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Dokumentenidentifikation DE102005041275A1 25.01.2007
Titel Spalten-Redundanz-Wiederverwendung in Speichereinrichtungen
Anmelder Infineon Technologies Flash GmbH & Co. KG, 01099 Dresden, DE
Erfinder Cohen, Zeev, Zichron-Yaakov, IL
Vertreter Viering, Jentschura & Partner, 80538 München
DE-Anmeldedatum 31.08.2005
DE-Aktenzeichen 102005041275
Offenlegungstag 25.01.2007
Veröffentlichungstag im Patentblatt 25.01.2007
IPC-Hauptklasse G11C 29/24(2006.01)A, F, I, 20060608, B, H, DE
Zusammenfassung Ein Verfahren zum Spalten-Redundanz-Wiederverwenden weist auf ein Anordnen des Speicher-Arrays (210) in eine Mehrzahl von adressierbaren ersten Array-Spalten und eine Mehrzahl von adressierbaren zweiten Array-Spalten. Die Spalten-Redundanz-Struktur (220) ist ferner angeordnet in eine adressierbare erste Redundanz-Spalte und eine adressierbare zweite Redundanz-Spalte. Ein erstes Spalten-Array, für welches ermittelt worden ist, dass es defekt ist, wird ersetzt mittels Abbildens seiner Adresse auf die erste Redundanz-Spalte. In gleicher Weise wird ein zweites Spalten-Array, für welches ermittelt worden ist, dass es defekt ist, ersetzt mittels Abbildens seiner Adresse auf die zweite Redundanz-Spalte.

Beschreibung[de]

Die Erfindung betrifft Speichereinrichtungen und insbesondere eine Speichereinrichtungs-Architektur und ein Verfahren zum Wiederverwenden von Spalten-Redundanz-Strukturen in einer solchen Speichereinrichtung-Architektur.

1 zeigt eine herkömmliche Speichereinrichtung 100, bei der Spalten-Redundanz verwendet wird zum Umgehen von Fehlern (Defekten) in einem Speicherarray. In einer typischen Implementierung weist die Einrichtung 100 ein Viertel-Speicherarray 110 auf und eine oder mehrere benachbarte Speicher-Redundanz-Strukturen (Column Redundancy, CR) 120. Das Speicherarray 110 weist eine Mehrzahl von Spalten-Arrays auf, wobei jedes Spalten-Array mit einer zusätzlichen Anzahl von Speicherzellen (nicht gezeigt) gekoppelt ist. In Speichereinrichtungen, in welchen das so genannte Matched-Laden (Matched Loading) von Erfass- und Referenz-seitigen Signalen verwendet wird, weist die CR-Struktur 120 zwei adressierbare Spalten auf, auch bezeichnet als „Slices" (üblicherweise bezeichnet als „geradzahlige Slice" und „ungeradzahlige Slice"), welche eingerichtet sind zum Ersetzen von Erfass- und Lade-seitigen Spalten, welche einer fehlerhaften Array-Spalte entsprechen.

Sobald eine defekte Array-Spalte 112 identifiziert ist wird diese umgangen, indem die Adresse der defekten Spalte auf die Adresse eine der Spalten innerhalb der CR-Struktur 120 abgebildet wird. Die Adresse der defekten Array-Spalte 112 kann auf entweder die geradzahlige CR-Slice oder die ungeradzahlige CR-Slice geführt werden, und das Referenzsignal oder das Ladesignal wird adress-abgebildet auf die verbleibende CR-Slice in der CR-Struktur 120. Ein Array-Controller (nicht gezeigt) stellt üblicherweise die Adress-Abbildungsfunktion bereit. Die CR-Struktur 120 dient dann als eine Ersetzung der defekten Array-Spalte 112 während des Betriebs der Speichereinrichtung 100, wobei eine der CR-Slices als Speicherort oder als Erfassort der defekten Speicher-Spalte 112 dient und die andere CR-Slice als der Referenzort oder der Ladeort dient, welcher mit der defekten Array-Spalte assoziiert ist.

