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Dokumentenidentifikation DE102006007093A1 23.08.2007
Titel Verfahren zur Herstellung einer haftfähigen Schicht auf einem Halbleiterkörper
Anmelder Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
Erfinder Schulze, Hans-Joachim, Dr., 85521 Ottobrunn, DE;
Barthelmess, Reiner, Dr., 59494 Soest, DE;
Pikorz, Dirk, Dr., 59581 Warstein, DE
Vertreter Westphal, Mussgnug & Partner, 80336 München
DE-Anmeldedatum 15.02.2006
DE-Aktenzeichen 102006007093
Offenlegungstag 23.08.2007
Veröffentlichungstag im Patentblatt 23.08.2007
IPC-Hauptklasse H01L 21/56(2006.01)A, F, I, 20060215, B, H, DE
IPC-Nebenklasse H01L 23/28(2006.01)A, L, I, 20060215, B, H, DE   H01L 29/78(2006.01)A, L, I, 20060215, B, H, DE   H01L 29/739(2006.01)A, L, I, 20060215, B, H, DE   
Zusammenfassung Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten einer Oberfläche (101) eines Halbleiterkörpers (100), das folgende Verfahrensschritte umfasst:
- Abtragen einer dünnen oberflächennahen Schicht im Bereich der zu beschichtenden Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) mittels eines Sputterverfahrens,
- Aufbringen einer ersten Schicht (21) auf die Oberfläche (101) in dem Bereich, in dem die oberflächennahe Schicht abgetragen wurde.

Beschreibung[de]

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer haftfähigen Schicht, insbesondere einer Passivierungsschicht, auf einem Halbleiterkörper, insbesondere in einem Halbleiterkörper, in dem eine Leistungsbauelementstruktur integriert ist.

Um bei Leistungs-Halbleiterbauelementen, beispielsweise aus Silizium (Si) oder Siliziumkarbid (SiC), eine ausreichend hohe Sperrfähigkeit zu erreichen, sind insbesondere in solchen Bereichen, in denen ein pn-Übergang an die Oberfläche tritt, geeignete Maßnahmen zur Beherrschung der hohen elektrischen Feldstärken zu ergreifen. In diesen Bereichen, in denen Halbleiterübergänge an die Oberfläche treten – üblicherweise im Randbereich des Bauelements – kann es ohne zusätzliche Maßnahmen bei Polung des Halbleiterübergangs in Sperrrichtung zu einem Einsetzen einer Avalanche-Generation kommen, noch deutlich bevor die Spannungsfestigkeit im Volumen, das heißt im Inneren des Halbleiterkörpers, erreicht wird. Die niedrigere Spannungsfestigkeit im Randbereich reduziert dabei die Spannungsfestigkeit des gesamten Bauelements.

Eine geeignete Maßnahmen zur Vermeidung eines verfrühten Spannungsdurchbruchs im Randbereich bzw. zur Anhebung der Spannungsfestigkeit im Randbereich besteht im Aufbringen einer Passivierungsschicht auf die Bereiche des Halbleiterkörpers, an denen der pn-Übergang an die Oberfläche tritt. Derartige Passivierungsschichten sind beispielsweise semiisolierende Schichten, wie sogenannte a-C:H-Schichten oder amorphe Halbleiterschichten, wie sie in der DE 103 58 985 A1, der EP 0 624 901 A1, der EP 0 400 178 B1 oder der EP 0 381 111 B1 beschrieben sind. a-C:H-Schichten sind amorphe Kohlenstoffschichten, die mit Wasserstoff dotiert sind.

Die Passivierungsschichten können insbesondere mehrschichtig ausgebildet sein.

