Außerdem schließt die Prozessgassteuer-Subroutine 460 die Schritte ein, den erforderlichen Fördergasdurchsatz, den Druck der Blasenbildungseinrichtung und die Temperatur der Blasenbildungseinrichtung für den gewünschten Prozessgasdurchsatz zu erreichen, indem ein Zugang zu einer Speichertabelle erfolgt, die die erforderlichen Werte für einen gegebenen Prozessgasdurchsatz enthält. Wenn die notwendigen Werte erreicht sind, werden der Fördergasdurchsatz, der Druck der Blasenbildungseinrichtung und die Temperatur der Blasenbildungseinrichtung überwacht, mit den notwendigen Werten verglichen und entsprechend eingestellt.

Die Drucksteuer-Subroutine 470 weist einen Programmcode zum Steuern des Drucks in dem Reaktor 10 auf, indem die Größe der Öffnung des Drosselventils in der Absaugpumpe 32 reguliert wird. Die Größe der Öffnung des Drosselventils ist so eingestellt, dass der Kammerdruck auf den gewünschten Pegel bezogen auf den gesamten Prozessgasstrom, die Größe der Prozesskammer und den Pumpeinstellpunktdruck für die Absaugpumpe 32 gesteuert wird. Wenn die Drucksteuer-Subroutine 470 aufgerufen wird, wird der gewünschte oder Zieldruckpegel als Parameter von der Kammerverwaltungs-Subroutine 440 erhalten. Die Drucksteuer-Subroutine 470 arbeitet so, dass der Druck in dem Reaktor 10 gemessen wird, indem ein oder mehrere herkömmlichen Druckmanometer abgelesen werden, die an die Kammer angeschlossen sind, der Messwert/die Messwerte mit dem Zieldruck verglichen wird werden, PID-(Proportional, Integral und Differential-)Werte einer gespeicherten Drucktabelle entsprechend dem Zieldruck erhalten werden und das Drosselventil entsprechend den PID-Werten eingestellt wird, die sich aus der Drucktabelle ergeben. Alternativ kann die Drucksteuer-Subroutine 470 so geschrieben werden, dass sie das Drosselventil auf eine spezielle Öffnungsgröße öffnet oder schließt, um den Reaktor 10 auf den gewünschten Druck einzuregeln.

Die Heizungssteuer-Subroutine 480 hat einen Programmcode zum Steuern der Temperatur der Heizmodule oder der Strahlungsheizung, die zum Erhitzen des Suszeptors 12 verwendet wird werden. Die Heizungssteuer-Subroutine 480 wird ebenfalls durch die Kammerverwaltungs-Subroutine 440 aufgerufen und erhält einen Ziel- oder Einstellpunkt-Temperaturparameter. Die Heizungssteuerungs-Subroutine 480 misst die Temperatur durch Messen des Spannungsausgangs eines Thermoelements, das in dem Suszeptor 12 angeordnet ist, vergleicht die gemessene Temperatur mit der Einstellpunkttemperatur und erhöht oder verringert den an das Heizmodul angelegten Strom zum Erreichen der Einstellpunkttemperatur. Die Temperatur wird aus der gemessenen Spannung erhalten, indem die entsprechende Temperatur in einer gespeicherten Umwandlungstabelle nachgesehen wird oder indem die Temperatur unter Verwendung eines Polynoms vierter Ordnung berechnet wird. Die Heizungssteuer-Subroutine 480 steuert die allmähliche Hochregelung/Abregelung eines an den Heizmodul angelegten Stroms. Die allmähliche Hochregelung/Abregelung erhöht die Lebensdauer und Betriebssicherheit des Heizmoduls. Zusätzlich kann ein Einbau-Betriebssicherheitsmodus vorhanden sein, um ein Übereinstimmen mit der Prozesssicherheit zu erfassen, und kann den Betrieb des Heizmoduls abschalten, wenn der Reaktor 10 nicht richtig arbeitet.

Die Plasmasteuer-Subroutine 490 hat einen Programmcode zum Einstellen des HF-Vorspannungsleistungspegels an den Prozesselektroden in dem Reaktor 10 und fakultativ zur Einstellung des Pegels des Magnetfelds, das in dem Reaktor erzeugt wird. Ähnlich wie die vorher beschriebenen Kammerkomponenten-Subroutinen wird die Plasmasteuer-Subroutine 490 von der Kammerverwaltungs-Subroutine 440 aufgerufen.

Die vorstehende Beschreibung des CVD-Systems dient hauptsächlich zur Veranschaulichung. Es können auch andere Plasma-CVD-Geräte verwendet werden, wie Plasma-CVD-Vorrichtungen mit Elektroden-Cyclotronresonanz, mit hochdichtem Plasma arbeitende HF-CVD-Vorrichtungen mit Induktionskoppelung oder dergleichen. Zusätzlich sind Änderungen des vorstehend beschriebenen Systems möglich, beispielsweise in der Konstruktion des Suszeptors und der Heizung, der Stelle der HF-Leistungsanschlüsse und dergleichen.

Beispielsweise kann der Wafer von einem durch Widerstand erhitzten Suszeptor gehalten und erhitzt werden. Die Vorbehandlung und das Verfahren zur Ausbildung einer vorbehandelten Schicht der vorliegenden Erfindung ist nicht auf irgendeine spezielle Vorrichtung oder auf irgendein spezielles Plasmaerregungsverfahren begrenzt.

