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Dokumentenidentifikation DE102005054267B3 24.05.2007
Titel Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung sowie Verwendung des Elektrospinningverfahrens
Anmelder Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
Erfinder Wombacher, Ralf, Dr., 35096 Weimar, DE
Vertreter Schweiger & Partner, 80333 München
DE-Anmeldedatum 11.11.2005
DE-Aktenzeichen 102005054267
Veröffentlichungstag der Patenterteilung 24.05.2007
Veröffentlichungstag im Patentblatt 24.05.2007
IPC-Hauptklasse H01L 23/16(2006.01)A, F, I, 20051111, B, H, DE
IPC-Nebenklasse H01L 21/50(2006.01)A, L, I, 20051111, B, H, DE   D01D 5/00(2006.01)A, L, I, 20051111, B, H, DE   H01L 21/67(2006.01)A, L, I, 20051111, B, H, DE   
Zusammenfassung Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil (1) und ein Verfahren zu dessen Herstellung sowie die Verwendung des Elektrospinningverfahrens. Bei Halbleiterbauteilen (1) kann es unter Belastung zur Delamination der Kunststoffgehäusemasse (9) vom Schaltungsträger (11) kommen, was zum Ausfall des Halbleiterbauteils (11) führen kann. Zur besseren Haftung ist zwischen dem Schaltungsträger (11) und der Kunststoffgehäusemasse (9) eine haftvermittelnde Schicht (10) angeordnet, die mittels Elektrospinning aufgetragene Fasern aufweist.

Beschreibung[de]

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil und ein Verfahren zu dessen Herstellung sowie die Verwendung des Elektrospinningverfahrens. Bei Halbleiterbauteilen können unter Belastung Delaminationen beispielsweise eines Kunststoffgehäuses vom Schaltungsträger auftreten. Schichten zwischen Grenzflächen unterschiedlicher Komponenten der Halbleiterbauteile sollen dazu beitragen, die bisher unzureichende Haftung von Kunststoffgehäusemasse an den relevanten Ober- und/oder Grenzflächen in Halbleiterbauteilen zu verbessern. Derartige unzureichende Haftungen führen zu erhöhtem Ausfall und stellen Fehlerrisiken bei Halbleiterbauteilen dar, die ein Versagen der Bauteile insbesondere bei der Bauteilqualifikation verursachen können.

Besonders gefährlich ist das Eindringen von Feuchtigkeit in derartige Grenzflächen, sodass beim Auflöten eines Halbleiterbauteils auf eine übergeordnete Schaltungsplatine der sog. "Popcorn"-Effekt auftreten kann, bei dem ein Abplatzen von Halbleiterbauteilkomponenten, insbesondere von Kunststoffgehäuseteilen von der Oberfläche des Schaltungsträgers eintreten kann.

Teilweise wurde bisher versucht, durch mechanische Vorbearbeitung die Oberflächen von Schaltungsträgern, die mit der Kunststoffgehäusemasse eine Grenzfläche bilden, aufzurauen. Es wurde auch versucht, durch physikalisch-chemische Verfahren wie Plasmaätzen oder durch eine Reihe hintereinander geschalteter galvanischer Prozess eine Oberflächenstruktur mit Hinterschneidungen aufzubringen und auf diese Weise eine verbesserte Verzahnung der Grenzflächen unterschiedlicher Komponenten zu erreichen. Ein solches elektronisches Bauteil ist beispielsweise aus der DE 101 24 047 A1 bekannt.

Die Herstellung von Fasern mittels eines Elektrospinningverfahrens ist aus dem Aufsatz „Electrospinning of Polymeric and Ceramic Nanofibers as Uniaxially Aligned Arrays" von Li et al. in Nano Letters, Aug. 2003, American Chem. Soc., Vo. 3, No. 8, S. 1167–1171, aus der US 2003/0137083 A1, der US 2003/0195611 A1 und der WO 2005/049707 A1 bekannt.

Diese bisherigen haftverbessernden Maßnahmen sind jedoch verhältnismäßig aufwendig und liefern keine ausreichende Verbesserung der Pressmassenhaftung. Zudem können mit nasschemischen Verfahren keine Bauteile mit geklebten Chips behandelt werden.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine Schicht anzugeben, die zwischen Grenzflächen unterschiedlicher Komponenten in Halbleiterbauteilen eingesetzt werden kann und die zuverlässig eine Haftung zwischen den Grenzflächen vermittelt.

