PatentDe  


Dokumentenidentifikation DE102005049793B3 05.07.2007
Titel Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschaltung, entsprechend hergestellte Halbleiterschaltung sowie zugehöriges Entwurfsverfahren
Anmelder Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
Erfinder Ruderer, Erwin, Dipl.-Phys., 85570 Markt Schwaben, DE;
Lutz, Walther, Dipl.-Ing., 85435 Erding, DE
Vertreter Patent- und Rechtsanwälte Kraus & Weisert, 80539 München
DE-Anmeldedatum 18.10.2005
DE-Aktenzeichen 102005049793
Veröffentlichungstag der Patenterteilung 05.07.2007
Veröffentlichungstag im Patentblatt 05.07.2007
IPC-Hauptklasse H01L 21/02(2006.01)A, F, I, 20060508, B, H, DE
IPC-Nebenklasse H01L 21/306(2006.01)A, L, I, 20060508, B, H, DE   H01L 21/336(2006.01)A, L, I, 20060508, B, H, DE   
Zusammenfassung Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschaltung (11) und eine entsprechend hergestellte Halbleiterschaltung (11) werden offenbart, wobei insbesondere durch zusätzliche Kontaktlöcher zwischen nicht isolierenden Füllstrukturen in der Substratschicht (12) der Halbleiterschaltung (11) und elektrisch leitenden Füllstrukturen in einer oberhalb der Substratschicht (12) angeordneten Metallschicht (5) der Halbleiterschaltung (11) zusätzliche Entladungspfade geschaffen werden, um einen Ladungsstrom bei der Herstellung der Halbleiterschaltung (11) abzuleiten, welcher durch ein bei der Herstellung verwendetes Plasma verursacht wird. Damit können die Auswirkungen des so genannten Antenneneffektes bei der Herstellung der Halbleiterschaltung verringert werden. Darüber hinaus wird ein zugehöriges Entwurfsverfahren beschrieben, bei welchem Entwurfsrestriktionen zur Vermeidung von Beschädigungen der Halbleiterschaltung aufgrund des Antenneneffektes entschärft sind.

Beschreibung[de]

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschaltung und eine entsprechend hergestellte Halbleiterschaltung, wobei insbesondere Auswirkungen des Antenneneffektes bei der Herstellung der Halbleiterschaltung gegenüber dem Stand der Technik verringert werden können. Darüber hinaus wird ein zugehöriges Entwurfsverfahren offenbart, bei welchem Entwurfsrestriktionen zur Vermeidung von Beschädigungen von Schaltungsstrukturen der Halbleiterschaltung aufgrund des Antenneneffektes gegenüber dem Stand der Technik entschärft werden können.

Die JP 2002-222881 A betrifft eine Halbleiterschaltung, welche die Verschärfung der ENDEYU-Lance- Eigenschaft verhindert, sowie ein entsprechendes Herstellungsverfahren, wobei der Antenneneffekt verhindert wird.

Die JP 06-224420 A beschreibt ein Herstellungsverfahren für eine Halbleiterschaltung, wobei ein Fragmentierungsschlitz ausgebildet wird, welcher einen dielektrischen Film für ein Gate teilt. Durch diesen Fragmentierungsschlitz tritt der Antenneneffekt nicht auf.

Die US 2005/0205969 A1 offenbart eine statische Speicherzellenstruktur, welche anstelle eines Trippelfilmstapels ein Dielektrikum mit einem hohen k-Wert zum Einfangen einer Ladung verwendet. Dabei kann die Eigenschaft des Einfangens der Ladung weiter verbessert werden, indem das Dielektrikum einem Plasma ausgesetzt wird.

Die US 2004/0026732 A1, US 2004/0105321 A1, US 2003/0178664 A1 und US 2003/0194842 A1 beschreiben jeweils eine Struktur eines statischen Speichers und die Herstellung davon, wobei der Antenneneffekt verhindert werden kann Die US 2002/0168827 A1 beschreibt eine Herstellungstechnik einer Halbleiterschaltung, wobei ein Plasma verwendendes Herstellungsverfahren eingesetzt wird.

Die US 6 150 261 A offenbart ein Herstellungsverfahren einer Halbleiterschaltung zur Verhinderung des Antenneneffektes.

