| Dokumentenidentifikation |
DE102005051604A1 23.11.2006 |
| Titel |
Verfahren zum Herstellen eines Ultraschallwandlers |
| Anmelder |
Industrial Technology Research Institute, Chutung, Hsinchu, TW |
| Erfinder |
Chang, Ming-Wei, Hsin-chu, TW; Pang, Da-Chen, Hsin-Chu, TW; Tseng, Chao-Sheng, Hsin-Chu, TW |
| Vertreter |
Haft, von Puttkamer, Berngruber, Karakatsanis, 81669 München |
| DE-Anmeldedatum |
27.10.2005 |
| DE-Aktenzeichen |
102005051604 |
| Offenlegungstag |
23.11.2006 |
| Veröffentlichungstag im Patentblatt |
23.11.2006 |
| IPC-Hauptklasse |
H04R 31/00(2006.01)A, F, I, 20051027, B, H, DE
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| IPC-Nebenklasse |
H04R 19/00(2006.01)A, L, I, 20051027, B, H, DE
B81C 1/00(2006.01)A, L, I, 20051027, B, H, DE
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| Zusammenfassung |
Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines polymerbasierenden kapazitiven Ultraschallwandlers vorgeschlagen, welches zumindest folgende Verfahrensschritte umfasst: (a) Vorsehen eines Substrates; (b) Bilden eines ersten Leiters auf dem Substrat; (c) Beschichten des Substrates mit einer Opferschicht, um den ersten Leiter durch die Schicht zu bedecken; (d) Ätzen der Opferschicht, um eine Insel zu bilden, welche es ermöglicht, dass die Insel mit dem ersten Leiter in Kontakt steht; (e) Beschichten des Substrates mit einem ersten polymerbasierenden Material, um die Insel durch dasselbe zu bedecken; (f) Bilden eines zweiten Leiters auf dem ersten polymerbasierenden Material; (g) Bilden einer Durchtrittsöffnung auf dem ersten polymerbasierenden Material, um es der Durchtrittsöffnung zu ermöglichen, zu der Insel geführt zu werden; und (h) Verwenden der Durchtrittsöffnung, um die Insel wegzuätzen und zu entfernen, wodurch ein Hohlraum gebildet wird.
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| Beschreibung[de] |
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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines
Ultraschallwandlers.
Ultraschallbilder haben eine weit verbreitete Anwendung in der Industrie
und der Medizin gefunden. Fehlererkennung, Schichtdickenmessung und diagnostische
Bilder sind nur einige wenige Anwendungsbeispiele dieser Technologie. Sämtliche
erworbenen Informationen des Ultraschallsystems passieren den Wandler, bevor sie
verarbeitet und sie dem Bediener präsentiert werden. Deshalb können die
Leistungseigenschaften des Wandlers signifikant die Systemleistung beeinflussen,
insbesondere wenn die im Trend der zukünftigen Entwicklung liegenden miniaturisierten
Ultraschallwandler verwendet werden. Diese Technik hat gegenüber anderen Techniken,
wie z.B. Röntgenstrahlen oder magnetische Resonanzbilder (MRI), eine Vielzahl
von Vorteilen, umfassend nicht invasiv, relativ kostengünstig, tragbar und
in der Lage, ein tomographisches Bild zu erzeugen, also ein Bild eines zweidimensionalen
Teiles des Körpers. Andere weitere wichtige Vorteile liegen darin, dass durch
Ultraschall schnell Bilder erzeugt werden, um somit Bewegungen von Strukturen in
dem Körper auf einem Monitor darzustellen, wie z.B. ein Fötus oder ein
schlagendes Herz. Wert sollte auf die Ausgestaltung und die Herstellung eines einwandfreien
Wandlers für die Anwendung gelegt werden; unter Betracht der Leistung des Bildsystems
als ein ganzes.
Gegenwärtig sind die meisten verwendeten Ultraschallwandler piezoelektrische
Ultraschallwandler, welche einen keramischen Herstellungsprozess benötigen
und eine akustische Impedanz haben, ähnlich zu einem Festkörper, der nicht
geeignet ist, in einer gasförmigen oder flüssigen Umgebung verwendet zu
werden. Deshalb werden kapazitive mikromaschinell bearbeitete Ultraschallwandler
(CMUTs) als eine attraktive Alternative zu den konventionellen piezoelektrischen
Wandlern in vielen Bereichen der Anwendungen betrachtet, da die akustische Impedanz
eines CMUT, bezogen auf Luft oder Wasser, näher ist, als die der piezoelektrischen
Ultraschallwandler, in Folge der kleinen mechanischen Impedanz der dünnen Wandlermembran.
