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Dokumentenidentifikation DE69833662T2 21.12.2006
EP-Veröffentlichungsnummer 0001014474
Titel Multimodale dielektrische Resonanzvorrichtung, dielektrisches Filter, Synthesierer, Verteiler und Kommunikationsgerät
Anmelder Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo, Kyoto, JP
Erfinder HATTORI, Ltd., Jun-Murata Manufacturing Co., Kyoto-fu 617-8555, JP;
TANAKA, Ltd., Norihiro-Murata Manufacturing Co., Kyoto-fu 617-8555, JP;
ABE, Ltd., Shin-Murata Manufacturing Co., Kyoto-fu 617-8555, JP;
KURISU, Ltd., Toru-Murata Manufacturing Co., Kyoto-fu 617-8555, JP
Vertreter Schoppe, Zimmermann, Stöckeler & Zinkler, 82049 Pullach
DE-Aktenzeichen 69833662
Vertragsstaaten DE, FR, GB, IT, NL, SE
Sprache des Dokument EN
EP-Anmeldetag 28.08.1998
EP-Aktenzeichen 989405931
WO-Anmeldetag 28.08.1998
PCT-Aktenzeichen PCT/JP98/03831
WO-Veröffentlichungsnummer 1999012225
WO-Veröffentlichungsdatum 11.03.1999
EP-Offenlegungsdatum 28.06.2000
EP date of grant 01.03.2006
Veröffentlichungstag im Patentblatt 21.12.2006
IPC-Hauptklasse H01P 7/10(2006.01)A, F, I, 20051017, B, H, EP
IPC-Nebenklasse H01P 1/20(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, EP   H01P 1/213(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, EP   H01P 1/208(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, EP   

Beschreibung[de]
Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine elektronische Komponente, und insbesondere auf eine dielektrische Resonatorvorrichtung, ein dielektrisches Filter, ein zusammengesetztes dielektrisches Filter, einen Synthesizer, einen Verteiler und eine Kommunikationsvorrichtung, die dieselben enthält, die alle in einer Mehrmode arbeiten.

Hintergrund

Ein dielektrischer Resonator, in dem eine elektromagnetische Welle in einem Dielektrikum wiederholt vollständig reflektiert wird von der Grenze zwischen dem Dielektrikum und Luft, der zu seiner ursprünglichen Position in der Phase zurückzubringen ist, wodurch die Resonanz auftritt, wird als ein kleiner Resonator verwendet, der einen hohen unbelasteten Q-Wert (Q0) umfasst. Als Mode des dielektrischen Resonators sind eine TE-Mode und eine TM-Mode bekannt, die erhalten werden, wenn ein dielektrischer Stab mit einem kreisförmigen oder rechteckigen Querschnitt in eine Länge von s·&lgr;g/2 geschnitten wird (&lgr;g stellt eine Führungswellenlänge dar und s ist eine Ganzzahl) der TE-Mode oder der TM-Mode, die sich in dem dielektrischen Stab ausbreitet. Wenn die Mode des Querschnitts eine TM01-Mode ist und das oben beschriebene s = 1 ist, wird ein TM01&dgr;-Modenresonator erhalten. Wenn die Mode des Querschnitts eine TE01-Mode ist und s = 1 ist, wird ein dielektrischer TE01&dgr;-Modenresonator erhalten.

Bei diesen dielektrischen Resonatoren sind ein säulenförmiger dielektrischer TM01&dgr;-Modenkern oder ein dielektrischer TE01&dgr;-Modenkern in einem kreisförmigen Wellenleiter oder in einem rechteckigen Wellenleiter angeordnet, als ein Hohlraum der die Resonanzfrequenz des dielektrischen Resonators unterbricht, wie es in 27 gezeigt ist.

28 stellt die elektromagnetischen Feldverteilungen der oben beschriebenen beiden Moden in den dielektrischen Resonatoren dar. Darauf stellt eine durchgehende Linie ein elektrisches Feld dar und eine unterbrochene Linie ein Magnetfeld.

In dem Fall, wo eine dielektrische Resonatorvorrichtung mit mehreren Stufen aus dielektrischen Resonatoren gebildet ist, die solche dielektrischen Kerne umfassen, sind die mehreren dielektrischen Kerne in einem Hohlraum angeordnet. Bei dem in 27 gezeigten Beispiel sind die dielektrischen TM01&dgr;-Mode-Kerne, die in (A) gezeigt sind, in der axialen Richtung angeordnet, oder die dielektrischen TE01&dgr;-Mode-Kerne, die in (B) gezeigt sind, sind entlang der gleichen Ebene angeordnet.

Um bei einem solchen herkömmlichen dielektrischen Resonatorvorrichtung Resonatoren in mehreren Stufen zu liefern, ist es jedoch notwendig, mehrere dielektrische Kerne bei hoher Genauigkeit zu positionieren und zu befestigen. Folglich gab es das Problem, dass es schwierig ist, dielektrische Resonatorvorrichtungen mit Charakteristika ohne Schwankungen zu erhalten.

Ferner wurden herkömmlicherweise dielektrische TM-Mode-Resonatoren verwendet, die jeweils einen säulenförmigen oder kreuzförmigen dielektrischen Kern aufweisen, die integral in einem Hohlraum vorgesehen sind. Bei einer dielektrischen Resonatorvorrichtung dieses Typs können die TM-Moden in einem definierten Raum gemultiplext werden und daher kann eine dielektrische Miniatur-Mehrstufen-Resonatorvorrichtung erhalten werden. Die Konzentration einer elektromagnetischen Feldenergie auf die magnetischen Kerne ist jedoch niedrig, und ein realer Strom fließt durch einen Leiterfilm, der auf dem Hohlraum gebildet ist. Folglich gab es das Problem, das allgemein ein hoher Q0, der mit dem des TE-Mode-Dielektrikresonators vergleichbar ist, nicht erhalten werden kann.

Die WO 9825321 A, die ein Dokument des Stands der Technik gemäß Artikel 54 (3) und (4) EPC bildet, beschreibt einen dielektrischen Mikrowellenresonator, der einen würfelförmigen hohlen elektrischen Leiter umfasst, der einen Resonanzholraum definiert. Ein Würfelbauglied aus Keramikmaterial mit geringem Verlust und hoher dielektrischer Konstante ist in dem Hohlraum angeordnet und wird durch einen unteren hohlen Zylinder und durch einen oberen hohlen Zylinder getragen, die beide aus einem Material gebildet sind, das eine dielektrische Konstante unter der dielektrischen Konstante des Würfelbaugliedes aufweist. Eine Platte aus dielektrischem Material ist vorgesehen und auf drehbare Weise angeordnet, und ermöglicht es, dass die Resonanzfrequenz des Resonators eingestellt wird.

Die EP-A-0 064 799 beschreibt ein dielektrisch geladenes Miniatur-Zweimoden-Hohlraumfilter, das eine Mehrzahl von Mikrowellenresonatoren umfasst. Ein Mikrowellenresonator umfasst einen Hohlraumresonator und angeordnet in dem Hohlraumresonator ein Dielektrikresonatorelement, das in dem Hohlraum befestigt ist durch eine Vielzahl isolierender Befestigungseinrichtungen, beispielsweise in Form von Anschlussflächen oder kurzen Säulen aus verlustarmem Isolationsmaterial. Ferner sind jedem Hohlraum drei Abstimmschrauben zugeordnet, zum Einstellen der jeweiligen Resonanzmoden in dem Hohlraum und dem Kopplungsgrad zwischen jeweiligen Moden in demselben.

Mongia R. K. beschreibt in „Theoretical and Experimental Resonant Frequencies of Rectangular Dielectric Resonators" in IEEE proceedings H. Microwaves, Antennas and Propagation, Institution of Electrical Engineers, Stevenage, GB, Bd. 139, Nr. 1, Teil H, 1. Februar 1992, Seiten 98 bis 104, theoretische und experimentelle Resonanzfrequenzen von isolierten und abgeschirmten rechteckigen dielektrischen Resonatoren. Eine Resonanzfrequenz eines abgeschirmten Resonators wird beschrieben, gemäß der ein Resonator durch leitende Wände abgeschirmt wird. In dieser Situation ist ein Resonator in eine rechteckige Metallumhüllung platziert.

Die US-A-2,420,354 beschreibt eine Mehrzahl von Quellen von Oszillationen von unterschiedlichen Frequenzen, eine Last, einen Hohlraumresonator, der zwischen den Quellen und der Last angeordnet ist, wobei die Abmessungen des Resonators derart sind, dass die Erzeugung von Oszillationsmoden, deren Frequenzen sich um einen vorbestimmten Betrag unterscheiden, ermöglicht wird. Der Resonator ist durch Schleifen mit den Quellen gekoppelt, die angeordnet sind, um in dem Resonator unterschiedliche Wellentypen für die unterschiedlichen Frequenzen zu erregen.

Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine verbesserte dielektrische Mehrmodenresonatorvorrichtung zu schaffen, in der ein Dielektrikum ohne Weiteres in einem Hohlraum angeordnet werden kann, wobei die Charakteristika des dielektrischen Mehrmodenresonators ohne Weiteres eingestellt werden können, um den Q0 bei einem hohen Wert beizubehalten.

Diese Aufgabe wird durch eine dielektrische Mehrmodenresonatorvorrichtung gemäß Anspruch 1 erreicht.

Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung sind ein dielektrisches Filter, ein zusammengesetztes dielektrisches Filter, ein Synthesizer, ein Verteiler und eine Kommunikationsvorrichtung vorgesehen, die jeweils die erfindungsgemäße dielektrische Mehrmodenresonatorvorrichtung umfassen.

