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Dokumentenidentifikation DE102006038148A1 12.04.2007
Titel Standard-Spezimen zur Evaluierung einer Sondenform und Verfahren zu Evaluierung einer Sondenform
Anmelder National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tokio/Tokyo, JP
Erfinder Ito, Hiroshi, Tsukuba, Ibaraki, JP;
Ichimura, Shingo, Tsukuba, Ibaraki, JP;
Fujimoto, Toshiyuki, Tsukuba, Ibaraki, JP;
Nonaka, Hidehiko, Tsukuba, Ibaraki, JP
Vertreter Zimmermann & Partner, 80331 München
DE-Anmeldedatum 16.08.2006
DE-Aktenzeichen 102006038148
Offenlegungstag 12.04.2007
Veröffentlichungstag im Patentblatt 12.04.2007
IPC-Hauptklasse B81B 1/00(2006.01)A, F, I, 20061213, B, H, DE
IPC-Nebenklasse B82B 1/00(2006.01)A, L, I, 20061213, B, H, DE   G12B 21/00(2006.01)A, L, I, 20061213, B, H, DE   G01N 13/10(2006.01)A, L, I, 20061213, B, H, DE   
Zusammenfassung Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Standard-Spezimen zum Evaluieren einer Form einer Sonde eines Sondenmikroskops, das einen Mehrfach-Schicht-Film enthält, der selektivem Ätzen unterworfen wurde, und eine Linienweite und einen Linienabstand hat, die durch die Dicke der Schicht definiert, und eine Linienhöhe hat, der durch das Maß an Ätzen definiert sind; und ein Verfahren zum Evaluieren einer Sondenform eines Sondenmikroskops, das das Standard-Spezimen verwendet.

Beschreibung[de]

Die Erfindung bezieht sich im Allgemeinen auf Raster-Sonden-Mikroskopie. Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Evaluieren einer Form eines Teils einer Sonde eines Raster-Sonden-Mikroskops (SPM), wie zum Beispiel ein Raster-Tunnel-Mikroskop (ST) und eine Raster-Kraft-Mikroskop (AFP), und ein Standard-Spezimen zum evaluieren derselben. Im speziellen bezieht sie sich auf ein Standard-Spezimen und auf ein Verfahren zum Evaluieren einer Form einer Sonde.

Wie in 1 dargestellt verfolgt ein Raster-Sondenmikroskop eine Fläche, um einen Bild auszubilden, indem der Abstand zwischen einer Sonde (Sonde oder Spitze) und einer Probe konstant gesteuert wird. Derzeit wird ein Abstand zwischen der Sonde und einem am nächsten liegenden Teil des Spezimen kontrolliert, so dass er konstant ist. Daher fallen in manchen Fällen, wenn die Sonde groß ist, Kurven (Linie aus Punkten; erfasste Bilddaten) des nächsten Teils des Spezimen und einem Ende der Spitze der Sonde nicht notwendigerweise zusammen. Demgemäß beeinflusst die Größe und Form der Sonde das Auflösungsvermögen und den Form-Messfehler stark.

Weiter kann sich eine Sonde in ihrer Form verändern oder abnutzen, was zu einer Verschlechterung des Auflösungsvermögens während des Gebrauchs führt. Um derzeit die Form der Sonde seinerzeit zu messen, wird die Sonde einmal von einer Vorrichtung entfernt und anschließend mit einem Elektronenmikroskop betrachtet; oder ein Spezimen mit einer speziellen Form (Schneiden-Kante oder Vorsprung), das ausschließlich hierfür präpariert wird und Spitzen-Charakterisierer genannt wird, wird mit einem Kraftmikroskop betrachtet. Das zuerst genannte benötigt viel Arbeit, um den Zustand der Sonde für jede Messung zu messen, und das Letztere hat eine Schwierigkeit, den Spitzen-Charakterisierer zur Verfügung zu stellen, der eine Messgenauigkeit von 10 nm oder weniger garantiert. (Siehe z.B. Patent-Dokumente JP-A-2001-208669 und Patentdokument 2: JP-A.-2004-264039.)