Abscheidung des Dielektrikums aus oxidiertem Organosilan oder Organosiloxan in einem Dreischicht-Spaltfüllungsprozess

Die oxidierte Organosilan- oder Organosiloxanschicht der vorliegenden Erfindung kann in einem Dreischicht-Spaltfüllprozess verwendet werden, wie er in 5 gezeigt ist, wobei die PECVD-Kammer von 2 verwendet wird. Gemäß 5 wird ein Wafer in dem Reaktor 10 angeordnet 200, und es wird eine oxidierte Organosilanschicht mit einer geringen Dielektrizitätskonstante durch einen PECVD-Prozess aus einem Plasma abgeschieden 205, das eine Organosilanverbindung und/oder eine Organosiloxanverbindung aufweist. Der Abscheidungsschritt 205 kann ein kapazitiv gekoppeltes Plasma oder sowohl ein induktiv als auch ein kapazitiv gekoppeltes Plasma in der Behandlungskammer 15 bei den bekannten Verfahren aufweisen. Bei der PECVD-Abscheidung wird gewöhnlich ein Inertgas, wie Helium, verwendet, um die Plasmaerzeugung zu unterstützen. Dann wird eine Spaltfüllschicht auf der Zwischenschicht nach bekannten Verfahren abgeschieden 210. Die Spaltfüllschicht ist vorzugsweise selbstebnend und weist beispielsweise Aufschleuderpolymere oder -oxide auf, die in flüssiger Form durch Reaktion von Methylsilan und Wasserstoffperoxid abgeschieden werden. Dann wird auf der Spaltfüllschicht eine Deckschicht abgeschieden 215, wobei vorzugsweise die gleichen Prozesse wie zum Abscheiden der Zwischenschicht verwendet werden. Anschließend wird der Wafer aus dem Reaktor 10 entfernt 220.

Gemäß 6A bis 6E sieht das Dreischicht-Spaltfüllverfahren eine PECVD-Zwischenschicht 300 aus oxidiertem Organosilan- oder Organosiloxanpolymer vor. Die Zwischenschicht 300 wirkt als eine Isolationsschicht zwischen einer darauf folgenden Spaltfüllschicht 302 und der darunter liegenden Substratfläche 304 sowie Metallleitern 306, 308, 310, die auf der Substratoberfläche ausgebildet sind. Die Spaltfüllschicht 302 wird von einer PECVD-Deckschicht 318 aus oxidiertem Organosilan- oder Organosiloxanpolymer abgedeckt. Dieses Verfahren wird unter Verwendung eines Rechnerprogramms ausgeführt und gesteuert, das in dem Speicher 38 einer Rechnersteuerung 34 für einen CVD-Reaktor 10 gespeichert ist.

Gemäß 6A wird die PECVD-Zwischenschicht 300 in dem Reaktor 10 durch Einführen eines oxidierenden Gases, wie N2O, einer Organosilan- oder Organosiloxanverbindung, wie CH3SiH3 oder (CH3)2SiH2, und eines Trägergases, wie Helium, abgeschieden. Das Substrat wird auf einer Temperatur von etwa –20°C bis etwa 400°C, und vorzugsweise auf einer Temperatur von –20°C bis 40°C während der Abscheidung der PECVD-Zwischenschicht gehalten. Die PECVD-Zwischenschicht 300 wird mit einem Prozessgas abgeschieden, das eine Mischung der Organosilan- und/oder Organosiloxanverbindung bei einem Durchsatz von etwa 5 sccm bis etwa 500 sccm und des oxidierenden Gases mit einem Durchsatz von etwa 5 sccm bis etwa 2000 sccm aufweist. Die Prozessgase werden von einem Inertgas, wie He, Ar, Ne, oder einem relativ inerten Gas, wie Stickstoff, transportiert, die typischerweise nicht in den Film eingeschlossen werden, bei einem Durchsatz von etwa 0,2 bis etwa 20 l/min. Die Prozessgase reagieren bei einem Druck von etwa 27 bis etwa 2,666 Pa (etwa 0,2 bis etwa 20 Torr), vorzugsweise weniger als 1,333 Pa (10 Torr), und bilden eine konforme Siliciumoxidschicht auf der Substratoberfläche 304 und den Metallleitern 306, 308, 310. Die Reaktion wird mit einer Leistungsdichte von weniger als 1 W/cm2, vorzugsweise im Bereich von etwa 0,1 bis etwa 0,3 W/cm2 plasmaverstärkt.

Für eine Einzelwaferkammer von 20,33 cm (8 Zoll) ist die Hochfrequenz-HF-Quelle von etwa 13,56 MHz vorzugsweise mit einem Gasverteilungssystem verbunden und wird mit etwa 10 bis etwa 500 W betrieben, während eine Niederfrequenz-HF-Quelle von etwa 350 KHz bis 1 MHz fakultativ an einen Suszeptor angeschlossen ist und mit etwa 0 bis etwa 100 W betrieben wird. Bei einer bevorzugten Ausführungsform wird die hochfrequente HF-Quelle bei etwa 20 W bis etwa 250 W pulsierter HF-Leistung betrieben, während die niederfrequente HF-Quelle bei etwa 0 bis etwa 50 W gepulster HF-Leistung bei einem Arbeitszyklus von 10% bis 30% betrieben wird. Die gepulste HF-Leistung hat vorzugsweise einen Zyklus mit kurzen Intervallen, besonders bevorzugt mit einer Frequenz von weniger als etwa 200 Hz. Wenn die hochfrequente HF-Leistung konstant ist, liegt der Leistungspegel vorzugsweise im Bereich von etwa 20 W bis etwa 100 W.