Probleme können entstehen, wenn ein solches Bauelement bei anliegender Sperrspannung einer feuchten Umgebung ausgesetzt wird. Hierbei kann es zu einem teilweisen Ablösen der Passivierungsschichten und damit zu einer Verringerung der Spannungsfestigkeit des Bauelements kommen.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Verfahren zur Herstellung einer haftfähigen Schicht, insbesondere einer haftfähigen Passivierungsschicht, auf einem Halbleiterkörper zur Verfügung zu stellen.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren nach Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Beschichten einer Oberfläche eines Halbleiterkörpers ist vorgesehen, eine dünne oberflächennahe Schicht des Halbleiterkörpers mittels eines Sputterverfahrens abzutragen und anschließend eine erste Schicht auf die Oberfläche in dem Bereich des Halbleiterkörpers aufzubringen, in dem die oberflächennahe Schicht abgetragen wurde.

Das "Absputtern" der Oberfläche des Halbleiterkörpers vor dem Aufbringen der ersten Schicht, durch das eine oberflächennahe Schicht des Halbleiterkörpers abgetragen wird, bewirkt eine Beseitigung haftvermindernder Verunreinigungen, wie beispielsweise eines Oxids, von der Oberfläche des Halbleiterkörpers und führt somit zu einem besseren Anhaften der nachfolgend aufgebrachten ersten Schicht.

Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich für das Aufbringen beliebiger Schichten auf eine Oberfläche eines Halbleiterkörpers, insbesondere für das Aufbringen von Passivierungsschichten, wie beispielsweise einer oder mehrerer Schichten aus wasserstoffdotiertem amorphem Kohlenstoff (a-C:H), amorphem Halbleitermaterial oder einem Polyimid.

Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich darüber hinaus auch zum Aufbringen einer Metallschicht, wie beispielsweise einer Schicht aus Aluminium, Kupfer, Titan oder Wolfram, auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers.

Zum mechanischen Schutz der auf die Oberfläche aufgebrachten ersten Schicht kann eine Schutzschicht auf diese erste Schicht aufgebracht werden. Eine solche Schutzschicht ist beispielsweise eine Weichvergussschicht, beispielsweise aus Silikon, eine Harzschicht oder eine Kautschukschicht.

Des Weiteren kann unter Anwendung des zuvor erläuterten Verfahrens eine zweite Schicht auf die bereits auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers aufgebrachte erste Schicht aufgebracht werden. Zur Beseitigung von Verunreinigungen von der freiliegenden Oberfläche der ersten Schicht wird diese hierbei einem Sputterverfahren unterzogen, durch welches eine dünne oberflächennahe Schicht der ersten Schicht entfernt wird. Anschließend wird die zweite Schicht auf die erste Schicht aufgebracht. Dieses Verfahren eignet sich insbesondere zur Herstellung einer mehrlagigen Passivierungsschicht, bei welcher die erste Schicht beispielsweise aus einem amorphen Passivierungsmaterial, wie beispielsweise amorphen Kohlenstoff oder amorphen Halbleitermaterial, besteht und bei dem die zweite Schicht aus einem Polyimid besteht.

Auch auf eine derart hergestellte zweite Schicht kann eine mechanische Schutzschicht, beispielsweise eine Weichvergussschicht, eine Harzschicht oder eine Kautschukschicht aufgebracht werden.

Die Herstellung der ersten und/oder zweiten Schicht kann abhängig von dem für diese Schicht verwendeten Material mit einem üblichen, zur Herstellung der jeweiligen Schicht geeigneten Abscheide- oder Auf dampfverfahren erfolgen.

Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend anhand von Figuren näher erläutert.

1 veranschaulicht ein erstes Verfahren zum Beschichten einer Oberfläche eines Halbleiterkörpers.

2 zeigt den Halbleiterkörper gemäß 1 nach Durchführung weiterer Verfahrensschritte.

3 veranschaulicht ein weiteres Verfahren zum Beschichten eines Halbleiterkörpers.

4 zeigt den Halbleiterkörper gemäß 3 nach Durchführung weiterer Verfahrensschritte.

In den Figuren bezeichnen, sofern nicht anders angegeben, gleiche Bezugszeichen gleiche Bauelementbereiche und Schichten mit gleicher Bedeutung.

Ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens wird nachfolgend anhand der 1A und 1B für die Herstellung eines planaren Randabschlusses eines Leistungshalbleiterbauelements erläutert.

1A zeigt ausschnittsweise einen Halbleiterkörper 100, der eine erste Oberfläche 101, die nachfolgend als Vorderseite bezeichnet wird, sowie eine den Halbleiterkörper in einer lateralen Richtung begrenzende Randfläche 102 aufweist. 1A zeigt den Halbleiterkörper ausschnittsweise im Bereich der Vorderseite im Randbereich. Der dargestellte Halbleiterkörper weist in einer lateralen Richtung beabstandet zum Rand 102 einen pn-Übergang zwischen einer p-dotierten Zone 11 und einer eine n-Dotierung aufweisenden Zone 12, die sich in der lateralen Richtung bis zum Rand 102 erstreckt, auf.

Die in 1A dargestellte Randstruktur kann eine Randstruktur eines beliebigen Leistungshalbleiterbauelements, beispielsweise einer Leistungsdiode, eines Leistungs-MOSFET, eines Leistungs-IGBT oder eines Leistungsthyristors sein. Bei einer Diode bildet die p-dotierte Zone 11 deren Anodenzone, die n-dotierte Zone 12 deren n-Basis, und im Bereich einer der Vorderseite 101 gegenüberliegenden Rückseite (nicht dargestellt) ist bei einer Diode eine n-dotierte Kathodenzone bzw. n-Emitterzone vorhanden. Bei einem MOSFET bildet die p-Zone dessen Bodyzone und die n-Zone 12 dessen Driftzone. In die Bodyzone 11 eingebettete Sourcezonen sowie eine Gateelektrode des MOSFET sind in 1A jedoch nicht dargestellt. Bei einem IGBT bildet die p-Zone 11 dessen Bodyzone bzw. p-Basis und die n-Zone 12 dessen Driftzone bzw. n-Basis. Bei einem Leistungsthyristor bildet die p-Zone 11 dessen p-Basis und die n-Zone 12 dessen n-Basis.

Im Randbereich zwischen der p-Zone 11 und dem Rand 102 können Feldringe 13 vorgesehen sein, die komplementär zu der n-Zone 12 dotiert sind, und die in 1A gestrichelt dargestellt sind. Anstelle der Feldringe kann auch eine sogenannte VLD-Zone 14 (VLD = Variation of Lateral Doping) vorgesehen sein, wie sie in der noch zu erläuternden 2 dargestellt ist. Darüber hinaus kann ein hochdotierter, in dem Beispiel n-dotierter, Kanalstopper 15 benachbart zu der Randfläche 102 vorhanden sein.

Das nachfolgend erläuterte erfindungsgemäße Verfahren eignet sich zur Herstellung eines planaren Randabschlusses für die in 1A dargestellte Halbleiterstruktur. Ein solcher planarer Randabschluss umfasst eine Passivierungsschicht, die im Randbereich auf die Vorderseite 101 des Halbleiterkörpers 100 aufgebracht ist und die beispielsweise den sich bis an die Vorderseite 101 erstreckenden pn-Übergang überdeckt.

Bezug nehmend auf 1A ist bei dem erfindungsgemäßen Verfahren vorgesehen, von der zu beschichtenden Oberfläche 101 in dem zu beschichtenden Bereich eine dünne oberflächennahe Schicht mittels eines Sputterverfahrens abzutragen. Nicht zu beschichtende Bereiche der Oberfläche 101 können hierbei mittels einer Maske 200 geschützt werden, die in 1A gestrichelt dargestellt ist. Das Sputterverfahren bewirkt, dass im Bereich der Oberfläche 101 vorhandene Verunreinigungen, beispielsweise Oxide, die sich haftvermindernd auf eine aufzubringende Schicht auswirken können, entfernt werden.

Für das Sputterverfahren eignen sich insbesondere Edelgase, wie beispielsweise Argon, fluorhaltige Plasmen, wie beispielsweise CF4 oder SF6, oder wasserstoffhaltige Plasmen.