Die vorliegende Erfindung beabsichtigt eine Verbesserung für zumindest manche der oben genannten Probleme zur Verfügung zu stellen. Die Aufgabe wird durch das Standard-Spezimen gemäß unabhängigem Anspruch 1, und durch das Verfahren zum Evaluieren einer Form einer Sonde gemäß unabhängigen Anspruch 8 gelöst.

Weitere Vorteile, Merkmale, Aspekte und Details der Erfindung gehen aus den abhängigen Ansprüchen, der Beschreibung und den Zeichnungen hervor.

Obwohl das Raster-Sondenmikroskop ein hohes Auflösungsvermögen (einige Nanometer oder weniger) hat, ist es schwierig, die Auflösung und deren Fehler zu garantieren. Weiterhin legt infolge der Größe und Asymmetrie einer Sonde ein Artefakt (Verzeichnung einer Messeform und Asymmetrie) vor. Wenn die Form einer verwendeten Sonde (Spitze Sonde) gemessen werden kann, kann das Auflösungsvermögen und der Messfehler spezifiziert werden, und die wahre Form kann durch eine Bildverarbeitung nach Berücksichtigung der Sondenform extrahiert werden. Um die Aufgabe zu erzielen wird eine Sondenform gemessen, in dem eine Struktur zum Evaluieren einer Sondenform verwendet wird.

Konventionell kann als ein Spitzen-Charakterisierer, der gemäß einer so genannten Halbleiter Mikro-Bearbeitungstechnologien präpariert wird, nur ein Spitzen-Charakterisierer mit einer Größe von mehreren 10 nm erstellt werden. Obwohl er durch das Verwenden eines fokussierten Ionenstrahls für Miniaturisierung bearbeitet werden kann, kann seine Form und Größe nicht garantiert werden. Wenn ein Spitzen-Charakterisierungs-Spezimen mit einer Form von 10 nm oder weniger und einer garantierten Größe bereitgestellt werden kann, kann eine Sondenform mit einer Genauigkeit in einer Nanometer-Größenordnung vor und nach der Messung durch das Verwenden eines Rasterkraft-Mikroskops gemessen werden.

Gleichzeitig kann die Verlässlichkeit (Genauigkeit, Fehler, und Ähnliches) von gemessenen Bilddaten bereitgestellt werden.

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Folgende.