Bei der dielektrischen Mehrmodenresonatorvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein dielektrischer Kern, der im Wesentlichen eine Parallelepipedform aufweist, der wirksam ist, um in mehreren Moden in Resonanz sein, im Wesentlichen in der Mitte eines Hohlraums getragen, der im Wesentlichen eine Parallelepipedform aufweist, in dem Zustand, in dem der dielektrische Kern von den Innenwänden des Hohlraums in vorbestimmten Abständen getrennt ist. Da der im Wesentlichen parallelepipedförmige dielektrische Kern im Wesentlichen in der Mitte des Hohlraums, der im Wesentlichen eine Parallelepipedform aufweist, getragen wird, wie es oben beschrieben ist, ist die Tragestruktur für den dielektrischen Kern vereinfacht. Da darüber hinaus der dielektrische Kern, der im Wesentlichen eine Parallelepipedform aufweist, und wirksam ist, um in mehreren Moden in Resonanz zu sein, verwendet wird, können mehrere Resonatoren gebildet werden, ohne dass mehrere dielektrische Kerne angeordnet werden. Eine dielektrische Resonatorvorrichtung mit stabilen Charakteristika kann gebildet werden.

Zum Tragen des dielektrischen Kerns in dem Hohlraum wird ein Träger mit einer niedrigeren dielektrischen Konstante als derjenigen des dielektrischen Kerns verwendet. Dadurch wird die Konzentration einer elektromagnetischen Feldenergie zu dem dielektrischen Kern verbessert, und der Q0 kann bei einem hohen Wert beibehalten werden.

Ein Trageabschnitt für den dielektrischen Kern in dem Hohlraum kann einstückig mit dem dielektrischen Kern oder dem Hohlraum geformt sein. Dadurch wird der Träger als einzelnes Teil überflüssig. Die Positionsgenauigkeit diese Trageabschnitts bezüglich des Hohlraums oder dielektrischen Kerns und darüber hinaus die Positionsgenauigkeit des dielektrischen Kerns in dem Hohlraum sind verbessert. Folglich kann eine dielektrische Mehrmodenresonatorvorrichtung mit stabilen Charakteristika unaufwendig erhalten werden.

Der Trageabschnitt oder der Träger ist in einem Stegabschnitt des dielektrischen Kerns oder in einem Abschnitt entlang einer Steglinie des dielektrischen Kerns vorgesehen, oder ist nahe einem Scheitelpunkt des dielektrischen Kerns vorgesehen. Dadurch kann die mechanische Stärke des Trageabschnitts pro Gesamtquerschnittsfläche desselben verbessert werden. Ferner kann in den TM-Moden die Reduktion des Q0-Werts der Mode, wo der Trageabschnitt oder der Träger in der vertikalen Richtung zu der Drehebene eines Magnetfelds verlängert ist, gesperrt.

Der Trageabschnitt oder Träger ist in der Mitte einer Fläche des dielektrischen Kerns vorgesehen. Dadurch kann die Reduktion des Q0-Werts einer Mode, die sich von der TM-Mode unterscheidet, wo der Trageabschnitt oder der Träger in der vertikalen Richtung zu der Drehebene des Magnetfelds verlängert ist, verhindert werden.

Ein Teil des oder der gesamte Hohlraum ist ein winkelförmiges röhrenförmiges gegossenes Produkt und der dielektrische Kern wird an den Innenwänden des geformten Produkts durch den Träger oder den Trageabschnitt getragen. Gemäß dieser Struktur kann durch Einstellen der Formziehrichtung, damit dieselbe mit der Axialrichtung der ringförmigen Röhrenform zusammenfällt, der Hohlraum und der dielektrische Kern ohne Weiteres durch eine Form mit einer einfachen Struktur geformt werden.

Außerdem ist gemäß dieser Erfindung ein dielektrisches Filter gebildet durch Liefern einer externen Kopplungseinrichtung zum Koppeln einer vorbestimmten Mode der dielektrischen Mehrmodenresonatorvorrichtung.

Ferner ist gemäß dieser Erfindung ein zusammengesetztes dielektrisches Filter gebildet, das durch die Verwendung der mehreren oben beschriebenen dielektrischen Filter zumindest drei Tore aufweist.

Ferner ist gemäß dieser Erfindung ein Synthesizer gebildet, der eine unabhängig extern koppelnde Einrichtung, um mit mehreren vorbestimmten Moden der dielektrischen Mehrmodenresonatorvorrichtung extern und unabhängig zu koppeln, und eine gemeinsame extern koppelnde Einrichtung zum Koppeln mit mehreren vorbestimmten Moden der dielektrischen Mehrmodenresonatorvorrichtung extern und gemeinsam umfasst, wobei die gemeinsame extern koppelnde Einrichtung ein Ausgangstor ist und die mehren unabhängig extern koppelnden Einrichtungen Eingangstore sind.

Ferner ist gemäß dieser Erfindung ein Verteiler gebildet, der eine unabhängig extern koppelnde Einrichtung zum Koppeln mit vorbestimmten Moden der dielektrischen Mehrmodenresonatorvorrichtung, jeweils unabhängig und eine gemeinsam extern koppelnde Einrichtung zum gemeinsamen externen Koppeln mit mehreren vorbestimmten Moden der dielektrischen Mehrmodenresonatorvorrichtung umfasst, wobei die gemeinsam extern koppelnde Einrichtung ein Eingangstor ist und die mehreren unabhängig extern koppelnden Einrichtungen Ausgangstore sind.

Darüber hinaus ist gemäß der vorliegenden Erfindung eine Kommunikationsvorrichtung aus dem zusammengesetzten dielektrischen Filter, dem Synthesizer oder dem Verteiler gebildet, die jeweils oben beschrieben sind, und in dem Hochfrequenzabschnitt derselben vorgesehen sind.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

1 ist eine perspektivische Ansicht, die den Aufbau des Grundabschnitts einer dielektrischen Mehrmodenresonatorvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel zeigt.

2 besteht aus Querschnitten, die die elektromagnetischen Feldverteilungen in den jeweiligen Moden der obigen Resonatorvorrichtung zeigen.

3 besteht aus Querschnitten, die die elektromagnetischen Feldverteilungen in den jeweiligen Moden der obigen Resonatorvorrichtung zeigen.

4 besteht aus Querschnitten, die die elektromagnetischen Feldverteilungen in den jeweiligen Moden der obigen Resonatorvorrichtung zeigen.

5 stellt Änderungen der Charakteristika in den jeweiligen Moden der obigen Resonatorvorrichtung dar, die auftreten, wenn die Abstände zwischen den Trägern geändert werden.

6 stellt die Änderungen der Charakteristika in den jeweiligen Moden der obigen Resonatorvorrichtung dar, die auftreten, wenn die Abstände zwischen den Trägern geändert werden.

7 stellt die Änderungen der Charakteristika in den jeweiligen Moden der obigen Resonatorvorrichtung dar, die auftreten, wenn die Abstände zwischen den Trägern geändert werden.

8 stellt die Änderungen der Charakteristika in den jeweiligen Moden der obigen Resonatorvorrichtung dar, die auftreten, wenn die Abstände zwischen den Trägern geändert werden.

9 stellt die Änderungen der Charakteristika in den jeweiligen Moden der obigen Resonatorvorrichtung dar, die auftreten, wenn die Abstände zwischen den Trägern geändert werden.

10 stellt die Änderungen der Charakteristika in den jeweiligen Moden der obigen Resonatorvorrichtung dar, die auftreten, wenn die Abstände zwischen den Trägern geändert werden.

11 stellt die Änderungen der Charakteristika bei den jeweiligen Moden der obigen Resonatorvorrichtung dar, die auftreten, wenn die Dicken der Träger geändert werden.

12 stellt die Änderungen der Charakteristika bei den jeweiligen Moden der obigen Resonatorvorrichtung dar, die auftreten, wenn die Dicken der Träger geändert werden.

13 stellt die Änderungen der Charakteristika bei den jeweiligen Moden der obigen Resonatorvorrichtung dar, die auftreten, wenn die Dicken der Träger geändert werden.

14 stellt die Änderungen der Charakteristika bei den jeweiligen Moden der obigen Resonatorvorrichtung dar, die auftreten, wenn die Dicken der Träger geändert werden.

15 stellt die Änderungen der Charakteristika bei den jeweiligen Moden der obigen Resonatorvorrichtung dar, die auftreten, wenn die Dicken der Träger geändert werden.

16 stellt die Änderungen der Charakteristika bei den jeweiligen Moden der obigen Resonatorvorrichtung dar, die auftreten, wenn die Dicken der Träger geändert werden.

17 ist eine perspektivische Ansicht, die den Aufbau des Grundabschnitts einer dielektrischen Mehrmodenresonatorvorrichtung gemäß einem Beispiel darstellt.

18 ist ein Diagramm, das die Änderungen der Resonanzfrequenzen in den jeweiligen Moden der obigen Resonatorvorrichtung zeigt, die auftreten, wenn die Größen der jeweiligen Abschnitte der Vorrichtung geändert werden.

19 ist ein Diagramm, das die Änderungen der Resonanzfrequenzen in den jeweiligen Moden der obigen Resonatorvorrichtung zeigt, die auftreten, wenn die jeweiligen Abschnitte der Vorrichtung geändert werden.