Gemäß 29 wird eine quergeschnittene Ansicht
eines bekannten piezoelektrischen Ultraschallwandlers gezeigt. Ein Ultraschallwandler
gemäß 29 umfasst eine Schicht eines aktiven
Elementes 32, welches ein Piezoelement oder ein ferroelektrisches Material
ist, eine Unterschicht 30 und eine Trägerplatte 36 zum Schützen
des Wandlers vor der zu testenden Umgebung, wobei eine Anpassungsschicht
34 in Sandwichbauweise zwischen der Schicht des aktiven Elementes
32 und der Trägerplatte 36 zum Erweitern der Wellenemissionswirksamkeit
angeordnet ist.
Neben der längeren Betriebsdauer, der besseren Sensitivität,
der bevorzugten Auslösung weisen die CMUT folgende weitere Vorteile gegenüber
piezoelektrischen Wandlern auf: die CMUTs können schubweise mit einem Standard
IC feste Parameter Spezifikationen verarbeiten, welche schwer mit den Zirkonium
Titan Wandlern (PZTs) zu überführen sind. Diese Mittel der Elektronik
(near-electronics) kann mit dem Wandler integriert werden. Es ist einfacher Strahlen
von CMUTs als von PZTs umzuwandeln. Darüber hinaus kann ein CMUT in einen größeren
Temperaturbereich als eine PZT-Einrichtung [3] betrieben werden. Ferner ist die
akustische Impedanz eines CMUTs zu Luft näher als die der PZT-Wandler, in Folge
der kleineren mechanischen Impedanz der dünnen Umwandlungsmembran. Dies ist,
wenn beide in Luft betrieben werden, die Betriebsfrequenz eines CMUT im Bereiche
von 200 KHz bis 5 MHz, während die Betriebsfrequenz eines PZT-Wandlers nur
im Bereich von 50 KHz bis 200 KHz liegt, wobei der Unterschied zwischen den Betriebsfrequenzen
der beiden Wandler Probleme und Beschränkungen bezüglich der Anwendung
ergeben.
Ein kapazitiver mikromaschineller Ultraschallwandler ist ein Gerät,
bei dem zwei plattenähnliche Elektroden gebogen sind, nach einem anliegenden
AC-Signal an der Oberseite der DC-Neigung, um harmonisch eine der Platten zu bewegen.
Die Hauptelemente eines CMUT sind der Hohlraum, die Membran und die Elektrode.
1998 wurde eine oberflächenmikromaschinelle Technik durch Jin,
und andere offenbart, welche zur Herstellung eines kapazitiven Ultraschallwandlers
verwendet wird, um in der Lage zu sein, in Luft und in Wasser untergetaucht betrieben
zu werden. Die mikromaschinelle Oberflächenbearbeitungstechnik umfasst die
folgenden Arbeitsschritte: Vorsehen einer hochdotierten Silikonhalbleiterschicht
mit bevorzugter Leitfähigkeit als Substrat des Wandlers; Abscheiden einer Schicht
amorphen Siliziums (a-Si) als eine Opferschicht; Trockenätzung der Opferschicht,
um eine Vielzahl von hexagonalen Inseln zu bilden; Abscheiden einer zweiten Schicht
aus Nitrid, um eine Membran und hexagonale Rahmen zu bilden, welche die Membran
halten; Trockenätzung der zweiten Nitridschicht, um Durchtrittsöffnungen
zu bilden; Entfernen des a-Si durch Zuführen von KOH durch die Durchtrittsöffnungen
bei 75 °C, sodass ein Hohlraum gebildet wird; Abscheiden einer Schicht aus
Siliziumoxid, um die Durchtrittsöffnungen abzudichten; Plattierung einer Aluminiumschicht;
und Musterung der Aluminiumschicht durch Feuchtätzung, sodass eine obere Elektrode
gebildet wird.