  • (1) Ein Standard-Spezimen zum Evaluieren einer Form einer Sonde eines Sondenmikroskops, das einen Mehrschicht-Film, der einem selektiven Ätzen unterworfen ist, beinhaltet, das Spezimen hat eine Linienweite und einen Linienabstand, der durch eine Dicke der Schicht definiert ist und eine Linienhöhe, die durch einen Umfang des Ätzens definiert ist.
  • (2) Das Standard-Spezimen gemäß (1), das eine Schneiden-Struktur mit einer garantierten minimalen Weite hat.
  • (3) Das Standard-Spezimen gemäß (2), wobei die garantierte minimale Weite der Schneiden-Struktur 1 bis 50 nm ist.
  • (4) Das Standard-Spezimen gemäß (1), welches eine kammartige Struktur hat.
  • (5) das Standard-Spezimen gemäß (3), wobei die kammartige Struktur eine Struktur mit zwei oder mehr unterschiedlichen Linienweiten und/oder Linienabständen von 1 bis 500 nm ist.
  • (6) Das Standard-Spezimen gemäß (1), welches eine Schneiden-Struktur mit einer garantierten minimalen Weite und einer kammartige Struktur in Kombination hat.
  • (7) Das Standard-Spezimen gemäß (6), wobei die garantierte minimale Weite der Schneiden-Struktur 1 bis 50 nm ist.
  • (8) Das Standard-Spezimen gemäß (6), wobei die kammartige Struktur eine Struktur mit zwei oder mehr unterschiedlichen Linienweiten und/oder Linienabständen von 1 bis 500 nm ist
  • (9) Ein Standard-Spezimen zum Evaluieren einer Form einer Sonde eines Sondenmikroskops, das zwei oder mehr der Standard-Spezimen gemäß (2) beinhaltet, die aneinander laminiert sind.
  • (10) Ein Standard-Spezimen zum Evaluieren einer Form einer Sonde eines Sondenmikroskops, das zwei oder mehr der Standard-Spezimen gemäß (4) beinhaltet, die aneinander laminiert sind.
  • (11) Ein Standard-Spezimen zum Evaluieren einer Form einer Sonde eines von Mikroskops, das zwei oder mehr der Standard-Spezimen gemäß (6) beinhaltet, die aneinander laminiert sind.
  • (12) Ein Verfahren zum Evaluieren einer Form einer Sonde eines Sondenmikroskops, das das Messen eines Standard-Spezimen mit dem Sondenmikroskop beinhaltet, wobei das Standard-Spezimen einen Mehrschicht-Film beinhaltet, der einem selektiven Ätzen unterworfen ist, das Spezimen hat eine Linieweite und einen Linienabstand, der durch eine Dicke der Schicht definiert ist, und eine Linienhöhe, die durch einen Umfang des Ätzens definiert ist.
  • (13) Das Verfahren gemäß (12), wobei das Standard-Spezimen eine Schneiden-Struktur mit einer garantierten minimalen Weite hat.
  • (14) Das Verfahren gemäß (13), wobei die garantierte minimale Weite der Schneiden-Struktur 1 bis 50 nm ist.
  • (15) Das Verfahren gemäß (12), wobei das Standard-Spezimen eine kammartige Struktur hat.
  • (16) Das Verfahren gemäß (15), wobei die kammartige Struktur eine Struktur mit zwei oder mehr unterschiedlichen Linienweiten und/oder Linienabständen von 1 bis 500 nm ist.
  • (17) Das Verfahren gemäß (12), wobei das Standard-Spezimen eine Schneiden-Struktur mit einer garantierten minimalen Weite und eine kammartige Struktur in Kombination hat.
  • (18) Das Verfahren gemäß (17), wobei die garantierte minimale Weite der Schneiden-Struktur 1 bis 50 nm ist.
  • (19) Das Verfahren gemäß (17), wobei die kammartige Struktur eine Struktur mit zwei oder mehr unterschiedlichen Linienweiten und/oder Linienabständen von 1 bis 500 nm ist.
  • (20) Das Verfahren gemäß (13), wobei zwei oder mehr der Spezimen aneinander laminiert sind.
  • (21) Das Verfahren gemäß (15), wobei zwei oder mehr der Spezimen aneinander laminiert sind.
  • (22) Das Verfahren gemäß (17), wobei zwei oder mehr der Spezimen aneinander laminiert sind.

Gemäß der vorliegenden Erfindung kann eine Mikrostruktur präpariert werden, die nicht durch eine Präpäration gemäß einem lithografischen Verfahren realisiert werden kann, und eine minimale Größe kann garantiert werden. Weiter ist es notwendig jedes Spezimen getrennt zu präparieren wenn ein fokussierter Ionenstrahl für die Präparation verwendet wird. Im Gegenteil ist es gemäß dem Verfahren, das eine Mehrfach-Schicht verwendet, möglich, dasselbe Spezimen in großen Stückzahlen zu produzieren.

Im Vergleich zu einem Verfahren, bei dem eine Sondenform mit einem Elektronenmikroskop gemessen wird, können Formen der Sonde vor und nach der Messung gemäß der vorliegenden Erfindung gewonnen werden, solange nur ein Rasterkraftmikroskop vorhanden ist, das für die Beobachtung verwendet wird. Weiterhin kann eine Genauigkeit im Nanometerbereich realisiert werden. Demgemäß kann von einem praktischen Gesichtspunkt aus eine Form-Evaluierung im Vergleich zu einem Elektronenmikroskop in einer kurzen Zeitspanne durchgeführt werden.

