PatentDe  


Dokumentenidentifikation DE102005039165A1 01.03.2007
Titel Halbleiterleistungsbauteil mit vertikalem Strompfad durch einen Halbleiterleistungschip und Verfahren zu dessen Herstellung
Anmelder Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
Erfinder Hosseini, Khalil, Dr., 84107 Weihmichl, DE
Vertreter Schweiger & Partner, 80333 München
DE-Anmeldedatum 17.08.2005
DE-Aktenzeichen 102005039165
Offenlegungstag 01.03.2007
Veröffentlichungstag im Patentblatt 01.03.2007
IPC-Hauptklasse H01L 23/488(2006.01)A, F, I, 20061204, B, H, DE
Zusammenfassung Die Erfindung betrifft ein Halbleiterleistungsbauteil (1) in Flachleitertechnik und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Das Halbleiterleistungsbauteil (1) weist einen vertikalen Strompfad durch einen Halbleiterleistungschip (2) auf. Der Halbleiterleistungschip (2) besitzt mindestens eine großflächige Elektrode (3) auf seiner Oberseite (4) und eine großflächige Elektrode (5) auf seiner Rückseite (6). Die Rückseitenelektrode (5) ist auf einer Flachleiter-Chipinsel (7) eines Flachleiterrahmens (8) oberflächenmontiert und die Oberseitenelektrode (3) ist über ein Verbindungselement (9) mit einem Innenflachleiter (10) des Flachleiterrahmens (8) elektrisch verbunden. Das Verbindungselement (9) weist einen Bondstreifen (11) auf, der sich von der Oberseitenelektrode (3) zu dem Innenflachleiter (10) erstreckt und besitzt zusätzlich auf der Oberseite (12) des Bondstreifens (11) Bonddrähte (13), die sich von der Oberseitenelektrode (3) zu dem Innenflachleiter (10) erstrecken.

Beschreibung[de]

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterleistungsbauteil in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad durch einen Halbleiterleistungschip, wobei der Halbleiterleistungschip mindestens eine großflächige Elektrode auf seiner Oberseite und eine großflächige Elektrode auf seiner Rückseite aufweist. Dabei bildet sich der vertikale Strompfad zwischen der Rückseitenelektrode und der Oberseitenelektrode aus. Bei der Flachleitertechnik ist die Rückseitenelektrode des Halbleiterleistungschips auf einer Flachleiter-Chipinsel eines Flachleiterrahmens oberflächenmontiert. Die Oberseitenelektrode steht über eine Verbindungsleitung oder ein Verbindungselement mit einem Innenflachleiter des Flachleiterrahmens elektrisch in Verbindung.

Ein derartiges Halbleiterleistungsbauteil ist aus der Druckschrift US 2003/0162330 A1 bekannt. Bei dem bekannten Halbleiterleistungsbauteil mit einem Halbleiterleistungschip ist jedoch keine großflächige Elektrode auf der Oberseite des Halbleiterleistungschips vorgesehen, sondern vielmehr ist diese großflächige Elektrode in Kontaktstreifen aufgeteilt. Die Kontaktstreifen der Oberflächenelektrode sind über Bonddrähte mit einer Sammelschiene verbunden, die ihrerseits auf einem isolierten Sockel angeordnet ist und in einen Außenflachleiter übergeht. Die großflächige Rückseitenelektrode ist direkt auf einer Chipinsel eines Flachleiterrahmens befestigt und steht elektrisch mit einem weiteren Außenflachleiter in Verbindung.

Ein Nachteil dieses Halbleiterleistungsbauteils ist es, dass die Oberflächenelektrode in schmale Streifen aufgespalten ist, die ihrerseits in Bonddrähte übergehen. Das hat den Nachteil, dass die zulässige Stromdichte durch die Summe der Querschnitte der Bonddrähte begrenzt wird. Folglich muss der Strom in Abhängigkeit von den Durchmessern der Bonddrähte begrenzt werden, um ein Durchschmelzen der Bonddrähte des Halbleiterleistungsbauteils zu vermeiden.