An dieses Sputterverfahren schließen sich Bezug nehmend auf 1B Verfahrensschritte an, bei denen eine erste Schicht 21 aus einem Passivierungsmaterial auf den zuvor dem Sputterverfahren ausgesetzten Bereich der Vorderseite 101 aufgebracht wird. Diese erste Schicht 21 ist beispielsweise eine semiisolierende Schicht, wie zum Beispiel eine Schicht aus wasserstoffdotiertem amorphem Kohlenstoff (a-C:H), aus amorphem Halbleitermaterial, wie beispielsweise amorphem Silizium, oder eine Polyimidschicht.

Das zuvor durchgeführte Sputterverfahren führt sowohl zu einer Reinigung als auch zu einer Aufrauung der zu beschichtenden Oberfläche 101 und bewirkt somit eine gute Haftfestigkeit der aufgebrachten Passivierungsschicht 21 und damit eine stabile Grenzfläche zwischen dem Halbleiterkörper 100 und der Passivierungsschicht 21. Hieraus resultieren bei anliegender Sperrspannung selbst unter Feuchtigkeitseinfluss stabile Sperreigenschaften des Leistungshalbleiterbauelements.

Durch das Sputterverfahren werden Oberflächenkontaminationen des Halbleiterkörpers entfernt, die ansonsten sowohl zu einer drastisch verschlechterten Haftfähigkeit der Passivierungsschicht auf dem Halbleiterkörper 100 als auch zu unerwünschten instabilen Grenzflächenladungen führen können. Solche Kontaminationen können bereits durch eine kurzzeitige Lagerung des zu bearbeitenden Halbleiterkörpers in den üblichen Aufbewahrungs- bzw. Transportboxen durch Ausgasungen aus dem Boxenmaterial selbst verursacht werden.

Die Dicke der aufgebrachten Passivierungsschicht liegt bei Verwendung einer semiisolierenden Passivierungsschicht im Bereich von 100 nm bis 400 nm.

Eine solche semiisolierende Passivierungsschicht kann beispielsweise mittels eines Sputterverfahrens auf die Oberfläche 101 aufgebracht werden. Das Sputterverfahren zum Abtragen der dünnen oberflächennahen Schicht von der zu beschichtenden Oberfläche 101 erfolgt beispielsweise in derselben Sputteranlage wie das Herstellen der Passivierungsschicht 21 unmittelbar vor Herstellen dieser Passivierungsschicht 21.

Auf die Passivierungsschicht 21 kann Bezug nehmend auf 2 eine mechanische Schutzschicht 31 aufgebracht werden, um den Randabschluss des Bauelements zu vervollständigen. Eine solche mechanische Schutzschicht ist beispielsweise eine Weichvergussschicht, zum Beispiel Silikon, eine Kautschukschicht oder eine Harzschicht.

Die 3A und 3B veranschaulichen eine Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens, bei dem auf die zuvor hergestellte erste Passivierungsschicht 21 eine weitere Passivierungsschicht 22 aufgebracht wird.

Bezug nehmend auf 3A wird mittels eines Sputterverfahrens von der Oberfläche der ersten Passivierungsschicht 21 zunächst eine dünne oberflächennahe Schicht abgetragen, um dadurch auf der Oberfläche der Passivierungsschicht 21 vorhandene Kontaminationen zu beseitigen.

Anschließend wird eine zweite Passivierungsschicht 22 auf die erste Passivierungsschicht 21 aufgebracht, was im Ergebnis in 3B dargestellt ist. Diese zweite Passivierungsschicht ist beispielsweise eine Polyimidschicht deren Dicke im Bereich zwischen 10 &mgr;m und 30 &mgr;m liegen kann. Die Dicke der ersten Passivierungsschicht liegt bei Verwendung eine semiisolierenden Passivierungsschicht, wie beispielsweise einer a-C:H-Schicht im Bereich von 100 nm bis 400 nm.