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auch auf ein Standard-Spezimen zum Evaluieren einer Form einer Sonde eines Sonden-Mikroskops, das einen Mehrfach-Schicht-Film enthält, der einem selektiven Ätzen unterworfen ist, und eine Linienweite und einen Linienabstand hat, der durch eine Dicke der Schicht definiert ist, und eine Linienhöhe hat, die durch einen Umfang des Ätzens definiert ist; und ein Verfahren zum Evaluieren einer Sondenform eines Sonden-Mikroskops, das das Standard-Spezimen verwendet.

Die Erfindung ist auch auf Vorrichtungen gerichtet, die geeignet sind, die offenbarten Verfahren durchzuführen, und Vorrichtungsteile zum Durchführen jedes beschriebenen Verfahrensschritts beinhalten. Diese Verfahrensschritte können durch Hardware-Komponenten, einen Computer, der durch geeignete Software programmiert ist, durch eine Kombination der beiden, oder auf jegliche andere Weise durchgeführt werden. Weiterhin ist die Erfindung auch auf Verfahren gerichtet, mit denen die beschriebenen Teile bedient oder verwendet werden. Sie enthält Verfahrensschritte zum Durchführen der Funktionen der Geräte oder zum Herstellen der Teile des Geräts.

Die Erfindung kann unter Bezugnahme auf die folgende Beschreibung der Ausführungsbeispiele der Erfindung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen besser verstanden werden, wobei:

1 ist ein begreifendes beschreibendes Diagramm eines Raster-Sondenmikroskops.

2 ist ein Beispiel einer Seitenansicht eines Standard-Spezimen zum Messen einer Form einer Sonde.

3 ist ein beschreibendes Diagramm für die Erstellung eines Standard-Spezimen.

4 ist ein AFM Bild einer Schneide mit einer Größe von 10 nm.

5 ist ein Diagramm, das ein Evaluierungsverfahren einer gesamten Form einer Sonde zeigt.

6 ist ein AFM Bild einer Sonden-Evaluierungsstruktur.

7 ist ein Diagramm, das eine erzielte Form eines Spitzen-Endes einer Sonde zeigt.

8 ist der Diagramm, das eine gesamte erzielte Struktur einer Sonde zeigt.

9 ist ein Diagramm, das einen Vorteil einer kammartigen Struktur beschreibt.

Das Folgende beschreibt die vorliegende Erfindung im Detail.

Um eine Sonde im Nanometer Bereich zu evaluieren, ist ein Messgerät eines Auflösungsvermögens mit einer Größe notwendig, die gleich oder kleiner als die Sonde ist. Es wird ein Standard-Spezimen, das eine Größe der minimalen Struktur zum Messen einer Sondenform von 100 nm oder weniger (typischerweise 10 nm, wie in 2 dargestellt) hat, mit einem für die Messung verwendeten Sondenmikroskop gemessen, und das Auflösungsvermögen wird von somit erhalten Bilddaten extrahiert.

Wie in 3 gezeigt, wird ein Mehrfachschicht-Film mit zwei oder mehr Arten von Schichten oder eine Übergitter-Struktur, gefolgt von selektivem Ätzen deren Ebene, um eine konvex-konkave-Struktur auszubilden, erstellt, um wie oben erwähnt ein Spezimen zum Messen einer Sondenform zu erstellen. Indem nur eine Art von Material gemäß dem selektiven Ätzen zurückbleibt, kann ein Vorsprung oder eine Ausbuchtung, die mit einer Dicke eines geätzten Teils des Mehr-Schicht-Films oder des Übergitters korrespondiert, ausgebildet werden. Gemäß des Verfahrens wird eine kammartige Struktur oder eine Schneiden-Struktur erstellt und dabei wird ein Spezimen zum Evaluieren einer Sonde erstellt.

Gemäß der vorliegenden Erfindung wird garantiert, dass die Schneiden-Struktur eine minimale Breite von 1 bis 50 nm hat.

Weiter versteht man hierin unter einer "kammartigen Struktur" eine Struktur mit zwei oder mehr unterschiedlichen Linienweiten und/oder Linienabständen von 1 bis 500 nm.