20 ist ein Diagramm, das die Änderungen der Resonanzfrequenzen in den jeweiligen Moden der obigen Resonatorvorrichtung zeigt, die auftreten, wenn die Größen der jeweiligen Abschnitte der Vorrichtung geändert werden.

21 zeigt ein Herstellungsverfahren der obigen Resonatorvorrichtung.

22 besteht aus perspektivischen Ansichten, die jeweils den Aufbau des Grundabschnitts einer dielektrischen Mehrmodenresonatorvorrichtung gemäß einem weiteren Beispiel darstellen.

23 ist eine perspektivische Ansicht, die den Aufbau des Grundabschnitts einer dielektrischen Mehrmodenresonatorvorrichtung gemäß einem weiteren Beispiel darstellt.

24 ist ein Diagramm, das die Änderungen der Resonanzfrequenzen in den jeweiligen Moden der obigen Resonatorvorrichtung zeigt, die auftreten, wenn die Größen der jeweiligen Abschnitte der Vorrichtung geändert werden.

25 ist eine perspektivische Ansicht, die die Konfiguration des Grundabschnitts einer dielektrischen Mehrmodenresonatorvorrichtung gemäß einem weiteren Beispiel zeigt.

26 ist eine perspektivische Ansicht, die die Konfiguration des Grundabschnitts einer dielektrischen Mehrmodenresonatorvorrichtung gemäß einem weiteren Beispiel zeigt.

27 besteht aus teilweise auseinandergezogenen perspektivischen Ansichten, die jeweils ein Beispiel der Konfiguration einer herkömmlichen dielektrischen Resonatorvorrichtung zeigen.

28 stellt die Elektromagnetfeldverteilungen als ein Beispiel eines herkömmlichen dielektrischen Einmodenresonators dar.

29 ist eine perspektivische Ansicht, die die Konfiguration des Basisabschnitts einer dielektrischen Mehrmodenresonatorvorrichtung gemäß einem weiteren Beispiel darstellt.

30 besteht aus Querschnitten, die jeweils die elektromagnetischen Feldverteilungen in den jeweiligen Moden der obigen Resonatorvorrichtung zeigen.

31 besteht aus Querschnitten, die jeweils die elektromagnetischen Feldverteilungen in den jeweiligen Moden der obigen Resonatorvorrichtung zeigen.

32 besteht aus Querschnitten, die jeweils die elektromagnetischen Feldverteilungen in den jeweiligen Moden der obigen Resonatorvorrichtung zeigen.

33 besteht aus Diagrammen, die die Beziehungen zwischen der Dicke des dielektrischen Kerns der obigen Resonatorvorrichtung und den Resonanzfrequenzen in den jeweiligen Moden zeigen.

34 stellt die Konfiguration eines dielektrischen Filters dar.

35 stellt die Konfiguration eines weiteren dielektrischen Filters dar.

36 stellt die Konfiguration einer Übertragungsempfangsschervorrichtung dar.

37 stellt die Konfiguration einer Kommunikationsvorrichtung dar.

Bester Modus zum Ausführen der Erfindung

Die Konfiguration einer dielektrischen Mehrmodenresonatorvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel wird mit Bezugnahme auf 1 bis 16 beschrieben.

1 ist eine perspektivische Ansicht, die den Grundaufbauabschnitt der dielektrischen Mehrmodenresonatorvorrichtung zeigt. In dieser Figur bezeichnen die Bezugszeichen 1, 2 und 3 einen im Wesentlichen parallelepipedförmigen dielektrischen Kern, einen winkelförmigen röhrenförmigen Hohlraum bzw. Träger zum Tragen des dielektrischen Kerns 1 im Wesentlichen in der Mitte des Hohlraums 2. Ein Leiterfilm ist auf der äußeren Umfangsoberfläche des Hohlraums 2 gebildet. Auf den zwei offenen Flächen sind dielektrische Platten oder Metallplatten, die jeweils eine Leiterfilm aufweisen, angeordnet, so dass ein im Wesentlichen parallelepipedförmiger Abschirmraum gebildet ist. Außerdem liegt eine offene Fläche des Hohlraums 2 einer offenen Fläche eines anderen Hohlraums gegenüber, so dass elektromagnetische Felder in vorbestimmten Resonanzmoden gekoppelt sind, um eine Mehrstufe zu liefern.

Die in 1 gezeigten Träger 3, die aus einem Keramikmaterial hergestellt sind, das eine niedrigere dielektrische Konstante aufweist als diejenige des dielektrischen Kerns 1, sind zwischen dem dielektrischen Kern 1 und den Innenwänden des Hohlraums 2 angeordnet und gebrannt, um integriert zu werden. Der dielektrische Kern kann in einem Metallgehäuse angeordnet sein, das keinen solchen Keramikhohlraum verwendet, wie er in 1 gezeigt ist.

Die Resonanzmoden, die durch den in 1 gezeigten dielektrischen Kern bewirkt werden, sind in 2 bis 4 dargestellt. In diesen Figuren stellen x, y und z die Koordinatenachsen in den dreidimensionalen Richtungen dar, wie es in 1 gezeigt ist. 2 bis 4 zeigen die Querschnitte der jeweiligen zweidimensionalen Ebenen. In 2 bis 4 zeigt ein Pfeil aus einer durchgezogenen Linie einen elektrischen Feldvektor und ein Pfeil aus einer gestrichelten Linie zeigt einen Magnetfeldvektor an. Symbole „·" und „x" stellen die Richtung eines elektrischen Felds bzw. eines magnetischen Felds dar. 2 bis 4 zeigen nur eine Gesamtzahl von sechs Resonanzmoden, nämlich die TM01&dgr;-Moden in den drei Richtungen, d. h. der x-, yund z-Richtung, und die TE01&dgr;-Moden in den drei Richtungen. In der Praxis existieren höhere Resonanzmoden. In normalen Fällen werden diese Grundmoden verwendet.

Die Charakteristika der in 1 bis 4 gezeigten dielektrischen Mehrmodenresonatorvorrichtungen werden abhängig von den relativen Positionsbedingungen zwischen den Trägern 3 und dem dielektrischen Kern 1 oder dem Hohlraum 2, und den Materialeigenschaften geändert, die in 5 bis 6 als ein Beispiel dargestellt sind.

5 bis 10 zeigen die Änderungen der Resonanzfrequenz und des unbelasteten Q-Werts (hierin nachfolgend als Q0 bezeichnet), die auftreten, wenn die Abstände CO zwischen den Trägern 3 geändert werden, während die relative dielektrische Konstante &egr; r und die Tangente &dgr; der Träger 3 als Parameter verwendet werden. 5 zeigt die TE01&dgr;-z, 6 die TE01&dgr;-x, 7 die TE01&dgr;-y, 8 die TM01&dgr;-z,

9 die TM01&dgr;-x und 10 die TM01&dgr;-y. 11 bis 16 zeigen die Änderung der Resonanzfrequenz und diejenige des Q0, die auftritt, wenn die Dicke C1 der Träger 3 geändert wird. 11 zeigt die TE01&dgr;-z, 12 die TE01&dgr;-x, 13 die TE01&dgr;-y, 14 die TM01&dgr;-z, 15 die TM01&dgr;-x und 16 die TM01&dgr;-y. In diesen Figuren sind bei (A) die Querschnitte der jeweiligen Moden gezeigt, von der Ausbreitungsrichtung der elektromagnetischen Wellen aus gesehen. Jeder der dielektrischen Kerne 1, die in diesen Figuren gezeigt sind, ist im Wesentlichen ein Würfel (regelmäßiges Hexaeder), wobei eine Seite 25,5 mm lang ist. Die relative dielektrische Konstante &egr; r ist 37, und tan &dgr; ist 1/20,000. Die Größe jeder Innenwand des Hohlraums 2 ist 37 x 31 x 31 mm, und die Wanddicke ist 2,0 mm. Folglich ist die Größe von jeder der Außenwände 35 x 35 x 35 mm. Ein Leiterfilm ist auf den Außenwandoberflächen gebildet. Folglich hat der Hohlraum, der durch den Leiterfilm definiert ist, eine Größe von 35 x 35 x 35 mm. Ferner ist bei 5 bis 10 die Dicke jedes Trägers 3 4,0 mm.

Wie es in den 5 bis 7 gezeigten Ergebnissen zu sehen ist, sind im Fall der TE-Moden die Resonanzfrequenzen konstant, im Wesentlichen unabhängig von den Abständen CO zwischen den Trägern 3 und der relativen dielektrischen Konstante &egr; r, und ein hoher Q0 wird im Wesentlichen unabhängig von der &egr; r und der tan &dgr; erhalten,. Andererseits wird in den TM-Moden, wie sie in 8 bis 10 gezeigt sind, während &egr; r der Träger 3 erhöht wird, die Resonanzfrequenz reduziert. Während die tan &dgr; verringert wird, wird der Q0 reduziert. Ferner, wie es in 8 und 9 gezeigt ist, ist in den TM01&dgr;-z- und TM01&dgr;-x-Moden, wo Magnetfelder in einer Ebene parallel zu den Richtungen verteilt sind, in denen die Träger 3 verlängert sind, da die Abstände CO zwischen den Trägern 3 breiter sind, d. h. da die Träger 3 näher zu den Wegabschnitten des dielektrischen Kerns 1 sind, der Q0 verringert und die Resonanzfrequenz ist reduziert. Im Gegensatz dazu, wie es in 10 gezeigt ist, ist in der TM01&dgr;-y-Mode, wo ein Magnetfeld H in einer Ebene senkrecht zu den Richtungen verteilt ist, in denen die Träger 3 verlängert sind, während die C0-Abstände schmaler werden, d. h. die Träger 3 näher zu dem Mittelabschnitt des dielektrischen Kerns sind, der Q0 reduziert, und die Resonanzfrequenz ist verringert.

