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ROM-Speicher mit reduziertem Leckstrom und Methode zum Beschreiben desselben - Dokument DE112005002087A5
 
PatentDe  


Dokumentenidentifikation DE112005002087A5 19.07.2007
Titel ROM-Speicher mit reduziertem Leckstrom und Methode zum Beschreiben desselben
Anmelder Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
Erfinder Gupta, Siddharth, Bangalore, IN;
Larguier, Jean-Yves, Antibes, FR;
Lehmann, Gunther, 83607 Holzkirchen, DE;
Martelloni, Yannick, 85586 Poing, DE
Vertreter PAe Reinhard, Skuhra, Weise & Partner GbR, 80801 München
DE-Aktenzeichen 112005002087
Vertragsstaaten AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW, EP, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR, OA, BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG, AP, BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW, EA, AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM
Sprache des Dokument DE
WO-Anmeldetag 18.08.2005
PCT-Aktenzeichen PCT/EP2005/008952
WO-Veröffentlichungsnummer 2006024403
WO-Veröffentlichungsdatum 09.03.2006
Veröffentlichungstag im Patentblatt 19.07.2007
IPC-Hauptklasse G11C 17/18(2006.01)A, F, I, 20050818, B, H, DE








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