Ein Mehrschicht-Film, der verwendet wird, um ein Standard-Spezimen zum Messen einer Sondenform zu erstellen, wird auf eine solche Art und Weise erstellt, dass eine Übergitter-Struktur erstellt wird, indem eine Mehr-Schicht Herstellungstechnik verwendet wird, die in der Lage ist, eine Dicke mit einer Genauigkeit von wenigen Nanometern oder weniger zu kontrollieren, gefolgt von selektivem Ätzen einer Seitenfläche. Wenn das CVD Verfahren oder MBE Verfahren verwendet wird um die Mehrschicht-Film zu erstellen kann, ein Standard-Struktur im Nanometerbereich mit Molekularschicht-Einheiten kontrolliert werden. Diesbezüglich sind Linienweiten und Linienabstände des Standard-Spezimen gemäß der vorliegenden Erfindung durch die Dicke der Mehrfach-Schicht definiert und dessen Linienhöhe sind durch den Ätz-Umfang definiert. Die Maßangabe des Standard-Spezimen gemäß der vorliegenden Erfindung kann mit einer Genauigkeit von weniger als 10 nm reguliert werden.

Als ein typisches Beispiel wird eine Übergitter-Struktur aus GaAs und InGaP durch das MOCVD Verfahren erstellt und eine Dicke der InGaP Schicht wird kontrolliert, um mit einer Dimension eines Vorsprungs zu korrespondieren. Eine Ebene wird poliert und anschließend wird die GaAs Schicht mit einer Lösung von Schwefelsäure und Wasserstoffperoxyd geätzt, wobei eine vorbestimmte Struktur erstellt wird (3).

Eine Kombination aus Silizium und einem Siliziumoxid Film kann auch als ein Mehrfach-Schicht-Film verwendet werden.

Zwei oder mehr Standard-Spezimen der vorliegenden Erfindung können verwendet werden, indem diese aneinander laminiert werden. Diesbezüglich können dieselben oder andere Arten von Spezimen in Kombination verwendet werden.

Im Anschluss wird die vorliegende Erfindung detaillierter unter Bezugnahme auf Beispiele beschrieben.

Beispiel 1

Ein in 2 dargestellter Spitzencharakterisierer, der eine periodische Struktur von 60, 20 und 10 nm Linienweite und einen Vorsprung von 10 nm (Schneide) hat, wurde entworfen und erstellt. Indem ein in GaAs Wafer verwendet wurde, wurde eine Übergitter Struktur erstellt. Eine Übergitter- Struktur aus GaAs/InGaP wurde durch das MOCVD Verfahren oder MBE Verfahren erstellt und mit einer Lösung von Schwefelsäure und Wasserstoffperoxyd selektiv geätzt, wodurch eine entworfene Struktur mit einer Genauigkeit von 2 nm oder weniger erstellt wurde. Die Weite und Länge der Sonde kann gemessen werden, indem eine erstellte periodische Struktur verwendet wird.

Wie in 4 dargestellt, wurde eine Schneiden-Kante mit einer Größe von 10 nm (Krümmungsradius: 5 nm) erstellt, die geeignet ist, um eine Form eines Spitzen-Endes der Sonde mit dem Nanometer-Auflösungsvermögen zu messen. Gemäß der somit erstellten Nanostruktur wird eine Schneiden-Struktur verwendet, um einen Spitzen-Ende-Teil wie in 5A zumessen, und ein Durchmesser und eine Länge eines peripheren Teils der Sonde werden aus einem Profil eines AFM Bildes an einer kammartige Struktur wie in 5B dargestellt gemessen. Indem diese Messungen kombiniert werden, kann die gesamte Form der Sonde evaluiert werden.