Darüber hinaus ist es eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein möglichst einfaches Verfahren zur Herstellung einer solchen Schicht anzugeben.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit dem Gegenstand der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche.

Nach der vorliegenden Erfindung ist in einem Halbleiterbauteil mit einem Schaltungsträger und einem Kunststoffgehäuse zwischen Schaltungsträger und Kunststoffgehäuse eine Schicht angeordnet, die mittels Elektrospinning aufgetragene Fasern aufweist.

Die Erfindung geht dabei von der Überlegung aus, dass die Grenzflächen für eine gute Haftvermittlung starke Hinterschneidungen aufweisen sollten. Das Erzeugen von Hinterschneidungen direkt in den Oberflächen des Schaltungsträgers und des Kunststoffgehäuses sollte wegen der damit verbundenen Nachteile – wie hoher technischer Aufwand und Beschränkung auf nicht geklebte Chips bei nasschemischen Prozessen – jedoch vermieden werden.

Stattdessen sollte eine haftvermittelnde Schicht zwischen den Grenzflächen vorgesehen werden. Geeignet dafür sind mittels Elektrospinning erzeugte und aufgebrachte Fasern. Diese Fasern bilden ein Geflecht und erzeugen so eine Oberflächenstruktur mit starken Hinterschneidungen, die eine gute Haftung der Grenzflächen bewirkt.

Das erfindungsgemäße Halbleiterbauteil hat den Vorteil, dass durch das Fasergeflecht eine zuverlässige Haftwirkung erreicht wird. Durch Elektrospinning erzeugte Fasern können mit verschiedenen Durchmessern von mindestens 10 nm als Endlosfasern hergestellt werden und erzeugen auf der Unterlage, in diesem Fall der Schaltungsträger, ein dichtes Geflecht mit starken Hinterschneidungen. Sie eignen sich also besonders gut als Haftvermittler und befestigen das Kunststoffgehäuse somit zuverlässig am Schaltungsträger.

In einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung bestehen die Fasern aus einem keramischen Material, und vorteilhafterweise weisen sie einen Durchmesser zwischen 10 nm und 5 &mgr;m auf. Solche Fasern lassen sich durch einen Sinterprozess besonders gut auf dem Schaltungsträger befestigen und fest verankern. Sie erzeugen außerdem Hinterschneidungen auf der Oberfläche des Schaltungsträgers, deren Größenverhältnisse die haftverbessernde Wirkung besonders begünstigen.

Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer Schicht zwischen Grenzflächen unterschiedlicher Komponenten in Halbleiterbauteilen, in dem zunächst ein Schaltungsträger eines Halbleiterbauteils mit Oberflächen, die einen Halbleiterchip tragen und Grenzflächen, die mit einer Kunststoffgehäusemasse umhüllt werden hergestellt wird. In einem zweiten Schritt wird mit Hilfe des Elektrospinningverfahrens selektiv eine Schicht aus Fasern auf die Grenzflächen des Schaltungsträgers aufgebracht.

Im Elektrospinningverfahren wird ein Tropfen einer Flüssigkeit oder eines Gels an einer Düse elektrisch aufgeladen. Durch Anlegen einer Hochspannung wird ein Jet aus dem Tropfen herausgerissen, auf die Gegenelektrode beschleunigt und auf diese Weise zu einer dünnen Faser gesponnen.

Die Fasern werden in einer Ausführungsform der Erfindung aus einem Keramikprecursor hergestellt und in einem anschließenden Temperaturschritt ausgehärtet. Dabei sintern die Fasern auf den Grenzflächen des Schaltungsträgers fest und bilden gleichzeitig ein stabiles, fest verankertes Geflecht mit starken Hinterschneidungen.

Der Keramikprecursor wird vorteilhafterweise im Sol-Gel-Verfahren hergestellt, bei dem in einem nasschemischen Niedertemperaturprozess zunächst ein Sol, d.h. eine stabile Suspension feinster Partikel in einer Flüssigkeit hergestellt und anschließend in Hydrolyse- und Kondensationsreaktionen eingedickt wird. Das Sol eignet sich besonders gut zur Verarbeitung mittels Elektrospinning. Zur Durchführung des Verfahrens ist eine Vorrichtung mit einem Vorratsbehälter für das Ausgangsmaterial, beispielsweise das Sol, einer Düse, einer Hochspannungsquelle sowie einer Haltevorrichtung für den Schaltungsträger vorgesehen. Der in die Haltevorrichtung eingespannte Schaltungsträger wird durch Anlegen einer Hochspannung zur Gegenelektrode und damit zur Unterlage für die Faserschicht.