Bei der Herstellung heutiger Halbleiterschaltungen wird gerade zur Bearbeitung von leitenden Schichten der Halbleiterschaltung Plasma eingesetzt. Dabei verursacht ein von dem Plasma verursachter Ladungsstrom 1 immer größere Probleme, was mit Hilfe der 1 dargestellt ist. Dieser Ladungsstrom 1 wird gerade von in Metallschichten der Halbleiterschaltung ausgebildeten Leiterbahnen 2 gesammelt und dann über mit diesen Leiterbahnen verbundene Anschlüsse 3 von Schaltungsstrukturen der Halbleiterschaltung abgeleitet, indem sich aufgrund des F-N-Tunneleffekts ein elektrischer Strom 4 durch das Gate-Oxid in der Substratsschicht der Halbleiterschaltung bildet. Wenn dieser elektrische Strom 4 durch das Gate-Oxid einen bestimmten Schwellenwert überschreitet, wird die zugehörige Schaltungsstruktur (z.B. ein Transistor) der Halbleiterschaltung und damit die Halbleiterschaltung beschädigt.

Da die Leiterbahn 2 wie eine Antenne fungiert, indem sie den von dem Plasma verursachten Ladungsstrom 1 aufsammelt, wird dieser Effekt auch als Antenneneffekt bezeichnet. Maßnahmen zum Schutz vor diesem Antenneneffekt sind dabei als „Antenna Protection" und Entwurfsregeln, welche eingehalten werden müssen, um eine Beschädigung der Halbleiterschaltung aufgrund des Antenneneffektes zu vermeiden, als Antennenregeln („Antenna Rules") bekannt. Dabei legen die Antennenregeln im Grunde fest, welches Verhältnis zwischen einer Antennenfläche und einer Gate-Fläche eines Gates eines Transistors der Halbleiterschaltung nicht unterschritten werden darf. Dabei setzt sich die Antennenfläche aus der Fläche der mit dem entsprechenden Gate verbundenen Leiterbahnen zusammen.

Aufgrund der immer kleiner werdenden Strukturen der heutigen Halbleiterschaltungen und aufgrund der im Verhältnis zu den Abmessungen dieser Strukturen immer größer werdenden Schaltungsnetze werden die Antennenregeln und damit die Entwurfsregeln immer hinderlicher, wodurch ein Entwurf von Halbleiterschaltungen bzw. die Entwurfsfreiheit beim Entwurf von Halbleiterschaltungen immer mehr eingeschränkt wird.

Daher ist es die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschaltung und eine Halbleiterschaltung sowie ein entsprechendes Entwurfsverfahren für eine Halbleiterschaltung bereitzustellen, wodurch die Antennenregeln im Vergleich zum Stand der Technik abgemildert bzw. entschärft werden können.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, einer Halbleiterschaltung nach Anspruch 7 und ein Verfahren zum Entwerfen einer Halbleiterschaltung nach Anspruch 13 gelöst. Die abhängigen Ansprüche definieren bevorzugte und vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung.

Im Rahmen der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschaltung bereitgestellt, bei welchem die Halbleiterschaltung mit einer Substratschicht und mit einer über der Substratschicht angeordneten Metallschicht hergestellt wird. Dabei sind in der Substratschicht Schaltungskomponenten bzw. Schaltungsstrukturen (z.B. Transistoren, Dioden) der Halbleiterschaltung ausgebildet, mit deren Hilfe die Halbleiterschaltung ihre elektrische Funktion realisiert. Diese Schaltungsstrukturen sind mittels elektrischer Verbindungen mit in der Metallschicht ausgebildeten Leiterbahnen verbunden. Somit weist die Halbleiterschaltung aufgrund dieser elektrischen Verbindungen eine bestimmte Leitfähigkeit zwischen der Substratschicht und der Metallschicht auf. Erfindungsgemäß wird nun die elektrische Leitfähigkeit zwischen der Substratschicht und der Metallschicht gegenüber dieser bestimmten elektrischen Leitfähigkeit erhöht.

