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Dokumentenidentifikation DE102005022473B4 24.05.2007
Titel Vorrichtung zur Dämpfung von Reflexionen elektromagnetischer Wellen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
Anmelder Forschungszentrum Karlsruhe GmbH, 76133 Karlsruhe, DE
Erfinder Seemann, Klaus, Dr., 76448 Durmersheim, DE;
Leiste, Harald, Dr., 76356 Weingarten, DE;
Bekker, Viacheslav, 76227 Karlsruhe, DE;
Zils, Stefan, 76275 Ettlingen, DE
DE-Anmeldedatum 14.05.2005
DE-Aktenzeichen 102005022473
Offenlegungstag 16.11.2006
Veröffentlichungstag der Patenterteilung 24.05.2007
Veröffentlichungstag im Patentblatt 24.05.2007
IPC-Hauptklasse H01F 10/08(2006.01)A, F, I, 20051017, B, H, DE

Beschreibung[de]

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Dämpfung von Reflexionen einer auf die Vorrichtung auftreffenden elektromagnetischen Welle, ein Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung.

Elektromagnetische Wellen werden überwiegend durch einfache Metallisierungen aus Kupfer oder Aluminium abgeschirmt, wobei die Welle nahezu vollständig reflektiert und deren Energie nicht dissipiert wird. Nichtmagnetische Metalle reflektieren lediglich eine elektromagnetische Welle mit geringem Energieverlust; es findet kaum Dissipation statt.

Magnetische Schichten wie z.B. Folien aus FeNi bewirken bei der ferro- oder ferrimagnetischen Resonanz eine teilweise Absorption und Umwandlung der elektromagnetischen Energie in andere Energieformen, insbesondere in Wärme, und damit eine Dämpfung der Welle. Hierbei ist der Frequenzbereich der Energiedissipation jedoch eingeschränkt und deckt im Wesentlichen den unteren MHz- und den kHz-Bereich ab. Eine Verbesserung der Abschirmung einer elektromagnetischen Welle lässt sich durch die magnetische Permeabilität erzielen; der sog. Skin-Effekt verhindert ein tieferes Eindringen der Welle in ein Gehäuse. Nachteilig hieran ist, dass der Bereich der maximalen Energieabsorption jedoch nicht einstellbar ist.

Aus H. Okumura, D.J. Twisselmann, R.D. McMichael, M.Q. Huang, Y.N. Hsu, D.E. Laughlin und M.E. McHenry, Magnetic and structural characterization and ferromagnetic resonance study of thin film HITPERM soft magnetic materials for data storage applications, J. Appl. Phys. 93, 2003, S. 6528–30, ist eine Vorrichtung aus ein oder mehreren Lagen dünner Schichten aus amorphen magnetischen Materialien bekannt, wobei jeweils eine Schicht eine Resonanzfrequenz aufweist.

O. Acher, C. Boscher, B. Brule, G. Perrin, N. Vukadinovic, G. Suran und H. Joisten offenbaren in Microwave permeability of ferromagnetic thin films with stripe domain structure, J.

Appl. Phys. 81, 1997, S. 4057–59, einen ebenen amorphen ferromagnetischen Film, der Streifendomänen besitzt.

In G. Perrin, J.C. Peuzin, und O. Acher, Control of the resonance frequency of soft ferromagnetic amorphous thin films by strip patterning, J. Appl. Phys. 81, 1997, S. 5166–68, und in M. Vroubel, Y. Zhuang, B. Rejaei und J. Burghartz, Patterned FeNi thin film for RF and microwave components J. Magnetism and Magn. Materials 258–259, 2003, S. 167–169, werden mittels Photolithographie dünne, parallele Streifen aus amorphen ferromagnetischen Filmen auf ein Substrat aufgebracht. Hierdurch lässt sich die Frequenz der ferromagnetischen Resonanz eines Filmes zu höheren Werten verschieben.