Alternativ dazu kann auch eine Gegenelektrode unterhalb des Schaltungsträgers angeordnet und elektrisch gegen diesen isoliert sein. Auch in diesem Fall wird die gewünschte Beschleunigung des Tropfens in Richtung des Schaltungsträgers und damit seine Dehnung zu einer Faser bewirkt.

Durch die Anordnung der Gegenelektrode und die Stärke der angelegten Spannung kann die Abscheidung der Fasern auf dem Schaltungsträger beeinflusst werden: Es kann entweder durch die Wahl einer verhältnismäßig niedrigen Spannung und/oder durch einen verhältnismäßig großen Abstand der Gegenelektrode vom Schaltungsträger ein relativ lockeres Fasergeflecht erzeugt werden. Oder es kann durch eine verhältnismäßig hohe Spannung und/oder die Verwendung des Schaltungsträgers selber als Gegenelektrode ein dichteres, stärker an den Schaltungsträger gedrücktes Fasergeflecht erzeugt werden. Diese Möglichkeit zur flexiblen Gestaltung der Faserschicht ist ein besonderer Vorteil des Elektrospinning-Verfahrens.

Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils sieht nach dem Aufbringen der Faserschicht im nächsten Schritt das Aufbringen eines Halbleiterchips auf den Schaltungsträger und das Herstellen elektrischer Verbindungen zwischen Halbleiterchip und beschichtungsfreien Kontaktanschlussflächen des Schaltungsträgers vor. Alternativ dazu kann jedoch auch zuerst der Halbleiterchip aufgebracht und die elektrischen Verbindungen zwischen Halbleiterchip und Kontaktanschlussflächen des Schaltungsträgers hergestellt werden, bevor die Faserschicht aufgetragen wird. In diesem Fall werden der Halbleiterchip sowie gegebenenfalls die elektrischen Verbindungen ebenfalls beschichtet.

Anschließend werden der Halbleiterchip und die elektrischen Verbindungen in eine Kunststoffgehäusemasse eingebettet und die mit der haftvermittelnden Schicht versehenen Grenzflächen des Schaltungsträgers ebenfalls mit der Kunststoffgehäusemasse überzogen. Das Einbetten in die Kunststoffgehäusemasse erfolgt dabei vorteilhafterweise in Spritzgusstechnik.

Durch den Einsatz des Elektrospinningverfahrens lässt sich mit verhältnismäßig geringem technischen Aufwand ohne den Einsatz nasschemischer Verfahren eine haftvermittelnde Schicht auf den Schaltungsträger aufbringen, die durch ihre starken Hinterschneidungen eine stabile Verankerung der Kunststoffgehäusemasse erlaubt. Weil auf nasschemische Prozesse verzichtet wird, ist die haftvermittelnde Schicht für eine Vielzahl von Halbleiterbauteilen einsetzbar, beispielsweise auch für solche, die geklebte Chips aufweisen.

Es ergibt sich damit eine weitere attraktive Anwendung für das Elektrospinningverfahren.

Die mittels Elektrospinning aufgebrachte Schicht wird in Halbleiterbauteilen als Haftvermittler zwischen einem Schaltungsträger und der Kunststoffgehäusemasse verwendet. Sie kann dabei auf einem Umverdrahtungssubstrat angeordnet sein, das Oberflächen eines Kunststoffträgermaterials und/oder eines Keramikträgermaterials und strukturierte metallische Oberflächen von Umverdrahtungsleitungen aufweist.

Sie kann auch auf einem Flachleiterrahmen angeordnet sein, wobei der Flachleiterrahmen Innenflachleiter mit metallischen Oberflächen aufweist, auf denen die Schicht angeordnet ist.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden anhand der beigefügten Figuren näher erläutert.