Die oxidierte Organosilan- oder Organosiloxanschicht wird dann bei einem Druck von weniger als 1,333 Pa (10 Torr) bei einer Temperatur von etwa 100°C bis etwa 450°C gehärtet. Fakultativ kann das Härten nach dem Abscheiden von zusätzlichen dielektrischen Schichten ausgeführt werden.

Die obigen Prozessbedingungen führen zu einer Abscheidung der PECVD-Zwischenschicht 300 (bei etwa 2,000 Å pro Minute) mit verbesserten Sperreigenschaften für die darauf folgende Abscheidung der Spaltfüllschicht 302, was in 6B gezeigt ist. Die aus dem Methylsilan erhaltene Zwischenschicht hat C-H-Bindungen, die ausreichen, dass sie hydrophob ist, und bildet eine hervorragende Feuchtesperre. Die Abscheidung einer hydrophoben Zwischenschicht hat ein überraschendes und unerwartetes Ergebnis dahingehend, dass darauf folgende hydrophile Schichten in hydrophobe Schichten umgewandelt werden.

Die Prozessgase für die Spaltfüllschicht 302 sind vorzugsweise SiH4, CH3SiH3 oder (CH3)2SiH2 sowie 50 Gew.-% Wasserstoffperoxid (H2O2), das verdampft und mit einem Trägerinertgas, wie Helium, vermischt ist. Die Spaltfüllschicht kann jedoch jede dielektrische Schicht sein, die eine akzeptable Dielektrizitätskonstante hat. Es können alternative, Silicium-enthaltende Verbindungen verwendet werden, wenn die Nebenprodukte Dämpfe bei den Abscheidungsbedingungen sind. Zu bevorzugten alternativen Verbindungen gehören Organosilan- oder Silangruppen, wie:

Trimethylsilan,

Disilanmethan,

Bis(methylsilan)methan,

1,2-Disilanethan,

2,2-Disilanpropan,

1,3,5-Trisilan-2,4,6-trimethylen (cyclisch),

1,3-Bis(silanmethylen)siloxan,

Bis(1-methyldisiloxanyl)methan,

2,4,6,8-Tegramethylcyclotetrasiloxan, oder

1,2-Disilantetrafluorethan.

Das Prozessgas strömt in einem Bereich von 0 bis 2000 sccm für He, 10 bis 200 sccm für CH3SiH3 und 0,1 bis 3 g/min für H2O2. Das bevorzugte Gas strömt in einem Bereich von 100 bis 500 sccm für He, 20 bis 100 sccm für CH3SiH3 und 0,1 bis 1 g/min für H2O2. Diese Durchsätze gelten für eine Kammer mit einem Volumen von etwa 5,5 bis 6,5 Liter. Vorzugsweise wird der Reaktor 10 auf einem Druck von etwa 27 bis etwa 667 Pa (etwa 0,2 bis etwa 5 Torr) während der Abscheidung der Spaltfüllschicht 302 gehalten. Die Spaltfüllschicht 302 kann teilweise gehärtet werden, wie in 6C gezeigt ist, um Lösungsmittel, wie Wasser, vor der Abscheidung einer Deckschicht 312, wie in 6D gezeigt, zu entfernen. Das Härten erfolgt in dem Reaktor 10 durch Pumpen unter einer Inertgasatmosphäre unter 1,333 Pa (10 Torr).

Die aus Methylsilan erzeugten Spaltfüllschichten sind gewöhnlich hydrophil und haben schlechte Feuchtesperreigenschaften. Bei Abscheidung auf einer Zwischenschicht, die aus Methylsilan hergestellt ist, ist die Spaltfüllschicht, die aus Methylsilan hergestellt ist, überraschenderweise hydrophob und hat gute Feuchtesperreigenschaften.

Gemäß 6D nimmt der Reaktor 10 nach der Abscheidung der Spaltfüllschicht 302 fakultativ die Abscheidung der oxidierten Organosilan- oder Organosiloxanschicht der vorliegenden Erfindung wieder auf, um eine Deckschicht 312 abzuscheiden. Gemäß 6E werden nach dem Abscheiden der Deckschicht, falls eine vorhanden ist, die abgeschiedenen Schichten in einem Ofen oder einer anderen Kammer bei einer Temperatur von etwa 100°C bis etwa 450°C gehärtet, um restliches Lösungsmittel oder Wasser auszutreiben. Natürlich können die Prozessbedingungen entsprechend den gewünschten Eigenschaften der abgeschiedenen Filme variieren.

Abscheiden einer Doppeldamaszenstruktur

Eine Doppeldamaszenstruktur, die eine oxidierte Organosilan- oder Organosiloxanschicht als Ätzstopp oder als eine dielektrische Intermetallschicht aufweist, ist in 7 gezeigt. Wenn das oxidierte Organosilan oder Organosiloxan als Ätzstopp verwendet wird, wird eine erste dielektrische Schicht 510 auf einem Substrat 512 abgeschieden und dann die oxidierte Organosilan- oder Organosiloxan-Ätzstoppschicht 514 auf der ersten dielektrischen Schicht abgeschieden und gehärtet. Anschließend wird der Ätzstopp mustergeätzt, um Öffnungen für die Kontakte/Kontaktlöcher 516 zu bilden. Daraufhin wird eine zweite dielektrische Schicht 518 über dem gemusterten Ätzstopp abgeschieden und danach das Muster nach herkömmlichen Verfahren geätzt, um die Zwischenverbindungsleitungen 520 zu bilden. Dann wird ein einziger Ätzprozess ausgeführt, um die Zwischenverbindungen nach unten bis zum Ätzstopp zu bilden und um das ungeschützte Dielektrikum zu ätzen, das durch den gemusterten Ätzstopp freigelegt ist, um so die Kontakt/Kontaktlöcher zu bilden.