Durch das Sputterverfahren, bei dem eine oberflächennahe Schicht der Halbleiteroberfläche bzw. der ersten Passivierungsschicht 21 abgetragen wird, werden im oberflächennahen Bereich der Halbleiteroberfläche bzw. in der Passivierungsschicht Defekte induziert, die zu einer Erhöhung des Sperrstroms führen können. Derartige Defekte können durch ein Temperaturverfahren ausgeheilt werden, bei dem wenigstens oberflächennahe Bereiche des Halbleiterkörpers 100 für eine Ausheildauer einer vorgegebenen Ausheiltemperatur ausgesetzt werden. Die Ausheildauer beträgt beispielsweise im Bereich von 1 bis 4 Stunden, während die Ausheiltemperatur im Bereich zwischen 300°C und 360°C liegen kann. Das Ausheilverfahren kann sowohl vor Abscheiden der zweiten Passivierungsschicht 22 als auch nach Abscheiden der zweiten Passivierungsschicht 22 erfolgen. Bei Durchführung des Ausheilschrittes nach Abscheiden der zweiten Passivierungsschicht 22 dient der Ausheilschritt gleichzeitig zur Temperung der zweiten Passivierungsschicht 22, die beispielsweise eine Polyimidschicht ist.

Auf die zweite Passivierungsschicht 22 kann zur Vervollständigung des Randabschlusses eine mechanische Schutzschicht 31, beispielsweise eine Weichvergussschicht, eine Kautschukschicht oder eine Harzschicht aufgebracht werden, was im Ergebnis in 4 dargestellt ist.

Das zuvor erläuterte erfindungsgemäße Verfahren zum Beschichten einer Oberfläche eines Halbleiterkörpers, bei dem vor Aufbringen einer ersten Schicht auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers ein Sputterverfahren durchgeführt wird, um Oberflächenkontaminationen zu beseitigen, ist nicht auf die Herstellung von Passivierungsschichten beschränkt. Das Verfahren eignet sich vielmehr für das Aufbringen beliebiger Schichten auf eine Oberfläche eines Halbleiterkörpers, insbesondere auch für das Aufbringen von Metallschichten auf die Oberfläche eines Halbleiterkörpers.

Optional besteht bei allen zuvor erläuterten Verfahren die Möglichkeit, die Oberfläche des Halbleiterkörpers nach Durchführung des Sputterverfahrens einer Ethen-Behandlung zu unterziehen, um eine definierte Grenzfläche vor dem Aufbringen der ersten Schicht zu erzeugen.

Optional besteht außerdem die Möglichkeit, auf den Feldringen 13 und/oder dem Kanalstopper 15 lokal Metallschichten aufzubringen. Diese Metallschichten (nicht dargestellt) kann dazu dienen, die Haftfähigkeit der auf die Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 aufgebrachten Passivierungsschicht 21 im Bereich der Feldringe 13 und des Kanalstoppers 15 zu erhöhen. Diese Metallschichten können in bekannter Weise durch Abscheiden einer Metallschicht auf die Vorderseite 101 im Randbereich des Halbleiterkörpers und anschließendes Strukturieren dieser Metallschicht erfolgen. Die Metallschichten sind in ihren Abmessungen in lateraler Richtung auf die Abmessungen der Feldringe 13 bzw. des Kanalstoppers 15 begrenzt und sind vorzugsweise so angeordnet dass sie bei einer sich im Sperrfall in dem Bauelement ausbreitenden Raumladungszone von dieser Raumladungszone nicht erfasst werden.

Das Sputterverfahren zum Abtragen einer dünnen oberflächennahen Schicht von der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 vor Aufbringen der Passivierungsschicht 21 erfolgt nach Herstellen der lokalen Metallisierungen auf den Feldringen 13 und/oder dem Kanalstopper 15.