1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil mit einer Schicht gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung;

2 bis 6 zeigen schematische Darstellungen zur Herstellung eines Halbleiterbauteils mit einer Schicht gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung;

2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Schaltungsträger mit einer Schutzschicht vor einem Beschichten mittels Elektrospinning;

3 zeigt schematisch eine Vorrichtung zur Erzeugung von Fasern nach dem Elektrospinningverfahren;

4 zeigt den schematischen Querschnitt des Schaltungsträgers gemäß 2 nach Aufbringen einer erfindungsgemäßen Schicht und nach Entfernen der Schutzschicht;

5 zeigt einen schematischen Querschnitt des Schaltungsträgers gemäß Figur ach Aufbringen von Kontaktanschlussflächen und nach Fixieren eines Halbleiterchips und nach Verbinden der Kontaktflächen des Halbleiterchips mit den Kontaktanschlussflächen des Schaltungsträgers;

6 zeigt den schematischen Querschnitt eines Halbleiterbauteils nach Aufbringen einer Kunststoffgehäusemasse auf den Schaltungsträger.

Gleiche Teile sind in beiden Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen.

1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil 1 gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung. In dieser ersten Ausführungsform der Erfindung ist das Halbleiterbauteil 1 auf einen Schaltungsträger 11 aufgebaut, der aus einem Flachleiterrahmen 12 ausgestanzt ist.

Der Flachleiterrahmen 12 weist Außenflachleiter 18 als Außenkontakte 19 und Innenflachleiter 13 zum Anschluss eines Halbleiterchips 14 auf. Dabei werden die Innenflachleiter 13 von einer Kunststoffgehäusemasse 9 gehalten, die eine Berührungsfläche 4 zu einer Grenzfläche 2 der haftverbessernden Schicht 10 aufweist. Die Innenflachleiter 13 weisen Oberflächen 3 auf, die teilweise mit der haftverbessernden Schicht 10 beschichtet sind.

Der Halbleiterchip 14 wird von einem der Innenflachleiter 13 auf einem beschichtungsfreien Oberflächenbereich 15 getragen und ist ebenfalls in die Kunststoffgehäusemasse 9 eingebettet. Die Oberflächen des Halbleiterchips 14 weisen in dieser Ausführungsform der Erfindung keine haftverbessernde Schicht auf. Jedoch sind die verbleibenden Oberflächen 3 der Innenflachleiter 13 vollständig mit der haftverbessernden Schicht 10 beschichtet. Die Schicht 10 weist mittels Elektrospinning erzeugte Fasern auf, die eine mechanische Verankerung der Kunststoffgehäusemasse 9 auf dem Schaltungsträger 11 ermöglichen.

Vor dem Auftragen der Schicht 10 kann der Schaltungsträger 11 wie in 2 dargestellt in Bereichen, in denen keine Beschichtung durch das Elektrospinning gewünscht ist, mit einer Schutzschicht 24 versehen werden. Der Schaltungsträger 11 ist wiederum ein Teilstück eines Flachleiterrahmens 12 und weist Innenflachleiter 13 auf, deren Oberflächen 3 teilweise frei von Schutzschichten 24 sind, damit die erfindungsgemäße haftverbessernde Schicht darauf aufgebracht werden kann. Alle von der Schutzschicht 24 freigehaltenen Oberflächen 3 der Innenflachleiter 13 können in dem in 3 gezeigten Elektrospinningverfahren beschichtet werden.

Eine Vorrichtung 26 zur Durchführung des Elektrospinningverfahrens ist schematisch in 3 dargestellt. Sie umfasst einen Behälter 6, in dem das Ausgangsmaterial für die zu erzeugenden Fasern vorgehalten wird, und eine Düse 5, durch die das Ausgangsmaterial, das beispielsweise eine Lösung, eine Schmelze oder ein Gel sein kann, austritt. Zwischen der Düse 5 und einer Unterlage, die als Gegenelektrode 8 dient, wird über die Hochspannungsquelle 7 eine Spannung angelegt.

Über die Düse 5 tritt das Ausgangsmaterial als Tropfen 20 aus und wird elektrisch geladen. Durch das elektrische Feld wird ein feiner Strahl oder Jet 21 aus dem Tropfen 20 gerissen, auf die Gegenelektrode 8 beschleunigt und dabei immer weiter gestreckt. Die auf diese Weise erzeugten Fasern bilden auf der Unterlage ein dichtes Geflecht.