Aus der Druckschrift DE 104 23 648 ist ein Sensorbauteil mit einem frei zugänglichen Sensorbereich bekannt, dessen Sensorbereich mit entsprechenden Kontaktanschlussflächen auf einem Substrat über Verbindungsleitungen gewährleistet wird, wobei diese Verbindungsleitungen entweder Bondbänder, Bonddrähte oder Flachkabel sein können. Um diese Lösung auf ein Halbleiterleistungsbauteil zu übertragen, sind die Querschnitte der Bondbänder derart zu vergrößern, dass eine sichere Bondverbindung aufgrund der dann erforderlichen Dicke der Bondbänder nicht gewährleistet werden kann.

Wird eine Mehrzahl von Bonddrähten für das Halbleiterleistungsbauteil eingesetzt, so begrenzen diese den maximal möglichen Strom bzw. die maximal mögliche Stromdichte durch das Halbleiterleistungsbauteil, wie es bereits aus der Druckschrift US 2003/01623301 A1 bekannt ist. Schließlich gibt es auch Lösungen, bei denen Flachkabel die großflächige Elektrode mit entsprechenden breiten Kontaktanschlussflächen eines Innenflachleiters verbinden. Doch auch bei diesen relativ flachen Kabeln besteht das Problem, eine zuverlässige, stoffschlüssige Verbindung zu der großflächigen Oberseitenelektrode des Halbleiterchips herzustellen.

Aufgabe ist es, eine Stromführung durch einen Halbleiterleistungschip mit vertikalem Strompfad zu schaffen, so dass eine höhere Stromdichte zugelassen werden kann. Ferner ist es Aufgabe der Erfindung, die Nachteile im Stand der Technik zu überwinden und ein Verbindungselement anzugeben, das ohne Risiko auch Hochleistungsströme von einer großflächigen Oberseitenelektrode zu entsprechenden Kontaktanschlussflächen auf einem Verdrahtungssubstrat ermöglicht.

Diese Aufgabe wird mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.

Erfindungsgemäß wird ein Halbleiterleistungsbauteil in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad durch einen Halbleiterleistungschip geschaffen. Dazu weist der Halbleiterleistungschip mindestens eine großflächige Elektrode auf seiner Oberseite und eine großflächige Elektrode auf seiner Rückseite auf. Zwischen der Rückseitenelektrode und der Oberseitenelektrode bildet sich beim Betrieb des Halbleiterleistungsbauteils ein vertikaler Strompfad aus. Dazu ist die Rückseitenelektrode auf einer Flachleiter-Chipinsel eines Schaltungsträgers oberflächenmontiert und die Oberseitenelektrode über ein Verbindungselement mit einem Innenflachleiter eines Flachleiterrahmens verbunden. Dieses Verbindungselement weist nicht nur einen Bondstreifen auf, der sich von der Oberseitenelektrode zu einem Innenflachleiter erstreckt, sondern zusätzlich sind auf der Oberseite des Bondstreifens Bonddrähte von der Oberseitenelektrode zu dem Innenflachleiter angeordnet.

Dieses Halbleiterleistungsbauteil hat den Vorteil, dass die Stromdichte nicht durch den Querschnitt der Bonddrähte limitiert wird und auch nicht durch den Querschnitt eines Bondstreifens definiert ist, sondern vielmehr durch ein Verbindungselement, das beide Verbindungselementarten miteinander koppelt und somit einen leistungsfähigeren Strompfad zwischen dem Halbleiterchip und einem nach außen führenden Innenflachleiter zur Verfügung stellt. Dieses Halbleiterleistungsbauteil hat darüber hinaus den Vorteil, dass es mit wesentlich höheren Stromspitzen belastet werden kann als bisher bekannte Halbleiterleistungsbauteile mit gleicher oder ähnlicher Technologie.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weisen die Bonddrähte an den Bondstellen anstelle von Thermokompressionsköpfen Bondkeile auf. Diese Bondkeile haben den Vorteil, dass sie flach auf der Oberseite des Bondstreifens anliegen können, sodass der Bonddraht der Kontur des Bondstreifens folgen kann. Durch das enge Anliegen an der Kontur des Bondbandes wird gleichzeitig in vorteilhafter Weise die Ausbildung von Induktionsschleifen und das Einkoppeln von Induktionsströmen vermieden.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weisen die Bonddrähte einen Bonddrahtdurchmesser d im Bereich von 0,1 mm ≤ d ≤ 0,5 mm auf. Derartig dicke Bonddrähte für Halbleiterleistungsbauteile werden vorzugsweise aus Aluminium oder Aluminiumlegierungen hergestellt und weisen teilweise zum Schutz gegen Aluminiumoxidbildung eine dünne Goldbeschichtung auf.