Ferner, wie es in den 11 bis 13 gezeigten Ergebnissen zu sehen ist, sind die Resonanzfrequenzen in den TE-Moden konstant, im Wesentlichen unabhängig von der Dicke C1 jedes Trägers 3, der &egr; r, und der tan &dgr;, und ein relativ hoher Q0 kann erhalten werden. Im Gegensatz dazu, wie es in 14 bis 16 gezeigt ist, sind in den TM-Moden, während die &egr; r der Träger 3 erhöht ist, die Resonanzfrequenzen reduziert. Während die tan &dgr; verringert wird, werden die Q0 reduziert. Während die Dicke der Träger 3 erhöht wird, werden ferner in jeder der TM-Moden die Q0 beträchtlich reduziert und die Resonanzfrequenzen sind in einem relativ hohen Maß geändert.

Wie es in der obigen Beschreibung zu sehen ist, um den Q0 in jeder TM-Mode bei einem hohen Wert zu halten, ist es wirksam, die Träger 3 zu dünnen, die relative dielektrische Konstante zu reduzieren, die Tangente &dgr; zu erhöhen, usw. Außerdem kann der Q0 bei einem hohen Wert beibehalten werden durch Auswählen der Positionen der Träger 3 entsprechend zu einer Mode, die zu verwenden ist. Wenn beispielsweise die TM01&dgr;-y-Mode verwendet wird, wird vorgeschlagen, die Positionen der Träger nahe den Ecken des dielektrischen Kerns zu setzen. Ferner, für den Zweck des Erhöhens des Q0, damit derselbe in der TM01&dgr;-z- oder TM01&dgr;-x-Mode so hoch wie möglich ist, ohne Verwendung der TM01&dgr;-y-Mode, wird vorgeschlagen, die Träger nahe der Mitte des dielektrischen Kerns zu positionieren. Darüber hinaus, selbst wenn die Materialen und Größen der dielektrischen Kerne 1 gleich sind, ist es möglich, die jeweiligen Moden bei vorbestimmten Resonanzfrequenzen in Resonanz zu bringen, durch Ändern der Dicke oder der Positionen der Träger 3 und durch Ändern der Materialien.

Bei dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel sind eine Einrichtung zum Koppeln der jeweiligen Resonanzmoden des dielektrischen Kerns und eine externe Schaltung nicht dargestellt. In dem Fall, wo eine Kopplungsschleife verwendet wird, kann eine externe Kopplung hergestellt werden durch Anordnen der Kopplungsschleife in der Richtung, wo ein Magnetfeld in einer Mode, die zu koppeln ist, durch die Kopplungsschleife verläuft.

Als Nächstes wird die Konfiguration einer dielektrischen Mehrmodenresonatorvorrichtung, bei der die Befestigungspositionen der Träger variiert werden, mit Bezugnahme auf 17 bis 21 beschrieben.

17 ist eine perspektivische Ansicht, die den Grundaufbauabschnitt einer Mehrmodenresonatorvorrichtung zeigt. In dieser Figur bezeichnen die Bezugszeichen 1, 2 und 3 einen im Wesentlichen parallelepipedförmigen dielektrischen Kern, einen winkelförmigen röhrenförmigen Hohlraum und Träger zum Tragen des dielektrischen Kerns 1 im Wesentlichen in der Mitte des Hohlraums 2. Ein Leiterfilm ist auf der äußeren Umfangsoberfläche des Hohlraums 2 gebildet. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind zwei Träger 3 auf jeder der vier Innenwände des Hohlraums vorgesehen. Die andere Konfiguration ist gleich wie diejenige bei dem ersten Ausführungsbeispiel.

18 zeigt die Änderung der Resonanzfrequenz von TM01&dgr;-z und diejenige von TM01&dgr;-x und TM01&dgr;-y, die auftritt, wenn die Wanddicke des Hohlraums 2 in der in 17 gezeigten Mehrmodenresonatorvorrichtung von 0 zu a variiert wird, und die Querschnittsfläche jedes Trägers 3 variiert wird. Bei diesem zweiten Ausführungsbeispiel liegen die Richtungen, in denen die Träger 3 bezüglich des dielektrischen Kerns 1 vorstehen, in der x- und y-Achsenrichtung, und nicht in der z-Achsenrichtung. Daher, wenn die Querschnittsfläche b der Träger 3 erhöht wird, sind die Resonanzfrequenzen der TM01&dgr;-x und TM01&dgr;-y-Moden wesentlich reduziert im Vergleich zu der Resonanzfrequenz der TM01&dgr;-y-Mode. Daraufhin, da die Positionen, wo die Träger 3 vorstehen, bezüglich der x- und y-Achsenrichtung äquivalent sind, sind die TM01&dgr;-x-Mode und die TM01&dgr;-y-Mode ähnlich zueinander geändert. Wenn ferner die Wanddicke des Hohlraums 2 geändert ist sind die Effekte auf die TM01&dgr;-x- und TM01&dgr;-y-Moden größer im Vergleich zu denjenigen der TM01&dgr;-z-Mode. Daher bewirkt die Änderung bei der Wanddicke des Hohlraums, dass sich die Resonanzfrequenzen der TM01&dgr;-x- und TM01&dgr;-y-Moden wesentlich ändern. Durch Einstellen der Wanddicke des Hohlraums oder der Querschnittsfläche der Träger durch Verwenden der oben beschriebenen Beziehung können die Resonanzfrequenzen der TM01&dgr;-x- und TM01&dgr;-y-Moden und die Resonanzfrequenz der TM01&dgr;-z relativ geändert werden. Beispielsweise können durch vorheriges Einstellen der Dicke in der z-Achsenrichtung des dielektrischen Kerns 1, damit dieselbe dick ist, die Resonanzfrequenzen der drei Moden miteinander zusammenfallen.

19 zeigt die Änderungen der Resonanzfrequenzen der TE01&dgr;-x-, TE01&dgr;-y- und TE01&dgr;-z-Moden, die auftreten, wenn die Dicke in der z-Achsenrichtung des dielektrischen Kerns und der Querschnittsfläche der Träger 3, die in 17 gezeigt sind, variiert werden. Wie es dargestellt ist, wenn die Dicken in der z-Achsenrichtung des dielektrischen Kerns erhöht werden, werden die Resonanzfrequenzen TE01&dgr;-x- und TE01&dgr;-y-Moden in einem höheren Maß reduziert. Ferner, während die Querschnittsfläche des Trägers erhöht wird, wird die Resonanzfrequenz der TE01&dgr;-z-Mode stärker reduziert. Durch entsprechendes Entwerfen der Dicke der z-Achsenrichtung des dielektrischen Kerns und der Querschnittsfläche jedes Trägers 3 durch Verwenden dieser Relationen können die Resonanzfrequenzen der drei Moden von TE01&dgr;-x, TE01&dgr;-y und TE01&dgr;-z miteinander zusammenfallen. Somit kann durch Koppeln vorbestimmter Resonanzmoden die Mehrstufe realisiert werden.

Bei dem obigen Ausführungsbeispiel ist eine Einrichtung zum Koppeln der jeweiligen Resonanzmoden, die mit dem dielektrischen Kern erzeugt werden, nicht dargestellt. In dem Fall, wo die TM-Moden miteinander gekoppelt sind, oder die TE-Moden miteinander gekoppelt sind, wird vorgeschlagen, ein Kopplungsloch an einer vorbestimmten Position des dielektrischen Kerns auf eine solche Weise vorzusehen, dass die Resonanzfrequenzen einer geraden Mode und einer ungeraden Mode, die die gekoppelten Moden der beiden oben beschriebenen Moden sind, einen Unterschied aufweisen. Wenn ferner eine TM-Mode und eine TE-Mode miteinander gekoppelt sind, wird es vorgeschlagen, beide Moden durch Unterbrechen des Gleichgewichts der elektrischen Feldstärken der beiden Moden zu koppeln.

20 zeigt die Änderungen der Resonanzfrequenzen der oben beschriebenen drei TM-Moden, die auftreten, wenn die Wanddicke des Hohlraums 2, die Dicke in der z-Achsenrichtung des dielektrischen Kerns 1 und die Querschnittsfläche der Träger 3, gezeigt in 17, variiert werden. Wenn nur die Wanddicke des Hohlraums verdickt wird, ist die Resonanzfrequenz der TM01&dgr;-x-, TM01&dgr;-y-Mode stärker reduziert als diejenige der TM01&dgr;-z-Mode. Wenn die Dicke in der z-Achsenrichtung des dielektrischen Kerns verdickt wird, ist die Resonanzfrequenz der TM01&dgr;-z-Mode stärker reduziert im Vergleich zu den Resonanzfrequenzen der TM01&dgr;-z- und TM01&dgr;-y-Moden. Wenn ferner die Dicken der Träger verdickt werden, sind die Resonanzfrequenzen der TM01&dgr;-xund TM01&dgr;-y-Moden stärker reduziert im Vergleich zu der Resonanzfrequenz der TM01&dgr;-z-Mode. Durch Verwenden dieser Beziehungen können die Resonanzfrequenzen der drei Moden an charakteristischen Punkten, die durch P1 und P2 in der Figur angezeigt sind, miteinander zusammenfallen.