2002 wurde eine Niedrigtemperaturherstellungstechnologie mit einem
Härtungsverfahren durch Cianci und andere zum Herstellen eines
kapazitiven Ultraschallwandlers entwickelt, um die spannungsbeeinflussende Membran
der Leistung eines kapazitiven Umwandlers zu behandeln. Diese Technik umfasst die
folgenden Schritte: Vorsehen eines Polymides als eine Opferschicht, Ätzen des
Polymides, um eine Vielzahl von hexagonalen Inseln durch Mittel einer reaktiven
Ionenätzung (RIE); Dampfabscheidung eines Siliziumoxides, um hexagonale Rahmen
zu bilden, wobei jeder die gleiche Höhe aufweist, sodass die Opferschicht zum
Halten einer Membran vorgesehen ist; Abscheiden einer Schicht aus Siliziumnitrid,
um die Membran bei 380 °C durch eine verbesserte plasmachemische Dampfabscheidung
(PECVD) zu bilden; und Härten bei 510 °C für zehn Stunden, um die
Kompressionsspannungen der Membran zu eliminieren, während nur eine leichte
Zugspannung verbleibt. Ferner wird die obere Elektrode des Umwandlers durch lithographische
Musterung gebildet, während die Bodenelektrode an der Rückseite des Siliziumhalbleiters
plattiert wird.
Jedoch haben die beiden vorbenannten Herstellungstechniken die Probleme
der hohen Verarbeitungstemperatur, der hohen verbleibenden Spannung, der unkontrollierbaren
Merkmale der Herstellung und der hohen Kosten, wobei somit bestimmte korrespondierende
Verarbeitungen bei dem Herstellungsverfahren angewendet werden, wie z.B. Vorsehen
eines Härtungsverfahrens, um die verbleibende Spannungen zu reduzieren, sodass
verhindert wird, dass die Membran durch die Information beschädigt wird. Zusätzlich
haben die Hohlräume der meisten bekannten Wandler Erregungen, welche durch
das Ätzen eines Silizium basierenden Materials gebildet werden, sodass offensichtlich
ein sogenannter Lamb Wave Effekt auftreten kann und somit der Ultraschallwandler
in einem unstabilen Zustand sich befinden kann, da der Hohlraum und die Membran
aus unterschiedlichen Materialen gefertigt sind, welche unterschiedliche thermische
Ausdehnungskoeffizienten haben.
Somit besteht ein großes Verlangen, einen Polymer basierenden
kapazitiven Ultraschallwandler vorzusehen, der in der Lage ist, die Nachteile der
bekannten Wandler zu überwinden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale des
Patentanspruches 1 bzw. 13 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich
insbesondere aus den Unteransprüchen.
Aus Sicht dieses Standes der Technik werden gemäß einer
Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung Verfahren zum Herstellen eines auf Polymerbasis
gebildeten kapazitiven Ultraschallwandlers vorgeschlagen, der die Vorteile eines
Polymerwerkstoffes aufweist, wie z.B. geringe Kosten, einfache Herstellung und die
Möglichkeit in großen Abmessungen hergestellt zu werden, sodass die Herstellungskosten
reduziert werden, während ein unkomplizierter Herstellungsprozess ermöglicht
wird.
Um diese Ausgestaltungen zu erreichen, wird durch die vorliegende
Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines auf Polymerbasis ausgebildeten kapazitiven
Ultraschallwandlers mit vorzugsweise folgenden Verfahrensschritten vorgeschlagen:
- (a) Vorsehen eines Substrates;
- (b) Bildes eines ersten Leiters auf dem Substrat;
- (c) Beschichten einer Operschicht bzw. Trägerschicht auf dem Substrat,
während der erste Leiter durch diese bedeckt wird;
- (d) Ätzen der Opferschicht zum Bilden einer Insel, während ein Kontakt
zwischen der Insel und dem ersten Leiter erhalten wird;
- (e) Beschichten des Substrates mit einem auf Polymerbasis vorgesehenen Werkstoffes,
während die Insel mit demselben bedeckt wird;
- (f) Bilden eines zweiten Leiters auf dem ersten Polymerbasierenden Materials
oder Werkstoffes;
- (g) Bilden einer Durchgangsöffnung auf dem ersten polymerbasierenden Material,
während es ermöglicht wird, dass die Durchgangsöffnung zu der Insel
kanalisiert wird; und
- (h) Verwenden der Durchgangsöffnung um die Insel zu ätzen und zu entfernen,
um einen Hohlraum zu bilden.
Bei einer bevorzugten Weiterbildung umfasst der Verfahrensschritt
(b) des Herstellungsverfahrens gemäß der Erfindung ferner einen Verfahrensschritt:
(b1) Beschichten des ersten Leiters auf dem Substrat, um es zu ermöglichen,
dass das Substrat komplett durch den ersten Leiter bedeckt ist.