Während der herkömmliche Ansatz effektiv ist im Rahmen des Ersetzens defekter Spalten-Arrays, unterliegt er Nachteilen, welche sich ergeben aus der fest zugeordneten und einzelnen Verwendung einer CR-Struktur im Rahmen des Ersetzens eines Spaltendefekts. Insbesondere wird nur eine Slice verwendet für die Speicherung in dem Speicher, während die CR-Struktur 120 zwei Spalten enthält, welche in der Lage sind, Daten zu speichern. Die zweite Slice wird nur als eine Referenz oder zum Laden für die erste Slice verwendet. Somit werden 50% der CR-Strukturen 120 derzeit nicht verwendet.

Daher besteht ein Bedarf an einer verbesserten Speichereinrichtungs-Architektur und einem entsprechendem Verfahren zum Wiederverwenden von CR-Strukturen zum Ersetzen von Spalten-Defekten in einer Speichereinrichtung.

Die Erfindung stellt eine neue Speichereinrichtungs-Architektur und ein Verfahren zum Wiederverwenden von Spalten-Redundanz zum Ersetzen defekter Spalten-Arrays bereit. Die Erfindung kann eingesetzt werden zum Bereitstellen erhöhter Chip-Ausbeute, wenn die gleiche Anzahl von wiederverwendbaren CR-Strukturen implementiert sind verglichen mit den herkömmlichen nicht wiederverwendbaren CR-Strukturen, da eine vergleichsweise größere Anzahl von Spalten-Defekten ersetzt werden kann mit den wiederverwendbaren CR-Strukturen. Alternativ können weniger wiederverwendbare CR-Strukturen verwendet werden zum Ersetzen der insgesamt gleichen Anzahl von Spalten-Defekten, wobei die Gesamtzahl von CR-Strukturen reduziert werden kann hinsichtlich einer herkömmlichen Speichereinrichtung, was wiederum zu einer vergleichsweise geringen Die-Größe führt.

Ein beispielhaftes Verfahren zum Wiederverwenden von Spalten-Redundanz weist auf ein Anordnen des Speicher-Arrays in eine Mehrzahl von adressierbaren ersten Array-Spalten und in eine Mehrzahl von adressierbaren zweiten Array-Spalten. Die Spalten-Redundanz-Struktur wird ebenfalls angeordnet in eine adressierbare erste Redundanz-Spalte und eine adressierbare zweite Redundanz-Spalte. Ein erstes Spalten-Array, bei dem ermittelt wurde, dass es defekt ist, wird ersetzt mittels Abbildens seiner Adresse auf die erste Redundanz-Spalte. In gleicher Weise wird ein zweites Spalten-Array, bei dem ermittelt wurde, dass es defekt ist, ersetzt mittels Abbildens seiner Adresse auf die zweite Redundanz-Spalte.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.

Es zeigen

1 eine herkömmliche Speichereinrichtung, in der eine Spalten-Redundanz-Struktur verwendet wird zum Ersetzen einer defekten Speicher-Array-Spalte;

2a eine Speichereinrichtung, in welcher eine Spalten-Redundanz-Struktur wiederverwendet werden kann zum Ersetzen von defekten Speicher-Array-Spalten, gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;

2b ein Verfahren zum Wiederverwenden einer Spalten-Redundanz-Struktur, wie sie in der Speichereinrichtung von 2a implementiert ist;

3a eine Matched-Lade-Speichereinrichtung, bei der eine Spalten-Redundanz-Struktur wiederverwendet werden kann zum Ersetzen von defekten Speicher-Array-Spalten gemäß einer Ausführungsform der Erfindung; und

3b ein Verfahren zum Wiederverwenden einer Spalten-Redundanz-Struktur, wie sie in der Speichereinrichtung von 3a implementiert ist.

Aus Gründen der Klarheit werden zuvor definierte Merkmale durchgängig in nachfolgenden Figuren, soweit zweckmäßig, mit denselben Bezugszeichen versehen.

2a zeigt eine Speichereinrichtung 200, bei der eine Spalten-Redundanz-Struktur wiederverwendet werden kann zum Ersetzen defekter Speicher-Array-Spalten gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Die Speichereinrichtung 200 weist ein Speicher-Array 210 auf, welches als ein „Viertel-Array", wie es an sich aus dem Stand der Technik bekannt ist, dargestellt ist, sowie eine Spalten-Redundanz-Struktur (Column Redundancy, CR) 220.