Ein Problem bei der Herstellung von Halbleiterschaltungen nach dem Stand der Technik ist, dass ein von einem bei der Herstellung benötigten Plasma erzeugter Ladungsstrom aufgrund der geringen Leitfähigkeit zwischen der Metallschicht und der Substratschicht nur über elektrische Verbindungen zwischen der Metallschicht und den in der Substratschicht ausgebildeten Schaltungsstrukturen abfließen können. Wenn nun die Leitfähigkeit zwischen der Substratschicht und der Metallschicht erfindungsgemäß erhöht wird, nimmt der Anteil des Ladungsstroms, welcher während der Herstellung der Halbleiterschaltung durch die in der Substratschicht ausgebildeten Schaltungsstrukturen abfließt, ab. Dadurch können die Antennenregeln entsprechend entschärft werden, wodurch der Entwurf einer Halbleiterschaltung vorteilhafter Weise weniger restriktiv ist.

Dabei wird die elektrische Leitfähigkeit zwischen der Substratschicht und der Metallschicht durch elektrische Verbindungen vergrößert, welche zwischen der Metallschicht und Gebieten der Substratschicht angeordnet werden, wobei diese Gebiete keine Schaltungsstrukturen (beispielsweise Transistoren) zur Realisierung der elektrischen Funktion der Halbleiterschaltung aufweisen. Dabei wird in diesem Dokument unter der elektrischen Funktion der Halbleiterschaltung die elektrische Funktion verstanden, welche die Halbleiterschaltung realisiert. Das heißt, die elektrische Funktion gibt an, mit welchen Ausgangswerten der Halbleiterschaltung die Halbleiterschaltung auf bestimmte Eingangswerte der Halbleiterschaltung reagiert, wobei die Laufzeit Bestandteil der elektrischen Funktion ist.

Da die elektrischen Verbindungen, welche zusätzlich die Metallschicht und die Substratsschicht verbinden, nur mit Gebieten der Substratschicht verbunden sind, welche keine Schaltungsstrukturen zur Realisierung der elektrischen Funktion aufweisen, wird die elektrische Funktion vorteilhafter Weise durch diese elektrischen Verbindungen nicht beeinflusst. Diese elektrischen Verbindungen besitzen nur den Zweck, für zusätzliche Entladungspfade zu sorgen, so dass der bei der Herstellung der Halbleiterschaltung von dem Plasma verursachte Ladungsstrom abgeleitet wird.

Die elektrischen Verbindungen sind dabei insbesondere zusätzliche Kontaktlöcher zwischen der Substratschicht und der Metallschicht. Diese zusätzlichen Kontaktlöcher sind mit einem elektrisch leitenden Material, insbesondere einer Wolframlegierung, gefüllt und existieren zusätzlich zu Kontaktlöchern, welche vorhanden sind, um die zur Realisierung der elektrischen Funktion der Halbleiterschaltung in der Substratschicht vorhandenen Schaltungskomponenten mit der Metallschicht zu verbinden. Dabei ist es vorteilhaft, dass jedes zusätzliche Kontaktloch mit einer nicht isolierenden Füllstruktur bzw. Dummystruktur in der Substratschicht elektrisch verbunden wird. Diese nicht isolierenden Füllstrukturen werden in der Substratschicht ausgebildet, um den Herstellungsprozess der Halbleiterschaltung zu erleichtern. In der Metallschicht ist dabei insbesondere jedes zusätzliche Kontaktloch mit jeweils einer elektrisch leitenden Füllstruktur bzw. Dummystruktur verbunden. Diese elektrisch leitenden Füllstrukturen in der Metallschicht werden ausgebildet, um den chemischmechanischen Herstellungsprozess (CMP) der Metallschichten der Halbleiterschaltung zu erleichtern. Dabei sind die nicht isolierenden Füllstrukturen in der Substratschicht und die elektrisch leitenden Füllstrukturen in der Metallschicht übereinander ausgerichtet angeordnet.

Sowohl die nicht isolierenden Füllstrukturen in der Substratschicht als auch die elektrisch leitenden Füllstrukturen in der Metallschicht werden bereits heutzutage nach dem Stand der Technik ausgebildet, um den Herstellungsprozess zu vereinfachen bzw. überhaupt zu ermöglichen. Daher führt die Ausbildung der zusätzlichen Kontaktlöcher, welche diese Füllstrukturen verbinden, vorteilhafter Weise zu elektrischen Verbindungen von der Oberseite der Metallschicht zu der Unterseite der Substratschicht, die einen im Vergleich zu anderen Verbindungen zwischen der Oberseite der Metallschicht zu der Unterseite der Substratschicht geringen elektrischen Widerstand aufweisen. Dadurch sind diese elektrischen Verbindungen sehr gut in der Lage, den von dem Plasma verursachten Ladungsstrom, beispielsweise zu einer Platte welche beispielsweise Bestandteil einer Kammer, in welcher der Wafer der Halbleiterschaltung geätzt wird, ist und auf welcher der Wafer liegt, abzuleiten.