Die WO 95/13620 A1 und die DE 1 764 304 A1 offenbaren jeweils eine Vorrichtung, die ein Substrat und die eine hierauf aufgebrachte strukturierte Schicht aus einem ferro- oder ferrimagnetischen Material umfassen. In beiden Fällen befindet sich unterhalb der strukturierten Schicht jedoch keine durchgängige Schicht aus einem ferro- oder ferrimagnetischen Material.

Ausgehend davon ist es die Aufgabe der Erfindung, eine ferro- oder ferrimagnetische Schicht, ein Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung anzugeben, die die vorher genannten Nachteile und Einschränkungen nicht aufweisen. Insbesondere soll eine Vorrichtung, die die Reflexion und Transmission elektromagnetischer Wellen durch ferro- oder ferrimagnetische Dünnschichten über einen weiten Frequenzbereich oder für diskrete Frequenzen dämpft, ein Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung angegeben werden.

Gelöst wird die Aufgabe durch die Merkmale des Patentanspruchs 1, durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruchs 10 und durch die Verwendung des Patentanspruchs 12. Die Unteransprüche beschreiben jeweils vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung.

Eine erfindungsgemäße Vorrichtung dient der Dämpfung von Reflexionen einer auf die Vorrichtung auftreffenden elektromagnetischen Welle, die bevorzugt eine Frequenz zwischen 1 MHz und 10 GHz, besonders bevorzugt zwischen 250 MHz und 5 GHz aufweist.

Eine erfindungsgemäße Vorrichtung ist auf einem Substrat aufgebracht. Hierzu dient jedes Material, solange hierauf ein ferro- oder ferrimagnetisches Material haftet. Dazu gehören z. B. ein Silizium-Wafer oder das Gehäuse eines elektronischen Bauteils.

Eine erfindungsgemäße Vorrichtung besteht aus einer durchgängigen Schicht aus einem ferro- oder ferrimagnetischen Material, die eine Dicke vorzugsweise zwischen 50 nm und 2 &mgr;m, besonders bevorzugt zwischen 200 nm und 1 &mgr;m besitzt. Durch Wahl des ferro- bzw. ferrimagnetischen Materials und, falls erforderlich, des Induzierens einer uniaxialen Anisotropie in der Schichtebene wird eine erste ferromagnetische Resonanzfrequenz erzeugt, die in Resonanz eine Aufnahme der elektromagnetischen Energie im Material und deren Umwandlung in andere Energieformen wie z.B. in Wärme diskret oder über ein Frequenzspektrum bewirkt.

Weiterhin ist diese Schicht erfindungsgemäß derart mit einer Struktur versehen, dass unterhalb dieser Struktur eine durchgehende Schicht aus dem ferro- oder ferrimagnetischen Material besteht. Durch die Strukturierung wird mindestens eine weitere ferromagnetische Resonanzfrequenz bereitgestellt, die in Resonanz ebenfalls eine Aufnahme der elektromagnetischen Energie im Material und deren Umwandlung in andere Energieformen bewirkt. Damit weist die strukturierte Schicht mindestens zwei voneinander verschiedene Resonanzfrequenzen auf.

Mehreren Resonanzfrequenzen werden durch ein auf ein bestimmtes Abschirmproblem zugeschnittenes Schichtdesign erhalten. Hierdurch können mehrere elektromagnetische Wellen mit jeweils verschiedener Frequenz reflexions- oder transmissionsgedämpft werden.

In einer bevorzugten Ausgestaltung ist die Struktur in der Schicht periodisch angeordnet und weist vorzugsweise eine Periode zwischen 10 &mgr;m und 250 &mgr;m, besonders bevorzugt zwischen 20 &mgr;m und 50 &mgr;m auf.

