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Dokumentenidentifikation DE102005041295B3 22.02.2007
Titel Verfahren und Vorrichtungen zum Einschalten und Ausschalten einer Spannungsversorgung einer Spannungsdomäne einer Halbleiterschaltung und entsprechende Halbleiterschaltung
Anmelder Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
Erfinder Sellmair, Gerald, 84036 Landshut, DE;
Acharya, Pramod, 80809 München, DE
Vertreter Patent- und Rechtsanwälte Kraus & Weisert, 80539 München
DE-Anmeldedatum 31.08.2005
DE-Aktenzeichen 102005041295
Veröffentlichungstag der Patenterteilung 22.02.2007
Veröffentlichungstag im Patentblatt 22.02.2007
IPC-Hauptklasse H02H 9/02(2006.01)A, F, I, 20051017, B, H, DE
IPC-Nebenklasse G05F 1/10(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, DE   G06F 1/26(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, DE   H03K 17/16(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, DE   
Zusammenfassung Bei einem Verfahren und einer Vorrichtung zum Einschalten und Ausschalten einer Spannungsversorgung (4) einer Spannungsdomäne (20) einer Halbleiterschaltung (10) wird zuerst ein erstes schaltbares Element (1) und nach einer vorbestimmten Zeitdauer ein zweites schaltbares Element (2) durchgängig geschaltet, wobei die Treiberfähigkeit des ersten schaltbaren Elements kleiner als die Treiberfähigkeit des zweiten schaltbaren Elements ist. Dabei sind insbesondere, wenn die zu schaltende Spannungsversorgung (4) VSS ist, das erste schaltbare Element ein PMOS-Transistor (1) und das zweite schaltbare Element ein NMOS-Transistor (2).

Beschreibung[de]

Die vorliegende Erfindung betrifft Verfahren und Vorrichtungen zum Einschalten und Ausschalten von schaltbaren Spannungsversorgungen von Spannungsdomänen einer Halbleiterschaltung und eine entsprechend ausgestaltete Halbleiterschaltung.

Die DE 10 2004 016 920 A1, bei welcher es sich um nachveröffentlichten Stand der Technik mit älterem Zeitrang gemäß § 3(2) Nr. 1 PatG handelt, beschreibt ein Verfahren und eine entsprechend ausgestaltete Halbleiterschaltung, wobei zum Schalten einer Spannungsversorgung von mindestens einer Spannungsdomäne einer Halbleiterschaltung mehrere Mikroschalter eingesetzt werden, welche im Standardzellendesign entworfen sind.

Die DE 696 23 394 T2 beschreibt eine Einschaltstrombegrenzerschaltung mit einem Vorwiderstand parallel zu einem Schalter, wobei der Schalter zeitverzögert durchgeschaltet wird und den Vorwiderstand überbrückt.

Das Abschalten nicht benötigter Schaltungsblöcke einer Halbleiterschaltung ist ein bewährtes Verfahren, um Leckstromverluste in zeitweise nicht benötigten Schaltungsteilen drastisch zu reduzieren. Dieses Verfahren ist gerade bei hinsichtlich eines Stromverbrauchs kritischen Schaltungen, wie z.B. bei Basisbandschaltungen, um eine lange Standby-Zeit zu erreichen, äußerst wichtig. Nach dem Stand der Technik wird dazu heutzutage meist eine Verbindung zwischen einer lokalen Masse des abzuschaltenden Schaltungsteils von der Masse der Halbleiterschaltung mittels eines einzelnen Schalters unterbrochen, wobei dieser Schalter in der Regel ein großer nMOSFET-Transistor mit einem geringeren Leckstrom ist, welcher über ein zentrales Spannungsversorgungssignal gesteuert wird. (Analoge Lösungen sind auch mittels eines pMOSFET-Transistors und Schalten von VDD möglich.) Nach dem Abschalten laden sich die inneren Kapazitäten der abgeschalteten Schaltungsblöcke auf VDD. Nach dem Wiedereinschalten müssen diese Kapazitäten wieder entladen werden. Dabei können während des Wiedereinschaltprozesses unkontrollierte Schaltvorgänge (Glitches, Spikes) auftreten, welche neben dem Entladestrom für die Kapazitäten einen zusätzlichen Strom auf Versorgungsleitungen der Halbleiterschaltung verursachen. Folglich muss kurz nach dem Wiedereinschalten eines Schaltungsblocks mit hohen Stromspitzen gerechnet werden.

Diese Stromspitzen sorgen zusammen mit den Induktivitäten und den Widerständen des Versorgungsspannungsnetzes der Halbleiterschaltung für einen übermäßigen Anstieg und/oder Abfall der Versorgungsspannung (RLC-Schwingkreis) und stören dabei auch benachbarte Logikschaltungen, welche nicht abgeschaltet worden sind. Aber auch das Ausschalten der Spannungsversorgung einer Spannungsdomäne kann zu hohen Spannungsspitzen führen, da abrupte Änderungen eines Stromes, welche beim Ausschalten auftreten, bei entsprechend großen Induktivitäten und geringer resistiver Dämpfung zu Spannungsspitzen führen. Aus diesem Grund ist es von entscheidender Bedeutung, die Strom- und Spannungsspitzen beim Ein- und Ausschalten von zeitweilig ausgeschalteten Schaltungsblöcken zu kontrollieren und möglichst klein zu halten.

Daher liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung bereitzustellen, welche in der Lage sind, eine Spannungsversorgung einer Spannungsdomäne einer Halbleiterschaltung derart ein- und auszuschalten, dass dabei geringere Strom- und Spannungsspitzen auftreten, als es nach dem Stand der Technik üblich ist.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren zum Einschalten einer Spannungsversorgung nach Anspruch 1, ein Verfahren zum Ausschalten einer Spannungsversorgung nach Anspruch 11, eine Vorrichtung zum Einschalten einer Spannungsversorgung nach Anspruch 22 und eine Vorrichtung zum Ausschalten einer Spannungsversorgung nach Anspruch 32 gelöst. Die abhängigen Ansprüche definieren bevorzugte und vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung.

Im Rahmen der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Einschalten einer Spannungsversorgung einer Spannungsdomäne bzw. eines bezüglich seiner Versorgungsspannung abschaltbaren Schaltungsteils einer Halbleiterschaltung bereitgestellt. Dabei wird zuerst ein erstes schaltbares Element, insbesondere ein Transistor, und eine gewisse Zeitspanne später ein zweites schaltbares Element, insbesondere ein Transistor, durchgängig geschaltet, wobei die Spannungsdomäne mit diesen beiden schaltbaren Elementen zur Spannungsversorgung mit einer Versorgungsspannung der Halbleiterschaltung verbunden wird. Dabei ist die Treiberfähigkeit des ersten schaltbaren Elements kleiner als die Treiberfähigkeit des zweiten schaltbaren Elements. Anders ausgedrückt wird die Spannungsversorgung der Spannungsdomäne mit diesen beiden schaltbaren Elementen eingeschaltet, indem diese beiden schaltbaren Elemente nacheinander die Spannungsversorgung der Spannungsdomäne mit der Versorgungsspannung der Halbleiterschaltung verbinden.

Indem zuerst das schaltbare Element mit der geringeren Treiberfähigkeit eingeschaltet wird, werden Strom- und Spannungsspitzen, welche gerade sofort nach dem Einschalten der Spannungsversorgung auftreten, gering gehalten, da der Strom durch das erste schaltbare Elements aufgrund seiner geringen Treiberfähigkeit begrenzt ist. Durch das Einschalten des zweiten schaltbaren Elements mit der höheren Treiberfähigkeit wird dann dafür gesorgt, dass eine Verbindung zwischen der Spannungsdomäne und der Versorgungsspannung der Halbleiterschaltung ausreichend dimensioniert ist, damit alle Schaltungsteile innerhalb der Spannungsdomäne ordnungsgemäß arbeiten können. Beim späteren Einschalten des zweiten schaltbaren Elements treten im Vergleich zum Einschalten des ersten schaltbaren Elements keine größeren Strom- oder Spannungsspitzen auf, da die Spannungsdomäne durch das erste schaltbare Element quasi bereits voreingeschaltet ist, wodurch ein Spannungsunterschied zwischen der Spannungsdomäne, d.h. einer ein Versorgungsspannungspotenzial tragenden Leiterbahn der Spannungsdomäne, und der Versorgungsspannung der Halbleiterschaltung geringer ist, als wenn das erste schaltbare Element nicht vorab eingeschaltet worden wäre.

Vorteilhafter Weise nimmt die Treiberfähigkeit des ersten schaltbaren Elements umso mehr ab, je geringer die betragsmäßige Differenz des Potenzials der Spannungsversorgung der Spannungsdomäne und des Potenzials der Versorgungsspannung der Halbleiterschaltung wird.

Indem die Treiberfähigkeit des ersten schaltbaren Elements umso mehr abnimmt, je kleiner die betragsmäßige Differenz der Potenziale der Spannungsversorgung der Spannungsdomäne und der Versorgungsspannung der Halbleiterschaltung ist, wird eine Ausbildung von Strom- und Spannungsspitzen beim Einschalten besser gedämpft, als wenn die Treiberfähigkeit des ersten schaltbaren Elements konstant bliebe.