Gemäß 7 weist der Damaszenaufbau alternativ das oxidierte Organosilan oder Organosiloxan als Intermetalldielektrikum auf. Auf einem Substrat 512 wird eine erste dielektrische Schicht 510 abgeschieden, die vorzugsweise aus dem oxidierten Organosilan oder Organosiloxan besteht, wonach ein herkömmlicher Siliciumoxid-, Siliciumnitrid- oder hydrierter Siliciumcarbid-Ätzstopp 514 der ersten dielektrischen Schicht abgeschieden wird. Der Ätzstopp wird dann gemustert, um die Öffnungen der Kontakte/Kontaktlöcher 516 zu begrenzen. Daraufhin wird eine zweite dielektrische Schicht 518, die aus dem oxidierten Organosilan oder Organosiloxan besteht, über dem gemusterten Ätzstopp abgeschieden und danach gemustert, um die Zwischenverbindungsleiter 520 zu begrenzen. Danach wird ein einziger Ätzschritt ausgeführt, um die Zwischenverbindungen nach unten bis zum Ätzstopp auszubilden und das ungeschützte Dielektrikum zu ätzen, das durch den gemusterten Ätzstopp freigelegt ist, um die Kontakte/Kontaktlöcher zu bilden.

Eine Doppeldamaszenstruktur, die eine Zwischenschicht aufweist, ist in 8H gezeigt, während das Verfahren zur Herstellung der Struktur sequenziell schematisch in den Schnittansichten von 8A bis 8H gezeigt ist.

Wie in 8A gezeigt ist, wird eine anfängliche erste dielektrische Schicht 518, beispielsweise Parylen, FSG, Siliciumoxid oder dergleichen, auf dem Substrat 512 mit einer Dicke von etwa 5.000 bis etwa 10.000 Å abgeschieden, die von der Größe der herzustellenden Struktur abhängt. Wie in 8B gezeigt ist, wird dann der Ätzstopp 514 mit geringem k, bei dem es sich um die oxidierte Organosilan- oder Organosiloxanschicht handelt, auf der ersten dielektrischen Schicht mit einer Dicke von etwa 200 bis etwa 1.000 Å abgeschieden, wobei HF-Leistungspegel verwendet werden. Der Ätzstopp 514 mit niedrigem k wird dann mustergeätzt, um die Kontakt-/Kontaktlochöffnungen 516 zu begrenzen und um die erste dielektrische Schicht 510 in den Bereichen freizulegen, wo die Kontakte/Kontaktlöcher gebildet werden, wie es in 8C gezeigt ist. Der Ätzstopp 514 mit niedrigem k wird vorzugsweise unter Verwendung einer herkömmlichen Photolithographie und von Ätzprozessen mustergeätzt, bei denen Fluor-, Kohlenstoff- und Sauerstoffionen Verwendung finden. Wenn der Ätzstopp 514 mit niedrigem k zu den Mustern der Kontakte/Kontaktlöcher geätzt und das Photoresist entfernt worden ist, wird auf dem Ätzstopp 514 eine zweite dielektrische Schicht 518 mit einer Dicke von etwa 5.000 bis etwa 10.000 Å abgeschieden, wie es in 8D gezeigt ist. Dann wird eine zweite dielektrische Schicht 518 im Muster aufgebracht, um Zwischenverbindungsleitungen 520 zu begrenzen, vorzugsweise unter Verwendung von herkömmlichen Photolithographieprozessen mit einer Photoresistschicht 522, wie es in 8E gezeigt ist. Daraufhin werden die Zwischenverbindungen und Kontakte/Kontaktlöcher unter Verwendung von reaktiven Ionenätz- oder anderen anisotropen Ätztechniken geätzt, um die Metallisierungsstruktur (d.h. die Zwischenverbindung und den Kontakt/das Kontaktloch), wie in 8F gezeigt, zu bilden. Unter Verwendung einer Sauerstoffabstreifung oder durch einen anderen geeigneten Prozess wird jeglicher Photoresist oder anderes Material, das zur Musterbildung des Ätzstopps 514 oder der zweiten dielektrischen Schicht 518 verwendet wurde, entfernt.

Dann wird die Metallisierungsstruktur mit einem leitenden Material, wie Aluminium, Kupfer, Wolfram oder Kombinationen davon ausgebildet. Gegenwärtig geht der Trend dahin, Kupfer zur Bildung der kleineren Elemente aufgrund des niedrigen spezifischen Widerstands von Kupfer zu verwenden (1,7 mW-cm verglichen mit 3,1 mW-cm für Aluminium). Wie in 8G gezeigt ist, wird vorzugsweise zuerst eine geeignete Sperrschicht 524, beispielsweise Tantalnitrid, konform in dem Metallisierungsmuster abgeschieden, um eine Kupfermigration in das umgebende Silicium- und/oder dielektrische Material zu verhindern. Danach wird Kupfer unter Verwendung irgendeiner chemischen Gasphasenabscheidung, physikalischen Gasphasenabscheidung, Elektroplattierung oder Kombinationen davon zur Bildung der Leiterstruktur abgeschieden 526. Wenn die Struktur mit Kupfer oder einem anderen Metall gefüllt worden ist, wird die Oberfläche unter Verwendung von chemischem mechanischem Polieren eben gemacht, wie es in 8H gezeigt ist.