Im Rahmen der vorliegenden Erfindung wird auch eine Halbleiterschaltung bereitgestellt, bei welcher die Leitfähigkeit zwischen einer Metallschicht und einer Substratschicht der Halbleiterschaltung höher ist, als dies aufgrund von elektrischen Verbindungen zwischen der Metallschicht und in der Substratschicht ausgebildeten Schaltungsstrukturen zur Realisierung der elektrischen Funktion der Halbleiterschaltung der Fall ist. Dabei sind insbesondere Gebiete zwischen der Substratschicht und der Metallschicht, welche aufgrund der elektrischen Funktion der Halbleiterschaltung keine elektrisch leitenden Verbindungen aufweisen, mit elektrisch leitenden Elementen ausgestaltet, um die elektrische Leitfähigkeit zwischen der Metallschicht und der Substratschicht zu erhöhen.

Die Vorteile der erfindungsgemäßen Halbleiterschaltung entsprechen denjenigen, welche bereits vorab bei der Beschreibung des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung einer Halbleiterschaltung ausgeführt wurden, weshalb hier auf eine Wiederholung verzichtet wird.

Im Rahmen der vorliegenden Erfindung wird auch ein Verfahren zum Entwerfen einer Halbleiterschaltung bereitgestellt. Dabei entwirft dieses Entwurfsverfahren die Halbleiterschaltung mit einer Substratschicht und einer Metallschicht, welche oberhalb der Substratschicht angeordnet wird. Zu dem erfindungsgemäßen Verfahren gehört dabei ein Vergrößern der elektrischen Leitfähigkeit zwischen der Substratschicht und der Metallschicht in Gebieten, in welchen aufgrund der elektrischen Funktion der Halbleiterschaltung nur eine geringe elektrische Leitfähigkeit existiert.

Bei diesem erfindungsgemäßen Entwurfsverfahren sind die Antennenregeln, welche ein Anwender des Entwurfsverfahrens einzuhalten hat, weniger restriktiv als dies bei Entwurfsverfahren nach dem Stand der Technik der Fall ist. Dies ist möglich, da das erfindungsgemäße Entwurfsverfahren automatisch die elektrische Leitfähigkeit zwischen der Substratsschicht und der Metallschicht erhöht, wodurch weniger Ladungsstrom während der Herstellung der Halbleiterschaltung durch die in der Substratschicht ausgebildeten Schaltungsstrukturen fließt, als dies ohne die Vergrößerung der elektrischen Leitfähigkeit zwischen der Substratschicht und der Metallschicht der Fall wäre.

Des Weiteren offenbart die vorliegende Erfindung ein Computerprogrammprodukt mit einem Computerprogramm, welches in einem Rechnersystem abläuft und dabei das vorab beschriebene erfindungsgemäße Entwurfsverfahren ausführt. Schließlich beschreibt die vorliegende Erfindung einen elektronisch lesbaren Datenträger, auf welchem elektronisch lesbare Steuerinformationen gespeichert sind. Werden diese Steuerinformationen in ein Rechnersystem gespeist, indem der Datenträger von dem Rechnersystem gelesen wird, führen diese Steuerinformationen das vorab beschriebene erfindungsgemäße Entwurfsverfahren durch.

Die vorliegende Erfindung eignet sich vorzugsweise zum Einsatz bei der Herstellung von mikroelektronischen Schaltungen, wobei ein Plasma eingesetzt wird, welches einen Ladungsstrom verursacht, welcher über die Substratschicht der Halbleiterschaltung abzuleiten ist. Selbstverständlich ist die Erfindung jedoch nicht auf diesen bevorzugten Anwendungsbereich beschränkt, sondern kann beispielsweise auch eingesetzt werden, um einen irgendwie entstehenden Ladungsstrom über die Substratschicht abzuleiten.

Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend näher unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung an Hand bevorzugter Ausführungsbeispiele erläutert.

1 stellt dar, wie bei einer Halbleiterschaltung nach dem Stand der Technik ein von einem Plasma verursachter Ladungsstrom innerhalb der Halbleiterschaltung verläuft.