In einer besonderen Ausgestaltung setzt sich die Struktur aus Objekten mit annährend gleichen Abmessungen zusammen, die sich jeweils nebeneinander befinden. Hierzu wird die Schicht aus dem ferro- oder ferrimagnetischen Material ganz oder teilweise zu mikromagnetischen Objekten wie z.B. Quadrate, Rechtecke, Vielecke, Ellipsen oder Kreise strukturiert. Hierbei ist wichtig, dass die gewählten Domänenstrukturen dem gewünschten Frequenzspektrum entsprechen.

In einer weiteren Ausgestaltung befinden sich derartige Objekte nebeneinander, wobei die jeweils übernächsten Nachbarn annährend gleiche Abmessungen aufweisen. Diese Art der Ausgestaltung lässt sich dahingehend verallgemeinern, dass sich die Struktur aus sich nebeneinander befindlichen Objekten zusammensetzt, wobei die jeweils n-ten Nachbarn annährend gleiche Abmessungen aufweisen und n eine natürliche Zahl bevorzugt zwischen 2 und 20 ist.

Eine erfindungsgemäße ferro- oder ferrimagnetische Schicht wird mittels eines Dünnschichtverfahren als Ein- oder Mehrlagenschicht mit oder ohne uniaxiale Anisotropie bzw. mit oder ohne isolierende oder leitende Zwischenschichten auf ein Substrat wie z. B. auf einen Wafer oder vorzugsweise gleich auf ein Gehäuse eines elektronischen Bauteils aufgebracht.

Anschließend wird die Schicht durch Mikrostrukturtechniken in einzelne Bereiche strukturiert. Die auf diese Weise erzeugten Objekte weisen beliebige Formen und Abmessungen wie z.B. quadratische, rechteckige, runde, elliptische oder ringförmige Geometrien auf. Um ein bestimmtes Frequenzspektrum zu erhalten, werden unterschiedliche Schichten und Geometrien mit verschiedenen lateralen Abmessungen realisiert und kombiniert. Dabei bestimmen sowohl die Form der Domänenstruktur als auch die chemische Zusammensetzung der Schicht das jeweilige Frequenz- und Dämpfungsverhalten.

Der Vorteil der erfindungsgemäßen Vorrichtung besteht darin, dass bei Emission elektromagnetischer Wellen durch Hochfrequenz-Bauteile die Störung benachbarter Bauteile durch eine geringere Mehrfachreflexion verringert wird. Die Erfindung erlaubt somit eine Einstellung der Frequenz der maximalen Dämpfung, womit ein oder mehrere Frequenzbereiche unterdrückt bzw. gedämpft werden. Zudem weist eine erfindungsgemäße Vorrichtung eine geringe Ausdehnung und ein geringes Gewicht auf. Damit findet die Erfindung Verwendung zur Abschirmung von elektronischen Bauteilen in der Elektronik-, Telekommunikations-, Automobil- und Luftfahrt-Industrie über die die mindestens zwei Resonanzfrequenzen umgebenden Frequenzbereiche.

Die Erfindung wird im Folgenden an Hand eines Ausführungsbeispiels mit Hilfe der Abbildungen näher erläutert. Es zeigen:

1 Schematische Darstellung einer beispielhaften erfindungsgemäßen Vorrichtung

2 Permeabilität als Funktion der Frequenz der unstrukturierten Schicht (Vergleichsversuch)

3 Permeabilität als Funktion der Frequenz der erfindungsgemäß strukturierten Schicht Als Substrat diente, wie in 1 schematisch dargestellt, ein kommerziell erhältlicher Silizium-Wafer 1, der an seiner Oberfläche mit einer 1 &mgr;m dicken Schicht aus SiO2 versehen war. Hierauf wurde mittels Magnetron-Sputtern eine ca. 300 nm dicke Schicht 2 aus dem ferromagnetischen Material FeCoTaN aufgebracht.