21 zeigt ein Beispiel eines Prozesses zum Herstellen der in 17 gezeigten dielektrischen Mehrmodenresonatorvorrichtung. Zuerst, wie es in (A) gezeigt ist, ist ein dielektrischer Kern einstückig mit einem Hohlraum 2 geformt, in dem Zustand, in dem der dielektrische Kern 1 und der Hohlraum 2 durch Verbindungsteile 1' miteinander verbunden sind. Daraufhin werden Formen für das Formen in der axialen Richtung des Hohlraums 2 geöffnet, durch die offenen Flächen des winkelförmigen röhrenförmigen Hohlraums 2. Nachfolgend, wie es bei (B) der gleichen Figur gezeigt ist, werden die Träger 3 vorübergehend mit einer Glasglasur in einem Paste-Zustand verbunden, benachbart zu den Verbindungsteilen 1' und an den Stellen, die den jeweiligen Eckabschnitten des dielektrischen Kerns 1 entsprechen. Ferner wird Ag-Paste auf die äußere Umfangsoberfläche des Hohlraums 2 aufgebracht. Danach werden die Träger 3 gebacken, um den dielektrischen Kern 1 und die Innenwände des Hohlraums 2 zu verbinden (verbunden mit der Glasglasur), zur gleichen Zeit wie ein Elektrodenfilm gebacken wird. Ferner werden die Verbindungsteile 1' abgeschabt, um die Struktur herzustellen, in der der dielektrische Kern in der Mitte des Hohlraums 2 befestigt ist, wie es bei (C) der gleichen Figur gezeigt ist. In diesem Fall wird für den dielektrischen Kern 1 und den Hohlraum 2 ein dielektrisches Keramikmaterial des ZrO2-SnO2-TiO2-Typs mit &egr; r = 37 und tan &dgr; = 1/20.000 verwendet. Für die Träger 3 wird ein Keramikmaterial mit niedriger dielektrischer Konstante des 2MgO-SiO2-Typs mit &egr; r = 6 und tan &dgr; = 1/2.000 verwendet. Beide haben beinahe die gleichen linearen Expansionskoeffizienten. Wenn der dielektrische Kern erwärmt wird, und die Umgebungstemperatur verändert wird, wird keine übermäßige Belastung an die Verbindungsoberflächen zwischen den Trägern und dem dielektrischen Kern oder dem Hohlraum angelegt.

22 ist eine perspektivische Ansicht, die die Konfiguration des Grundabschnitts einer dielektrischen Mehrmodenresonatorvorrichtung zeigt. Bei dem in 17 gezeigten Beispiel sind zwei Träger 3 auf jeder der vier Flächen des elektrischen Kerns 1 vorgesehen, so dass der dielektrische Kern in dem Hohlraum durch eine Gesamtzahl von acht Trägern getragen wird. Andererseits können bezüglich der Träger zumindest drei Träger für jede der vier Flächen des dielektrischen Kerns 1 vorgesehen sein, wie es in 22 (A) gezeigt ist. Ferner können die Träger fortlaufend sein in einer Rippenform, wie es bei (B) der gleichen Figur gezeigt ist. In diesem Fall wird für einen externen Stoß eine Belastung durch die Träger 3 ausgeübt, und dadurch können vorbestimmte mechanische Stärken entsprechend beibehalten werden, selbst wenn die Gesamtquerschnittsfläche der Träger 3 reduziert ist.

23 ist eine perspektivische Ansicht, die die Konfiguration des Grundabschnitts einer dielektrischen Mehrmodenresonatorvorrichtung zeigt. Bei dieser Figur bezeichnet das Bezugszeichen 3' eine Träger, der durch einstückiges Formen mit einem dielektrischen Kern 1 und einem Hohlraum 2 gebildet ist. Gleichermaßen können durch Formen des Trägers 3' so dass sich derselbe in der jeweiligen axialen Richtung von x, y und z unterscheidet, insbesondere die Resonanzfrequenzen in den drei Moden, d. h. die TM01&dgr;-x, TM01&dgr;-y und TM01&dgr;-z zu einem gewissen Maß nach Wunsch entworfen werden.

24 stellt das Beispiel dar. Während die Wanddicke des Hohlraums verdickt wird, werden die Resonanzfrequenzen der TM01&dgr;-x- und TM01&dgr;-y-Moden zu einem größeren Ausmaß reduziert als im Vergleich zu der Resonanzfrequenz der TM01&dgr;-z-Mode. Während die Dicke in der z-Achsenrichtung des dielektrischen Kerns verdickt wird, ist die Resonanzfrequenz der TM01&dgr;-z-Mode stärker reduziert im Vergleich zu den Resonanzfrequenzen der TM01&dgr;-x- und TM01&dgr;-y-Moden. Ferner, während die Breite jedes Trägers 3' verbreitert wird, wird die Resonanzfrequenz der TM01&dgr;-x-Mode stärker reduziert als diejenige der TM01&dgr;-y-Mode, und die Resonanzfrequenz der TM01&dgr;-y-Mode wird stärker reduziert als diejenige der TM01&dgr;-z. Wie es in diesen Beziehungen zu sehen ist, können die Resonanzfrequenzen in den drei Moden an einem charakteristischen Punkt zusammenfallen, der durch p1 in der Figur angezeigt ist. Die Resonanzfrequenzen in den beiden Moden können an charakteristischen Punkten zusammenfallen, die durch p2 oder p3 angezeigt sind.

25 ist eine perspektivische Ansicht, die die Konfiguration des Grundabschnitts einer dielektrischen Mehrmodenresonatorvorrichtung zeigt. In dieser Figur bezeichnet das Bezugszeichen 3' einen Trageabschnitt, der durch einstückiges Formen mit einem dielektrischen Kern 1 und einem Hohlraum 2 gebildet ist. Bei dem in 1 gezeigten Beispiel sind die Träger 3 in den vier Ecken auf der oberen Seite bzw. der Unterseite des dielektrischen Kerns 1 vorgesehen, wie es in der Figur zu sehen ist. Andererseits sind bei dem in 25 gezeigten Beispiel einige der Trageabschnitte 3' in Eckabschnitten des dielektrischen Kerns vorgesehen, und die anderen sind getrennt von den Eckabschnitten vorgesehen. Wie es vorher beschrieben wurde, sind der Q0 und die Resonanzfrequenz geändert, abhängig von der relativen Positionsbeziehung zwischen dem dielektrischen Kern und den Trageabschnitten. Folglich kann durch Entwerfen der Positionen der Trägerabschnitte 3' entsprechend einer zu verwendenden Resonanzmode die Resonanzfrequenz in der vorbestimmten Mode bei einem vorbestimmten Wert eingestellt werden, ohne dass der Q0 wesentlich reduziert wird. Durch Anordnen der jeweiligen Trageabschnitte an verschobenen Positionen mit einer solchen Positionsbeziehung, dass die jeweiligen Träger gesehen werden können, wenn sie durch jede offene Fläche des Hohlraums betrachtet werden, kann die Vorrichtung durch eine zweiteilige Form ohne Weiteres einstückig geformt werden.

Bei den obigen jeweiligen Ausführungsbeispielen ist beschrieben, dass die Träger als Teile getrennt von dem elektrischen Kern und dem Hohlraum verwendet werden, oder dass die Träger einstückig mit dem dielektrischen Kern und dem Hohlraum geformt sein können. Die Träger können einstückig mit dem dielektrischen Kern geformt sein und mit der Innenseite des Hohlraums verbunden sein, oder die Träger können einstückig mit dem Hohlraum geformt sein und der dielektrische Kern kann mit den Trägern verbunden sein.

Hierin nachfolgen wird ein Beispiel zum Bilden von dielektrischen Resonatorvorrichtungen, wie z. B. verschiedenen Filtern, Synthesizern, Verteilern usw. durch Verwenden mehrere Resonanzmoden mit Bezugnahme auf 26 beschrieben.

In 26 stellt die Linie mit einem abwechselnden langen und zwei kurzen Strichen einen Hohlraum dar. In dem Hohlraum ist ein dielektrischer Kern 1 angeordnet. Eine Tragestruktur für den dielektrischen Kern 1 ist ausgelassen. Bei (A) dieser Figur ist die Bildung eines Bandsperrfilters als ein Beispiel dargestellt. Die Bezugszeichen 4a, 4b und 4c stellen jeweils eine Kopplungsschleife dar. Die Kopplungsschleife 4a ist mit einem Magnetfeld gekoppelt (Magnetfeld in der TM01&dgr;-x-Mode) in einer Ebene parallel zu der y-z-Ebene, die Kopplungsschleife 4b ist mit einem Magnetfeld gekoppelt (Magnetfeld in der TM01&dgr;-y-Mode) in einer Ebene parallel zu der x-z-Ebene, und die Kopplungsschleife 4c ist mit einem Magnetfeld gekoppelt (Magnetfeld in der TM01&dgr;-z-Mode) in einer Ebene parallel zu der x-y-Ebene. Ein Ende von jeder dieser Kopplungsschleifen 4a, 4b und 4c ist geerdet. Die anderen Enden der Kopplungsschleifen 4a, 4b und außerdem die anderen Enden der Kopplungsschleifen 4b und 4c sind durch Übertragungsleitungen 5,5 miteinander verbunden, die jeweils eine elektrische Länge aufweisen, die gleich &lgr;/4 ist, oder eine ungerade Anzahl von &lgr;/4 ist. Die anderen Enden der Kopplungsschleifen 4a, 4c werden als Signaleingangs-/Ausgangsanschlüsse verwendet. Durch diese Konfiguration wird ein Bandsperrfilter erhalten, in dem benachbarte Resonatoren der drei Resonatoren mit einer Leitung mit einer Phasendifferenz von &Pgr;/2 verbunden sind.