Ein bevorzugter Aspekt der vorliegenden Erfindung sieht vor, dass
der Verfahrensschritt (b) des Herstellungsverfahrens ferner einen Verfahrensschritt
umfasst: (b2) Ätzen des ersten Leiters, um diesen zu mustern, wobei der Verfahrensschritt
(b1) nach dem Verfahrensschritt (b1) durchgeführt wird.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
umfasst das Verfahren zum Herstellen eines auf Polymerbasis vorgesehenen kapazitiven
Ultraschallwandlers ferner einen Verfahrensschritt: (i) Komplettes Bedecken des
zweiten Leiters durch ein zweites auf Polymerbasis vorgesehenes Material.
Eine andere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung kann vorsehen,
dass das Verfahren zum Herstellen eines auf Polymerbasis vorgesehenen kapazitiven
Ultraschallwandlers ferner einen Verfahrensschritt umfasst: (i') Komplettes Bedecken
des zweiten Leiters durch ein zweites polymerbasierendes Material,
um die Durchgangsöffnung abzudichten.
Vorzugsweise ist das Substrat aus Silizium gefertigt.
Vorzugsweise ist der erste Leiter aus einem Metall hergestellt.
Vorzugsweise wird der erste Leiter gemäß des Verfahrensschrittes
(b) auf dem Substrat durch Sputtern (sputtering)gebildet.
Bevorzugt ist der zweite Leiter aus Metall gefertigt.
Vorzugsweise wird der zweite Leiter gemäß des Verfahrensschrittes
(f) auf dem ersten polymerbasierenden Material durch Sputtern (sputtering) gebildet.
Vorzugsweise ist die Opferschicht aus Metall gefertigt, welches Kupfer
sein kann.
Bevorzugt ist das bei dem Verfahrensschritt (h) durchgeführte
Ätzen eine Nassätzung.
Vorzugsweise ist das erste polymerbasierende Material der SU-8 Fotolack,
produziert durch MicroChem Corp (MCC).
Andere Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus
der folgenden detaillierten Beschreibung ersichtlich, welche unter Hinzunahme der
dazugehörigen Zeichnungen beschrieben wird, welche ein Beispiel der Prinzipien
der vorliegenden Erfindung zeigen.
Nachfolgend wird die vorliegende Erfindung anhand der dazugehörigen
Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
1 bis 9 sind schematische
geschnittene Ansichten, welche die Verfahrensschritte eines Verfahrens zum Herstellen
eines polymerbasierenden kapazitiven Ultraschallwandlers gemäß einer ersten
bevorzugten Ausführungsform der Erfindung zeigen;
10 bis 16 sind geschnittene
Ansichten von Verfahrensschritten eines Verfahrens zum Herstellen eines polymerbasierenden
kapazitiven Ultraschallwandlers gemäß eines zweiten Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung;
17 bis 28 sind schematische
geschnittene Ansichten, welche Verfahrensschritte eines Verfahrens zum Herstellen
eines polymerbasierenden kapazitiven Ultraschallwandlers gemäß eines dritten
bevorzugten Ausführungsbeispiels der Erfindung zeigen;
29 ist eine quergeschnittene Ansicht eines bekannten
piezoelektrischen Ultraschallwandlers.
Zum besseren Verständnis und Nachvollziehen der Funktionen und
der strukturellen Merkmale der vorliegenden Erfindung sind verschiedene bevorzugte
Ausführungsbeispiele nachfolgend im Detail beschrieben.