Darüber hinaus kann das Verfahren zum Einschalten der Spannungsversorgung einer Spannungsdomäne derart beschaffen sein, dass beim Einschalten der Spannungsversorgung der Spannungsdomäne in einem ersten Schritt eine betragsmäßige Differenz zwischen den Potenzialen der Spannungsversorgung der Spannungsdomäne und der Versorgungsspannung der Halbleiterschaltung nicht unterschritten wird.

Dadurch wird vorteilhafter Weise dafür gesorgt, dass die Spannungsversorgung der Spannungsdomäne in dem ersten Schritt nicht vollständig eingeschaltet wird, da nur die Differenz zwischen den Potenzialen der Spannungsversorgung der Spannungsdomäne und der Versorgungsspannung der Halbleiterschaltung in dem ersten Schritt auf einen gewissen Wert größer als 0 abgesenkt und erst in einem weiteren Schritt vollständig abgebaut wird. Auch dieses Merkmal sorgt erfindungsgemäß dafür, dass die Ausbildung von Strom- und Spannungsspitzen beim Einschalten noch besser gedämpft werden.

Wenn die zu schaltende Versorgungsspannung im eingeschalteten Zustand auf VSS liegt bzw. VSS ist, ist vorzugsweise das erste schaltbare Element ein Transistor vom P-Leitungstyp und das zweite schaltbare Element ein Transistor von N-Leitungstyp. Dabei werden insbesondere zum Einschalten der Spannungsversorgung der Steuereingang des Transistors vom P-Leitungstyp mit VSS und eine gewisse Zeitspanne später der Steuereingang des Transistors vom N-Leitungstyp mit VDD angesteuert.

Der Einsatz eines Transistors vom P-Leitungstyp als zuerst eingeschaltetem Transistor weist Vorteile auf, wenn eine Masse der Spannungsdomäne mit der Masse bzw. VSS der Halbleiterschaltung verbunden wird, da die Leitfähigkeit des Transistors vom P-Leitungstyp im Vergleich zu einem Transistor vom N-Leitungstyp eher abfällt, wenn die Masse der Spannungsdomäne, welche vor dem Einschalten als auf VDD liegend angenommen werden kann, sich VSS nähert. Daher sorgen die inhärenten Eigenschaften des Transistors vom P-Leitungstyp beim Einschalten der Spannungsversorgung, wenn es sich dabei um VSS handelt, dafür, dass Strom- und Spannungsspitzen besser unterdrückt werden, als dies beispielsweise bei einem Transistor vom N-Leitungstyp der Fall wäre. Genau umgekehrt verhält es sich beim als zweiten eingeschalteten Transistor. Hier ist es vorteilhaft, als zweiten eingeschalteten Transistor den Transistor vom N-Leitungstyp einzusetzen, da seine Leitfähigkeit auch dann nahezu nicht abfällt, wenn die Masse der Spannungsdomäne aufgrund des Einschaltvorgangs bereits nahe VSS liegt, wodurch der Transistor vom N-Leitungstyp optimal dafür sorgt, dass die Masse der Spannungsdomäne auf VSS verbleibt, solange die Spannungsversorgung der Spannungsdomäne über die beiden Transistoren eingeschaltet ist.

Wenn die Versorgungsspannung auf VDD liegt bzw. VDD ist, ist vorzugsweise das erste schaltbare Element ein Transistor vom N-Leitungstyp und das zweite schaltbare Element ein Transistor von P-Leitungstyp. Dabei werden insbesondere zum Einschalten der Spannungsversorgung der Steuereingang des Transistors vom N-Leitungstyp mit VDD und eine gewisse Zeitspanne später der Steuereingang des Transistors vom P-Leitungstyp mit VSS angesteuert.

Aus den gleichen Gründen, welche vorab für den Fall aufgeführt wurden, dass die Versorgungsspannung auf VSS liegt, ist es nun aufgrund der inhärenten Eigenschaften der Transistoren vom P-Leitungstyp und N-Leitungstyp von Vorteil, dass der zuerst eingeschaltete Transistor vom N-Leitungstyp und der danach geschaltete Transistor vom P-Leitungstyp ist, wenn die Versorgungsspannung VDD geschaltet wird.

Wenn die Halbleiterschaltung nicht eine Spannungsdomäne sondern mehrere Spannungsdomänen, deren Spannungsversorgung jeweils durch ein erstes und ein zweites schaltbares Element schaltbar ist, umfasst, ist es vorteilhaft, in einem ersten Schritt nacheinander (Prinzip Daisy Chain) alle ersten schaltbaren Elemente durchgängig zu schalten und anschließend in einem zweiten Schritt nacheinander (Prinzip Daisy Chain) alle zweiten schaltbaren Elemente durchgängig zu schalten.

Indem zuerst alle ersten schaltbaren Elemente aller Spannungsdomänen nacheinander eingeschaltet werden, liegt automatisch eine bestimmte Zeitspanne zwischen dem Einschalten des ersten und des zweiten schaltbaren Elements für eine Spannungsdomäne. Darüber hinaus sorgt das nacheinander durchgeführte Einschalten der ersten und zweiten schaltbaren Elemente dafür, dass sich die durch die schaltbaren Elemente fließenden Ströme nicht negativer Weise zu einem zu großen zeitgleichen Gesamtstrom aufaddieren.

Eine Spannungsdomäne kann auch mehrere Bereiche umfassen, wobei jeder Bereich jeweils ein erstes und ein zweites schaltbares Element zum Schalten der Spannungsversorgung der Spannungsdomäne umfasst. Anders ausgedrückt ist die Spannungsdomäne durch mehrere erste und mehrere zweite schaltbare Elemente zur Spannungsversorgung mit einer Versorgungsspannung der Halbleiterschaltung verbunden. Dann ist es vorteilhaft, in einem ersten Schritt nacheinander (Prinzip Daisy Chain) alle ersten schaltbaren Elemente durchgängig zu schalten und anschließend in einem zweiten Schritt nacheinander (Prinzip Daisy Chain) alle zweiten schaltbaren Elemente durchgängig zu schalten.

Indem zuerst alle ersten schaltbaren Elemente aller Bereiche nacheinander eingeschaltet werden, liegt analog zu der oben beschriebenen Variante der Halbleiterschaltung mit mehreren Spannungsdomänen automatisch eine bestimmte Zeitspanne zwischen dem Einschalten des ersten und des zweiten schaltbaren Elements für einen Bereich. Darüber hinaus sorgt das nacheinander durchgeführte Einschalten der ersten und zweiten schaltbaren Elemente dafür, dass sich die durch die schaltbaren Elemente fließenden Ströme nicht negativer Weise zu einem zu großen zeitgleichen Gesamtstrom aufaddieren.

Selbstverständlich kann die Halbleiterschaltung auch mehrere Spannungsdomänen umfassen, wobei jede Spannungsdomäne wiederum mehrere Bereiche aufweist, wobei jeder Bereich jeweils ein erstes und ein zweites schaltbares Element zum Schalten der Spannungsversorgung der jeweiligen Spannungsdomäne umfasst. Dabei ist es vorteilhaft, in einem ersten Schritt nacheinander alle ersten schaltbaren Elemente durchgängig zu schalten und anschließend in einem zweiten Schritt nacheinander alle zweiten schaltbaren Elemente durchgängig zu schalten.

Im Rahmen der vorliegenden Erfindung wird auch ein Verfahren zum Ausschalten einer Spannungsversorgung einer Spannungsdomäne einer Halbleiterschaltung bereitgestellt. Dabei wird ähnlich wie bei dem Verfahren zum Einschalten einer Spannungsversorgung die Spannungsdomäne durch ein erstes und ein zweites schaltbares Element mit einer Versorgungsspannung der Halbleiterschaltung verbunden. Zum Ausschalten der Spannungsversorgung wird zuerst das erste schaltbare Element, insbesondere ein Transistor, und eine vorbestimmte Zeitspanne später das zweite schaltbare Element, insbesondere ein Transistor, nicht durchgängig geschaltet. Dabei liegt die Treiberfähigkeit des ersten schaltbaren Elements über der Treiberfähigkeit des zweiten schaltbaren Elements.

Da in der Regel die größten Strom- und Spannungsspitzen auftreten, wenn die Verbindung der Spannungsdomäne mit der Versorgungsspannung der Halbleiterschaltung vollständig unterbrochen wird, ist es vorteilhaft erst das schaltbare Element mit der größeren Treiberfähigkeit abzuschalten bzw. nicht durchgängig zu schalten und anschließend eine bestimmte Zeitspanne später die Spannungsversorgung mittels des schaltbaren Elements mit der geringeren Treiberfähigkeit vollständig abzuschalten.

Vorteilhafter Weise kann beim Ausschalten der Spannungsversorgung der Spannungsdomäne nach Erreichen einer betragsmäßigen Differenz zwischen den Potenzialen der Spannungsversorgung der Spannungsdomäne und der Versorgungsspannung der Halbleiterschaltung eine Änderungsgeschwindigkeit der betragsmäßigen Differenz zwischen den Potenzialen der Spannungsversorgung der Spannungsdomäne und der Versorgungsspannung der Halbleiterschaltung abgeschwächt werden. Das bedeutet, dass beim Abschalten ausgehend von nahezu gleichen Potenzialen der Spannungsversorgung der Spannungsdomäne und der Versorgungsspannung der Halbleiterschaltung zuerst eine gewisse betragsmäßige Differenz dieser Potenziale erreicht wird, bevor ein weiterer Anstieg dieser betragsmäßigen Differenz erfindungsgemäß gedämpft wird.