2 stellt eine erfindungsgemäße Halbleiterschaltung dar, wobei in 2b die erfindungsgemäße Halbleiterschaltung im Querschnitt und in 2a eine erste Metallschicht der Halbleiterschaltung im Detail dargestellt ist.

3 stellt ein Rechnersystem dar, auf welchem ein erfindungsgemäßes Entwurfsverfahren einer Halbleiterschaltung ausführbar ist.

In 2b ist eine erfindungsgemäße Halbleiterschaltung 11 im Querschnitt dargestellt. Diese Halbleiterschaltung 11 umfasst eine Substratschicht 12 und eine direkt darüber angeordnete erste Metallschicht 5, über welcher drei weitere Metallschichten 6 angeordnet sind. Während die Metallschichten 5, 6 untereinander mit Vias verbunden sind, ist die erste Metallschicht 5 und die Substratschicht 12 über Kontaktlöcher elektrisch verbunden.

In 2a ist ein Ausschnitt der ersten Metallschicht 5 dargestellt, in welchem keine Leiterbahnen verlaufen. Aus Herstellungsprozessgründen sind in solchen Abschnitten der Metallschichten 5, 6, welche keine Leiterbahnen tragen, mit regelmäßigen Abständen elektrisch leitende Füllstrukturen 10 angeordnet. Dabei sind die elektrisch leitenden Füllstrukturen in allen Metallschichten 5, 6 übereinander ausgerichtet angeordnet und jeweils mittels entsprechenden Vias verbunden. In der Substratschicht 12 ist ausgerichtet unterhalb jeder elektrisch leitender Füllstruktur 10 jeweils eine nicht isolierende Füllstruktur angeordnet. Über Kontaktlöcher, welche mit einer Wolframlegierung gefüllt sind, sind die elektrisch leitenden Füllstrukturen 10 der ersten Metallschicht 5 mit den nicht isolierenden Füllstrukturen der Substratschicht 12 elektrisch verbunden.

Somit existieren von der äußeren Seite der obersten Metallschicht 6 zu der unteren Seite der Substratschicht 12 mehrere elektrisch leitende Verbindungen, welche jeweils über die elektrisch leitenden Füllstrukturen 10 in den Metallschichten 5, 6 und die dazwischen angeordneten Vias sowie ein Kontaktloch und eine zugehörige nicht isolierende Füllstruktur verlaufen. Über diese elektrisch leitenden Verbindungen kann bei der Herstellung der Halbleiterschaltung 11 ein Großteil des durch das bei der Herstellung verwendete Plasma indizierten elektrischen Ladungsstroms abgeleitet werden, so dass der Anteil des Ladungsstroms, welcher durch das Gate-Oxid von Schaltungsstrukturen der Halbleiterschaltung 11 fließt, geringer ist, als wenn die zusätzlich ausgebildeten elektrisch leitenden Verbindungen nicht existieren würden.

Der Vorteil aufgrund dieser zusätzlichen elektrisch leitenden Verbindungen ist umso größer, je weniger Schaltungsstrukturen auf einem Wafer bzw. auf einer Halbleiterschaltung ausgebildet sind. Der Grund dafür ist, dass je weniger Schaltungsstrukturen auf dem Wafer bzw. der Halbleiterschaltung vorhanden sind, desto größer ist der Anteil des Wafers bzw. der Halbleiterschaltung, in welchem die erfindungsgemäßen zusätzlichen Kontaktlöcher zwischen der ersten Metallschicht 5 und der Substratschicht 12 ausgebildet sind. Je größer dieser Anteil wiederum ist, desto kleiner ist der Anteil des Ladungsstroms, welcher bei der Herstellung der Halbleiterschaltung durch die Schaltungsstrukturen auf dem Wafer bzw. der Halbleiterschaltung fließt.

Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung ist, dass die Belastung der einzelnen Schaltungsstrukturen weniger abhängig von dem Anteil des Wafers bzw. der Halbleiterschaltung ist, welcher Schaltungsstrukturen aufweist. Damit spielt bei einem Entwurfsverfahren ein Verhältnis zwischen einer Fläche der Halbleiterschaltung, welche Schaltungsstrukturen aufweist, und einer Fläche der Halbleiterschaltung, welche keine Schaltungsstrukturen aufweist, eine geringere Rolle als bei Entwurfsverfahren nach dem Stand der Technik. Dieser Vorteil ist gerade bei der Herstellung von Testschaltungen, welche bisweilen nur einen geringen Anteil mit Schaltungsstrukturen aufweisen, besonders wichtig.