Diese dünne Goldbeschichtung unterstützt das Thermosonic-Bonden der Bonddrähte auf Oberseiten von Bondbändern, die ebenfalls aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung hergestellt sind, da sich eine niedrig schmelzende eutektische Legierung aus Aluminium und Gold ausbilden kann. Sind die Bondbänder aus Kupfer, so werden sie häufig vergoldet, um dann zu einem erfindungsgemäßen Verbindungselement mit Hilfe von Bonddrähten aus Aluminium verstärkt zu werden. Auch hier wird dann vorteilhaft die eutektische Legierungsbildung zwischen dem Bondkeil aus Aluminium und der Goldbeschichtung des Kupferbandes genutzt, um ein sicheres Thermosonic-Bonden zu gewährleisten.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist der Bondstreifen bzw. das Bondband in seiner Breite der Breite der Oberseitenelektrode angepasst. Diese Anpassung bedeutet, dass die Breite des Bondstreifens geringfügig kleiner ist als die Breite der Oberseitenelektrode. Umgekehrt gilt das Gleiche für die Anpassung des Bondstreifens an die Breite des Innenflachleiters. Ist die Breite des Innenflachleiters geringer als die Breite der Oberseitenelektrode, so kann der Bondstreifen in seiner Breite von der Oberseitenelektrode zu dem Innenflachleiter derart reduziert sein, dass der Bondstreifen nur geringfügig schmaler ist als die Breite der Oberseitenelektrode und ebenso nur geringfügig schmaler ist als die Breite des Innenflachleiters, obgleich sich die Breiten von Innenflachleiter und Oberseitenelektrode erheblich unterscheiden können.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist zwischen der Oberseitenelektrode und dem Bondstreifen eine elektrisch leitende Verbindungsschicht angeordnet. Dieses ist von Vorteil, wenn der Bondstreifen eine Dicke erreicht, die mit normalen Bondsticheln nicht zu einem Ausbilden von eutektischen Schmelzen führen kann. In diesem Fall wird eine elektrisch leitende Verbindungsschicht, vorzugsweise aus einer doppelseitig klebenden und elektrisch leitenden Folie zwischen der Oberseitenelektrode und dem Bondstreifen angeordnet, um einen ohmschen Kontakt auf der gesamten Breite des Bondstreifens zu ermöglichen. In diesem Fall ist es von Vorteil, wenn auch zwischen dem Innenflachleiter und dem Bondstreifen eine derartig elektrisch leitende Verbindungsschicht angeordnet ist, so dass das Aufbringen des Bondstreifens mit einem einzigen Verfahrensschritt auf beide Anschlussflächen, nämlich der Oberseitenelektrode und dem Innenflachleiter möglich wird.

Vorzugsweise werden die erfindungsgemäßen Verbindungselemente aus Bondstreifen und Bonddrähten für Halbleiterleistungsbauteile verwendet, die unter dem Sammelbegriff Kompensations-Halbleiterleistungsbauteile bekannt sind, wie beispielsweise Halbleiterleistungsdioden mit einer Kathode als Rückseitenelektrode und einer Anode als Oberseitenelektrode oder wie bei einem sog. "CoolMoss", der auf seiner Rückseite eine großflächige Drainelektrode aufweist und auf seiner Oberseite eine großflächige Außenelektrode, zwischen denen der Strompfad ausgebildet wird, sobald an der oberseitig gelegenen, relativ kleinflächigen Gate-Elektrode ein entsprechendes Schaltpotential angelegt wird. Darüber hinaus können mit den erfindungsgemäßen Verbindungselementen Halbleiterleistungsbauteile, wie IGBT- oder PIN-Dioden ausgestattet werden, wobei einerseits der Leitungswiderstand, auch "Package-Widerstand" genannt, vermindert wird und andererseits die Gefahr der Überhitzung der Verbindungselemente verringert wird.