Wie im Folgenden näher erläutert wird, ist das Speicher-Array 210 angeordnet in eine Gruppe von adressierbaren ersten (beispielsweise „geradzahligen") Spalten und eine Gruppe von adressierbaren zweiten (beispielsweise „ungeradzahligen") Spalten. In einer besonderen Ausführungsform ist durch das Anordnen oder Unterteilen der gesamten Anzahl von Speicher-Spalten eine im Wesentlichen gleiche Anzahl von ersten Spalten und zweiten Spalten vorgesehen. Eine größere Zahl oder eine kleinere Zahl von Spalten, welche zu einer jeweiligen Gruppe gehören, kann jedoch in einer alternativen Ausführungsform der Erfindung implementiert sein.

Die CR-Struktur 220 ist in gleicher Weise aufgeteilt in eine adressierbare ersten Redundanz-Spalte (oder „geradzahlige Slice") 220 und eine adressierbare zweite Redundanz-Spalte (oder „ungeradzahlige Slice") 224. Während einer Spalten-Ersetzungs-Operation wird die Adresse der defekten Spalte auf die CR-Slice des gleichen Typs abgebildet, beispielsweise wird die Adresse einer defekten geradzahligen Spalte abgebildet auf die Adresse der geradzahligen CR-Slice 222, und die Adresse einer defekten ungeradzahligen Spalte wird abgebildet auf die Adresse der ungeradzahligen CR-Slice 224. In einer besonderen Ausführungsform, welche im Folgenden näher beschrieben wird, wird die verbleibende CR-Slice als eine Referenz für die abgebildete Array-Spalte verwendet; so wird beispielsweise die Adresse des Referenz-Pfads/der Referenz-Spalte, welche der defekten geradzahligen Spalte entspricht, abgebildet auf die Adresse der ungeradzahligen CR-Slice 224 und die Adresse des Referenz-Pfades/der Referenz-Spalte, welche der defekten ungeradzahligen Spalte entspricht, wird abgebildet auf die Adresse der geradzahligen CR-Slice 222. Wie ebenfalls dargestellt sind pro Viertel-Array nur vier CR-Strukturen 222 implementiert, verglichen mit acht CR-Strukturen eines herkömmlichen Viertel-Arrays gemäß 1, aufgrund der Wiederverwendbarkeit-Eigenschaften der CR-Strukturen 220 gemäß der Erfindung.

2b zeigt ein Verfahren zum Wiederverwenden einer Spalten-Redundanz-Struktur, wie sie in der Speichereinrichtung von 2a implementiert ist. Zunächst wird die CR-Struktur 220 angeordnet oder unterteilt in eine erste Redundanz-Spalte und in eine zweite Redundanz-Spalte (beispielsweise in „geradzahlige CR-Slice" und „ungeradzahlige CR-Slice" (Schritt 242)). In Schritt 244 wird das Speicher-Array 210 angeordnet oder unterteilt in eine erste Gruppe von Array-Spalten und in eine zweite Gruppe von Array-Spalten, beispielsweise in „geradzahlige Array-Spalten" und „ungeradzahlige Array-Spalten".

In Schritt 246 von 2b wird während einer ersten Spalten-Ersetzungs-Operation eine defekte geradzahlige Array-Spalte ersetzt unter Verwendung der CR-Struktur 220, wobei die Adresse der geradzahligen Array-Spalte auf die Adresse der geradzahligen CR-Slice 222 abgebildet wird. In einer Ausführungsform, welche im Folgenden näher beschrieben wird, ist ein Array-Controller eingerichtet zum Durchführen der Adressen-Abbildung. In Schritt 248 wird während einer zweiten Spalten-Ersetzungs-Operation eine defekte ungeradzahlige Array-Spalte ersetzt unter Verwendung der CR-Struktur 220, wobei die Adresse der ungeradzahligen Array-Spalte abgebildet wird auf die Adresse der ungeradzahligen CR-Slice 224, wobei die Adressen-Abbildung durchgeführt wird von dem Array-Controller. Auf diese Weise kann eine einzige CR-Struktur 220 wiederverwendet werden zum Ersetzen defekter Speicher-Array-Spalten.