6A zeigt ein AFM Bild eines Sonden-Evaluierungs-Spezimen mit einer in 2 dargestellte Struktur, das mit einem Rasterkraftmikroskop betrachtet wird. Das entsprechende Linienprofil ist in 6B dargestellt. Von einem eingekreist Teil C des Grafen erhielt man die Form des Spitzen-Endes der Sonde, wie in 7 dargestellt, indem das Verfahren von 5A verwendet wurde. Da die Tiefen mit der die Sonde in 60, 20 und 10 nm kammartige Strukturen eindrang, als 25, 12 und 5 nm respektive abgelesen wurden, wurde die Form der Sonde auch gemäß dieses Verfahrens evaluiert. Als Resultat erhielt man eine in 8 dargestellte Form.

Bei einem gewöhnlichen Rasterkraft-Mikroskop generieren infolge einer Ansprechgeschwindigkeit einer Sondensteuerung Anstiegs- und Abfall-Steigungen eine Zeitverzögerung, wie in 9 dargestellt. Gemäß dem Verfahren, das eine kammartige Struktur verwendet, können selbst in diesem Fall eine Weite (W), eine Länge (L) und eine Position eines Peaks (P) ohne jegliche durch die Antwortcharakteristik einer Vorrichtung hervorgerufene Beeinflussung gemessen werden.

Eine GaAs Schicht oder eine InGaP Schicht ist dotiert, um ihr die elektrische Leitfähigkeit zu verleihen, und es dabei zu ermöglichen, in einem Tunnelmikroskop oder einem Sondenmikroskop verwendet zu werden, wobei ein Maß an Elektrizität verwendet wird, um eine Sonde zu kontrollieren. Gemäß dem Sonden-Evaluierungsverfahren, bei dem eine kammartige Struktur und ein Schneiden-Kanten-Verfahren in Kombination verwendet wird, evaluiert die Schneiden-Struktur ein Spitzen-Ende der Sonde, die kammartige Struktur evaluiert eine äußere Form der Sonde, und dann kann die gesamte Form der Sonde bestimmt werden. In diesem Fall kann ein Bereich der kammartigen Struktur als mehrere 100 nm erstellt werden.

Bei dem vorbereiteten Beispiel wurden zwei Substrate laminiert. Wenn zwei oder mehr Arten von Substraten mit unterschiedlichen Arten von Strukturen laminiert werden, kann jedoch eine Sondenevaluierungs-Struktur mit einer komplizierteren Kombination oder eine Sonde erstellt werden, die erstellt wird, in dem Strukturen mit unterschiedlicher Weite kombiniert werden.

Gemäß dem obigen Spitzen-Charakterisierer werden mehrere Arten von periodischen Strukturen untersucht, ob die jeweiligen Linien mit einem Rasterkraft-Mikroskop aufgelöst werden können oder nicht, und dabei kann eine Sonde mit einem erforderlichen Auflösungsvermögen leicht selektiert werden. Indem beobachtet wird, welche Linieweite aufgelöst wird, kann eine visuelle Beurteilung durchgeführt werden. Zum Beispiel kann eine Beurteilung durchgeführt werden, indem beobachtet wird, welche Linienweite von 60, 20 und 10 nm von 6A aufgelöst wird.

Wenn eine kammartige Struktur verwendet wird, kann eine Weite und eine Länge einer Sonde erhalten werden, die kaum von dem Nachführfehler infolge der Reaktion der Einheit abhängen. Steigungen wie z.B. S1 und S2 in 9 werden durch die Reaktion der Einheit beeinflusst. Da die Weite (W), die Länge (L) und die Peak-Position P (x, y) weniger beeinflusst werden, kann jedoch eine äußere Form einer Sonde, die weniger durch die Reaktion der Einheit beeinflusst ist, gemessen werden.

Mit einem in der Messung verwendeten Sondenmikroskop und dessen Sonde kann das Auflösungsvermögen gemessen werden. Weiter kann der Sondenverschleiß entsprechend der Zahl der Messungen und das Ausmaß des Verschleißes (Auflösungsvermögen) untersucht werden.

Indem eine gemessene Form einer Sonde verwendet wird kann ein Profil korrigiert werden, der Fehler der Formmessung kann spezifiziert werden, und eine Form-Korrektur kann angewendet werden.