Abscheiden von Haftschichten

Eine doppelte Damaszenstruktur, die eine oxidierte Organosilan- oder Organosiloxanschicht als eine Haftschicht zwischen einer dielektrischen Prämetallschicht und einer dielektrischen Zwischenmetallschicht aufweist, ist in 9 gezeigt. Die oxidierte Organosilan- oder Organosiloxan-Haftschicht 612 wird auf einer dielektrischen Prämetallsehicht 610, beispielsweise einer herkömmlichen PSG- oder BPSG-Schicht, abgeschieden und dann gehärtet. Anschließend wird eine dielektrische Intermetallschicht 614, vorzugsweise eine dielektrischen Polymerschicht mit geringem k, über der Haftschicht 612 abgeschieden. Dann wird ein herkömmlicher Siliciumoxid- oder Siliciumnitrid-Ätzstopp 614 im Muster nach herkömmlichen Verfahren zur Bildung von Kontaktlöchern 620 aufgebracht. Daraufhin wird eine zweite dielektrische Intermetallschicht 622, vorzugsweise das dielektrische Polymer mit geringem k, über den ein Muster bildenden Ätzstopp abgeschieden und dann das Muster zur Begrenzung der Zwischenverbindungsleitungen gebildet. Es wird ein einziger Ätzprozess ausgeführt, um die Zwischenverbindungen bis zum Ätzstopp nach unten durchzubilden und um das ungeschützte Dielektrikum zu ätzen, das durch den ein Muster bildenden Ätzstopp freigelegt ist, um die Kontakte/Kontaktlöcher vor der Metallisierung zu bilden.

In 10H ist eine doppelte Damaszenstruktur mit einer Haftschicht gezeigt, während das Verfahren zur Herstellung der Struktur sequenziell schematisch in den 10A bis 10H in Schnittansichten veranschaulicht ist.

Wie in 10A gezeigt ist, wird eine anfängliche erste dielektrische Intermetallschicht 710, beispielsweise aus Parylen, FSG, Siliciumoxid oder dergleichen, auf einem Substrat 712 mit einer Dicke von etwa 5.000 bis etwa 10.000 Å abgeschieden, die von der Größe der herzustellenden Struktur abhängt. Wie in 10B gezeigt ist, wird dann eine Haftschicht 714 mit geringem k, bei der es sich um die oxidierte Organosilanschicht handelt, auf der ersten dielektrischen Intermetallschicht 710 bis zu einer Dicke von etwa 50 bis etwa 200 Å abgeschieden. Darauf wird ein herkömmlicher Siliciumoxid- oder Siliciumnitrid-Ätzstopp 716 auf der Haftschicht 714 bis zu einer Dicke von etwa 50 bis etwa 200 Å abgeschieden. Anschließend wird eine zweite Haftschicht 718 mit niedrigen k, bei der sich um die oxidierten Organosilanschicht handelt, auf dem Ätzstopp 716 bis zu einer Dicke von etwa 50 bis etwa 200 Å abgeschieden. Der Ätzstopp 716 und die Haftschichten 714, 718 werden dann mustergeätzt, um die Kontakt-/Kontaktlochöffnungen 720 zu bilden und um die erste dielektrische Intermetallschicht 710 in den Bereichen freizusetzen, in denen die Kontakte/Kontaktlöcher ausgebildet werden, wie es in 10C gezeigt ist. Vorzugsweise wird der Ätzstopp 716 unter Verwendung einer herkömmlichen Photolithographie oder von Ätzprozessen unter Verwendung von Fluor-, Kohlenstoff- und Sauerstoffionen mustergeätzt. Wenn der Ätzstopp 716 und die Haftschichten 714, 718 zu dem Muster zur Bildung der Kontakte/Kontaktlöcher geätzt worden sind und das Photoresist entfernt worden ist, wird eine zweite dielektrische Intermetallschicht 722 über der zweiten Haftschicht 716 bis zu einer Dicke von etwa 5.000 bis etwa 10.000 Å abgeschieden, wie es in 10D gezeigt ist. Dann wird die zweite dielektrische Intermetallschicht 722 mit einem Muster für die Begrenzung der Zwischenverbindungsleitungen 724 versehen, wobei vorzugsweise herkömmliche Lithographieprozesse mit einer Photoresistschicht 726 verwendet werden, was in 10E gezeigt ist. Daraufhin werden die Zwischenverbindungen und Kontakte/Kontaktlöcher unter Verwendung einer reaktiven Ionenätz- oder anderen anisotropen Ätztechnik geätzt, um die Metallisierungsstruktur (d.h. die Zwischenverbindung und Kontakt/Kontaktloch), wie in 10F gezeigt, zu bilden. Unter Verwendung einer Sauerstoffabstreifung oder eines anderen geeigneten Prozesses wird dann jegliches Photoresist oder anderes Material entfernt, das für die Musterbildung des Ätzstopps 716 oder der zweiten dielektrischen Intermetallschicht 722 verwendet wurde.

Dann wird die Metallisierungsstruktur mit einem leitenden Material, wie Aluminium, Kupfer, Wolfram oder Kombinationen davon ausgeführt. Gegenwärtig geht der Trend dahin, Kupfer zur Bildung der kleineren Elemente wegen des geringen spezifischen Widerstands von Kupfer zu verwenden (1,7 mW-cm verglichen mit 3,1 mW-cm für Aluminium). Vorzugsweise wird, wie in 10G gezeigt ist, eine geeignete Sperrschicht 728, beispielsweise Tantalnitrid, zuerst konform in dem Metallisierungsmuster abgeschieden, um eine Kupfermigration in das umgebende Silicium- und/oder dielektrische Material zu verhindern. Danach wird unter Verwendung entweder von chemischer Gasphasenabscheidung, physikalischer Gasphasenabscheidung, Elektroplattierung oder Kombinationen davon zur Bildung der leitenden Struktur Kupfer abgeschieden. Wenn die Struktur einmal mit Kupfer oder einem anderen Metall gefüllt worden ist, wird die Oberfläche unter Verwendung eines chemischen mechanischen Polierverfahrens planarisiert, wie es in 10H gezeigt ist.