3a zeigt eine Matched-Lade-Speichereinrichtung 210, bei der die Spalten-Redundanz-Struktur 220 wiederverwendet werden kann zum Ersetzen von defekten Speicher-Array-Spalten 212 und 214 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Wie gezeigt ist, weist eine defekte geradzahlige Array-Spalte 212 einen Erfass-Pfad 212a sowie einen Referenz-Pfad 212b auf. Der Referenz-Pfad 112b ist eingerichtet derart, dass er im Wesentlichen die gleiche Lade-Charakteristika aufweist wie der Erfass-Pfad 212a und wird verwendet als Referenz zum Ermitteln von Strom-Bedingungen des Erfass-Pfads 212a, wie aus dem Stand der Technik an sich bekannt. Eine defekte ungeradzahlige Array-Spalte 214 weist in gleicher Weise einen Erfass-Pfad 214a und einen Referenz-Pfad 214b auf, welcher im Wesentlichen an die Lade-Bedingungen des Erfass-Pfades 214a angepasst ist. Ein Array-Controller 230 ist eingerichtet zum Empfangen eines Adress-Signals 232 und der Array-Controller 230 ist ferner eingerichtet zum Abbilden der Adresse der Erfass-Seite 212a der defekten geradzahligen Array-Spalte 212 auf die geradzahlige Redundanz-Spalte 222 und der korrespondierenden Referenz-Seite 212b auf die ungeradzahlige Redundanz-Spalte 224. Der Array-Controller 230 ist ferner eingerichtet zum Abbilden der Adresse der Erfass-Seite 214a der defekten geradzahligen Array-Spalte 214 auf die geradzahlige Redundanz-Spalte 224 und der korrespondierenden Referenz-Seite 214b auf die geradzahlige Redundanz-Spalte 222. Auf diese Weise kann dieselbe CR-Struktur 220 verwendet werden zum gleichzeitigen Bereitstellen eines Ersetzens von Spalten für zwei unterschiedliche Spalten-Defekte.

3b zeigt ein Verfahren zum Wiederverwenden einer Spalten-Redundanz-Struktur, wie es implementiert ist in der Speichereinrichtung von 3a. In den Schritten 321 und 322 werden das Speicher-Array 110 und die CR-Struktur 220 angeordnet oder unterteilt in eine erste Partition und in eine zweite Partition (beispielsweise in eine geradzahlige Partition und in eine ungeradzahlige Partition), wobei Ausführungsformen derselben in Operationen 242 und 244 in 2b beschrieben sind. In Schritt 223 wird ein Spalten-Array (geradzahlig oder ungeradzahlig) ausgewählt und getestet, um zu bestimmen, ob ein Spalten-Defekt vorliegt. Wenn in Schritt 324 bestimmt wird, dass ein Defekt existiert, so wird der Betrieb fortgeführt entweder in Schritt 325 oder in Schritt 326, abhängig davon, ob die defekte Spalte zugehörig ist zu der ersten oder geradzahligen Gruppe von Spalten oder zugehörig zu der zweiten oder ungeradzahligen Gruppe von Spalten. Wenn die defekte Spalte eine geradzahlige Array-Spalte ist, beispielsweise 212, so wird das Verfahren in Schritt 325 fortgeführt, wobei eine verfügbare CR-Struktur 220 ausgewählt wird und der Array-Controller 230 bildet die Adresse des Erfass-Pfades 212a auf die Adresse der geradzahligen CR-Slice 222 ab sowie die Adresse des korrespondierenden Referenz-Pfades 212b auf die Adresse der ungeradzahligen CR-Slice 224. Auf diese Weise wird die gesamte Spalte 212 ersetzt unter Verwendung der geradzahligen CR-Slice 222 als den Ersetzungs-Erfass-Pfad und der ungeraden geradzahligen CR-Slice 224 als den Ersetzungs-Referenz-Pfad. Wenn die defekte Spalte eine geradzahlige Array-Spalte ist, beispielsweise 212, so wird das Verfahren in Schritt 246 weitergeführt, wobei die CR-Struktur 220 ausgewählt wird und der Array-Controller 230 die Adresse des Erfass-Pfades 212a auf die Adresse der geradzahligen CR-Slice 222 abbildet sowie die Adresse des korrespondierenden Referenz-Pfades 212b auf die Adresse der ungeradzahligen CR-Slice 224 abbildet. Auf diese Weise wird die gesamte Spalte 212 ersetzt unter Verwendung der geradzahligen CR-Slice 222 als der Ersetzungs-Erfass-Pfad und der ungeradzahligen CR-Slice 224 als der Ersetzungs-Referenz-Pfad.