In 3 ist ein Rechnersystem 20 dargestellt, auf welchem ein Verfahren zum Entwurf einer Halbleiterschaltung abläuft, mit welchem eine Halbleiterschaltung 11 entworfen werden kann, die die vorab beschriebenen zusätzlich ausgebildeten elektrisch leitenden Verbindungen aufweist. Dabei umfasst das Rechnersystem 20 einen Monitor 21, eine Tastatur 22, eine Maus 23 und einen Rechner 24. Der Rechner 24 umfasst wiederum Speichermittel 25 (z. B. eine Festplatte), eine CPU 26 und eine Lesevorrichtung für eine CD oder DVD 27.

Dabei werden zum Entwurf der Halbleiterschaltung notwendige Vorgaben und Informationen sowie ein zur Durchführung des zuvor beschriebenen Entwurfsverfahrens vorgesehenes Computerprogramm in den Speichermitteln 25 abgespeichert, indem es zum Beispiel mit Hilfe der Maus 23 und der Tastatur 22 in das Rechnersystem 20 eingegeben wird. Dieses Rechnersystem 20 führt das zuvor beschriebene Entwurfsverfahren automatisiert softwaregesteuert durch Zugriff auf die in den Speichermitteln 25 gespeicherten Informationen beziehungsweise Vorgaben durch.

Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel befinden sich elektronisch lesbare Steuerinformationen auf einer DVD 27, d. h. auf einem elektronisch lesbaren Datenträger. Wenn diese DVD 27 in das Rechnersystem 20 eingeführt wird, werden diese Steuerinformationen von dem Rechnersystem 20 elektronisch gelesen, wodurch durch die Steuerinformationen das vorab beschriebene erfindungsgemäße Entwurfsverfahren ausgeführt wird.


Anspruch[de]
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschaltung,

wobei die Halbleiterschaltung (11) mit einer Substratschicht (12) und mit einer über der Substratschicht (12) angeordneten Metallschicht (5) hergestellt wird, wobei zur Realisierung einer elektrischen Funktion der Halbleiterschaltung (11) in der Substratschicht (12) Schaltungskomponenten ausgebildet werden und mit der Metallschicht (5) elektrisch leitend verbunden werden, und

wobei die Halbleiterschaltung (11) aufgrund der realisierten elektrischen Funktion eine bestimmte elektrische Leitfähigkeit zwischen der Substratschicht (12) und der Metallschicht (5) aufweist,

dadurch gekennzeichnet,

dass die elektrische Leitfähigkeit zwischen der Substratschicht (12) und der Metallschicht (5) dadurch vergrößert wird, dass elektrische Verbindungen zwischen der Metallschicht (5) und Gebieten der Substratschicht (12) hergestellt werden, welche keine Schaltungskomponenten aufweisen.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass mit einem elektrisch leitenden Material gefüllte zusätzliche Kontaktlöcher zwischen der Substratschicht (12) und der Metallschicht (5) ausgebildet werden, wobei die zusätzlichen Kontaktlöcher zusätzlich zu Kontaktlöchern ausgebildet werden, welche Schaltungskomponenten in der Substratschicht (12) mit der Metallschicht (5) verbinden. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass jedes zusätzliche Kontaktloch mit jeweils einer nicht isolierenden Füllstruktur in der Substratschicht (12) elektrisch verbunden wird, wobei die nicht isolierenden Füllstrukturen in der Substratschicht (12) hergestellt werden, um die Herstellung der Halbleiterschaltung (11) zu erleichtern. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass jedes Kontaktloch mit jeweils einer elektrisch leitenden Füllstruktur (10) in der Metallschicht (5) elektrisch verbunden wird, wobei die elektrisch leitenden Füllstrukturen (10) in der Metallschicht (5) hergestellt werden, um die Herstellung der Halbleiterschaltung (11) zu erleichtern. Verfahren nach Anspruch 4,

dadurch gekennzeichnet,

dass weitere Metallschichten (6) über der Metallschicht (5) hergestellt werden,

dass innerhalb der weiteren Metallschichten (5) elektrisch leitende Füllstrukturen (10) hergestellt werden, und dass die elektrisch leitenden Füllstrukturen (10) der weiteren Metallschichten (6) und der Metallschicht (5) über Vias verbunden werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 2–5, dadurch gekennzeichnet, dass das elektrisch leitende Material Wolfram umfasst. Halbleiterschaltung,