Doppelte Damaszenintegration

Eine weitere doppelte Damaszenstruktur weist Siliciumoxidschichten mit unterschiedlichen Dielektrizitätskonstanten auf, um einem Übersprechen zwischen den Schichten zu widerstehen, und wird abgeschieden, wie in 11A bis 11D, welche Schnittansichten eines Substrats sind, gezeigt ist.

Wie in 11A gezeigt ist, wird eine dielektrische Kontaktlochpegelschicht 810, die einen Kohlenstoffgehalt von mehr als 20 Atomgew.-% hat, auf einem Substrat 812 bis zu einer Dicke von etwa 5.000 bis etwa 10.000 Å abgeschieden, die von der Größe der herzustellenden Struktur abhängt. Die dielektrische Kontaktlochpegelschicht wird vorzugsweise dadurch abgeschieden, dass N2O und Trimethylsilan bei einem HF-Leistungspegel von 500 W mit einem Arbeitszyklus von 10% reagieren gelassen werden. Wie in 11A gezeigt ist, wird dann die dielektrische Kontaktlochpegelschicht strukturgeätzt, um die Durchgänge und Kontaktlöcher 814 mit herkömmlichen Photolithographie- und Ätzprozessen für Materialien mit hohem Kohlenstoffgehalt unter Verwendung von Fluor- Kohlenstoff- und Sauerstoffionen zu bilden.

Wie in 11B gezeigt ist, ist eine dielektrische Grabenpegelschicht 822 mit einem Kohlenstoffgehalt von weniger als 10 Atomgew.-% über der dielektrischen Schicht 810 mit Kontaktlochpegel bis zu einer Dicke von etwa 5.000 bis etwa 10.000 Å abgeschieden. Die dielektrische Grabenpegelschicht wird vorzugsweise dadurch abgeschieden, dass N2O und Methylsilan bei einem HF-Leistungspegel von 500 W bei einem Arbeitszyklus von 30% reagieren gelassen werden. Dann wird die dielektrische Grabenpegelschicht 822 zur Bildung von Zwischenverbindungsleitungen 824, wie in 11b gezeigt, strukturgeätzt, wobei herkömmliche Photolithographieprozesse und Ätzprozesse verwendet werden, die für niederkohlige Materialien effektiv und für hochkohlige Materialien nicht effektiv sind. Jedes Photoresist oder anderes Material, das für die Strukturbildung der dielektrischen Schichten verwendet wurde, wird unter Verwendung eines chemischen mechanischen Polierens, einer Sauerstoffabstreifung oder durch einen anderen geeigneten Prozess entfernt.

Dann wird die Metallisierungsstruktur mit einem leitenden Material, wie Aluminium, Kupfer, Wolfram oder Kombinationen davon ausgebildet. Gegenwärtig geht der Trend dahin, zur Bildung der kleineren Elemente Kupfer aufgrund seines geringen spezifischen Widerstands zu verwenden (1,7 mW-cm verglichen mit 3,1 mW-cm für Aluminium). Vorzugsweise wird zuerst, wie in 11C gezeigt ist, eine geeignete Sperrschicht 828, beispielsweise aus Tantalnitrid, konform in dem Metallisierungsmuster abgeschieden, um eine Migration von Kupfer in das umgebende Silicium und/oder dielektrische Material zu verhindern. Anschließend wird, wie in 11D gezeigt ist, Kupfer 830 unter Verwendung entweder der chemischen Gasphasenabscheidung, der physikalischen Gasphasenabscheidung, der Elektroplattierung oder von Kombinationen davon abgeschieden, um die leitende Struktur zu bilden. Wenn die Struktur einmal mit Kupfer oder einem anderen Metall gefüllt worden ist, wird die Oberfläche unter Verwendung eines chemischen mechanischen Polierens oder von anderen Planarisierungsmethoden eben gemacht.

Anhand der folgenden Beispiele wird die Erfindung weiter beschrieben.

Beispiel

Das folgende Beispiel zeigt die Abscheidung eines oxidierten Organosilan- oder Organosiloxanfilms mit hervorragenden Sperr- und Hafteigenschaften. Dieses Beispiel wurde unter Verwendung einer Kammer mit chemischer Gasphasenabscheidung, und insbesondere eines "CENTURA DxZ"-Systems ausgeführt, die/das eine HF-Anpasseinheit im Feststoffzustand mit einem zweiteiligen Quarzprozessaufsatz aufweist, die beide von Applied Material, Inc., Santa Clara, Kalifornien, hergestellt und verkauft werden.

Nicht gepulste HF-Leistung

Bei einem Kammerdruck von 400 Pa (3,0 Torr) und einer Temperatur von 15°C wurde ein oxidierter Dimethylsilanfilm aus in den Reaktor strömen gelassenen reaktiven Gasen abgeschieden: Dimethylsilan, (CH3)2SiH2, mit 55 sccm; Stickoxid, N2O, mit 300 sccm, und Helium, He, mit 4.000 sccm.