26 (B) zeigt ein Beispiel des Bildens eines Synthesizers oder eines Verteilers. Hier bezeichnen die Bezugszeichen 4a, 4b, 4c und 4d Kopplungsschleifen. Die Kopplungsschleife 4a ist mit einem Magnetfeld (Magnetfeld in der TM01&dgr;-x-Mode) gekoppelt, in einer Ebene parallel zu der yz-Ebene. Die Kopplungsschleife 4b ist mit einem Magnetfeld (Magnetfeld in der TM01&dgr;-y-Mode) gekoppelt, in einer Ebene parallel zu der x-z-Ebene. die Kopplungsschleife 4c ist mit einem Magnetfeld gekoppelt (Magnetfeld in der TM01&dgr;-z-Mode) in einer Ebene parallel zu der x-y-Ebene. Bezüglich der Kopplungsschleife 4d ist die Schleifenebene geneigt zu jeder der y-z-Ebene, der x-z-Ebene und der x-y-Ebene bzw. mit Magnetfeldern in den obigen drei Moden gekoppelt. Ein Ende dieser Kopplungsschleifen ist jeweils geerdet und die anderen Enden werden als Signaleingangs- oder -ausgangsanschlüsse verwendet. Insbesondere wenn die Vorrichtung als ein Synthesizer verwendet wird, wird ein Signal eingegeben durch die Kopplungsschleifen 4a, 4b und 4c und von der Kopplungsschleife 4d ausgegeben. Wenn die Vorrichtung als ein Verteiler verwendet wird, wird ein Signal durch die Kopplungsschleife 4d eingegeben und von den Kopplungsschleifen 4a, 4b und 4c ausgegeben. Folglich werden ein Synthesizer mit drei Eingängen und einem Ausgang oder ein Verteiler mit einem Eingang und drei Ausgängen erhalten.

Gleichartig dazu kann, falls notwendig, ein Bandpassfilter gebildet werden durch Koppeln vorbestimmter Resonanzmoden durch eine Kopplungsschleife und eine Übertragungsleitung,.

In dem obigen Beispiel werden die drei Resonanzmoden verwendet. Zumindest vier Moden können verwendet werden. Ferner kann ein zusammengesetztes Filter, in dem ein Bandpassfilter und ein Bandsperrfilter kombiniert sind, gebildet werden durch Koppeln einiger der mehreren Resonanzmoden nacheinander, um das Bandpassfilter zu bilden, und durch Unabhängigmachen der anderen Resonanzmoden, um das Bandsperrfilter zu bilden.

Als Nächstes wird mit Bezugnahme auf 29 bis 33 ein Beispiel einer dielektrischen Dreimodenresonatorvorrichtung beschrieben.

29 ist eine perspektivische Ansicht, die den Grundaufbauabschnitt einer dielektrischen Dreifachmodenresonatorvorrichtung zeigt. In dieser Figur bezeichnet das Bezugszeichen 1 einen rechteckigen plattenförmigen dielektrischen Kern, von dem zwei Seiten im Wesentlichen die gleichen Längen haben und die andere Seite kürzer ist als jede der beiden Seiten. Die Bezugszeichen 2 und 3 bezeichnen einen winkelförmigen röhrenförmigen Hohlraum und einen Träger zum Tragen eines dielektrischen Kerns 1 im Wesentlichen in der Mitte des Hohlraums 2. Ein Leiterfilm ist auf der äußeren Umfangsoberfläche des Hohlraums 2 gebildet. Dielektrische Lagen, die jeweils einen Leiterfilm aufweisen, der auf denselben gebildet ist, oder Metalllagen sind auf den beiden offenen Flächen angeordnet, um einen im Wesentlichen parallelepipedförmigen Abschirmraum zu bilden. Ferner liegt einer offenen Fläche des Hohlraums 2 ein offenes Ende eines anderen Hohlraums gegenüber, so dass elektromagnetisches Felder in vorbestimmten Resonanzmoden miteinander gekoppelt sind, um eine Mehrstufe zu realisieren.

Die in 29 gezeigten Träger 3, die aus einem Keramikmaterial hergestellt sind, und eine niedrigere dielektrische Konstante aufweisen als die des dielektrischen Kerns 1 sind zwischen dem dielektrischen Kern 1 und den Innenwänden des Hohlraums 2 angeordnet, und gebrannt, um integriert zu werden. Der dielektrische Kern kann in einem Metallgehäuse angeordnet sein, das den Keramikhohlraum wie er in 29 gezeigt ist, nicht verwendet.

30 bis 32 zeigen die Resonanzmoden, die durch den in 29 gezeigten dielektrischen Kern 1 bewirkt werden. In diesen Figuren stellen x, y und z die Koordinatenachsen in den in 29 gezeigten dreidimensionalen Richtungen dar. 30 bis 32 zeigen die Querschnittsansichten der zweidimensionalen Ebenen. In 30 bis 32 zeigt ein Pfeil aus einer fortlaufenden Linie einen elektrischen Feldvektor an, ein Pfeil aus einer gestrichelten Linie einen Magnetfeldvektor und Symbole „·" und „x" bezeichnen die Richtungen eines elektrischen Felds bzw. eines magnetischen Felds. In 30 bis 32 sind die TE01&dgr;-Mode (TE01&dgr;-y-Mode) in der y-Richtung, die TM01&dgr;-Mode (TM01&dgr;-x-Mode) in der x-Richtung und die TM01&dgr;-Mode (TM01&dgr;-z-Mode) in der z-Richtung gezeigt.

33 zeigt die Beziehung zwischen der Dicke des dielektrischen Kerns und den Resonanzfrequenzen in den sechs Moden. Bei (A) ist die Resonanzfrequenz als Ordinate aufgezeichnet. Bei (B) ist das Resonanzfrequenzverhältnis basierend auf der TM01&dgr;-x-Mode als Ordinate aufgezeichnet. Bei (A) und (B) ist die Dicke des dielektrischen Kerns, die als Abplattung gezeigt ist, als Abszisse aufgezeichnet. Die TE01&dgr;-z-Mode und die TE01&dgr;-x-Mode sind symmetrisch. Eine weiße Dreieckmarkierung, die die TE01&dgr;-z-Mode darstellt, und eine schwarze Dreiecksmarkierung für die TE01&dgr;-x-Mode überlappen. Gleichartig dazu sind die TM01&dgr;-z-Mode und die TM01&dgr;-x-Mode symmetrisch. Daher überlappen weiße Kreismarkierungen, die die TE01&dgr;-z-Mode darstellen, und schwarze Kreismarkierungen für die TM01&dgr;-x-Mode.

Da die Dicke des dielektrischen Kerns gedünnt wird (die Abplattung ist verringert), haben die Resonanzfrequenzen der TE01&dgr;-y-Mode, der TM01&dgr;-x-Mode und der TE01&dgr;-z-Mode einen größeren Unterschied als diejenigen der TM01&dgr;-y-Mode, der TE01&dgr;-x-Mode bzw. der TE01&dgr;-z-Mode.

Bei diesem Ausführungsbeispiel wird die Dicke des dielektrischen Kerns eingestellt durch die Verwendung der oben beschriebenen Beziehung, und drei Moden, nämlich die TE01&dgr;-y-Mode, die TM01&dgr;-x-Mode und die TE01&dgr;-z-Mode werden verwendet. Die Frequenzen der anderen Moden, d. h. der TM01&dgr;-y-Mode, der TE01&dgr;-x-Mode bzw. der TE01&dgr;-z-Mode sind eingestellt, um weiter getrennt zu sein von denjenigen der oben beschriebenen drei Moden, um nicht durch dieselben beeinträchtig zu werden.

Als Nächstes wird ein Beispiel eines dielektrischen Filters, der die oben beschriebene dielektrische Dreifachmodenresonatorvorrichtung umfasst, mit Bezugnahme auf 34 beschrieben. In 34 (A) bezeichnen die Bezugszeichen 1a, 1d prismenförmige dielektrische Kerne und werden als ein dielektrischer Resonator in der TM110-Mode verwendet. Die Bezugszeichen 1b, 1c bezeichnen rechteckige lageförmige dielektrische Kerne, in denen zwei Seiten im Wesentlichen gleiche Längen aufweisen und die andere eine Seite kürzer ist als jede der beiden Seiten. Die dielektrischen Kerne werden an vorbestimmten Positionen in einem Hohlraum 2 durch jeweils eine Trägereinrichtung 3 getragen. Diese dielektrischen Kerne werden als die oben beschriebene dielektrische Dreifachmodenresonatorvorrichtung verwendet. Die Dreifachmode besteht aus drei Moden, d. h. der TM01&dgr;-(x-z)-Mode, der TE01&dgr;-y-Mode bzw. der TM01&dgr;-(x+z)-Mode, wie es in (B) gezeigt ist.

Für die Darstellung der Innenseite des Hohlraums 2 wird die Dicke des Holraums 2 ausgelassen und nur die Innenseite derselben ist gezeigt, durch Linien mit abwechselnd einem langen und zwei kurzen Strichen. Abschirmplatten sind an den Zwischenpositionen jeweils zwischen benachbarten dielektrischen Kernen vorgesehen.