Aufgrund der inhärenten Eigenschaften der Transistoren vom P-Leitungstyp und N-Leitungstyp ist es für den Fall, dass die Versorgungsspannung auf VSS liegt, vorteilhaft, dass der erste Transistor, welcher zuerst abgeschaltet wird, vom N-Leitungstyp ist, und dass der zweite Transistor, welcher eine vorbestimmte Zeitspanne nach dem ersten Transistor abgeschaltet wird, vom P-Leitungstyp ist. Genauso ist es vorteilhaft, dass für den Fall, dass die Versorgungsspannung auf VDD liegt, der erste Transistor vom P-Leitungstyp und der zweite Transistor vom N-Leitungstyp sind.

Da die Gründe für die Wahl der Transistoren vom P-Leitungstyp und N-Leitungstyp für das Ausschalten der Spannungsversorgung mit den Gründen für die Wahl der Leitungstypen für das Einschalten der Spannungsversorgung äquivalent sind und diese Gründe bei der Beschreibung des Verfahrens zum Einschalten der Spannungsversorgung ausführlich diskutiert wurden, wird hier auf eine Wiederholung verzichtet und gegebenenfalls auf die folgende Beschreibung bestimmter Ausführungsformen verwiesen.

Im Rahmen der vorliegenden Erfindung wird auch eine Vorrichtung zum Einschalten einer Spannungsversorgung einer Spannungsdomäne einer Halbleiterschaltung bereitgestellt. Dabei umfasst die Vorrichtung ein erstes und ein zweites schaltbares Element sowie Steuermittel. Die Spannungsdomäne ist mittels des ersten und des zweiten schaltbaren Elements, welche jeweils insbesondere ein Transistor sind, mit einer Versorgungsspannung der Halbleiterschaltung verbunden. Die Steuermittel schalten zuerst das erste schaltbare Element, welches eine geringere Treiberfähigkeit als das zweite schaltbare Element aufweist, durchgängig, bevor sie nach einer vorbestimmten Zeitspanne das zweite schaltbare Element durchgängig schalten.

Darüber hinaus wird im Rahmen der vorliegenden Erfindung eine Vorrichtung zum Ausschalten einer Spannungsversorgung einer Spannungsdomäne einer Halbleiterschaltung bereitgestellt. Genau wie die Vorrichtung zum Einschalten der Spannungsversorgung umfasst diese Vorrichtung ein erstes und ein zweites schaltbares Elemente sowie Steuermittel. Die Spannungsdomäne ist über das erste und das zweite schaltbare Element mit der Versorgungsspannung der Halbleiterschaltung verbunden. Die Steuermittel unterbrechen zuerst eine Verbindung zwischen der Spannungsdomäne und der Versorgungsspannung, welche über das erste schaltbare Element, welches eine höhere Treiberfähigkeit als das zweite schaltbare Element aufweist, verläuft, indem das erste schaltbare Elemente hochohmig geschaltet wird. Anschließend schalten die Steuermittel nach einer vorbestimmten Zeitdauer das zweite schaltbare Element nicht durchgängig.

Die Vorteile der Vorrichtung zum Einschalten und der Vorrichtung zum Ausschalten der Spannungsversorgung entsprechen den Vorteilen der Verfahren zum Einschalten und Ausschalten der Spannungsversorgung, welche vorab beschrieben sind und aus diesem Grund im Folgenden nicht wiederholt werden.

Es sei darauf hingewiesen, dass im Rahmen der vorliegenden Erfindung auch ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Ein- und Ausschalten einer Spannungsversorgung einer Spannungsdomäne einer Halbleiterschaltung offenbart sind, welche eine Kombination der entsprechenden Verfahren und Vorrichtungen zum Ein- oder Ausschalten einer Spannungsversorgung einer Spannungsdomäne einer Halbleiterschaltung darstellen.

Die vorliegende Erfindung eignet sich vorzugsweise zum Einsatz in mikroelektronischen Schaltungen, welche durch Akkus oder Batterien versorgt werden, wie beispielsweise Laptops oder Handys. Selbstverständlich ist die vorliegende Erfindung jedoch nicht auf diesen bevorzugten Anwendungsbereich beschränkt, sondern kann auch allgemein eingesetzt werden, um den Stromverbrauch mikroelektronischer Schaltungen zu verringern.

Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend näher unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung an Hand bevorzugter Ausführungsbeispiele erläutert.

1 stellt zwei schaltbare Elemente dar, welche eine Verbindung zwischen einer Versorgungsspannung einer Halbleiterschaltung und einer Versorgungsspannung einer Spannungsdomäne erfindungsgemäß schaltbar ausgestalten.

2 stellt eine erfindungsgemäße Ausführungsform einer Vorrichtung zum Ein- oder Ausschalten einer Spannungsversorgung dar, wobei die beiden schaltbaren Elemente mittels einer lokalen Steuerlogik gesteuert sind.

3 stellt eine erfindungsgemäße Ausführungsform einer Vorrichtung zum Ein- und Ausschalten von Spannungsversorgungen mehrerer Spannungsdomänen einer Halbleiterschaltung dar, wobei die beiden schaltbaren Elemente pro Spannungsdomäne von Steuermitteln gesteuert sind.

4 stellt eine erfindungsgemäße Variante für ein erstes schaltbares Element dar.

In 1 ist eine Versorgungsspannung 4 einer Spannungsdomäne einer Halbleiterschaltung bzw. eine die Versorgungsspannung der Spannungsdomäne tragende Leiterbahn 4 und eine Versorgungsspannung 3 der Halbleiterschaltung bzw. eine die Versorgungsspannung der Halbleiterschaltung tragende Leiterbahn 3 dargestellt, welche mit einem PMOS-Transistor 1 und einem NMOS-Transistor 2 verbunden sind.

Im ersten Fall sei angenommen, dass die Versorgungsspannung 3 der Halbleiterschaltung VSS sei. In diesem Fall weist der PMOS-Transistor 1 erfindungsgemäß eine geringere Treiberfähigkeit als der NMOS-Transistor 2 auf. Dies wird z.B. dadurch realisiert, dass das W/L-Verhältnis (Kanalweite zu Kanallänge) bei dem NMOS-Transistor 2 größer als bei dem PMOS-Transistor 1 gewählt wird.

Nachdem eine Spannungsdomäne (nicht in 1 dargestellt), welche durch die Versorgungsspannung 4 versorgt wird, längere Zeit abgeschaltet ist, liegt das Potenzial der Versorgungsspannung 4 der Spannungsdomäne näherungsweise auf VDD. Wenn dann erfindungsgemäß ein Steuereingang bzw. Gate-Anschluss des PMOS-Transistors 1 mit VSS angesteuert wird, um die Spannungsversorgung der Spannungsdomäne einzuschalten, liegt die Gate-Source-Spannung des PMOS Transistors oberhalb der Einsatzspannung des PMOS-Transistors 1, so dass der PMOS-Transistor 1 durchgängig geschaltet ist. Da der PMOS-Transistor 1 durchgängig geschaltet ist, wird das Potenzial der Versorgungsspannung 4 mehr und mehr auf das Potenzial der Versorgungsspannung 3 der Halbleiterschaltung, nämlich VSS gezogen. Dadurch sinkt die Gate-Source-Spannung des PMOS-Transistors 1 ab (da der Source-Anschluss des PMOS-Transistors 1 als der Anschluss angesehen werden muss, welcher mit der Versorgungsspannung 4 der Spannungsdomäne verbunden ist) und nähert sich der Einsatzspannung, wodurch die Leitfähigkeit des PMOS-Transistors 1 stark abnimmt. Dadurch wird vorteilhafter Weise etwaigen Stromspitzen entgegengewirkt. Eine vorbestimmte Zeitspanne nachdem der Gate-Anschluss 11 des PMOS-Transistors 1 mit VSS angesteuert worden ist, wird der Gate-Anschluss 21 des NMOS-Transistors 2 mit VDD angesteuert. Da der Source-Anschluss des NMOS-Transistors 2 mit der Versorgungsspannung 3 der Halbleiterschaltung, also mit VSS, verbunden ist, verbleibt bei dem NMOS-Transistor die Gate-Source-Spannung unabhängig von dem Potenzial der Versorgungsspannung 4 der Spannungsdomäne oberhalb der Einsatzspannung, wodurch der NMOS-Transistor ständig durchgängig geschaltet ist. Dadurch ist gewährleistet, dass die Versorgungsspannung 4 der Spannungsdomäne vollständig auf das Potenzial VSS der Versorgungsspannung 3 der Halbleiterschaltung gezogen wird.