welche eine Substratschicht (12) und eine über der Substratschicht (12) angeordnete Metallschicht (5) umfasst,

welche zur Realisierung einer elektrischen Funktion der Halbleiterschaltung (11) Schaltungskomponenten in der Substratschicht (12) aufweist, die mit der Metallschicht (5) elektrisch leitend verbunden sind, und

welche aufgrund der von der Halbleiterschaltung (11) ausgebildeten elektrischen Funktion eine bestimmte Leitfähigkeit zwischen der Substratschicht (12) und der Metallschicht (5) aufweist,

dadurch gekennzeichnet,

dass Gebiete zwischen der Substratschicht (12) und der Metallschicht (5), welche aufgrund der elektrischen Funktion der Halbleiterschaltung (11) keine elektrisch leitenden Verbindungen aufweisen, derart mit elektrisch leitenden Elementen ausgestaltet sind, dass die elektrische Leitfähigkeit zwischen der Substratschicht (12) und der Metallschicht (5) dadurch im Vergleich zur bestimmten Leitfähigkeit erhöht ist.
Halbleiterschaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitenden Elemente mit einem elektrisch leitenden Material gefüllte Kontaktlöcher sind, welche die Metallschicht (5) mit der Substratschicht (8) verbinden. Halbleiterschaltung nach Anspruch 7 oder 8,

dadurch gekennzeichnet,

dass jedes elektrisch leitende Element mit jeweils einer nicht isolierenden Füllstruktur elektrisch verbunden ist,

wobei die nicht isolierenden Füllstrukturen in der Substratschicht (12) angeordnet sind, um die Herstellung der Halbleiterschaltung (11) zu erleichtern.
Halbleiterschaltung nach einem der Ansprüche 7–9, dadurch gekennzeichnet, dass jedes elektrisch leitende Element mit jeweils einer elektrisch leitenden Füllstruktur (10) elektrisch verbunden ist, wobei die elektrisch leitenden Füllstrukturen (10) in der Metallschicht (5) angeordnet sind, um die Herstellung der Halbleiterschaltung (11) zu erleichtern. Halbleiterschaltung nach Anspruch 10,

dadurch gekennzeichnet,

dass die Halbleiterschaltung (11) weitere Metallschichten (6) über der Metallschicht (5) umfasst,

dass innerhalb der weiteren Metallschichten (6) elektrisch leitende Füllstrukturen (10) angeordnet sind, und dass die elektrisch leitenden Füllstrukturen (10) der weiteren Metallschichten (6) und der Metallschicht (5) über Vias verbunden sind.
Halbleiterschaltung nach einem der Ansprüche 8–11, dadurch gekennzeichnet, dass das elektrisch leitende Material Wolfram umfasst. Verfahren zum Entwerfen einer Halbleiterschaltung, wobei das Verfahren die Halbleiterschaltung (11) mit einer Substratschicht (12) und einer über der Substratschicht (12) angeordneten Metallschicht (5) entwirft, gekennzeichnet durch den Schritt Vergrößern der elektrischen Leitfähigkeit zwischen der Substratschicht (12) und der Metallschicht (5) in Gebieten, in welchen aufgrund der elektrischen Funktion der Halbleiterschaltung (11) nur eine geringe elektrische Leitfähigkeit vorherrschen würde. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren die Halbleiterschaltung (11) gemäß dem Verfahren nach einem der Ansprüche 1–7 ausgestaltet. Verwendung als Computergrogrammprodukt mit einem Computerprogramm, welches bei Ausführung in einem Rechnersystem (20) das Verfahren nach Anspruch 14 oder 15 ausführt. Verwendüng als Elektronisch lesbarer Datenträger mit darauf gespeicherten elektronisch lesbaren Steuerinformationen, welche derart ausgestaltet sind, dass sie bei Verwendung des Datenträgers (27) in einem Rechnersystem (20) das Verfahren nach Anspruch 14 oder 15 durchführen.






IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

Anmelder
Datum

Patentrecherche

Patent Zeichnungen (PDF)

Copyright © 2008 Patent-De Alle Rechte vorbehalten. eMail: info@patent-de.com