Das Substrat wurde 1,5 cm (600 mils) von dem Gasverteilungsduschkopf angeordnet, und es wurde eine 20-W-Hochfrequenzleistung (13 MHz) an den Duschkopf für eine plasmaverstärkte Abscheidung einer oxidierten Dimethylsilanschicht angelegt. Das oxidierte Dimethylsilanmaterial hatte eine Dielektrizitätskonstante von etwa 2,5 und war hydrophob.

Hypothetische Beispiele

Die folgenden hypothetischen Beispiele beschreiben die Abscheidung eines oxidierten Organosilan- oder Organosiloxanfilms der vorliegenden Erfindung. Diese Beispiele sind für die in dem vorstehenden Beispiel erwähnte chemische Gasphasenabscheidung beschrieben.

Gepulste HF-Leistung

Bei einem Kammerdruck von 400 Pa (3,0 Torr) und einer Temperatur von 15°C wurde ein oxidierter 1,3,5-Trisilan-2,4,6-Trimethylen-(cyclisch)Film aus den folgenden, in den Reaktor strömenden Gasen abgeschieden: 1,3,5-Trisilan-2,4,6-Trimethlylen, -(-SiH2CH2-)3- (cyclisch), mit 20 sccm; Stickoxid, N2O, mit 300 sccm, und Helium, He, mit 4.000 sccm.

Das Substrat ist 1,5 cm (600 mil) von dem Gasverteilungsduschkopf angeordnet, und es wird 50 W pulsierte Hochfrequenzleistung (13 MHz) an den Duschkopf für eine plasmaverstärkte Abscheidung einer oxidierten 1,3,5-Trisilan-2,4,6-Trimethylenschicht angelegt.

Gepulste HF-Leistung

Bei einem Kammerdruck von 400 Pa (3,0 Torr) und einer Temperatur von 15°C wird ein oxidierter 1,3-Dimethyldisiloxanfilm aus reaktiven Gasen abgeschieden, die in den Reaktor wie folgt strömen gelassen werden: 1,3-Dimethyldisiloxan, CH3-SiH2-O-SiH2-CH3, mit 30 sccm, Stickoxid, N2O, mit 300 sccm, und Helium, He, mit 4.000 sccm.

Das Substrat ist 1,5 cm (600 mil) Entfernung von dem Gasverteilungsduschkopf angeordnet, und es wird 50 W pulsierte hochfrequente HF-Leistung (13 MHz) an den Duschkopf für eine plasmaverstärkte Abscheidung einer oxidierten Dimethyldisiloxanschicht angelegt.

Mikrowellen-/HF-Leistung

Bei einem Kammerdruck von 400 Pa (3,0 Torr) und einer Temperatur von 15°C wird ein oxidierter 1,3-Dimethyldisiloxanfilm aus reaktiven Gasen abgeschieden, die in den Reaktor wie folgt strömen gelassen werden: 1,3-Dimethyldisiloxan, CH3-SiH2-O-SiH2-CH3, mit 30 sccm; Stickoxid, N2O, mit 300 sccm, und Helium, He, mit 4.000 sccm.

Vor dem Eintritt in die Kammer wird das Stickoxid in einem Mikrowellenapplikator dissoziiert, der 2.000 W Mikrowellenenergie bereitstellt. Das Substrat wird in 1,5 cm (600 mit) Entfernung von dem Gasverteilungsduschkopf angeordnet, und es wird 50 W hochfrequenter HF-Leistung (13 MHz) an den Duschkopf in Zyklen für eine plasmaverstärkte Abscheidung einer oxidierten Dimethyldisiloxanschicht angelegt. Jeder Zyklus hält HF-Leistung für 30% des Zyklus bereit.

Während die vorstehenden Ausführungen auf bevorzugte Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung gerichtet sind, können auch andere oder weitere Ausgestaltungen der Erfindung in Frage kommen, ohne von dem Grundrahmen abzuweichen, der von den folgenden Ansprüchen bestimmt ist.


Anspruch[de]
Verfahren zur Abscheidung eines Films mit niedriger Dielektrizitätskonstante auf ein Halbleitersubstrat, das

– die Umsetzung einer Si-organischen Verbindung mit einem oxidierenden Gas unter HF-Plasma-Bedingungen, die für die Abscheidung eines Films mit niedriger Dielektrizitätskonstante auf ein Halbleitersubstrat ausreichen, wobei die Si-organische Verbindung wenigstens ein an ein Si-Atom gebundenes H-Atom und wenigstens ein an ein Si-Atom gebundenes C-Atom umfasst, die HF-Plasmabedingungen eine Leistungsdichte von unter 1 W/cm2 umfassen und der Film mit niedriger Dielektrizitätskonstante ein Siliciumoxid-Film mit einem Kohlenstoffgehalt von 1 bis 50 Atomgewicht-% und einer Dielektrizitätskonstante von unter 3 ist, und

– das Ätzen des Films mit niedriger Dielektrizitätskonstante unter Bildung einer Verbindungsöffnung aufweist.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die HF-Plasma-Bedingungen eine Substrattemperatur von 20 bis 400°C aufweisen. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die HF-Plasma-Bedingungen eine Substrattemperatur von 20 bis 40°C aufweisen. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Si-organische Verbindung Methylsilan ist. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das oxidierende Gas Sauerstoff ist. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Si-organische Verbindung unter Methylsilan, Dimethylsilan und Trimethylsilan ausgewählt wird. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Film mit niedriger Dielektrizitätskonstante einen C-Gehalt von 5 bis 30 Atomgewicht-% aufweist. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die HF-Plasma-Bedingungen eine Mischfrequenz-HF-Leistung aufweisen. Verfahren nach Anspruch 8, bei dem die Mischfrequenz-HF-Leistung eine HF-Leistung bei 13,56 MHz und 360 KHz aufweist. Verfahren zur Abscheidung eines Films mit niedriger Dielektrizitätskonstante, das