Beim Ausschalten der Spannungsversorgung der Spannungsdomäne wird zuerst der NMOS-Transistor 2 nicht durchgängig geschaltet, in dem der Gate-Anschluss 21 mit VSS angesteuert wird. Eine vorbestimmte Zeitspanne später wird auch der PMOS-Transistor 1 nicht durchgängig geschaltet, indem sein Gate-Anschluss mit VDD angesteuert wird.

Im zweiten Fall sei angenommen, dass die Versorgungsspannung 3 der Halbleiterschaltung auf VDD liegt. In diesem Fall besitzt erfindungsgemäß der PMOS-Transistor 1 eine größere Treiberfähigkeit als der NMOS-Transistor 2. Wenn die Spannungsdomäne lang genug abgeschaltet ist, liegt das Potenzial der Versorgungsspannung 4 der Spannungsdomäne näherungsweise auf VSS. Wenn dann der Gate-Anschluss des NMOS-Transistors 2 mit VDD angesteuert wird, liegt die Gate-Source-Spannung des NMOS-Transistors oberhalb der Einsatzspannung des NMOS-Transistors 2, da der Source-Anschluss des NMOS-Transistors 2 in diesem Fall als mit der Versorgungsspannung 4 der Spannungsdomäne verbunden anzunehmen ist. Je mehr das Potenzial der Versorgungsspannung 4 der Spannungsdomäne auf das Potenzial der Versorgungsspannung 3 der Halbleiterschaltung, nämlich VDD, gezogen wird, um so mehr sinkt die Gate-Source-Spannung des NMOS-Transistors 2, wodurch die Leitfähigkeit des NMOS-Transistors 2 stark abnimmt. Auch dies wirkt vorteilhafter Weise Stromspitzen des Stroms durch den NMOS-Transistor 1 entgegen. Eine vorbestimmte Zeitspanne nach dem Einschalten des NMOS-Transistors 2 wird der Gate-Anschluss 11 des PMOS-Transistors 1 mit VSS angesteuert, wodurch der PMOS-Transistor 1 durchgängig geschaltet ist. Da die Gate-Source-Spannung des PMOS-Transistors 1 in diesem Fall ständig oberhalb der Einsatzspannung liegt, da der Source-Anschluss des PMOS-Transistors 1 als mit der Versorgungsspannung 3 der Halbleiterschaltung verbunden anzusehen ist, sinkt die Gate-Source-Spannung des PMOS-Transistors 1 nie unter die Einsatzspannung. Dadurch ist gewährleistet, dass durch den PMOS-Transistor 1 das Potenzial der Versorgungsspannung 4 der Spannungsdomäne auf dem Potenzial der Versorgungsspannung 3 der Halbleiterschaltung gehalten wird.

Zum Abschalten der Versorgungsspannung wird zuerst der PMOS-Transistor 1 abgeschaltet, indem sein Gate-Anschluss 11 mit VDD angesteuert wird. Eine vorbestimmte Zeitspanne später wird auch der NMOS-Transistor 2 abgeschaltet, indem sein Gate-Anschluss 21 mit VSS angesteuert wird.

4 stellt eine erfindungsgemäße Variante der in 1 dargestellten Anordnung dar. Dabei wird im Folgenden nur auf die Unterschiede und Besonderheiten der Anordnung der 4 im Vergleich zur Anordnung der 1 eingegangen. Im Vergleich zu 1 ist in 4 die Versorgungsspannung 4 der Spannungsdomäne und die Versorgungsspannung 3 der Halbleiterschaltung anstelle des PMOS-Transistors 1 mit einem schaltbaren Element 1' verbunden, welches einen ersten NMOS-Transistor 5 und einen zweiten NMOS-Transistor 6 umfasst. Dabei ist der Drain-Anschluss und der Gate-Anschluss des ersten NMOS-Transistors 5 mit der Versorgungsspannung 4 der Spannungsdomäne verbunden, während der Source-Anschluss des ersten NMOS-Transistors 5 mit dem Drain-Anschluss des zweiten NMOS-Transistors 6 verbunden ist. Der Source-Anschluss des zweiten NMOS-Transistors 6 ist mit der Versorgungsspannung 3 der Halbleiterschaltung verbunden. Somit weist der erste NMOS-Transistor 5 die Funktionalität einer Diode auf.

Im Folgenden sei angenommen, dass die Versorgungsspannung 3 der Halbleiterschaltung VSS sei. In diesem Fall weist das schaltbare Element 1' bzw. die NMOS-Transistoren 5, 6 eine geringere Treiberfähigkeit auf als der NMOS-Transistor 2. Zum Einschalten der Versorgungsspannung 4 der Spannungsdomäne wird der Gate-Anschluss 11 des zweiten NMOS-Transistors 6 mit VDD angesteuert. Dabei liegt die Gate-Source-Spannung des zweiten NMOS-Transistors 6 oberhalb dessen Einsatzspannung, so dass der zweite NMOS-Transistor 6 durchgängig geschaltet ist. Dadurch wird das Potenzial der Versorgungsspannung 4genau wie bei der Anordnung der 1 mehr und mehr auf das Potenzial der Versorgungsspannung 3 der Halbleiterschaltung, nämlich VSS gezogen. Dadurch sinkt die Gate-Source-Spannung des ersten NMOS-Transistors 5 ab, wodurch die Treiberfähigkeit bzw. Leitfähigkeit des ersten NMOS-Transistors 5 mehr und mehr abnimmt. Wenn die Differenz zwischen dem Potenzial der Versorgungsspannung 4 der Spannungsdomäne und dem Potenzial der Versorgungsspannung 3 der Halbleiterschaltung im Bereich der Einsatzspannung des ersten NMOS-Transistors 5 liegt, sperrt der erste NMOS-Transistor 5 vollständig. Damit verhält sich das schaltbare Element 1' in 4 wie der PMOS-Transistor 1 in 1.

In 2 sind zusätzlich zu dem PMOS-Transistor 1 und dem NMOS-Transistor 2 Steuermittel 1214 dargestellt, mit welchen der PMOS-Transistor 1 und der NMOS-Transistor 2 zum Ein- oder Ausschalten der Versorgungsspannung 4 der Spannungsdomäne angesteuert werden. Dabei bestehen die Steuermittel aus einem ersten Inverter 12, einem Verzögerungsglied 13 und einem zweiten Inverter 14. Ein Eingang 22 ist mit dem Eingang des ersten Inverters 12 verbunden, dessen Ausgang mit dem Gate-Anschluss 11 des PMOS-Transistors 1 und dem Eingang des Verzögerungsglieds 13 verbunden ist. Der Ausgang des Verzögerungsglieds 13 ist wiederum mit dem Eingang des zweiten Inverters 14 verbunden, dessen Ausgang zum einen mit dem Gate-Anschluss 21 des NMOS-Transistors 2 und mit einem Ausgang 23 verbunden ist. Zum Einschalten der Spannungsversorgung wird der Eingang 22 mit VDD angesteuert, so dass über den ersten Inverter 12 der Gate-Anschluss 11 des PMOS-Transistors 1 mit VSS angesteuert wird. Nach einer durch das Verzögerungsglied 13 vorgegebenen Zeitspanne wird der Gate-Anschluss 21 des NMOS-Transistors 2 über den zweiten Inverter 14 mit VDD angesteuert, so dass zu diesem Zeitpunkt beide Transistoren 1, 2 durchgeschaltet sind, wodurch die Spannungsversorgung der Spannungsdomäne eingeschaltet ist.

Zum Ausschalten wird der Eingang 22 mit VSS angesteuert, so dass an dem Gate-Anschluss 11 des PMOS-Transistors 1 VDD und die vorgegebene Zeitspanne später an dem Gate-Anschluss 21 des NMOS-Transistors 2 VSS anliegt, wodurch die Spannungsversorgung der Spannungsdomäne abgeschaltet ist.

Es sei darauf hingewiesen, dass der Ausgang 23 mit einem Eingang 22 einer gleichartigen ausgestalteten Vorrichtung zum Ein- oder Ausschalten einer weiteren Spannungsdomäne verbunden sein kann, so dass durch einfaches Verbinden beliebig viele Spannungsdomänen einer Halbleiterschaltung angesteuert werden können.

In 3 ist eine Halbleiterschaltung 10 dargestellt, welche mehrere Spannungsdomänen 20 umfasst. Dabei umfasst jede Spannungsdomäne 20 einen ersten Eingang 41, einen zweiten Eingang 42, einen ersten Ausgang 43 und einen zweiten Ausgang 44. In jeder Spannungsdomäne ist ein erster Treiber 31, ein zweiter Treiber 32, ein PMOS-Transistor 1 und ein NMOS-Transistor 2 einer Vorrichtung zum Ein- und Ausschalten der Spannungsversorgung der Spannungsdomänen 20 angeordnet. Der erste Eingang 41 ist mit dem Eingang des ersten Treibers 31 verbunden, dessen Ausgang mit dem ersten Ausgang 43 und mit dem Gate-Anschluss 21 des NMOS-Transistors 2 verbunden ist. Der zweite Eingang 42 ist mit dem Eingang des zweiten Treibers verbunden, dessen Ausgang mit dem zweiten Ausgang 44 und dem Gate-Anschluss 11 des PMOS-Transistors 1 verbunden ist. Genau wie in den 1 und 2 verbinden der PMOS-Transistor 1 und der NMOS-Transistor 2 die Versorgungsspannung 4 der Spannungsdomäne 20 mit der Versorgungsspannung 3 der Halbleiterschaltung 10, welche auf VSS liegt. Da VSS als Versorgungsspannung 4 der Spannungsdomäne 20 geschaltet wird, besitzen die PMOS-Transistoren 1 der Spannungsdomänen 20 eine geringere Treiberfähigkeit als die NMOS-Transistoren 2.