Als Ausgangsmaterial eignet sich beispielsweise ein nach dem Sol-Gel-Verfahren erzeugter Keramikprecursor. Fasern aus einem Keramikprecursor werden nach dem Aufbringen der Schicht 10 durch einen Temperaturprozess in eine Keramik umgewandelt. Dabei sintern die Fasern auf der Oberfläche 3 des Innenflachleiters 13 fest und bilden ein dicht vernetztes, fest verankertes Geflecht mit starken Hinterschneidungen.

4 zeigt den schematischen Querschnitt des Schaltungsträgers 11 gemäß 2 nach Aufbringen einer Schicht 10 und nach Entfernen der Schutzschicht 24, wie sie in 2 gezeigt wird. Dabei werden die Außenflachleiter 18 und die geschützten Kontaktanschlussflächen 17 auf den Innenflachleitern frei von einer haftverbessernden Schicht 10 gehalten. Auch die Oberflächenbereiche 15 eines Innenflachleiters 13 bleiben bei diesem Verfahren frei von einer haftverbessernden Schicht 10 und können einen Halbleiterchip aufnehmen.

5 zeigt den schematischen Querschnitt des Schaltungsträgers 11 gemäß 4 nach dem optionalen Aufbringen einer metallischen Beschichtung auf die Kontaktanschlussflächen 17 und nach Fixieren eines Halbleiterchips 14 auf dem Innenflachleiter 13 und nach Herstellen von elektrischen Verbindungen 16 zwischen Kontaktflächen 25 des Halbleiterchips 14 und den metallisierten Kontaktanschlussflächen 17.

6 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil 1 nach Aufbringen einer Kunststoffgehäusemasse 9 auf den Schaltungsträger 11. Dabei werden die Innenflachleiter 13 vollständig in die Kunststoffgehäusemasse 9, soweit sie keinen Halbleiterchip 14 tragen, eingebettet und dabei gleichzeitig mit der Kunststoffgehäusemasse 9 mechanisch verbunden. Durch die ausgeprägten Hinterschneidungen in der Schicht 10 wird das Kunststoffgehäuse fest verankert.

1
Halbleiterbauteil
2
Grenzfläche
3
Oberfläche
4
Berührungsfläche
5
Düse
6
Behälter
7
Hochspannungsquelle
8
Gegenelektrode
9
Kunststoffgehäusemasse
10
Schicht
11
Schaltungsträger
12
Flachleiterrahmen
13
Innenflachleiter
14
Halbleiterchip
15
Oberflächenbereiche (beschichtungsfrei)
16
elektrische Verbindungen
17
Kontaktanschlussfläche
18
Außenflachleiter
19
Außenkontakt
20
Tropfen
21
Jet
22
Beschichtung
23
Oberfläche der Beschichtung
24
Schutzschicht
25
Kontaktfläche
26
Elektrospinningvorrichtung
D
Schichtdicke


Anspruch[de]
Halbleiterbauteil (1) mit einem Schaltungsträger und einem Kunststoffgehäuse, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Schaltungsträger (11) und der Kunststoffgehäusemasse (9) eine Schicht (10) angeordnet ist, die mittels Elektrospinning aufgetragene Fasern aufweist. Halbleiterbauteil (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Fasern aus einem keramischen Material bestehen. Halbleiterbauteil (1) nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Fasern einen Durchmesser (d) mit 10 nm ≤ d ≤ 5 &mgr;m aufweisen. Verfahren zur Herstellung einer Schicht (10) zwischen Grenzflächen (2) unterschiedlicher Komponenten in Halbleiterbauteilen (1), wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist:

– Herstellen eines Schaltungsträgers (11) eines Halbleiterbauteils (1) mit Oberflächen (3), die einen Halbleiterchip (14) tragen und Grenzflächen (2), die mit einer Kunststoffgehäusemasse (9) umhüllt werden;

