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Dokumentenidentifikation DE10058320B8 28.12.2006
Titel Herstellungsverfahren für Silicium-Wafer
Anmelder Mitsubishi Materials Silicon Corp., Tokio/Tokyo, JP
Erfinder Harada, Kazuhiro, Tokio/Tokyo, JP;
Furukawa, Jun, Tokio/Tokyo, JP;
Nakajima, Ken, Tokio/Tokyo, JP;
Shiraki, Hiroyuki, Tokio/Tokyo, JP
Vertreter Patent- und Rechtsanwälte Bardehle, Pagenberg, Dost, Altenburg, Geissler, 81679 München
DE-Anmeldedatum 24.11.2000
DE-Aktenzeichen 10058320
Offenlegungstag 06.06.2002
Veröffentlichungstag der Patenterteilung 30.03.2006
Date of publication of correction 28.12.2006
Information on correction Berichtigung zu INID-Code (72)
Free division/divided out on the grounds of lack of unity 10066124.6
IPC-Hauptklasse C30B 15/04(2006.01)A, F, I, 20051017, B, H, DE
IPC-Nebenklasse C30B 15/20(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, DE   C30B 29/06(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, DE   








IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

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