Optional kann vor Herstellen der Metallisierungen bzw. Metallisierungsstrukturen ein weiteres Sputterverfahren durchgeführt werden, um das Anhaften der Metallisierungen auf der Oberfläche 101 des Halbleiterkörpers 100 zu verbessern.

11
p-dotierte Halbleiterzone
12
n-dotierte Halbleiterzone
13
Feldringe
14
VLD-Zone
15
Kanalstoppzone
21, 22
Passivierungsschichten
31
Schutzschicht
100
Halbleiterkörper
101
Oberfläche/Vorderseite des Halbleiterkörpers
102
Randfläche des Halbleiterkörpers
200
Maske


Anspruch[de]
Verfahren zum Beschichten einer Oberfläche (101) eines Halbleiterkörper (100), das folgende Verfahrensschritte umfasst:

– Abtragen einer dünnen oberflächennahen Schicht im Bereich der zu beschichtenden Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) mittels eines Sputterverfahrens,

– Aufbringen einer ersten Schicht (21) auf die Oberfläche (101) in dem Bereich, in dem die oberflächennahe Schicht abgetragen wurde.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die erste Schicht (21) eine amorphe Kohlenstoffschicht oder eine amorphe Halbleiterschicht ist. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die erste Schicht (21) eine Polyimidschicht ist. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die erste Schicht (21) eine Metallschicht ist. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem eine Schutzschicht (31) auf die erste Schicht (21) aufgebracht wird. Verfahren nach Anspruch 5 bei dem die Schutzschicht (31) eine Weichvergussschicht, eine Harzschicht oder eine Kautschukschicht ist. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, das folgende weitere Verfahrensschritte umfasst:

– Abtragen einer dünnen oberflächennahen Schicht der ersten Schicht (21) im Bereich der ersten Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers mittels eines Sputterverfahrens,

– Aufbringen einer zweiten Schicht (22) aus einem Passivierungsmaterial auf die erste Schicht (21).
Verfahren nach Anspruch 2 und 7, bei dem die zweite Schicht (22) eine Polyimidschicht ist. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 oder 8, bei dem die Dicke der ersten Schicht (21) zwischen 100 nm und 400 nm und die Dicke der zweiten Schicht (22) zwischen 10 &mgr;m und 30 &mgr;m beträgt. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, bei dem eine Schutzschicht (31) auf die zweite Schicht (22) aufgebracht wird. Verfahren nach Anspruch 10 bei dem die Schutzschicht (31) eine Weichvergussschicht, eine Harzschicht oder eine Kautschukschicht ist. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem nach Abscheiden der ersten Schicht (21) und/oder der zweiten Schicht (22) ein Temperaturprozess durchgeführt wird, bei dem der Halbleiterkörper (100) wenigstens im oberflächennahen Bereich für eine vorgegebene Zeitdauer auf eine vorgegebene Temperatur aufgeheizt wird. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem die Dauer des Temperaturprozesses zwischen ein und vier Stunden beträgt. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, bei dem die Temperatur des Temperaturprozesses zwischen 300°C und 360°C beträgt. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem zum Abtragen der oberflächennahen Schicht Edelgasatome, ein fluorhaltiges Plasma oder ein wasserstoffhaltiges Plasma verwendet wird. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der Halbleiterkörper (100) einen Randbereich aufweist und bei dem eine Beschichtung des Halbleiterkörpers (100) in diesem Randbereich erfolgt. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) und/oder die Oberfläche der ersten Schicht (21) nach Durchführung des Sputterverfahrens einer Ethen-Behandlung unterzogen wird. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Dicke der abgetragenen Schicht zwischen 1 und 10 nm beträgt. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem vor Durchführung des Sputterverfahrens wenigstens eine Metallisierungsstruktur auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers (100) hergestellt wird und bei dem die erste Schicht (21) auf freiliegende Bereiche der Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) und die Metallisierungsstruktur aufgebracht wird. Verwendung des Verfahrens nach einem der vorangehenden Ansprüche zur Herstellung einer Passivierungsschicht im Randbereich eines Halbleiterkörpers (100).






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