Gemäß der 1 bis 9
werden schematische geschnittene Ansichten zum Illustrieren eines Ablaufes eines
Verfahrens zum Herstellen eines polymerbasierenden kapazitiven Ultraschallwandlers
gemäß eines ersten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung
gezeigt. Das Verfahren beginnt mit einem Verfahrensschritt, wie er in
1 gezeigt, wobei ein Substrat 10 abgeschieden
wird, und danach führt das Verfahren den in 2
gezeigten Verfahrensschritt durch. In 2wird die Leiterschicht
12 geätzt, um ein spezifisches Muster zu bilden und danach führt
das Verfahren den Verfahrensschritt durch, der in 3
gezeigt ist. In 3 wird das Substrat 10 mit
einer Trägerschicht bzw. Opferschicht 14 beschichtet, um es dem gemusterten
Leiter 12 zu erlauben, das Substrat 10 zu bedecken, und danach
führt das Verfahren den Verfahrensschritt durch, der in 4
gezeigt ist. In 4 wird die Opferschicht 14
geätzt, um eine Insel 16 zu bilden, welche in Kontakt mit dem gemusterten
Leiter 12 steht, und danach führt das Verfahren den Verfahrensschritt
durch, der in 5 gezeigt ist. In 5
wird eine Schicht eines polymerbasierenden Materials 18 auf dem Substrat
10 gebildet, um es der Insel 16 zu erlauben, komplett bedeckt
zu sein, und danach führt das Verfahren den Verfahrensschritt durch, der in
6 gezeigt. In 6 wird eine
weitere Leiterschicht auf der polymerbasierenden Materialschicht 18 gebildet
und danach führt das Verfahren den Verfahrensschritt durch, der in
7 gezeigt ist. In 7 werden
zwei Durchgangsöffnungen 22 auf der Schicht aus polymerbasierenden
Material 18 gebildet, um es den Durchgangsöffnungen 22 zu
erlauben, zu der Insel 16 geführt zu werden, ferner wird die Anzahl
der Durchtrittsöffnungen nicht durch zwei limitiert, das heißt es kann
jede Anzahl von Durchtrittsöffnungen auf der Schicht auf polymerbasierenden
Material 18 gebildet werden und danach wird das Verfahren den Verfahrensschritt
durchführen, der in 8 gezeigt ist. In
8 wird die Insel 16 feucht geätzt und
entfernt durch die Verwendung der Durchtrittsöffnungen 22, sodass
ein Hohlraum geformt wird, und danach führt das Verfahren den Verfahrensschritt
durch der in 9 gezeigt ist. In 9
wird eine Schicht eines weiteren polymerbasierenden Materials 24 auf dem
Leiter 20 gebildet, um die Durchtrittsöffnungen 23 durch
die Schicht abzudichten, sodass der Leiter 12, 20 vor Beschädigungen
von Schmutz und Staub geschützt wird und somit das Verfahren
vollständig ist.
Gemäß der 10 bis
16 sind schematische geschnittene Ansichten gezeigt,
welche einen Ablauf eines Verfahrens zum Herstellen eines polymerbasierenden kapazitiven
Ultraschallwandlers gemäß eines zweiten Ausführungsbeispiels der
vorliegenden Erfindung darstellen. Das Verfahren beginnt mit einem Verfahrensschritt,
der in 10 gezeigt ist, wobei ein Substrat
10 eine Leiterschicht 12 aufweist, welche darauf abgeschieden
ist, wobei danach das Verfahren den Verfahrensschritt durchführt, der in
11 gezeigt ist. In 11
wird eine Insel auf dem Leiter 12 gebildet und danach führt das Verfahren
den Verfahrensschritt durch, der in 12 gezeigt ist.
In 12 wird eine Schicht aus einem polymerbasierenden
Material 18 auf der Leiterschicht 12 gebildet, um es der Insel
16 zu ermöglichen, von dieser bedeckt zu sein und danach wird das
Verfahren den Verfahrensschritt durchführen, der in 13
gezeigt ist. In 13 wird ein weiterer Leiter
20 auf der Schicht aus polymerbasierenden Material 18 gebildet
und danach führt das Verfahren den Verfahrensschritt durch, der in
14 gezeigt ist. In 14
werden zwei Durchtrittsöffnungen 22 auf der Schicht aus polymerbasierenden
Material 18 gebildet, um es den Durchtrittsöffnungen 22 zu
erlauben, zu der Insel 16 geführt zu werden, wobei die Anzahl der
Durchtrittsöffnung nicht durch zwei limitiert ist, das heißt es kann jede
andere Anzahl von Durchtrittsöffnungen auf der Schicht aus polymerbasierenden
Material 18 gebildet werden, und danach führt das Verfahren den Verfahrensschritt
durch, der in 15 gezeigt ist. In 15
wird die Insel 16 feucht geätzt und entfernt durch Verwenden der Durchtrittsöffnungen
22, sodass ein Hohlraum gebildet wird und danach führt das Verfahren
den Verfahrensschritt durch, der in 16 gezeigt ist.