Anschließend wurden in diese Schicht mittels Ätzen nebeneinander angeordnete Quadrate 3, 3', 3'', ... mit einer Seitenlänge d = 40 &mgr;m und einem Abstand e = 5 &mgr;m als periodische Struktur mit einer Periode p = d + e = 45 &mgr;m in die beiden zueinander senkrechten Richtungen eingebracht. Der Ätzprozess wurde gestoppt, als die Quadrate 3, 3', 3'', ... eine Höhe h von ca. 100 nm über der verbleibenden Schicht 2 aufweisen, deren Dicke D noch ca. 200 nm betrug.

Anhand des Realteils Re und Imaginärteils Im der Permeabilität &mgr;r als Funktion der Frequenz f wurden die Resonanzfrequenzen des ferromagnetischen Materials ohne bzw. mit Strukturierung ermittelt. Die in den 2 und 3 dargestellten Funktionen wurden mit einem Stripline-Permeameter aufgenommen.

In 2 sind als Vergleichsversuch der Realteil Re und der Imaginärteil Im der Permeabilität &mgr;r der unstrukturierten Schicht als Funktion der Frequenz f dargestellt. Im Imaginärteil Im ist deutlich das Maximum der ferromagnetischen Resonanz der Schicht 2 bei einem Wert von ca. 2 GHz zu erkennen.

3 zeigt den Realteil Re und den Imaginärteil Im der Permeabilität &mgr;r der oben hergestellten erfindungsgemäß strukturierten Schicht als Funktion der Frequenz f. Im Imaginärteil Im sind sehr ausgeprägt die beiden Maxima der strukturierten Schicht bei Werten von ca. 2,2 GHz und 2,8 GHz zu erkennen. Während ein Maximum von der ferromagnetischen Resonanz der Schicht 2 hervorgerufen wird, wird das zweite Maximum von der in die Schicht eingebrachten periodischen Struktur bewirkt.

Durch diese Anordnung der Maxima ergibt sich eine Dämpfung von Reflexionen einer auf die Vorrichtung auftreffenden elektromagnetischen Welle mit einer Frequenz über einen Bereich zwischen ca. 1,5 GHz und ca. 3,5 GHz.


Anspruch[de]
Vorrichtung zur Dämpfung von Reflexionen einer auf die Vorrichtung auftreffenden elektromagnetischen Welle, aufgebracht auf ein Substrat und umfassend eine Schicht aus einem ferro- oder ferrimagnetischen Material, in die eine Struktur so eingebracht ist, dass unterhalb der Struktur eine durchgängige Schicht aus dem ferro- oder ferrimagnetischen Material besteht, wodurch die strukturierte Schicht mindestens zwei voneinander verschiedene Resonanzfrequenzen aufweist. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Struktur periodisch ist und eine Periode zwischen 10 &mgr;m und 250 &mgr;m aufweist. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Struktur eine Periode zwischen 20 &mgr;m und 50 &mgr;m aufweist. Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Struktur aus sich nebeneinander befindlichen Objekten gleicher Abmessungen zusammengesetzt ist. Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Struktur aus sich nebeneinander befindlichen Objekten zusammengesetzt ist, wobei die jeweils übernächsten Nachbarn gleiche Abmessungen aufweisen. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Schicht zwischen 50 nm und 2 &mgr;m beträgt. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Schicht zwischen 200 nm und 1 &mgr;m beträgt. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die elektromagnetische Welle eine Frequenz zwischen 1 MHz und 10 GHz aufweist. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die elektromagnetische Welle eine Frequenz zwischen 250 MHz und 5 GHz aufweist. Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass eine Schicht aus einem ferro- oder ferrimagnetischen Material auf ein Substrat aufgebracht wird und anschließend Teile der Schicht derart entfernt werden, dass sich die Struktur bildet und unterhalb der Struktur eine durchgängige Schicht aus dem ferro- oder ferrimagnetischen Material verbleibt. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht auf ein Gehäuse eines elektronischen Bauteils als Substrat aufgebracht wird. Verwendung einer Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9 zur Abschirmung von elektronischen Bauteilen.






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