– die Abscheidung einer konformen Zwischenschicht auf eine gedruckte Metallschicht aus Prozessgasen, die eine oder mehrere Si-organische Verbindungen und ein oxidierendes Gas bei einem konstanten HF-Leistungsniveau von 10 bis 200 W oder bei einem gepulsten HF-Leistungsniveau von 20 bis 500 W aufweisen,

– wobei jedes Si-Atom der einen Si-organischen Verbindung oder mehrerer Si-organischer Verbindungen an ein oder zwei C-Atome und mindestens ein H-Atom gebunden ist und

– wobei die Si-Atome im selben Molekül durch nicht mehr als zwei C-Atome bzw. nicht mehr als ein O-Atom voneinander getrennt sind und die konforme Zwischenschicht eine Siliciumoxidschicht ist, die einen C-Gehalt von 1 bis 50 Atomgewicht-% und eine Dielektrizitätskonstante von unter 3 aufweist, und

– die Abscheidung einer Spaltfüllschicht auf die Zwischenschicht aufweist.
Verfahren nach Anspruch 10, bei dem die eine Si-organische Verbindung bzw. mehrere Si-organische Verbindungen ausgewählt wird bzw. ausgewählt werden unter Methylsilan, Dimethylsilan, Trimethylsilan, Disilanmethan, Bis(methyl-silan)methan, 1,2-Disilanethan, 1,2-Bis(methylsilan)ethan, 2,2-Disilanpropan, 1,3,5-Trisilan-2,4,6-trimethylen, 1,3-Dimethyldisiloxan, 1,3-Bis(silanmethylen)disiloxan, Bis(1-methyldisiloxan, 2,2-Bis(1-methyldisiloxanyl)-propan, 2,4,6,8-Tetramethylcyclotetrasiloxan, 2,4,6,8,10-Pentamethylcyclopentasiloxan, 1,3,5,7-Tetrasilan-2,6-dioxy-4,8-dimethylen, fluorierten Kohlenstoffderivaten davon und Gemischen davon. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem das oxidierende Gas vor dem Mischen mit der einen Si-organischen Verbindung bzw. den mehreren Si-organischen Verbindungen dissoziiert wird. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem die Spaltfüllschicht durch Umsetzung der einen oder der mehreren Si-organischen Verbindungen mit Wasserstoffperoxid abgeschieden wird. Verfahren nach Anspruch 10, das außerdem noch die Stufe der Abscheidung einer Abdeckschicht auf die Spaltfüllschicht aus Prozessgasen, die die eine oder die mehreren Si-organischen Verbindungen und das oxidierende Gas beinhalten, aufweist. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem die konforme Zwischenschicht bei einer Substrattemperatur von –20 bis 400°C abgeschieden wird. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem die konforme Zwischenschicht einen C-Gehalt von 5 bis 10 Atomgewicht-%, aufweist. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem die eine Si-organische Verbindung bzw. die mehreren Si-organischen Verbindungen ausgewählt wird bzw. ausgewählt werden unter Methylsilan, Dimethylsilan und Trimethylsilan. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem jedes Si-Atom an ein oder zwei C-Atome gebunden ist und zwei oder mehrere Si-Atome im selben Molekül durch höchstens zwei C-Atome voneinander getrennt sind. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Si-organische Verbindung ausgewählt wird unter Methylsilan, Dimethylsilan, Trimethylsilan, Ethylsilan, Phenylsilan, Diphenylsilan und Methylphenylsilan. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Si-organische Verbindung eine Arylgruppe aufweist. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem die eine bzw. die mehreren Si-organischen Verbindungen umgesetzt wird bzw. umgesetzt werden bei einem HF-Leistungsniveau von 10 bis 250 W. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem jedes Si-Atom an ein oder zwei C-Atome gebunden ist und bei dem die Si-Atome im selben Molekül durch höchstens zwei C-Atome bzw. ein O-Atom voneinander getrennt sind. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem die eine bzw. mehreren Si-organischen Verbindungen ausgewählt wird bzw. ausgewählt werden unter Methylsilan, Dimethylsilan, Disilanmethan, Bis(methyl-silan)methan, 1,2-Disilanethan, 1,2-Bis(methyl-silan)ethan, 2,2-Disilanpropan, 1,3,5-Trisilan-2,4,6-trimethylen (cyclisch), 1,3-Dimethyldisiloxan, 1,3-Bis(silanmethylen)disiloxan, Bis(1-methyldisiloxanyl)methan, 2,2-Bis(1-methyldisiloxanyl)-propan, 2,4,6,8-Tetramethyl-cyclotetrasiloxan, 2,4,6,8,10-Pentamethylcyclopentasiloxan (cyclisch), 1,3,5,7-Tetrasilan-2,6-dioxy-4,8-dimethylen (cyclisch), fluorierten Kohlenstoffderivaten davon und Gemischen davon. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Si-organische Verbindung im wesentlichen sowohl aus CH3-Si-Bindungen als auch aus Si-H-Bindungen besteht. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Si-organische Verbindung aus Kohlenstoff, Silicium und Wasserstoff besteht.






IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

Anmelder
Datum

Patentrecherche

Patent Zeichnungen (PDF)

Copyright © 2008 Patent-De Alle Rechte vorbehalten. eMail: info@patent-de.com