Zusätzlich umfasst die Vorrichtung Steuermittel, welche aus einem NOR-Gatter 15, einem AND-Gatter 16 und einem Inverter 17 bestehen. Ein Schaltsignal 18 ist mit einem ersten Eingang des NOR-Gatters 15 und einem ersten Eingang des AND-Gatters 16 verbunden. Der Ausgang des NOR-Gatters 15 ist mit dem ersten Eingang 41 einer ersten der Spannungsdomänen 20 verbunden, während der Ausgang des AND-Gatters 16 mit einem zweiten Eingang 42 der ersten Spannungsdomäne 20 verbunden ist. Der erste Ausgang 43 der ersten Spannungsdomäne 20 ist mit dem ersten Eingang 41 einer nächsten Spannungsdomäne 20 verbunden, deren erster Ausgang 43 wieder mit dem ersten Eingang 41 einer übernächsten Spannungsdomäne 20 verbunden ist usw. Der erste Ausgang 43 einer letzten Spannungsdomäne 20 wird über den Inverter 17 auf einen zweiten Eingang des AND-Gatters 16 zurückgekoppelt. In ähnlicher Weise wird der zweite Ausgang 44 der ersten Spannungsdomäne 20 mit dem zweiten Eingang 42 der nächsten Spannungsdomäne 20 gekoppelt, deren zweiter Ausgang 44 mit dem zweiten Eingang 42 der übernächsten Spannungsdomäne 20 verbunden ist usw., wobei der zweite Ausgang 44 der letzten Spannungsdomäne 20 auf einen zweiten Eingang des NOR-Gatters 15 zurückgekoppelt ist.

Es sei angenommen, dass der Wert des Schaltsignals 18 auf 1 bzw. VDD liegt, was bedeutet, dass die Spannungsversorgung der Spannungsdomänen unterbrochenen bzw. abgeschaltet ist. Nun wird die Spannungsversorgung der Spannungsdomänen 20 eingeschaltet, indem der Wert des Schaltsignals 18 auf 0 bzw. VSS eingestellt wird. Dadurch ergibt sich auch an dem Ausgang des AND-Gatters 16 eine 0, wodurch der Gate-Anschluss 11 des PMOS-Transistors 1 der ersten Spannungsdomäne 20 mit VSS angesteuert wird, wodurch das Potenzial der Versorgungsspannung 4 der ersten Spannungsdomäne 20 langsam auf VSS gezogen wird, ohne Strom- oder Spannungsspitzen zu verursachen. Über den zweiten Treiber 32 und den zweiten Ausgang 44 wird der Wert 0 jeweils nacheinander zu den folgenden Spannungsdomänen 20 weitergeschaltet, wobei nacheinander nach der Funktionsweise einer Daisy Chain in den Spannungsdomänen 20 der PMOS-Transistor 1 durchgängig geschaltet wird und dadurch mit der Einschaltung der Versorgungsspannung 4 der jeweiligen Spannungsdomäne 20 begonnen wird. Über den zweiten Ausgang 44 der letzten Spannungsdomäne 20 wird der Wert 0 zu dem NOR-Gatter 15 zurückgekoppelt, so dass nun an beiden Eingängen des NOR-Gatters 15 der Wert 0 anliegt. Daher kippt der Wert am Ausgang des NOR-Gatters 15 auf den Wert 1, was über den ersten Treiber 31 der ersten Spannungsdomäne 20 den Gate-Anschluss 21 des NMOS-Transistors 2 mit VDD ansteuert, wodurch die Spannungsversorgung 4 der ersten Spannungsdomäne 20 vollständig eingeschaltet ist. In ähnlicher Weise, wie der Wert 0 über die jeweiligen zweiten Treiber 32 nacheinander an die Spannungsdomänen 20 weitergegeben wird, wird nun der Wert 1 über die ersten Treiber 31 der Spannungsdomänen 20 nacheinander nach dem Prinzip der Daisy Chain weitergegeben, so dass nacheinander die NMOS-Transistoren 2 der Spannungsdomäne 20 durchgängig geschaltet werden, wodurch nacheinander die Versorgungsspannung 4 der Spannungsdomänen 20 vollständig eingeschaltet wird. Abschließend wird der Wert 1 über den ersten Ausgang 43 der letzten Spannungsdomäne 20 durch den Inverter 17 zum Wert 0 invertiert und an den zweiten Eingang des AND-Gatters 16 zurückgekoppelt, wodurch die Steuermittel bzw. die erfindungsgemäße Vorrichtung ihren Endzustand beim Einschalten annehmen.

Zum Ausschalten der Spannungsversorgung der Spannungsdomänen 20 wird der Wert des Schaltsignals 18 von dem Wert 0 auf den Wert 1 gesetzt. Dadurch kippt der Wert am Ausgang des NOR-Gatters 15 von 1 auf 0, wodurch der Gate-Anschluss 21 des NMOS-Transistors 2 der ersten Spannungsdomäne 20 über den ersten Treiber 31 mit VSS angesteuert wird, wodurch der NMOS-Transistor 2 sperrt. Da angenommen werden kann, dass zu diesem Zeitpunkt sowohl die Versorgungsspannung 4 der Spannungsdomäne 20 als auch die Versorgungsspannung 3 der Halbleiterschaltung 10 auf VSS liegt, sperrt auch der PMOS-Transistor 1, so dass anfänglich die Spannungsversorgung der Spannungsdomäne vollständig unterbrochen ist. Erst wenn eine Differenz zwischen der Versorgungsspannung 4 der Spannungsdomäne 20 und der Versorgungsspannung 3 der Halbleiterschaltung 10 größer als die Einsatzspannung des PMOS-Transistors 1 ist, ist der PMOS-Transistor 1 wieder durchgängig, um das transiente Verhalten beim Ausschalten der Spannungsversorgung der Spannungsdomäne 20 zu dämpfen.

Der Wert 0 wird nun über die ersten Ausgänge 43, ersten Eingänge 41 und ersten Treiber 31 nacheinander an die folgenden Spannungsdomänen 20 weitergegeben, wodurch die jeweiligen NMOS-Transistoren 2 abgeschaltet werden und das oben beschriebene Verhalten der entsprechenden PMOS-Transistoren 1 auftritt. Über den Inverter 17 wird dann der Wert 0 von dem ersten Ausgang 43 der letzten Spannungsdomäne 20 invertiert auf den zweiten Eingang des AND-Gatters 16 geleitet, wodurch der Wert am Ausgang des AND-Gatters 16 auf den Wert 1 kippt. Der Wert 1 wird nun über die Treiber 32 nacheinander an alle Spannungsdomänen 20 weitergeleitet, wodurch nacheinander alle PMOS-Transistoren der Spannungsdomänen 20 mit VDD angesteuert werden, wodurch der PMOS-Transistor 1 und die Spannungsversorgung der jeweiligen Spannungsdomäne 20 endgültig vollständig abgeschaltet wird. Abschließend wird der Wert 1 über den zweiten Ausgang 44 der letzten Spannungsdomäne 20 an den zweiten Eingang des NOR-Gatters zurückgekoppelt, wodurch die Steuermittel bzw. die erfindungsgemäße Vorrichtung ihren endgültigen Zustand beim Ausschalten erreichen.

Es sei darauf hingewiesen, dass die Steuermittel derart ausgestaltet sind, dass das endgültige Abschalten eines der PMOS-Transistoren 1 erst erfolgt, nachdem die Einsatzspannung des jeweiligen PMOS-Transistors 1 wieder erreicht worden ist, der jeweilige PMOS-Transistor 1 also durchgängig geschaltet ist.

Die in 3 dargestellte Vorrichtung zum Ein- und Ausschalten der Spannungsversorgung von Spannungsdomänen 20 erledigt das Trennen bzw. Wiederverbinden der Versorgungsspannung 4 der einzelnen Spannungsdomänen 20 von der Versorgungsspannung 3 der Halbleiterschaltung in einer sehr eleganten und problemlosen Art und Weise, wobei die Vorrichtung im Vergleich zum Stand der Technik wenig Fläche beansprucht. Beispielsweise ist es problemlos möglich, weitere Spannungsdomänen, welche in der gleichen Weise wie die dargestellten Spannungsdomänen, ausgestaltet sind (Ausgestaltung und Verbindung der Treiber 31, 32 und Transistoren 1, 2), derart zu integrieren, dass sie ebenfalls mit demselben Mechanismus ein- und ausgeschaltet werden. Dabei müssen einfach nur die Verbindungen zwischen dem ersten/zweiten Ausgang einer bestimmten Spannungsdomäne und dem ersten/zweiten Eingang einer mit der bestimmten Spannungsdomäne benachbarten Spannungsdomäne aufgetrennt und die neu zu integrierende Spannungsdomäne derart integriert werden, dass ihr erster/zweiter Eingang mit dem ersten/zweiten Ausgang der bestimmten Spannungsdomäne und ihr erster/zweiter Ausgang mit dem ersten/zweiten Eingang der mit der bestimmten Spannungsdomäne benachbarten Spannungsdomäne verbunden ist.