Die Verfügbarkeit der CR-Struktur 220, um als Ersatz für eine Array-Spalte zu dienen, ist abhängig davon, ob sie aktuell als ein Ersatz für die gleiche Art von Array-Spalte dient. Dient beispielsweise vor der Operation 325 die CR-Struktur 220 als Ersatz für eine andere geradzahlige Array-Spalte, so wird alternativ eine zweite CR-Struktur ausgewählt um als ein Ersatz für die defekte geradzahlige Array-Spalte 212 zu dienen. Wenn entweder die CR-Struktur aktuell nicht als Ersatz für eine Array-Spalte dient oder wenn die CR-Struktur als ein Ersatz für eine Array-Spalte eines anderen Typs dient, so kann sie verwendet werden als Ersatz für die aktuell ausgewählte defekte Spalte.

Nachdem die Prozesse 325 oder 326 vollständig beendet wurden oder wenn für die ausgewählte Spalte ermittelt wurde, dass diese nicht defekt ist, so wird der Prozess in Schritt 327 fortgeführt, in dem ermittelt wird, ob eine weitere Spalte getestet werden soll. Ist dies der Fall so kehrt der Prozess zu Schritt 323 zurück, in welchem die oben beschriebenen Operationen wiederholt durchgeführt werden. Wie oben erläutert kann eine nachfolgende Spalten-Ersatz-Operation durchgeführt werden unter Verwendung einer zuvor verwendeten CR-Struktur, wenn Array-Spalten unterschiedlicher Typen (beispielsweise geradzahlige Spalte und ungeradzahlige Spalte) ersetzt werden. Beispielsweise wird Prozess 325 durchgeführt während einer ersten Spalten-Ersetzungs-Operation und Prozess 326 wird durchgeführt unter Verwendung derselben CR-Struktur 220 während einer zweiten Spalten-Ersetzungs-Operation.

Dem Fachmann ist es ersichtlich, dass die beschriebene Architektur und das beschriebene Verfahren in unterschiedlichen Arten implementiert werden können. Beispielsweise kann das Speicher-Array 210 ein nicht-flüchtiger Speicher sein, wie beispielsweise ein elektrisch löschbarer programmierbarer Nur-Lese-Speicher (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory, EEPROM). Alternativ kann das Speicher-Array 210 als eine flüchtige Speicher-Struktur implementiert sein, wie beispielsweise als dynamischer Vielfachzugriffsspeicher (Dynamic Random Access Memory) (synchron oder nicht-synchron). Ferner kann die CR-Struktur in einer Vielzahl unterschiedlicher Arten implementiert sein, beispielsweise, indem die geradzahlige Spalte oder Slice 222 und die ungeradzahlige Redundanz-Spalte oder Slice 224 an gegenüberliegenden Seiten des Viertel-Arrays 210 angeordnet werden. Die Speichereinrichtung 220 kann andere Speicher-Strukturen aufweisen, wie beispielsweise eine statische Vielfachzugriffsspeicher-Struktur (Static Random Access Memory), um den Array-Controller 230 zu bilden. Ferner können die beschriebenen Prozesse 321 bis 327 in Hardware, Software, Firmware oder einer Kombination dieser Implementierungen, wie gewünscht, implementiert werden. Zusätzlich können einige oder alle der beschriebenen Prozesse als computerlesbarer Instruktions-Code implementiert werden, welcher auf einem computerlesbarem Speichermedium gespeichert ist (entfernbare Platte, flüchtiger oder nicht-flüchtiger Speicher, eingebetteter Prozessor (Embedded Prozessor), etc.), wobei der Instruktions-Code eingerichtet ist zum Programmieren eines Computers oder anderer solcher programmierbarer Einrichtungen zum Durchführen der gewünschten Funktionen.