In 16 wird eine Schicht aus einem polymerbasierenden
Material 24 auf dem Leiter 20 gebildet, um die Durchtrittsöffnungen
22 durch dieselbe abzudichten, sodass die Leiter 12,
20 vor Beschädigungen durch Schmutz und Staub geschützt sind
und das Verfahren komplett ist. Des weiteren, um die Schicht aus polymerbasierenden
Material 24, wie in 16 gesehen, zu bilden,
wird durch Auswahl eines geeigneten polymerbasierenden Materials und durch Durchführen
der Bildung der Schicht aus polymerbasierenden Material 24 durch Rotationsbeschichtung
die Kohäsion zwischen Molekülen des polymerbasierenden Materials
24 größer als die wirkende Erdanziehungskraft darauf, sodass
das polymerbasierende Material 24 nicht in die Durchtrittsöffnungen
22 tropft und fließt, sodass die Durchtrittsöffnungen
22 nicht durch das polymerbasierende Material gefüllt werden.
Gemäß den 17 bis
28 werden schematische geschnittene Ansichten zum Illustrieren
eines Ablaufes eines Verfahrens zum Herstellen eines polymerbasierenden kapazitiven
Ultraschallwandlers gemäß eines dritten Ausführungsbeispieles der
Erfindung gezeigt. Das Verfahren beginnt mit dem Verfahrensschritt, der in
17 gezeigt ist, wobei ein Substrat 40 mit
einer Leiterschicht 42 vorgesehen ist, die auf diesem abgeschieden ist
und danach führt das Verfahren den Verfahrensschritt durch, der in
18 gezeigt ist. In 18
wird durch Rotationsbeschichtung ein polymerbasierendes Material 44 auf
dem Leiter 42 aufgebracht, um dem Leiter 42 es zu ermöglichen,
durch das Material bedeckt zu werden und danach führt das Verfahren den Verfahrensschritt
durch, der in 19 gezeigt ist. In 19
wird das polymerbasierende Material 44 geätzt, sodass zwei freigelegte
Bereiche 46a, 46b gebildet werden und danach führt das Verfahren
den Verfahrensschritt durch, der in 20 gezeigt ist.
In 20 werden zwei Opferschichten 48a,
48b jeweils an den beiden freigelegten Bereichen 46,
46a gebildet und danach führt das Verfahren den Verfahrensschritt
durch, der in 21 gezeigt ist. In 21
werden ein Fotolack 50 durch Rotationsbeschichtung auf dem polymerbasierenden
Material aufgebracht und die beiden Opferschichten 48a, 48b gebildet
und danach führt das Verfahren den Verfahrensschritt durch, der in
22 gezeigt ist. In 22
wird ein Bereich des Fotolacks 50 entfernt, um es dem anderen Bereich des
Fotolacks 50 zu ermöglichen, die Opferschicht 48a zu überlagern,
und danach führt das Verfahren den Verfahrensschritt durch, der in
23 gezeigt ist. In 23
wird die Opferschicht 48b verdickt und danach führt das Verfahren
den Verfahrensschritt durch, der in 24 gezeigt ist.
In 24 wird die der verbleibende Fotolack
50 entfernt und danach eine Schicht aus polymerbasierenden Material
44 durch Rotationsbeschichtung auf den beiden Opferschichten
48a, 48b aufgebracht, um es den beiden Opferschichten
48a, 48b zu erlauben, komplett mit diesen bedeckt zu sein, und
danach führt das Verfahren den Verfahrensschritt durch, der in 25
gezeigt ist. In 25 werden zwei Durchtrittsöffnungen
52a, 52b jeweils auf der Schicht aus polymerbasierenden Material
44 gebildet, um es den Durchtrittsöffnungen 52a,
52b zu ermöglichen, jeweils zu den beiden Opferschichten
48a, 48b geführt zu werden, und danach führt das Verfahren
den Verfahrensschritt aus, der in 26 gezeigt ist. In
26 sind jeweils zwei Leiter 54a,
54b auf den beiden Opferschichten 48a, 48b jeweils gebildet
und danach führt das Verfahren den Verfahrensschritt durch, der in
27 gezeigt ist. In 27
werden die beiden Leiter 54a, 54b durch eine Schicht aus polymerbasierenden
Material 44 bedeckt und danach führt das Verfahren den Verfahrensschritt
durch, der in 28 gezeigt ist. In 28
werden die beiden Opferschichten 48a, 48b geätzt und entfernt
durch die Verwendung der Durchtrittsöffnungen 52a, 52b, sodass
ein Hohlraum gebildet wird. Durch diese Wirkung kann ein polymerbasierender kapazitiver
Ultraschallwandler mit zwei Hohlräumen mit unterschiedlichen Luftzwischenräumen
erhalten werden, wie es aus 28 ersichtlich ist.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
kann das Substrat ein Siliziumhalbleiter sein; die Vielzahl der Leiter können
durch Metallsputtern auf dem Substrat oder Schicht aus polymerbasierenden Material
gebildet werden; die Opferschicht kann aus einem Metall gefertigt sein, welches
z.B. Kupfer oder der gleichen sein kann; das polymerbasierende Material kann der
SU-8 Fotolack sein, der durch MicroChem Corp (MCC) produziert wird.