Bezugszeichen 4a bis 4e bezeichnen Kopplungsschleifen, von denen die Kopplungsschleifen 4b, 4c und 4d angeordnet sind, um sich jeweils über die obigen Abschirmplatten zu erstrecken. Ein Ende der Kopplungsschleife 4a ist beispielsweise mit dem Hohlraum 2 verbunden und das andere Ende ist mit dem Kernleiter eines Koaxialverbinders (nicht dargestellt) verbunden. Die Kopplungsschleife 4a ist in der Richtung angeordnet, wo ein Magnetfeld (Magnetkraftlinie) der TM110-Mode, bewirkt durch den dielektrischen Kern 1a, durch die Schleifenebene der Kopplungsschleife 4a verläuft und dadurch ist die Kopplungsschleife 4a ein Magnetfeld gekoppelt mit der TM110-Mode, die durch den dielektrischen Kern 1a erzeugt wird. Ein Ende und der nahe Abschnitt der Kopplungsschleife 4b sind in der Richtung verlängert, wo dieselben magnetfeldgekoppelt sind mit der TM110-Mode des dielektrischen Kerns 1a. Das andere Ende und sein naher Abschnitt sind in der Richtung verlängert, wo dieselben magnetfeldgekoppelt sind mit der TM01&dgr;-(x-z)-Mode des dielektrischen Kerns 1c. Die beiden Enden der Kopplungsschleife 4b sind mit dem Hohlraum 2 verbunden. Ein Ende und sein naher Abschnitt der Kopplungsschleife 4c sind in der Richtung verlängert, wo dieselben magnetfeldgekoppelt sind mit der TM01&dgr;-(x-z)-Mode des dielektrischen Kerns 1b. Das andere Ende ist in der Richtung verlängert, wo es magnetfeldgekoppelt ist mit der TM01&dgr;-(x-z)-Mode des dielektrischen Kerns 1b. Die beiden Enden der Kopplungsschleife 4c sind mit dem Hohlraum 2 verbunden. Ferner ist ein Ende der Kopplungsschleife 4d in der Richtung verlängert, wo dasselbe magnetfeldgekoppelt ist mit der TM01&dgr;-(x+z)-Mode des dielektrischen Kerns 1c, und das andere Ende ist in der Richtung verlängert, in der es magnetfeldgekoppelt ist mit der TM110-Mode, bewirkt durch den dielektrischen Kern 1d. Die beiden Enden der Kopplungsschleife 4d sind mit dem Hohlraum 2 verbunden. Die Kopplungsschleife 4e ist in der Richtung angeordnet, wo dieselbe magnetfeldgekoppelt ist mit der TM110-Mode des dielektrischen Kerns 1d. Ein Ende der Kopplungsschleife 4e ist mit dem Hohlraum 2 verbunden und das andere Ende ist mit dem Kernleiter eines Koaxialverbinders (nicht dargestellt) verbunden.

Kopplungskonditionierungslöcher h1, h2, h3 und h4 sind in dem dielektrischen Resonator in der Dreifachmode gebildet, bewirkt durch den dielektrischen Kern 1b, bzw. dem dielektrischen Resonator in der Dreifachmode bewirkt durch den dielektrischen Kern 1c. Durch Einstellen des Kopplungskonditionierungslochs h2, damit dasselbe größer ist das Loch h3, ist das Gleichgewicht zwischen den elektrischen Feldstärken an dem Punkt A und B, die in 34 (C) gezeigt sind, unterbrochen, und dadurch wird Energie von der TM01&dgr;-(x-z)-Mode zu der TE01&dgr;-y-Mode übertragen. Durch Einstellen des Kopplungskonditionierungslochs h4, damit dasselbe größer ist als das Loch h1, ist das Gleichgewicht zwischen elektrischen Feldstärken an dem Punkt C und D, gezeigt bei (C), unterbrochen, und dadurch wird Energie von der TE01&dgr;-y-Mode zu der TE01&dgr;-(x+z)-Mode übertragen. Folglich bilden die dielektrischen Kerne 1b und 1c jeweils Resonatorschaltungen, in denen Resonatoren in drei Stufen longitudinal verbunden sind. Folglich arbeitet das dielektrische Filter als Ganzes als ein dielektrisches Filter, das aus Resonatoren in acht Stufen zusammengesetzt ist (1 + 3 + 3 + 1), die longitudinal miteinander verbunden sind.

Als Nächstes wird ein Beispiel eines weiteren dielektrischen Filters, das die oben beschriebene dielektrische Dreifachmodenresonatorvorrichtung umfasst, mit Bezugnahme auf 35 beschrieben. Bei dem in 34 gezeigten Beispiel sind die Kopplungsschleifen, die mit den jeweiligen Resonanzmoden gekoppelt sind, die durch benachbarte dielektrische Kerne bewirkt werden, vorgesehen. Jede dielektrische Resonatorvorrichtung kann jedoch für jeden dielektrischen Kern unabhängig vorgesehen sein. In 35 bezeichnen die Bezugszeichen 6a, 6b, 6c und 6d jeweils dielektrische Resonatorvorrichtungen. Diese entsprechen den Resonatoren, die durch die in 34 gezeigten jeweiligen dielektrischen Kerne bewirkt werden und sind voneinander getrennt. Die dielektrischen Resonatorvorrichtungen sind an Positionen angeordnet, die so entfernt wie möglich sind, so dass zwei Kopplungsschleifen, die für die jeweiligen dielektrischen Resonatorvorrichtungen vorgesehen sind, einander nicht stören. Die Bezugszeichen 4a, 4b1, 4b2, 4c1, 4c2, 4d1, 4d2 und 4e bezeichnen jeweilige Kopplungsschleifen. Ein Ende jeder der Kopplungsschleifen ist in dem Hohlraum geerdet, und das andere Ende ist mit dem Kernleiter eines Koaxialkabels durch Löten oder Abdichten verbunden. Der äußere Leiter des Koaxialkabels ist durch Löten oder dergleichen mit dem Hohlraum verbunden. Bezüglich des dielektrischen Resonators 6d sind die Figur, die die Kopplungsschleife 4d2 zeigt, und die Figur, die die Kopplungsschleife 4e zeigt, für eine einfache Darstellung getrennt vorgesehen.

Die Kopplungsschleifen 4a, 4b1 sind jeweils mit dem dielektrischen Kern 1a gekoppelt. Die Kopplungsschleife 4b2 ist mit der TM01&dgr;-(x-z) des dielektrischen Kerns 1b gekoppelt. Die Kopplungsschleife 4c1 ist mit der TM01&dgr;-(x+z) des dielektrischen Kerns 1b gekoppelt. Gleichartig dazu ist die Kopplungsschleife 4c2 mit der TM01&dgr;-(x-z) des dielektrischen Kerns 1c gekoppelt. Die Kopplungsschleife 4d1 ist mit der TM01&dgr;-(x+z) des dielektrischen Kerns 1c gekoppelt. Die Kopplungsschleifen 4d2 und 4e sind jeweils mit dem dielektrischen Kern 1d gekoppelt.

Folglich sind die Kopplungsschleifen 4b1 und 4b2 durch ein Koaxialkabel verbunden, die Kopplungsschleifen 4c1 und 4c2 sind durch ein Koaxialkabel verbunden und ferner sind die Kopplungsschleifen 4d1 und 4d2 durch ein Koaxialkabel verbunden und dadurch arbeiten alle dielektrischen Resonatorvorrichtungen als ein dielektrisches Filter, das die Resonatoren in acht Stufen (1 + 3 + 3 + 1) umfasst, die longitudinal miteinander verbunden sind, ähnlich zu denjenigen, die in 34 gezeigt sind.

Als Nächstes wird ein Beispiel der Konfiguration einer Übertragungsempfangschervorrichtung in 36 gezeigt. Hier sind ein Übertragungsfilter und ein Empfangsfilter Bandpassfilter, die jeweils das obige dielektrische Filter umfassen. Das Übertragungsfilter leitet die Frequenz eines Übertragungssignals und das Empfangsfilter leitet die Frequenz eines Empfangssignals. Die Verbindungsposition zwischen dem Ausgangstor des Übertragungsfilters und dem Eingangstor des Empfangsfilters ist derart, dass dieselbe die Beziehung präsentiert, dass die elektrische Länge zwischen dem Verbindungspunkt und der äquivalenten Kurzschlussebene des Resonators in der Endstufe des Übertragungsfilters eine ungerade Anzahl von Malen der 1/4 Wellenlänge bei einer Empfangssignalfrequenz ist, und die elektrische Länge zwischen dem oben beschriebenen Verbindungspunkt und der äquivalenten Kurzschlussebene des Resonators in der ersten Stufe des Empfangsfilters eine ungerade Anzahl von Malen der 1/4 Wellenlänge bei einer Übertragungssignalfrequenz ist. Dadurch können das Übertragungssignal und das Empfangssignal sicher abgezweigt werden.

Wie es in der obigen Beschreibung zu sehen ist, können auf gleiche Weise durch Anordnen mehrerer dielektrischer Filter zwischen dem Tor für die Verwendung in gemeinsamen und in einzelnen Toren ein Diplexer oder ein Multiplexer gebildet werden.

37 ist ein Blockdiagramm, das die Konfiguration einer Kommunikationsvorrichtung zeigt, die die oben beschriebene Übertragungsempfangsschervorrichtung umfasst (Duplexer). Der Hochfrequenzabschnitt der Kommunikationsvorrichtung ist gebildet durch Verbinden einer Übertragungsschaltung mit dem Eingangstor eines Übertragungsfilters, Verbinden einer Empfangsschaltung mit dem Ausgang eines Empfangsfilters und Verbinden einer Antenne mit dem Eingangsausgangstor des Duplexers.