Ein Verfahren zur Herstellung mehrerer Halbleiterleistungsbauteile in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad durch einen Halbleiterleistungschip weist die nachfolgenden Verfahrensschritte auf. Zunächst werden Halbleiterleistungschips mit einer großflächigen Oberseitenelektrode und einer großflächigen Rückseitenelektrode hergestellt, wobei die flächige Erstreckung der Rückseitenelektrode der Größe der Rückseite entspricht. Außerdem wird ein Flachleiter mit einer Flachleiter-Chipinsel und mindestens einem Innenflachleiter beabstandet zu der Flachleiterinsel in mehreren Halbleiterleistungsbauteilpositionen des Flachleiterrahmens zur Verfügung gestellt. Nun können auf diesen Flachleiterrahmen in den Halbleiterleistungsbauteilpositionen die Halbleiterleistungschips unter stoffschlüssigem Verbinden der Rückseitenelektroden mit den Flachleiter-Chipinseln des Flachleiterrahmens aufgebracht werden.

Anschließend erfolgt ein stoffschlüssiges Verbinden eines Bondstreifens, dessen Breite der Breite der Oberseitenelektrode angepasst ist, so dass die Oberseitenelektrode mit dem Innenflachleiter in den Halbleiterleistungsbauteilpositionen über den Bondstreifen verbunden ist. Danach wird der Bondstreifen in seinem Querschnitt zu einem erfindungsgemäßen Verbindungselement durch Aufbringen von zusätzlichen Bonddrähten auf die Oberseite des Bondstreifens in jeder der Halbleiterleistungsbauteilpositionen vergrößert. Danach können die Halbleiterleistungschips mit den Verbindungselementen in einer Kunststoffgehäusemasse in den Halbleiterleistungsbauteilpositionen verpackt werden und abschließend kann dann der Flachleiterrahmen in einzelne Halbleiterleistungsbauteile aufgetrennt werden.

Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass mehrere Halbleiterleistungsbauteile in Flachleitertechnik gleichzeitig hergestellt werden können. Darüber hinaus hat es den Vorteil, dass Halbleiterleistungsbauteile entstehen, die einen vertikalen Strompfad aufweisen, der eine verbesserte, höhere zulässige Stromdichte ermöglicht.

Zusammenfassend ist festzustellen, dass die Erfindung eine Verbesserung der Strombelastbarkeit von Halbleiterleistungsbauteilen durch eine Kombination von Bondstreifen und Bonddrähten ermöglicht. Dabei wird der zur Verfügung stehende Raum oberhalb der Bondstreifen genutzt, um auf den Bondstreifen weitere Bonddrähte mit entsprechenden flachen Bondkeilen in den Bondpositionen auf dem Halbleiterchip und auf den entsprechenden Flachleitern des Flachleiterrahmens anzubringen. Mit diesen erfindungsgemäßen Verbindungselementen wird gleichzeitig eine homogene Stromdichteverteilung für den Halbleiterleistungschip erreicht sowie eine verbesserte Wärmeabfuhr gewährleistet.

Somit liegt der Kern der Erfindung in dem Einsatz von Bonddrähten, die mit einer Bondkeiltechnik auf den Bondstreifen aufgebracht sind. Nach dem Aufbringen von Halbleiterleistungschips mit entsprechenden Bondstreifen können Aluminiumdrähte mit einem Durchmesser von 0,05 mm bis 0,6 mm der Bondkeil-Technologie auf den Bondstreifen durch entsprechendes Bonden platziert werden. Damit kann beispielsweise eine Reduzierung des gehäusespezifischen Widerstands von bis zu 50 erzielt werden.

Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert.

1 zeigt eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterleistungsbauteils 1 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung.

Zur besseren Erläuterung des Aufbaus des Halbleiterleistungsbauteils 1 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ist in 1 eine Kunststoffgehäusemasse, in welche die einzelnen Komponenten verpackt sind, weggelassen. Das Halbleiterleistungsbauteil 1 in Flachleitertechnik ist auf einem Flachleiterrahmen 8 aufgebaut, von dem in 1 drei Komponenten abgebildet sind. Zu diesen drei Komponenten gehört ein Gate-Anschlussflachleiter G und ein Source-Anschlussflachleiter S und eine davon beabstandete Flachleiter-Chipinsel 7 für den Drainanschluss D. Die Flachleiter-Chipinsel 7 trägt einen Halbleiterleistungschip 2, der mit seiner Rückseite 6 eine großflächige Elektrode 5 als Drainelektrode D aufweist, und auf der Flachleiter-Chipinsel 7 fixiert ist. Diese Fixierung kann über eine elektrisch leitende, doppelseitig klebende Folie 22 oder über eine andere stoffschlüssige Verbindung, wie eine Lotverbindung, erreicht werden.