Anspruch[de]
Speichereinrichtung (200), aufweisend

• ein Speicher-Array (210) mit einer Mehrzahl von ersten Array-Spalten und einer Mehrzahl von zweiten Array-Spalten, wobei jede erste Array-Spalte und jede zweite Array-Spalte mit einer Mehrzahl von Speicherzellen gekoppelt ist und wobei jede erste Array-Spalte und jede zweite Array-Spalte unabhängig voneinander adressierbar ist;

• eine oder mehrere Spalten-Redundanz-Strukturen (220), welche mit dem Speicher-Array (210) gekoppelt ist, wobei jede der einen oder mehreren Spalten-Redundanz-Strukturen (220) eine erste Redundanz-Spalte sowie eine zweite Redundanz-Spalte aufweist, wobei die erste Redundanz-Spalte und die zweite Redundanz-Spalte unabhängig voneinander adressierbar sind; und

• einen Array-Controller, welcher mit dem Speicher-Array und der einen oder den mehreren Spalten-Redundanz-Strukturen (220) gekoppelt ist, wobei der Array-Controller eingerichtet ist zum Abbilden der Adresse einer ersten Array-Spalte, für die ermittelt wurde, dass sie einen Defekt aufweist, auf die Adresse der ersten Redundanz-Spalte sowie zum Abbilden der Adresse einer zweiten Array-Spalte, für die ermittelt wurde, dass sie defekt ist, auf die Adresse der zweiten Redundanz-Spalte.
Speichereinrichtung (200) gemäß Anspruch 1, wobei das Speicher-Array (210) ferner aufweist eine erste Referenz-Spalte, welche im Wesentlichen angepasst ist an die Lade-Charakteristika der einen oder den mehreren der ersten Array-Spalten, wobei der Array-Controller ferner eingerichtet ist zum Abbilden der Adresse der ersten Referenz-Spalte auf die zweite Redundanz-Spalte. Speichereinrichtung (200) gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei das Speicher-Array (210) ferner aufweist eine zweite Referenz-Spalte, welche im Wesentlichen angepasst ist an die Lade-Charakteristika einer oder mehrerer der zweiten Array-Spalten, wobei der Array-Controller ferner eingerichtet ist zum Abbilden der Adresse der zweiten Referenz-Spalte auf die erste Redundanz-Spalte. Speichereinrichtung (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Speicher-Array (210) einen nicht-flüchtigen Speicher aufweist. Speichereinrichtung (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Speicher-Array (210) einen flüchtigen Speicher aufweist. Speichereinrichtung (200), aufweisend

• ein Speicher-Array (210), welches aufweist eine Mehrzahl von ersten Array-Spalten und eine Mehrzahl von zweiten Array-Spalten, wobei jede der ersten Array-Spalten und jede der zweiten Array-Spalten mit einer Mehrzahl von Speicherzellen gekoppelt sind und wobei jede der ersten Array-Spalten und jede der zweiten Array-Spalten unabhängig voneinander adressierbar sind;

• eine oder mehrere Spalten-Redundanz-Strukturen (220), welche mit dem Speicher-Array (210) gekoppelt ist, wobei jede der einen oder mehreren Spalten-Redundanz-Strukturen (220) eine erste Redundanz-Spalte und eine zweite Redundanz-Spalte aufweist, wobei die erste Redundanz-Spalte und die zweite Redundanz-Spalte unabhängig voneinander adressierbar sind; und

• einen Array-Controller, der mit dem Speicher-Array und der einen oder den mehreren Spalten-Redundanz-Strukturen (220) gekoppelt ist, wobei der Array-Controller eingerichtet ist zum Abbilden der Adresse einer ersten Array-Spalte, für die ermittelt worden ist, dass sie defekt ist, auf die Adresse der ersten Redundanz-Spalte sowie zum Abbilden der Adresse einer zweiten Array-Spalte, für die ermittelt worden ist, dass sie defekt ist, auf die Adresse der zweiten Redundanz-Spalte,