Es sei darauf hingewiesen, dass das Prinzip der Ansteuerung von Spannungsdomänen, welches in 3 dargestellt ist, auch verwendet werden kann, wenn die einzuschaltende Versorgungsspannung VDD ist. In diesem Fall kann das NOR-Gatter 15 durch ein OR-Gatter und das AND-Gatter 16 durch ein NAND-Gatter ersetzt werden. Zusätzlich wird der Inverter 17 in diesem Fall eingangsseitig mit dem zweiten Ausgang 44 der letzten Spannungsdomäne 20 gekoppelt, so dass sein Ausgang mit dem zweiten Eingang des OR-Gatters verbunden ist und der erste Ausgang 43 der letzten Spannungsdomäne 20 direkt mit dem zweiten Eingang des NAND-Gatters gekoppelt ist. Beim Ein- und Ausschalten der Versorgungsspannung VDD weist dann erfindungsgemäß der PMOS-Transistor 1 eine höhere Treiberfähigkeit als der NMOS-Transistor 2 in jeder Spannungsdomäne 20 auf.

Darüber hinaus sei angemerkt, dass eine vom Prinzip her gleiche Vorrichtung zur Schaltung einer Versorgungsspannung VSS, wie die in 3 dargestellte, anstelle des NOR-Gatters 15 ein AND-Gatter und anstelle des AND-Gatters 16 ein NOR-Gatter aufweisen kann, wobei der erste Ausgang 43 der letzten Spannungsdomäne direkt mit dem zweiten Eingang des NOR-Gatters und der zweite Ausgang 44 der letzten Spannungsdomäne invertiert mittels des Inverters 17 auf den zweiten Eingang des AND-Gatters rückgekoppelt wird. Bei einer derart ausgestalteten erfindungsgemäßen Vorrichtung weist das Schaltsignal 18 zum Einschalten der Spannungsversorgung den Wert 1 bzw. VDD und zum Ausschalten den Wert 0 bzw. VSS auf.

Abschließend sei erwähnt, dass auch die oben beschriebene aber nicht explizit dargestellte Vorrichtung zum Schalten der Versorgungsspannung VDD realisiert werden kann, indem anstelle des OR-Gatters ein NAND-Gatter und anstelle des NAND-Gatters ein OR-Gatter eingesetzt wird. Dabei wird der erste Ausgang 43 der letzten Spannungsdomäne mit dem Eingang des Inverters 17 verbunden und der Ausgang des Inverters 17 auf den zweiten Eingang des OR-Gatters rückgekoppelt, während der zweite Ausgang der letzten Spannungsdomäne direkt, d.h. nicht invertiert, auf den zweiten Eingang des NAND-Gatters rückgekoppelt wird. Dabei muss das Schaltsignal 18 zum Einschalten der Spannungsversorgung der Spannungsdomänen auf den Wert 1 bzw. VDD und zum Ausschalten auf den Wert 0 bzw. VSS gelegt werden.


Anspruch[de]
Verfahren zum Einschalten einer Spannungsversorgung (4) einer Spannungsdomäne (20) einer Halbleiterschaltung (10), dadurch gekennzeichnet, dass zuerst ein erstes schaltbares Element (1; 2) und nach einer vorbestimmten Zeitdauer ein zweites schaltbares Element (2; 1), mit welchen die Spannungsdomäne (20) mit einer Versorgungsspannung (3) der Halbleiterschaltung (10) verbunden wird, durchgängig geschaltet werden, wobei die Treiberfähigkeit des ersten schaltbaren Elements (1; 2) kleiner als die Treiberfähigkeit des zweiten schaltbaren Elements (2; 1) ist. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Treiberfähigkeit des ersten schaltbaren Elements (1; 2) umso mehr abnimmt, je mehr sich das Potenzial der Spannungsversorgung (4) der Spannungsdomäne (20) dem Potenzial der Versorgungsspannung (3) der Halbleiterschaltung nähert. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass beim Einschalten der Spannungsversorgung (4) der Spannungsdomäne (20) in einem ersten Schritt ein vorbestimmter Betrag einer Differenz zwischen dem Potenzial der Spannungsversorgung (4) der Spannungsdomäne und dem Potenzial der Versorgungsspannung (3) der Halbleiterschaltung (10) nicht unterschritten wird, wobei der vorbestimmte Betrag kleiner als der Betrag einer Differenz zwischen dem Potenzial der Spannungsversorgung (4) der Spannungsdomäne und dem Potenzial der Versorgungsspannung (3) der Halbleiterschaltung (10) bei der vollständig eingeschalteten Spannungsdomäne (20) ist. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-3, dadurch gekennzeichnet, dass das erste schaltbare Element (1; 2) und/oder das zweite schaltbare Element (2; 1) jeweils ein Transistor ist. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-4,

dadurch gekennzeichnet,

dass die Versorgungsspannung (3) auf VSS liegt,

dass das erste schaltbare Element ein Transistor vom P-Leitungstyp (1) ist,

dass das zweite schaltbare Element ein Transistor vom N-Leitungstyp (2) ist.
Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass zum Einschalten der Spannungsversorgung (4) der Steuereingang (11) des Transistors vom P-Leitungstyp (1) mit VSS und nach der vorbestimmten Zeitdauer der Steuereingang (21) des Transistors vom N-Leitungstyp (2) mit VDD angesteuert wird. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-4,

dadurch gekennzeichnet,

dass die Versorgungsspannung (3) auf VDD liegt,

dass das erste schaltbare Element ein Transistor vom N-Leitungstyp (2) ist,

dass das zweite schaltbare Element ein Transistor vom P-Leitungstyp (1) ist.
Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass zum Einschalten der Spannungsversorgung (4) der Steuereingang (21) des Transistors vom N-Leitungstyp (2) mit VDD und nach der vorbestimmten Zeitdauer der Steuereingang (11) des Transistors vom P-Leitungstyp (1) mit VSS angesteuert wird. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-8, dadurch gekennzeichnet, dass, wenn anstelle der Spannungsdomäne (20) mehrere Spannungsdomänen (20) der Halbleiterschaltung (10) vorliegen, wobei pro Spannungsdomäne ein erstes schaltbares Element (1; 2) und ein zweites schaltbares Element (2; 1) vorhanden sind, in einem ersten Schritt nacheinander alle ersten schaltbaren Elemente (1; 2) durchgängig geschaltet werden und anschließend in einem zweiten Schritt nacheinander alle zweiten schaltbaren Elemente (2; 1) durchgängig geschaltet werden. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-9,

dadurch gekennzeichnet,

dass die Spannungsdomäne (20) mehrere Bereiche umfasst,

dass pro Bereich ein erstes schaltbares Element (1; 2) und ein zweites schaltbares Element (2; 1) zum Einschalten der Spannungsversorgung der Spannungsdomäne (20) vorhanden sind, und

dass in einem ersten Schritt nacheinander alle ersten schaltbaren Elemente (1; 2) durchgängig geschaltet werden und anschließend in einem zweiten Schritt nacheinander alle zweiten schaltbaren Elemente (2; 1) durchgängig geschaltet werden.
Verfahren zum Ausschalten einer Spannungsversorgung (4) einer Spannungsdomäne (20) einer Halbleiterschaltung (10), dadurch gekennzeichnet, dass zuerst ein erstes schaltbares Element (2; 1) und nach einer vorbestimmten Zeitspanne ein zweites schaltbares Element (1; 2), mit welchen die Spannungsdomäne (20) mit einer Versorgungsspannung (3) der Halbleiterschaltung (10) verbunden wird, nicht durchgängig geschaltet werden, wobei die Treiberfähigkeit des ersten schaltbaren Elements (2; 1) größer als die Treiberfähigkeit des zweiten schaltbaren Elements (1; 2) ist. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Treiberfähigkeit des zweiten schaltbaren Elements (1; 2) umso mehr zunimmt, umso größer der Betrag einer Differenz zwischen dem Potenzial der Spannungsversorgung (4) der Spannungsdomäne (20) und dem Potenzial der Versorgungsspannung (3) der Halbleiterschaltung ist. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass beim Ausschalten der Spannungsversorgung (4) der Spannungsdomäne (20) nach Erreichen eines vorbestimmten Betrages einer Differenz zwischen dem Potenzial der Spannungsversorgung (4) der Spannungsdomäne und dem Potenzial der Versorgungsspannung (3) der Halbleiterschaltung (10) eine Änderungsgeschwindigkeit eines Betrages der Differenz zwischen dem Potenzial der Spannungsversorgung (4) der Spannungsdomäne und dem Potenzial der Versorgungsspannung (3) der Halbleiterschaltung (10) abgeschwächt wird, wobei der vorbestimmte Betrag kleiner als der Betrag der Differenz zwischen dem Potenzial der Spannungsversorgung (4) der Spannungsdomäne und dem Potenzial der Versorgungsspannung (3) der Halbleiterschaltung (10) vor dem Abschalten der Spannungsdomäne (20) ist. Verfahren nach einem der Ansprüche 11-13, dadurch gekennzeichnet, dass das erste schaltbare Element (2; 1) und/oder das zweite schaltbare Element (1; 2) jeweils ein Transistor ist. Verfahren nach einem Ansprüche 11-14,