– Aufbringen einer Schicht (10) aus Fasern auf die Grenzflächen (2) des Schaltungsträgers (11) mit Hilfe des Elektrospinningverfahrens.
Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Fasern aus einem Keramikprecursor hergestellt werden. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Aufbringen der Fasern ein Aushärtungsschritt durchgeführt wird. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Herstellung des Keramikprecursors im Sol-Gel-Verfahren durchgeführt wird. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 4 bis 7 mit einem Behälter (6) für das Ausgangsmaterial, einer Düse (5), einer Hochspannungsquelle (7) sowie einer zur Halterung eines Schaltungsträgers (11) geeigneten Haltevorrichtung. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils (1) mit einer Schicht (10) zwischen Grenzflächen (2) unterschiedlicher Komponenten, wobei eine Komponente als Grenzflächen (2) Oberflächen (3) eines Schaltungsträgers (11) und eine andere Komponente als Grenzflächen (2) Berührungsflächen (4) einer Kunststoffgehäusemasse (9) umfasst, und wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist:

– Herstellen eines Schaltungsträgers (11) eines Halbleiterbauteils (1) mit Oberflächen (3), die einen Halbleiterchip (14) tragen und Grenzflächen (2), die mit einer Kunststoffgehäusemasse (9) umhüllt werden;

– Aufbringen einer Schicht (10) aus Fasern auf die Grenzflächen (2) des Schaltungsträgers (11) gemäß einem der Ansprüche 4 bis 7;

– anschließend Aufbringen eines Halbleiterchips (14) auf den selektiv beschichteten Schaltungsträger und

– Herstellen elektrischer Verbindungen zwischen Halbleiterchip (14) und beschichtungsfreien Kontaktanschlussflächen (17) des Schaltungsträgers (11);

– Einbetten des Halbleiterchips (14) und der elektrischen Verbindungen (16) in eine Kunststoffgehäusemasse (9) unter gleichzeitigem Aufbringen der Kunststoffgehäusemasse (9) auf die beschichteten Grenzflächen (2) des Schaltungsträgers (11).
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils (1) mit einer Schicht (10) zwischen Grenzflächen (2) unterschiedlicher Komponenten, wobei eine Komponente als Grenzflächen (2) Oberflächen (3) eines Schaltungsträgers (11) und eine andere Komponente als Grenzflächen (2) Berührungsflächen (4) einer Kunststoffgehäusemasse (9) umfasst, und wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist:

– Herstellen eines Schaltungsträgers (11) eines Halbleiterbauteils (1) mit Oberflächen (3), die einen Halbleiterchip (14) tragen und Grenzflächen (2), die mit einer Kunststoffgehäusemasse (9) umhüllt werden;

– Aufbringen eines Halbleiterchips (14) auf den Schaltungsträger;

– Herstellen elektrischer Verbindungen zwischen Halbleiterchip (14) und beschichtungsfreien Kontaktanschlussflächen (17) des Schaltungsträgers (11);

– anschließend Aufbringen einer Schicht (10) aus Fasern auf die Grenzflächen (2) des Schaltungsträgers (11) und auf den Halbleiterchip (14) gemäß einem der Ansprüche 4 bis 7;

– Einbetten des Halbleiterchips (14) und der elektrischen Verbindungen (16) in eine Kunststoffgehäusemasse (9) unter gleichzeitigem Aufbringen der Kunststoffgehäusemasse (9) auf die beschichteten Grenzflächen (2) des Schaltungsträgers (11).
Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Einbetten des Halbleiterchips (14) und der elektrischen Verbindungen (16) in die Kunststoffgehäusemasse (9) und das Aufbringen der Kunststoffgehäusemasse (9) auf die beschichteten Grenzflächen (2) mittels Spritzgusstechnik erfolgt. Verwendung des Elektrospinningverfahrens zum Aufbringen von Faserschichten auf Grenzflächen (2) in einem Halbleiterbauteil (1). Verwendung einer Schicht (10), die mittels Elektrospinning aufgebrachte Fasern aufweist, als Haftvermittler in Halbleiterbauteilen (1) zwischen einem Schaltungsträger (11) und einer Kunststoffgehäusemasse (9). Verwendung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (10) auf einem Umverdrahtungssubstrat als Schaltungsträger (11) angeordnet ist, wobei das Umverdrahtungssubstrat Oberflächen eines Kunststoffträgermaterials und/oder eines Keramikträgermaterials und strukturierte metallische Oberflächen von Umverdrahtungsleitungen aufweist. Verwendung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (10) auf einem Flachleiterrahmen (12) als Schaltungsträger (11) angeordnet ist, wobei der Flachleiterrahmen (12) Innenflachleiter (13) mit metallischen Oberflächen aufweist, auf denen die Schicht (10) angeordnet ist.






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