Wenn ein Mehrschicht-Film aus GaAs/InGaP oder Silizium und Siliziumoxid verwendet wird, kann eine zeitliche Veränderung eines Spezimen unterdrückt werden, indem für die Seitenfläche ein Material verwendet wird, das schwerer oxidiert (InGaP oder Siliziumoxid Film). Gemäß einer Notwendigkeit kann ein hydrophiles oder hydrophobes Material auf einer Flächenseite angeordnet werden. Entsprechend dem obigen Spitzen-Charakterisierer kann, indem mehrere Arten von periodischen Strukturen mit einem Rasterkraft-Mikroskop betrachtet werden, um eine Weite (W in 9) der kammartigen Struktur und eine Tiefe (L in 9), in die eine Sonde eindringt, zu messen, eine Sonde mit einem für eine Messung notwenigen Längenverhältnis ermittelt werden.

Während die vorliegende Erfindung im Detail unter Bezugnahme auf deren spezifische Ausführungsformen beschrieben wurde, ist es für einen Fachmann offensichtlich, dass verschiedenartige Veränderung und Modifikationen durchgeführt werden können, ohne von deren Umfang abzuweisen.

Diese Anmeldungen basiert auf der japanischen Patentanmeldungsnummer 2005-236156, eingereicht am 16. August 3005, deren gesamter Inhalt hiermit unter Bezugnahme eingeschlossen ist.


Anspruch[de]
Ein Standard-Spezimen zum Evaluieren einer Form einer Sonde eines Sondenmikroskops, das einen Mehrschicht-Film, der einem selektiven Ätzen unterworfen ist, beinhaltet, das Spezimen hat eine Linienweite und einen Linienabstand, der durch eine Dicke der Schicht definiert ist, und eine Linienhöhe, die durch einen Ätzumfang definiert ist. Das Standard-Spezimen gemäß Anspruch 1, das eine Schneiden-Struktur mit einer garantierten minimalen Weite hat. Das Standard-Spezimen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 2, welches eine kammartige Struktur hat. Das Standard-Spezimen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, welches eine Schneiden-Struktur mit einer garantierten minimalen Weite und einer kammartige Struktur in Kombination hat. Das Standard-Spezimen gemäß einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei die garantierte minimale Weite der Schneiden-Struktur 1 bis 50 nm ist. Das Standard-Spezimen gemäß einem der Ansprüche 3 bis 5, wobei die kammartige Struktur eine Struktur mit zwei oder mehr unterschiedlichen Linienweiten und/oder Linienabständen von 1 bis 500 nm ist. Ein Standard-Spezimen zum Evaluieren einer Form einer Sonde eines Sondenmikroskops, das zwei oder mehr der Standard-Spezimen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6 beinhaltet, die aneinander laminiert sind. Ein Verfahren zum Evaluieren einer Form einer Sonde eines Sondenmikroskops, das das Messen eines Standard-Spezimen mit dem Sondenmikroskop beinhaltet, wobei das Standard-Spezimen einen Mehrschicht-Film beinhaltet, der einem selektiven Ätzen unterworfen ist, das Spezimen hat eine Linienweite und einen Linienabstand, der durch eine Dicke der Schicht definiert ist und eine Linienhöhe, die durch einen Umfang des Ätzens definiert ist. Das Verfahren gemäß Anspruch 8, wobei das Standard-Spezimen eine Schneiden-Struktur mit einer garantierten minimalen Weite hat. Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 8 bis 9, wobei das Standard-Spezimen eine kammartige Struktur hat. Das Verfahren gemäß Anspruch 8, wobei das Standard-Spezimen eine Schneiden-Struktur mit einer garantierten minimalen Weite und eine kammartige Struktur in Kombination hat. Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 9 bis 11, wobei die garantierte minimale Weite der Schneiden-Struktur 1 bis 50 nm ist. Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei die kammartige Struktur eine Struktur mit zwei oder mehr unterschiedlichen Linienweiten und/oder Linienabständen von 1 bis 500 nm ist. Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 8 bis 13, wobei zwei oder mehr der Spezimen aneinander laminiert sind.






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