dadurch gekennzeichnet,

dass die Versorgungsspannung (3) auf VSS liegt,

dass das erste schaltbare Element ein Transistor vom N-Leitungstyp (2) ist,

dass das zweite schaltbare Element ein Transistor vom P-Leitungstyp (1) ist.
Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass zum Ausschalten der Spannungsversorgung (4) der Steuereingang (21) des Transistors vom N-Leitungstyp (2) mit Masse und nach der vorbestimmten Zeitspanne der Steuereingang (11) des Transistors vom P-Leitungstyp (1) mit VDD angesteuert wird. Verfahren nach einem Ansprüche 11-14,

dadurch gekennzeichnet,

dass die Versorgungsspannung (3) auf VDD liegt,

dass das erste schaltbare Element ein Transistor vom P-Leitungstyp (1) ist,

dass das zweite schaltbare Element ein Transistor vom N-Leitungstyp (2) ist.
Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass zum Ausschalten der Spannungsversorgung (4) der Steuereingang (11) des Transistors vom P-Leitungstyp (1) mit VDD und nach der vorbestimmten Zeitspanne der Steuereingang (21) des Transistors vom N-Leitungstyp (2) mit VSS angesteuert wird. Verfahren nach einem der Ansprüche 11-18, dadurch gekennzeichnet, dass, wenn anstelle der Spannungsdomäne (20) mehrere Spannungsdomänen (20) der Halbleiterschaltung (10) vorliegen, wobei pro Spannungsdomäne (20) ein erstes schaltbares Element (2; 1) und ein zweites schaltbares Element (1; 2) vorhanden ist, in einem ersten Schritt nacheinander alle ersten schaltbaren Elemente (2; 1) nicht durchgängig geschaltet werden und anschließend in einem zweiten Schritt nacheinander alle zweiten schaltbaren Elemente (1; 2) nicht durchgängig geschaltet werden. Verfahren nach einem der Ansprüche 11-19,

dadurch gekennzeichnet,

dass die Spannungsdomäne (20) mehrere Bereiche umfasst,

dass pro Bereich ein erstes schaltbares Element (2; 1) und ein zweites schaltbares Element (1; 2) zum Ausschalten der Spannungsversorgung der Spannungsdomäne (20) vorhanden sind, und

dass in einem ersten Schritt nacheinander alle ersten schaltbaren Elemente (2; 1) nicht durchgängig geschaltet werden und anschließend in einem zweiten Schritt nacheinander alle zweiten schaltbaren Elemente (1; 2) nicht durchgängig geschaltet werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 11-20, dadurch gekennzeichnet, dass die Spannungsversorgung mindestens einer Spannungsdomäne (20) der Halbleiterschaltung (10) mit einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1-10 eingeschaltet wird. Vorrichtung zum Einschalten einer Spannungsversorgung (4) einer Spannungsdomäne (20) einer Halbleiterschaltung (10),

dadurch gekennzeichnet,

dass die Vorrichtung (1, 2, 12-14; 1, 2, 17, 30-32) ein erstes schaltbares Element (1; 2), zweites schaltbares Element (2; 1) und Steuermittel (17, 30) umfasst, wobei die Treiberfähigkeit des ersten schaltbaren Elements (1; 2) kleiner als die Treiberfähigkeit des zweiten schaltbaren Elements (2; 1) ist,

dass die Vorrichtung derart ausgestaltet ist, dass die Spannungsdomäne (20) mittels des ersten schaltbaren Elements (1; 2) und mittels des zweiten schaltbaren Elements (1; 2) mit einer Versorgungsspannung (3) der Halbleiterschaltung (10) verbunden ist, und

dass die Steuermittel (17, 30) derart ausgestaltet sind, dass zuerst das erste schaltbare Element (1; 2) und nach einer vorbestimmten Zeitspanne das zweite schaltbare Element (2; 1) durchgängig geschaltet werden.
Vorrichtung nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass das erste schaltbare Element (1; 2) derart ausgestaltet ist, dass seine Treiberfähigkeit umso mehr abnimmt, je mehr sich das Potenzial der Spannungsversorgung (4) der Spannungsdomäne (20) dem Potenzial der Versorgungsspannung (3) der Halbleiterschaltung nähert. Vorrichtung nach Anspruch 22 oder 23, dadurch gekennzeichnet, dass das erste schaltbare Element (1; 2) derart ausgestaltet ist, dass nach dem Durchgängigschalten des ersten schaltbaren Elements (1; 2) in einem ersten Schritt ein vorbestimmter Betrag einer Differenz zwischen dem Potenzial der Spannungsversorgung (4) der Spannungsdomäne und dem Potenzial der Versorgungsspannung (3) der Halbleiterschaltung (10) nicht unterschritten wird, wobei der vorbestimmte Betrag kleiner als der Betrag einer Differenz zwischen dem Potenzial der Spannungsversorgung (4) der Spannungsdomäne und dem Potenzial der Versorgungsspannung (3) der Halbleiterschaltung (10) bei der vollständig eingeschalteten Spannungsdomäne (20) ist. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 22-24, dadurch gekennzeichnet, dass das erste schaltbare Element (1; 2) und/oder das zweite schaltbare Element (2; 1) jeweils ein Transistor ist. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 22-25,

dadurch gekennzeichnet,

dass die Versorgungsspannung auf VSS liegt,

dass das erste schaltbare Element ein Transistor vom P-Leitungstyp (1) ist,

dass das zweite schaltbare Element ein Transistor vom N-Leitungstyp (2) ist.
Vorrichtung nach Anspruch 26,

dadurch gekennzeichnet,

dass die Steuermittel (17, 30) derart ausgestaltet sind,

dass zum Einschalten der Spannungsversorgung der Steuereingang (11) des Transistors vom P-Leitungstyp (1) mit VSS und nach der vorbestimmten Zeitspanne der Steuereingang (21) des Transistors vom N-Leitungstyp mit VDD angesteuert wird.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 22-25,

dadurch gekennzeichnet,

dass die Versorgungsspannung auf VDD liegt,

dass das erste schaltbare Element ein Transistor vom N-Leitungstyp (2) ist,

dass das zweite schaltbare Element ein Transistor vom P-Leitungstyp (1) ist.
Vorrichtung nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuermittel (17, 30) derart ausgestaltet sind, dass zum Einschalten der Spannungsversorgung (4) der Steuereingang (21) des Transistors vom N-Leitungstyp (2) mit VDD und nach der vorbestimmten Zeitspanne der Steuereingang (11) des Transistors vom P-Leitungstyp (1) mit VSS angesteuert wird. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 22-29, dadurch gekennzeichnet, dass, wenn anstelle der Spannungsdomäne (20) mehrere Spannungsdomänen (20) vorliegen, wobei pro Spannungsdomäne (20) ein erstes schaltbares Element (1; 2) und ein zweites schaltbares Element (2; 1) vorhanden sind, die Steuermittel (17, 30) derart ausgestaltet sind, dass die Steuermittel (17, 30) in einem ersten Schritt nacheinander alle ersten schaltbaren Elemente (1) durchgängig schalten und anschließend in einem zweiten Schritt nacheinander alle zweiten schaltbaren Elemente (2) durchgängig schalten. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 22-30,

dadurch gekennzeichnet,

dass die Spannungsdomäne (20) mehrere Bereiche umfasst,

dass pro Bereich ein erstes schaltbares Element (1; 2) und ein zweites schaltbares Element (2; 1) zum Einschalten der Spannungsversorgung der Spannungsdomäne (20) vorhanden sind, und

dass die Steuermittel (17, 30) derart ausgestaltet sind, dass die Steuermittel (17, 30) in einem ersten Schritt nacheinander alle ersten schaltbaren Elemente (1) durchgängig schalten und anschließend in einem zweiten Schritt nacheinander alle zweiten schaltbaren Elemente (2) durchgängig schalten.
Vorrichtung zum Ausschalten einer Spannungsversorgung (4) einer Spannungsdomäne (20) einer Halbleiterschaltung (10),

dadurch gekennzeichnet,

dass die Vorrichtung (1, 2, 12-14; 1, 2, 17, 30-32) ein erstes schaltbares Element (2), ein zweites schaltbares Element (1) und Steuermittel (17, 30) umfasst, wobei die Treiberfähigkeit des ersten schaltbaren Elements (2) größer als die Treiberfähigkeit des zweiten schaltbaren Elements (2) ist,

dass die Vorrichtung derart ausgestaltet ist, dass die Spannungsdomäne (20) mittels des ersten schaltbaren Elements (2; 1) und mittels des zweiten schaltbaren Elements (1; 2) mit einer Versorgungsspannung (3) der Halbleiterschaltung (10) verbunden ist, und