• wobei das Speicher-Array (210) ferner aufweist eine erste Referenz-Spalte, welche im Wesentlichen angepasst ist an die Lade-Charakteristika von einer oder mehreren der ersten Array-Spalten, wobei der Array-Controller ferner eingerichtet ist zum Abbilden der Adressen der ersten Referenz-Spalte auf die zweite Redundanz-Spalte.
Speichereinrichtung (200) gemäß Anspruch 6, wobei das Speicher-Array (210) ferner eine zweite Referenz-Spalte aufweist, welche im Wesentlichen angepasst ist an die Lade-Charakteristika von einer oder mehreren der zweiten Array-Spalten, wobei der Array-Controller ferner eingerichtet ist zum Abbilden der Adresse der zweiten Referenz-Spalte auf die erste Redundanz-Spalte. Speichereinrichtung (200) gemäß Anspruch 6 oder 7, wobei das Speicher-Array (210) einen nicht-flüchtigen Speicher aufweist. Speichereinrichtung (200) gemäß einem der Ansprüche 6 bis 8, wobei das Speicher-Array (210) einen flüchtigen Speicher aufweist. In einer Speichereinrichtung (200) mit einem Speicher-Array (210) und einer oder mehreren Spalten-Redundanz-Strukturen (220), welche mit dem Speicher-Array (210) assoziiert sind, wobei das Speicher-Array (210) eine Mehrzahl von Array-Spalten aufweist, welche mit einer Mehrzahl von Speicherzellen gekoppelt sind, ein Verfahren zum Wiederverwenden einer Spalten-Redundanz-Struktur (220) zum Umgehen von defekten Array-Spalten, wobei das Verfahren aufweist:

• Anordnen des Speicher-Arrays (210) in eine Mehrzahl von adressierbaren ersten Array-Spalten und in eine Mehrzahl von adressierbaren zweiten Array-Spalten;

• Anordnen der Spalten-Redundanz-Struktur (220) in eine adressierbare erste Redundanz-Spalte und in eine adressierbare zweite Redundanz-Spalte;

• Ersetzen einer ersten Array-Spalte, für die ermittelt worden ist, dass sie defekt ist, während einer ersten Spalten-Ersetzungs-Operation, mittels Abbildens der Adresse der defekten ersten Array-Spalte auf die Adresse der ersten Redundanz-Spalte; und

• Ersetzen einer zweiten Array-Spalte, für die ermittelt wurde, dass sie defekt ist, während einer zweiten Spalten-Ersetzungs-Operation, mittels Abbildens der Adresse der defekten zweiten Array-Spalte auf die Adresse der zweiten Redundanz-Spalte.
Verfahren gemäß Anspruch 10,

wobei die Speichereinrichtung (200) ferner aufweist eine erste Referenz-Spalte, welche im Wesentlichen angepasst ist an die Lade-Charakteristika der ersten Array-Spalte, und

wobei das Ersetzen einer ersten Array-Spalte ferner aufweist das Abbilden der Adresse der ersten Referenz-Spalte auf die Adresse der zweiten Redundanz-Spalte.
Verfahren gemäß Anspruch 10 oder 11,

wobei die Speichereinrichtung (200) ferner aufweist eine zweite Referenz-Spalte, welche im Wesentlichen angepasst ist an die Ladecharakteristika der zweiten Array-Spalte, und

wobei das Ersetzen einer zweiten Array-Spalte ferner aufweist das Abbilden der Adresse der zweiten Referenz-Spalte auf die Adresse der ersten Redundanz-Spalte.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei das Anordnen des Speicher-Arrays (210) in eine Mehrzahl von adressierbaren ersten Array-Spalten und eine Mehrzahl von adressierbaren zweiten Array-Spalten aufweist ein Aufteilen des Speicher-Arrays in eine Mehrzahl von adressierbaren geradzahligen Array-Spalten und eine Mehrzahl von adressierbaren ungeradzahligen Array-Spalten. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei das Anordnen der Spalten-Redundanz-Struktur (220) in eine adressierbare erste Redundanz-Spalte und in eine adressierbare zweite Redundanz-Spalte aufweist ein Unterteilen der Spalten-Redundanz-Struktur (220) in eine adressierbare geradzahlige Redundanz-Spalte und in eine adressierbare ungeradzahlige Redundanz-Spalte. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 bis 14, ferner aufweisend ein Auswählen einer zweiten Spalten-Redundanz-Struktur und ein Wiederholen eines jeden Verfahrenschritts des Verfahrens gemäß Patentanspruch 10 unter Verwendung der zweiten Spalten-Redundanz-Struktur. Computerprogramm-Produkt,