Ferner kann eine kleine Kommunikationsvorrichtung mit hoher Effizienz wie folgt erhalten werden. Schaltungskomponenten, wie z. B. der Diplexer, der Multiplexer, der Synthesizer, der Verteiler, die jeweils oben beschrieben sind, und dergleichen, sind aus den dielektrischen Mehrmodenresonatorvorrichtungen gebildet, und eine Kommunikationsvorrichtung ist aus diesen Schaltungskomponenten gebildet.

Wie es bei der obigen Beschreibung zu sehen ist, ist die Tragestruktur für den dielektrischen Kern vereinfacht. Da ferner der dielektrische Kern, der im Wesentlichen eine Parallelepipedform aufweist, und wirksam ist, um in mehreren Moden in Resonanz zu sein, verwendet wird, können mehrere Resonatoren gebildet werden, ohne dass mehrere dielektrische Kerne angeordnet werden, und eine dielektrische Resonatorvorrichtung mit stabilen Charakteristika kann gebildet werden.

Gemäß der Erfindung ist die Konzentration einer elektromagnetischen Feldenergie auf einen dielektrischen Kern verbessert, der dielektrische Verlust ist reduziert und Q0 kann bei einem hohen Wert beibehalten werden.

Gemäß der vorliegenden Erfindung werden Träger als einzelne getrennte Teile unnötig. Die Positionsgenauigkeit der Trageabschnitte für den Hohlraum und den dielektrischen Kern und darüber hinaus die Positionsgenauigkeit des dielektrischen Kerns in dem Hohlraum werden verbessert. Somit kann eine dielektrische Mehrmodenresonatorvorrichtung erhalten werden, die unaufwändig ist und stabile Charakteristika aufweist.

Gemäß der Erfindung kann die mechanische Stärke eines Trageabschnitts pro Gesamtquerschnittsfläche verbessert werden. Ferner kann bei den TM-Moden die Reduktion des Q0 in der Mode, in der die Trageabschnitte oder Träger senkrecht zu der Drehebene eines Magnetfelds verlängert sind, verhindert werden.

Gemäß der vorliegenden Erfindung kann die Reduktion von Q0 in einer Mode, die die TM-Moden ausschließt, in denen die Trageabschnitte oder Träger senkrecht zu der Drehungsebene eines Magnetfelds verlängert sind, verhindert werden.

Gemäß der vorliegenden Erfindung können durch Einstellen der Ziehrichtung einer Form, damit dieselbe mit der Axialrichtung der winkelförmigen Röhrenform zusammenfällt, der Hohlraum und der dielektrische Kern ohne Weiteres durch die Form, die eine einfache Struktur aufweist, einstückig geformt werden.

Gemäß der vorliegenden Erfindung kann ein dielektrisches Filter mit einer Filtercharakteristik mit einem hohen Q und kleiner Größe erhalten werden.

Gemäß der vorliegenden Erfindung kann ein zusammengesetztes kleines dielektrisches Filter, das einen geringen Verlust aufweist, erhalten werden.

Gemäß der vorliegenden Erfindung kann ein kleiner Synthesizer, der einen geringen Verlust aufweist, erhalten werden.

Gemäß der vorliegenden Erfindung kann die Reduktion von Q0 in einer Mode, die die TM-Mode ausschließt, in denen die Trageabschnitte oder Träger senkrecht zu der Drehebene eines Magnetfelds verlängert sind, verhindert werden.

Gemäß der vorliegenden Erfindung können durch Einstellen der Ziehrichtung einer Form, damit dieselbe mit der Axialrichtung der winkelförmigen Röhrenform zusammenfällt, der Hohlraum und der dielektrische Kern, ohne Weiteres durch die Form mit einer einfachen Struktur einstückig geformt werden.

Gemäß der vorliegenden Erfindung kann ein dielektrisches Filter mit einer Filtercharakteristik mit einem hohen Q und geringer Größe erhalten werden.

Gemäß der vorliegenden Erfindung kann ein kleines zusammengesetztes dielektrisches Filter, das einen geringen Verlust aufweist, erhalten werden.

Gemäß der vorliegenden Erfindung kann ein kleiner Synthesizer, der einen geringen Verlust aufweist, erhalten werden.

Gemäß der vorliegenden Erfindung kann ein kleiner Verteiler, der einen geringen Verlust aufweist, erhalten werden.

Gemäß der vorliegenden Erfindung kann eine kleine Kommunikationsvorrichtung, die einen geringen Verlust aufweist, erhalten werden.

Industrielle Anwendbarkeit

Wie es in der obigen Beschreibung zu sehen ist, können die dielektrische Mehrmodenvorrichtung, das dielektrische Filter, das zusammengesetzte dielektrische Filter, der Verteiler und die Kommunikationsvorrichtung, die dieselben enthält, gemäß der vorliegenden Erfindung in einer großen Vielzahl von elektronischen Vorrichtungen verwendet werden, beispielsweise bei Basisstationen bei der Mobilkommunikation.


Anspruch[de]
Eine dielektrische Mehrmodenresonatorvorrichtung, die folgende Merkmale umfasst:

einen Hohlraum (2), der im Wesentlichen eine Parallelepipedform aufweist;

einen dielektrischen Kern (1), der im Wesentlichen eine Parallelepipedform aufweist, der wirksam ist, um in mehreren Moden in Resonanz zu sein; und

einen Abschnitt, der den dielektrischen Kern (1) im Wesentlichen in der Mitte des Hohlraums trägt, so dass der dielektrische Kern (1) bei vorbestimmten Abständen von den Innenwänden des Hohlraums (2) getrennt ist;

dadurch gekennzeichnet, dass

der Trageabschnitt Träger (3) umfasst, die in einem Abstand (CO) auf einer Fläche des dielektrischen Kerns (1) vorgesehen sind, wobei die Charakteristika der dielektrischen Mehrmodenresonatorvorrichtung von dem Abstand (CO) zwischen den Trägern (3), von der Dicke der Querschnittsflächen der Träger (3) und von den Materialeigenschaften des Trägers (3) abhängig sind.
Eine dielektrische Mehrmodenresonatorvorrichtung gemäß Anspruch 1, bei der die Träger (3) eine dielektrische Konstante aufweisen, die niedriger ist als die dielektrische Konstante des dielektrischen Kerns. Eine dielektrische Mehrmodenresonatorvorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, bei der die Träger durch einen Trägerabschnitt gebildet sind, der einstückig mit dem dielektrischen Kern (1) oder dem Hohlraum (2) gebildet ist. Eine dielektrische Mehrmodenresonatorvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der die Träger (3) in einem Stegabschnitt des dielektrischen Kerns (1) oder einem Abschnitt entlang eine Steglinie des dielektrischen Kerns (1) vorgesehen sind. Eine dielektrische Mehrmodenresonatorvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der die Träger (3) nahe einem Scheitelpunkt des dielektrischen Kerns (1) vorgesehen sind. Eine dielektrische Mehrmodenresonatorvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der die Träger in der Mitte einer Fläche des dielektrischen Kerns (1) vorgesehen sind. Eine dielektrische Mehrmodenresonatorvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei der ein Teil des Hohlraums (2) oder der gesamte Hohlraum (2) ein geformtes Produkt umfasst, das eine winkelförmige Röhrenform aufweist, und der dielektrische Kern (1) in Bezug auf die Innenwände des geformten Produkts durch den Träger (3) getragen ist. Ein dielektrisches Filter, das die dielektrische Mehrmodenresonatorvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7 umfasst, und eine extern koppelnde Einrichtung (4a, 4b, 4c) zum externen Koppeln mit einer vorbestimmten Mode der dielektrischen Mehrmodenresonatorvorrichtung. Ein zusammengesetztes dielektrisches Filter, das das dielektrische Filter gemäß Anspruch 8 umfasst, das zwischen einem einzelnen oder mehreren Toren, die gemeinsam zu verwenden sind, und mehreren Toren, die einzeln zu verwenden sind, vorgesehen ist. Ein Synthesizer, der die dielektrische Mehrmodenresonatorvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, eine unabhängig extern koppelnde Einrichtung zum externen Koppeln mit mehreren vorbestimmten Moden der dielektrischen Mehrmodenresonatorvorrichtung, jeweils unabhängig, und eine gemeinsame extern koppelnde Einrichtung zum externen Koppeln mit mehreren vorbestimmten Moden der dielektrischen Mehrmodenresonatorvorrichtung gemeinsam umfasst, wobei die gemeinsam extern koppelnde Einrichtung ein Ausgangstor ist und die mehreren unabhängig extern koppelnden Einrichtungen Eingangstore sind. Ein Verteiler, der die dielektrische Mehrmodenresonatorvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, eine unabhängig extern koppelnde Einrichtung zum externen Koppeln mit mehreren vorbestimmten Moden der dielektrischen Mehrmodenresonatorvorrichtung, jeweils unabhängig, und eine gemeinsam extern koppelnde Einrichtung zum externen Koppeln mit mehreren vorbestimmten Moden der dielektrischen Mehrmodenresonatorvorrichtung gemeinsam umfasst, wobei die gemeinsam extern koppelnde Einrichtung ein Eingangstor ist und die mehreren unabhängig extern koppelnden Einrichtungen Ausgangstore sind. Eine Kommunikationsvorrichtung, die das zusammengesetzte dielektrische Filter gemäß Anspruch 9, den Synthesizer gemäß Anspruch 10 oder den Verteiler gemäß Anspruch 11 umfasst, die in einem Hochfrequenzabschnitt derselben vorgesehen sind.






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