Auf der Oberseite 4 des Halbleiterleistungschips 2 ist ebenfalls eine großflächige Elektrode 3 angeordnet, die als Source-Elektrode ausgebildet ist. Bei Betrieb des Halbleiterleistungsbauteils 1 als Feldeffekt-Transistor bildet sich ein vertikaler Strompfad zwischen der Rückseitenelektrode 5 und der Oberseitenelektrode 3 aus. Dieses Durchschalten wird durch eine kleinere Elektrode 23 auf der Oberseite 4 des Halbleiterleistungschips 2 gesteuert. Diese kleinere Elektrode 23 ist über einen Gate-Bonddraht 14 mit den keilförmigen Bondstellen 17 und 18 mit dem Gate-Anschlussflachleiter G über Gatebondkeile 20 verbunden, so dass diese kleine Elektrode 23 von außerhalb des Halbleiterleistungsbauteils 1 mit einem Schaltungspotential versorgt werden kann. Die Flachleiter-Chipinsel 7 kann sowohl als Drain-Außenkontakt D dienen als auch mit einem Drain-Außenkontaktflachleiter, der hier nicht gezeigt ist, verbunden sein. Ferner kann die Flachleiter-Chipinsel 7 zusätzlich als Wärmesenke für den Halbleiterleistungschip 2 ausgebildet sein und die Unterseite 21 des Halbleiterbauteils bilden. Um den Abstand a zwischen der Oberseite 4 des Halbleiterleistungschips 2 und dem Source-Anschlussflachleiter S zu überwinden, ist ein Verbindungselement 9 zwischen der Oberseite 4 der darauf befindlichen großflächigen Elektrode 3 und dem Innenflachleiter 10 des Flachleiterrahmens 8 angeordnet.

Das Verbindungselement 9 besteht aus einer Kombination eines Bondstreifens 11 und mehrerer Bonddrähte 13, die auf der Oberseite 12 des Bondstreifens 11 über Bondkeile 19 mit den Bondstellen 15 und 16 fixiert sind. Durch die flachen Bondkeile 19 wird erreicht, dass der Raumbedarf in der nicht gezeigten Kunststoffgehäusemasse minimiert wird und gleichzeitig wird durch die Bonddrähte 13 erreicht, dass der Querschnitt des Bondstreifens 11 deutlich vergrößert wird. Somit kann eine höhere Stromdichte über den Strompfad von dem Source-Anschlussflachleiter S über den Halbleiterleistungschip 2 zum Drain-Anschlusskontakt D geführt werden. Dazu ist die Breite b des Bondstreifens 11 sowohl an den Innenflachleiter 10 des Source-Anschlussflachleiters S als auch an die Breite b der Oberseitenelektrode 3 angepasst. Der Durchmesser d der Bonddrähte 13 ist so ausgelegt, dass mehrere Bonddrähte 13 auf der Oberseite 12 des Bondstreifens 11 nebeneinander und parallel zueinander angeordnet werden können. Der Durchmesser d der Bonddrähte 13 liegt dazu im Bereich von 0,05 mm ≤ d ≤ 0,6 mm.

Wenn auch in 1 der Bondstreifen 11 mit einer konstanten Breite b ausgebildet ist, so kann doch die Breite b des Innenflachleiters 10 vermindert oder vergrößert sein, um die Breite b des Bondstreifens optimal an die Größe sowohl der Oberseitenelektrode 3 als auch an die Breite b des Innenflachleiters 10 anzupassen.

1
Halbleiterleistungsbauteil
2
Halbleiterleistungschip
3
großflächige Elektrode auf der Oberseite des Halbleiterleistungschips
4
Oberseite des Halbleiterleistungschips
5
großflächige Elektrode auf der Rückseite des Halbleiterleistungschips
6
Rückseite des Halbleiterleistungschips
7
Flachleiter-Chipinsel
8
Flachleiterrahmen
9
Verbindungselement
10
Innenflachleiter
11
Bondstreifen
12
Oberseite des Bondstreifens
13
Bonddraht
14
Gatebonddraht
15
Bondstelle
16
Bondstelle
17
Bondstelle
18
Bondstelle
19
Bondkeil
20
Gatebondkeil
21
Unterseite des Halbleiterbauteils
22
elektrisch leitende, doppelseitig klebende Folie
23
kleine Elektrode auf der Oberseite des Halbleiterleistungschips
a
Abstand
b
Breite des Bondstreifens
d
Bonddrahtdurchmesser
D
Drain-Außenkontakt
G
Gate-Anschlussflachleiter
S
Source-Anschlussflachleiter