gespeichert auf einem computerlesbaren Medium, eingerichtet zum Speichern ausführbarer Instruktionen zum Steuern einer Speichereinrichtung (200) zum Wiederverwenden einer Spalten-Redundanz-Struktur (220) zum Umgehen defekter Array-Spalten innerhalb eines Speicher-Arrays (210), wobei das Computerprogramm-Produkt aufweist:

• Instruktions-Code zum Anordnen des Speicher-Arrays (210) in eine Mehrzahl von adressierbaren ersten Array-Spalten und einer Mehrzahl von adressierbaren zweiten Array-Spalten;

• Instruktions-Code zum Anordnen der Spalten-Redundanz-Struktur (220) in eine adressierbare erste Redundanz-Spalte und in eine adressierbare zweite Redundanz-Spalte;

• Instruktions-Code zum Ersetzen einer ersten Array-Spalte, für die ermittelt worden ist, dass sie defekt ist, während einer ersten Spalten-Ersetzungs-Operation, mittels Abbildens der Adresse der defekten ersten Array-Spalte auf die Adresse der ersten Redundanz-Spalte; und

• Instruktions-Code zum Ersetzen einer zweiten Array-Spalte, für die ermittelt worden ist, dass sie defekt ist, während einer zweiten Spalten-Ersetzungs-Operation, mittels Abbildens der Adresse der defekten zweiten Array-Spalte auf die Adresse der zweiten Redundanz-Spalte.
Computerprogramm-Produkt gemäß Anspruch 16,

• wobei die Speichereinrichtung (200) ferner aufweist eine erste Referenz-Spalte, welche im Wesentlichen angepasst ist an die Ladecharakteristika der ersten Array-Spalte, und

• wobei der Instruktions-Code zum Ersetzen der ersten Array-Spalte ferner aufweist Instruktions-Code zum Abbilden der Adresse der ersten Referenz-Spalte auf die Adresse der zweiten Redundanz-Spalte.
Computerprogramm-Produkt gemäß Anspruch 16 oder 17,

• wobei die Speichereinrichtung (200) ferner aufweist eine zweite Referenz-Spalte, welche im Wesentlichen angepasst ist an die Lade-Charakteristika der zweiten Array-Spalte, und

• wobei der Instruktions-Code zum Ersetzen der zweiten Array-Spalte ferner aufweist Instruktions-Code zum Abbilden der Adresse der zweiten Referenz-Spalte auf die Adresse der ersten Redundanz-Spalte.
Computerprogramm-Produkt gemäß einem der Ansprüche 16 bis 18, wobei der Instruktions-Code zum Anordnen des Speicher-Arrays (210) in einer Mehrzahl von ersten Array-Spalten und eine Mehrzahl von adressierbaren zweiten Array-Spalten aufweist Instruktions-Code zum Unterteilen des Speicher-Arrays (210) in eine Mehrzahl von adressierbaren geradzahligen Array-Spalten und eine Mehrzahl von adressierbaren ungeradzahligen Array-Spalten. Computerprogramm-Produkt gemäß einem der Ansprüche 16 bis 19, wobei der Instruktions-Code zum Anordnen der Spalten-Redundanz-Struktur (220) in eine adressierbare erste Redundanz-Spalte und eine adressierbare zweite Redundanz-Spalte aufweist Instruktions-Code zum Unterteilen der Spalten-Redundanz-Struktur (220) in eine adressierbare geradzahlige Redundanz-Spalte und eine adressierbare ungeradzahlige Redundanz-Spalte.






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