Aus der oberen Beschreibung ist ersichtlich, dass durch Verwenden
des kostengünstigen leicht zu produzierenden, in großen Abmessungen zu
fertigenden, bei niedrigen Temperaturen zu verarbeitenden, polymerbasierenden Material
den komplizierten Herstellungsprozess bei hohen Temperaturen entsprechend des Standes
der Technik vermieden werden kann, um somit das Verfahren zu verkürzen, um
die benötigten angepassten Schichten zu erzeugen, sodass der kapazitive Ultraschallwandler
gemäß der Erfindung ein hoch konkurrenzfähiges Erzeugnis mit hoher
Leistung, mit hoher Ausrichtungsfähigkeit, mit verbesserter Empfindlichkeit
und größeren dynamischen Inspektionsbereichen ist, welcher zur medizinischen
Abbildung, zerstörungsfreien Inspektion von Veränderungen, zur Durchflussmessung
zur Füllstandsmessung oder dergleichen verwendet werden kann.
Während die bevorzugte Ausführung der vorliegenden Erfindung
zum Ziel der Offenbarung beschrieben worden ist, sind Modifikationen des offenbarten
Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung sowie andere Ausführungen
davon möglich. Dementsprechend decken die Ansprüche sämtliche Ausführungsformen
ab, ohne dass dabei der Umfang der Erfindung verlassen wird.
Es wird also ein Verfahren zum Herstellen eines polymerbasierenden
kapazitiven Ultraschallwandlers vorgeschlagen, welches zumindest folgende und/oder
auch andere Verfahrensschritte umfasst: (a) Vorsehen eines Substrates; (b) Bilden
eines ersten Leiters auf dem Substrat; (c) Beschichten des Substrates mit einer
Opferschicht, um den ersten Leiter durch die Schicht zu bedecken; (d) Ätzen
der Opferschicht um eine Insel zu bilden, welche es ermöglicht, die Insel mit
dem ersten Leiter in Kontakt zu bringen; (e) Beschichten des Substrates mit einem
ersten polymerbasierenden Material, um die Insel durch dasselbe zu bedecken; (f)
Bilden eines zweiten Leiters auf dem ersten polymerbasierenden Material; (g) Bilden
einer Durchtrittsöffnung auf dem ersten polymerbasierenden Material, um es
der Durchtrittsöffnung zu ermöglichen, zu der Insel geführt zu werden;
und (h) Verwenden der Durchtrittsöffnung um die Insel weg zu ätzen und
zu entfernen, wodurch ein Hohlraum gebildet wird.
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| Anspruch[de] |
Verfahren zum Herstellen eines polymerbasierenden kapazitiven Ultraschallwandlers,
umfassend folgende Verfahrensschritte:
(a) Vorsehen eines Substrates (10, 40);
(b) Bilden zumindest eines ersten Leiters (12, 42) auf dem Substrat
(10, 40);
(c) Beschichten des Substrates (10, 40) mit zumindest einer Opferschicht
(14, 48a, 48b), um den ersten Leiter (12,
42) mit dieser zu bedecken;
(d) Ätzen der Opferschicht (14, 48a, 48b) zum Bilden
einer Insel (16), um einen Kontakt zwischen der Insel (16) und
dem ersten Leiter (12, 42) zu erhalten;
(e) Beschichten des Substrates (10, 40) mit einem ersten polymerbasierenden
Material (18, 44), um die Insel (16) komplett mit diesem
zu bedecken; (f) Bilden eines zweiten Leiters (20) auf dem ersten
polymerbasierenden Material (18, 44);
(g) Bilden zumindest einer Durchgangsöffnung (22, 52a,
52b) auf den ersten polymerbasierenden Material (18,
44), um es der Durchgangsöffnung (22, 52a,
52b) zu ermöglichen zu der Insel (16) geführt zu werden;
und (h) Verwenden der Durchgangsöffnung (22, 52a,
52b), um
die Insel (16) zu ätzen und zu entfernen, um einen Hohlraum zu bilden.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Verfahrensschritt
(b) ferner zumindest folgenden Verfahrensschritt umfasst:
(b1) Beschichten des Substrates (10, 40) mit dem ersten Leiter
(12, 42), um es den Substrat (10, 40) zu erlauben,
vollständig mit dem ersten Leiter (12, 40) bedeckt zu sein.
Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Verfahrensschritt
(b1) ferner zumindest folgenden Verfahrensschritt umfasst:
(b2) Ätzen des ersten Leiters (12, 42), um denselben zu mustern,
wobei der Verfahrensschritt (b1) nach dem Verfahrensschritt (b1) durchgeführt
wird.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest folgende
Verfahrensschritte vorgesehen sind:
(i) Komplettes Bedecken des zweiten Leiters (20) durch ein zweites polymerbasierenden
Material (24).
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest folgender
Verfahrensschritt umfasst wird:
(i') Komplettes Bedecken des zweiten Leiters (20) durch ein zweites polymerbasierenden
Materials (24) um die Durchgangsöffnung (22) durch dasselbe
abzudichten.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dass der erste Leiter (12, 42) aus Metall gefertigt ist.
Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Leiter
gemäß des Verfahrensschrittes (b) auf dem Substrat (10,
40) durch Sputtern gebildet wird.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Leiter
(20) aus Metall gefertigt ist.
Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Leiter
(20) gemäß des Verfahrensschrittes (f) auf dem ersten polymerbasierenden
Material durch Sputtern gebildet wird.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Opferschicht
(14, 48a, 48b) aus Metall gefertigt wird.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das in dem Verfahrensschritt
(h) durchgeführte Ätzen Nassätzen ist.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das erste polymerbasierende
Material (18, 44) der SU-8 Fotolack (50) ist, welcher
durch die MicroChem Corp (MCC) hergestellt wird.
Verfahren zum Herstellen eines polymerbasierenden kapazitiven Ultraschallwandlers,
umfassend folgende Verfahrensschritte:
(a) Vorsehen eines Substrates (10, 40);
(b) Bilden eines ersten Leiters (12, 42) auf dem Substrat (10,
40);
(c) Beschichten des ersten Leiters (12, 42) mit einem ersten polymerbasierenden
Material (18, 44), um den ersten Leiter (12,
42) durch dasselbe zu bedecken;
(d) Ätzen des ersten polymerbasierenden Materials zum Bilden zumindest eines
freigelegten Bereiches (46a, 46b); (e) Bilden einer Opferschicht
(48a, 48b) auf den
freigelegten Bereichen (46a, 46b);
(f) Beschichten der Opferschicht (48a, 48b) mit einem zweiten
polymerbasierenden Material (44), um die Opferschicht (48a,
48b) komplett durch das Material (44) zu bedecken;
(g) Bilden zumindest einer Durchtrittsöffnung (52a, 52b)
auf den zweiten polymerbasierenden Material (44), um es der Durchtrittsöffnung
(52a, 52b) zu ermöglichen, zu der Opferschicht (48a,
48b) geführt zu werden;
(h) Bilden eines zweiten Leiters (20, 42) auf dem zweiten polymerbasierenden
Material (24, 44);
(i) Beschichten des zweiten polymerbasierenden Materials (24,
44) durch ein drittes polymerbasierenden Material;
und
(j) Verwenden der Durchtrittsöffnung (48a, 48b) um die Opferschicht
(48a, 48b) zu ätzend und zu entfernen, um einen Hohlraum
zu bilden.
Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Leiter
(12, 42) aus Platin gefertigt wird.
Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Opferschicht
(48a, 48b) aus Metall gefertigt ist.
Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass das erste polymerbasierende
Material (18, 44) und/oder das zweite polymerbasierende Material
(24) und/oder das dritte polymerbasierende Material der SU-8 Fotolack (50)
ist.
Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite
Leiter (20) aus Metall gefertigt ist.
Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass als Ätzen
bei dem Verfahrensschritt (j) Nassätzen durchgeführt wird.
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Patent Zeichnungen (PDF)
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