Anspruch[de]
Halbleiterleistungsbauteil in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad durch einen Halbleiterleistungschip (2), wobei der Halbleiterleistungschip (2) mindestens eine großflächige Elektrode (3) auf seiner Oberseite (4) und eine großflächige Elektrode (5) auf seiner Rückseite (6) aufweist, wobei sich der vertikale Strompfad zwischen der Rückseitenelektrode (5) und der Oberseitenelektrode (3) ausbildet, und wobei die Rückseitenelektrode (5) der vorliegenden Erfindung auf einer Flachleiter-Chipinsel (7) eines Flachleiterrahmens (8) oberflächenmontiert ist und die Oberseitenelektrode (3) über ein Verbindungselement (9) mit einem Innenflachleiter (10) des Flachleiterrahmens (8) elektrisch in Verbindung steht, wobei das Verbindungselement (9) einen Bondstreifen (11) aufweist, der sich von der Oberseitenelektrode (3) zu dem Innenflachleiter (10) erstreckt und zusätzlich auf der Oberseite (12) des Bondstreifens (11) Bonddrähte (13) von der Oberseitenelektrode (3) zu dem Innenflachleiter (10) angeordnet sind. Halbleiterleistungsbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Bonddrähte (13) an den Bondstellen (15, 16, 17, 18) Bondkeile (19, 20) aufweisen. Halbleiterleistungsbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Bonddrähte (13) einen Bonddrahtdurchmesser (d) im Bereich von 0,1 mm ≤ d ≤ 0,5 mm aufweisen. Halbleiterleistungsbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Bondstreifen (11) eine Breite (b) aufweist, die der Breite der Oberseitenelektrode (3) angepasst ist. Halbleiterleistungsbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Bondstreifen (11) eine Breite (b) aufweist, die der Breite des Innenflachleiters (10) angepasst ist. Halbleiterleistungsbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Oberseitenelektrode (3) und dem Bondstreifen (11) eine elektrisch leitende Verbindungsschicht angeordnet ist. Halbleiterleistungsbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Oberseitenelektrode (3) und dem Bondstreifen (11) eine elektrisch leitende doppelseitig klebende Folie angeordnet ist. Verfahren zur Herstellung mehrerer Halbleiterleistungsbauteile (1) in Flachleitertechnik mit vertikalem Strompfad durch einen Halbleiterleistungschip (2), wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist:

– Herstellen eines Halbleiterleistungschips (2) mit einer großflächigen Oberseitenelektrode (3) und einer großflächigen Rückseitenelektrode (5), wobei die flächige Erstreckung der Rückseitenelektrode (5) der Größe der Rückseite (6) entspricht,

– Bereitstellen eines Flachleiterrahmens (8) mit einer Flachleiter-Chipinsel (7) und mindestens einem Innenflachleiter (10), beabstandet zu der Flachleiter-Chipinsel (7) in mehreren Leistungshalbleiterbauteilpositionen;

– Aufbringen der Halbleiterleistungschips (2) in den Halbleiterleistungsbauteilpositionen unter stoffschlüssigem Verbinden der Rückseitenelektroden (5) mit den Flachleiter-Chipinseln (7) des Flachleiterrahmens (8);

– stoffschlüssiges Verbinden eines Bondstreifens (11), dessen Breite (b) der Breite der Oberseitenelektrode (3) angepasst ist, mit der Oberseitenelektrode (3) und mit dem Innenflachleiter (10) in den Halbleiterleistungsbauteilpositionen;

– Vergrößern des Bondstreifens (11) zu einem Verbindungselement (9) mit vergrößertem Querschnitt durch Aufbringen von zusätzlichen Bonddrähten (13) auf die Oberseite (12) des Bondstreifens (11);

– Verpacken der Halbleiterleistungschips (2) mit den Verbindungselementen (9) in einer Kunststoffgehäusemasse in den Halbleiterleistungsbauteilpositionen

– Trennen des Flachleiterrahmens (8) in einzelne Halbleiterleistungsbauteile (1).






IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

Anmelder
Datum

Patentrecherche

Patent Zeichnungen (PDF)

Copyright © 2008 Patent-De Alle Rechte vorbehalten. eMail: info@patent-de.com