dass die Steuermittel (17, 30) derart ausgestaltet sind, dass zuerst das erste schaltbare Element (2; 1) und nach einer vorbestimmten Zeitspanne das zweite schaltbare Element (1; 2) nicht durchgängig geschaltet werden.
Vorrichtung nach Anspruch 32, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite schaltbare Element (1; 2) derart ausgestaltet ist, dass seine Treiberfähigkeit umso mehr zunimmt, umso größer der Betrag einer Differenz zwischen dem Potenzial der Spannungsversorgung (4) der Spannungsdomäne (20) und dem Potenzial der Versorgungsspannung (3) der Halbleiterschaltung ist. Vorrichtung nach Anspruch 32 oder 33, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite schaltbare Element (1; 2) derart ausgestaltet ist, dass, bevor die Steuermittel das zweite schaltbare Element (1; 2) nicht durchgängig schalten, nach Erreichen eines vorbestimmten Betrages einer Differenz zwischen dem Potenzial der Spannungsversorgung (4) der Spannungsdomäne und dem Potenzial der Versorgungsspannung (3) der Halbleiterschaltung (10) eine Änderungsgeschwindigkeit eines Betrages der Differenz zwischen dem Potenzial der Spannungsversorgung (4) der Spannungsdomäne und dem Potenzial der Versorgungsspannung (3) der Halbleiterschaltung (10) abgeschwächt wird, wobei der vorbestimmte Betrag kleiner als der Betrag der Differenz zwischen dem Potenzial der Spannungsversorgung (4) der Spannungsdomäne und dem Potenzial der Versorgungsspannung (3) der Halbleiterschaltung (10) vor dem Abschalten der Spannungsdomäne (20) ist. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 32-34, dadurch gekennzeichnet, dass das erste schaltbare Element (2; 1) und/oder das zweite schaltbare Element (1; 2) jeweils ein Transistor ist. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 32-35,

dadurch gekennzeichnet,

dass die Versorgungsspannung auf VSS liegt,

dass das erste schaltbare Element ein Transistor vom N-Leitungstyp (2) ist,

dass das zweite schaltbare Element ein Transistor vom P-Leitungstyp (1) ist.
Vorrichtung nach Anspruch 36, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuermittel (17, 30) derart ausgestaltet sind, dass zum Ausschalten der Spannungsversorgung (4) der Steuereingang (21) des Transistors vom N-Leitungstyp (2) mit VSS und nach der vorbestimmten Zeitspanne der Steuereingang (11) des Transistors vom P-Leitungstyp (1) mit VDD angesteuert wird. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 32-35,

dadurch gekennzeichnet,

dass die Versorgungsspannung (3) auf VDD liegt,

dass das erste schaltbare Element ein Transistor vom P-Leitungstyp (1) ist,

dass das zweite schaltbare Element ein Transistor vom N-Leitungstyp (2) ist.
Vorrichtung nach Anspruch 38, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuermittel (17, 30) derart ausgestaltet sind, dass zum Ausschalten der Spannungsversorgung (4) der Steuereingang (11) des Transistors vom P-Leitungstyp (1) mit VDD und nach der vorbestimmten Zeitspanne der Steuereingang (21) des Transistors vom N-Leitungstyp (2) mit VSS angesteuert wird. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 32-39, dadurch gekennzeichnet, dass, wenn anstelle der Spannungsdomäne (20) mehrere Spannungsdomänen (20) vorliegen, wobei pro Spannungsdomäne (20) ein erstes schaltbares Element (2; 1) und ein zweites schaltbares Element (1; 2) vorhanden sind, die Steuermittel (17, 30) derart ausgestaltet sind, dass die Steuermittel (17, 30) in einem ersten Schritt nacheinander alle ersten schaltbaren Elemente (2) nicht durchgängig schalten und anschließend in einem zweiten Schritt nacheinander alle zweiten schaltbaren Elemente (1) nicht durchgängig schalten. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 32-40,

dadurch gekennzeichnet,

dass die Spannungsdomäne (20) mehrere Bereiche umfasst,

dass pro Bereich ein erstes schaltbares Element (2; 1) und ein zweites schaltbares Element (1; 2) zum Ausschalten der Spannungsversorgung der Spannungsdomäne (20) vorhanden sind, und

dass die Steuermittel (17, 30) derart ausgestaltet sind, dass die Steuermittel (17, 30) in einem ersten Schritt nacheinander alle ersten schaltbaren Elemente (2) nicht durchgängig schalten und anschließend in einem zweiten Schritt nacheinander alle zweiten schaltbaren Elemente (1) nicht durchgängig schalten.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 32-41, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung (1, 2, 12-14; 1, 2, 17, 30-32) zusätzlich gemäß der Vorrichtung nach einem der Ansprüche 22-31 ausgestaltet ist. Vorrichtung nach Anspruch 42,

dadurch gekennzeichnet,

dass, wenn die Versorgungsspannung (3) auf VSS liegt und wenn anstelle der Spannungsdomäne (20) mehrere Spannungsdomänen (20) vorliegen, wobei pro Spannungsdomäne (20) ein erstes schaltbares Element (2; 1) und ein zweites schaltbares Element (1; 2) vorhanden sind, die Vorrichtung (1, 2, 17, 30-32) ein NOR-Gatter (15), ein AND-Gatter (16), einen Inverter (17) und eine Schaltsignalleitung (18) und pro Spannungsdomäne (20) einen ersten Treiber (31) und einen zweiten Treiber (32) umfasst,

dass die Schaltsignalleitung (18) mit einem ersten Eingang des NOR-Gatters (15) und mit einem ersten Eingang des AND-Gatters (16) verbunden ist,

dass der Ausgang des ersten Treibers (31) einer n-ten Spannungsdomäne (20) mit dem Eingang des ersten Treibers (31) einer n+1-ten Spannungsdomäne (20) verbunden ist,

dass der Ausgang des zweiten Treibers (32) der n-ten Spannungsdomäne (20) mit dem Eingang des zweiten Treibers (32) der n+1-ten Spannungsdomäne (20) verbunden ist,

dass der Ausgang des ersten Treibers (31) der letzten Spannungsdomäne (20) über den Inverter (17) mit einem zweiten Eingang des AND-Gatters (16) verbunden ist,

dass der Ausgang des zweiten Treibers (32) der letzten Spannungsdomäne (20) mit einem zweiten Eingang des NOR-Gatters (15) verbunden ist,

dass der Ausgang des NOR-Gatters (15) mit dem Eingang des ersten Treibers (31) der ersten Spannungsdomäne (20) verbunden ist,

dass der Ausgang des AND-Gatters (16) mit dem Eingang des zweiten Treibers (32) der ersten Spannungsdomäne (20) verbunden ist, und

dass pro Spannungsdomäne (20) der Ausgang des ersten Treibers (31) mit dem Steuereingang (21) des NMOS-Transistors (2) und der Ausgang des zweiten Treibers (32) mit dem Steuereingang (11) des PMOS-Transistors (1) verbunden ist, wobei der NMOS-Transistor (2) eine höhere Treiberfähigkeit als der PMOS-Transistor (1) aufweist.
Vorrichtung nach Anspruch 42,

dadurch gekennzeichnet,

dass, wenn die Versorgungsspannung auf VDD liegt und und wenn anstelle der Spannungsdomäne (20) mehrere Spannungsdomänen (20) vorliegen, wobei pro Spannungsdomäne (20) ein erstes schaltbares Element (2; 1) und ein zweites schaltbares Element (1; 2) vorhanden sind, die Vorrichtung ein OR-Gatter, ein NAND-Gatter, einen Inverter und eine Schaltsignalleitung und pro Spannungsdomäne einen ersten Treiber und einen zweiten Treiber umfasst,

dass die Schaltsignalleitung mit einem ersten Eingang des OR-Gatters und mit einem ersten Eingang des NAND-Gatters verbunden ist,

dass der Ausgang des ersten Treibers einer n-ten Spannungsdomäne mit dem Eingang des ersten Treibers einer n+1-ten Spannungsdomäne verbunden ist,

dass der Ausgang des zweiten Treibers der n-ten Spannungsdomäne mit dem Eingang des zweiten Treibers der n+1-ten Spannungsdomäne verbunden ist,

dass der Ausgang des ersten Treibers der letzten Spannungsdomäne mit einem zweiten Eingang des NAND-Gatters verbunden ist,

dass der Ausgang des zweiten Treibers der letzten Spannungsdomäne über den Inverter mit einem zweiten Eingang des OR-Gatters verbunden ist,

dass der Ausgang des OR-Gatters mit dem Eingang des ersten Treibers der ersten Spannungsdomäne verbunden ist,

dass der Ausgang des NAND-Gatters mit dem Eingang des zweiten Treibers der ersten Spannungsdomäne verbunden ist, und

dass pro Spannungsdomäne der Ausgang des ersten Treibers mit dem Steuereingang des NMOS-Transistors und der Ausgang des zweiten Treibers mit dem Steuereingang des PMOS-Transistors verbunden ist, wobei der PMOS-Transistor eine höhere Treiberfähigkeit als der NMOS-Transistor aufweist.
Halbleiterschaltung mit mindestens einer Spannungsdomäne (20) und einer Vorrichtung (1, 2, 12-14; 1, 2, 17, 30-32) nach einem der Ansprüche 22-44.






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