Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Oberflächenbefestigungstyp-Antenne, die auf Schaltungsplatinen und dergleichen zu befestigen ist, die in Kommunikationsvorrichtungen enthalten sind, und bezieht sich ferner auf eine Kommunikationsvorrichtung, die dieselbe umfasst.

In Kommunikationsvorrichtungen, wie z. B. tragbaren Telefonen, gibt es Fälle, wo eine chipförmige Oberflächenbefestigungstyp-Antenne auf der Schaltungsplatine befestigt ist, die darin eingebaut ist. Es gibt eine Vielzahl von Variationen der Oberflächenbefestigungstyp-Antennen. Eine derselben ist eine Mehrfachresonanz-Oberflächenbefestigungstyp-Antenne.

Diese Mehrfachresonanz-Oberflächenbefestigungstyp-Antenne weist ein dielektrisches Substrat auf, das aus einem dielektrischen Körper besteht, wie z. B. einer Keramik oder einem Harz, und weist zwei Strahlungselektroden auf, die auf der Oberfläche derselben angeordnet sind, mit einem Abstand zwischen den Strahlungselektroden. Die Resonanzfrequenzen der beiden Strahlungselektroden sind eingestellt, um voneinander abzuweichen, so dass die Frequenzbänder der Sende- und Empfangswellen dieser beiden Strahlungselektroden einander teilweise überlappen, wie es durch Frequenzen f1 und f2 in 10 angezeigt ist. Durch In-Resonanz-Sein der zwei Strahlungselektroden, die sich somit in der Resonanzfrequenz leicht voneinander unterscheiden, werden Mehrfachresonanzzustände in Frequenzcharakteristika erzeugt, wie es durch die durchgezogene Linie in 10 angezeigt ist, wodurch das Verbreiten der Frequenzbänder der Sende- und Empfangswellen der Oberflächenbefestigungstyp-Antenne realisiert wird.

Bezüglich der Miniaturisierung der Oberflächenbefestigungstyp-Antenne gibt es jedoch eine Tendenz, die Permittivität des dielektrischen Substrats zu erhöhen und den Zwischenraum zwischen den beiden Strahlungselektroden zu verschmälern. Als Folge erhöht sich die Kapazität, die zwischen den beiden Strahlungselektroden auftritt, und die kapazitive Kopplung zwischen denselben wird verstärkt, was zu einer gegenseitigen Interferenz der Resonanzen führt, die zwischen den beiden Strahlungselektroden erzeugt werden. Dies ergibt ein Problem darin, dass eine der zwei Strahlungselektroden kaum in Resonanz ist, und dass daher keine zufriedenstellende Mehrfachresonanzbedingungen erreicht werden können.

Außerdem, wenn darauf abgezielt wird, die Oberflächenbefestigungstyp-Antenne dünner zu machen, werden die Abstände zwischen den beiden Strahlungselektroden und der Masse reduziert, und dadurch erhöhen sich die Kapazitäten (Streukapazitäten) zwischen den Strahlungselektroden und Masse. Wenn der Anstiegsgrad in diesen Streukapazitäten bedeutend ist, so dass die Streukapazitäten wesentlich größer werden als die Kapazität zwischen den beiden Strahlungselektroden, tritt das Problem auf, dass keine zufriedenstellenden Mehrfachresonanzbedingungen erreicht werden können, wie in dem oben beschriebenen Fall.

Die EP0332139 bezieht sich auf eine Breitbandantenne für Mobilkommunikation auf einer Masseplatte mit einer flachen Oberfläche. Dieselbe umfasst eine erste L-förmige Strahlerplatte mit einem Schenkel, der parallel zu der Masseplatte angeordnet ist, und einem anderen Schenkel, der senkrecht zu der Masseplatte angeordnet ist. Die Breitbandantenne für Mobilkommunikation umfasst eine zweite L-förmige Unterstrahlerplatte mit einem Schenkel, der parallel zu der Masseplatte angeordnet ist, und einem weiteren Schenkel, der senkrecht zu der Masseplatte an einer Position in nächster Nähe zu dem Strahlerelement angeordnet ist, wobei die freien Enden der Strahlerplatte und der Unterstrahlerplatte einen bestimmten Abstand haben.

Die EP0831547 lehrt eine Mikrostreifenantenne, die auf einem dielektrischen Substrat hergestellt ist. Eine erste Strahlungselektrode ist auf einer Hauptoberfläche des Substrats gebildet. Zweite Strahlungselektroden sind auf dem Umfang der ersten Strahlungselektrode gebildet, mit einem Abstand zwischen der ersten Strahlungselektrode und jeder der zweiten Strahlungselektroden. Eine Masseelektrode ist auf der anderen Hauptoberfläche des Substrats gebildet.

Die US005631660 bezieht sich auf ein Antennenmodul, das aus einem dielektrischen Substrat besteht, das in einer vorbestimmten Form geformt ist, einem Masseleiter in der Form einer Lage, der auf einer Oberfläche des dielektrischen Substrats vorgesehen ist, und einem Antennenelementleiter in der Form einer Lage, der auf der gegenüberliegenden Oberfläche der obigen einen Oberfläche vorgesehen ist und einen Endabschnitt, der am Ende beinahe V-förmig gefaltet ist, und ein Einstellbauglied aufweist, das in den beinahe V-förmig gefalteten Endabschnitt eingefügt ist. Das Antennenmodul ist in der Lage, die Resonanzfrequenz fein einzustellen und weist ein Antennenelement auf, das ausschließlich für Funkübertragung und -empfang verwendet wird, um eine Breitfrequenzbandcharakteristik zu liefern.

Die US5,351,063 beschreibt einen photoleitenden Schalter, der mit einer Energiespeichervorrichtung gekoppelt ist, wobei der Schalter aus photoleitendem Halbleitermaterial besteht, während die Energiespeichervorrichtung zwei metallisierte Spiralarme umfasst, die eine Spiralantenne bilden. Der photoleitende Schalter ist elektrisch verbunden mit der Speichervorrichtung, um eine schnelle Entladung der gespeicherten Energie durch eine Last zu ermöglichen. Eine Variation umfasst eine Speichervorrichtung, die zwei getrennte Stücke aus Substratmaterial umfasst, die jeweils einen metallisierten Spiralarm aufweisen. Die getrennten Stücke sind durch äußerst dielektrisches Material verbunden, um einen Spiralantennenultrabreitbandstrahler zu bilden.

Die EP1063722A2 ist Stand der Technik gemäß Artikel 54 (3) (4) EPÜ. Dieselbe beschreibt eine Antennenvorrichtung, die eine Zuführstrahlungselektrode und eine Nicht-Zuführstrahlungselektrode umfasst, die getrennt auf einer Oberfläche eines dielektrischen Substrats angeordnet sind, wobei ein Kurzschlussteil der Zuführstrahlungselektrode und ein Kurzschlussteil der Nicht-Zuführstrahlungselektrode benachbart zueinander auf einer Seitenoberfläche des dielektrischen Substrats angeordnet sind, und ein offenes Ende der Zuführstrahlungselektrode und ein offenes Ende der Nicht-Zuführstrahlungselektrode auf zueinander unterschiedlichen Oberflächenseiten des dielektrischen Substrats angeordnet sind, die sich von der Oberfläche unterscheiden, auf der die Kurzschlussteile angeordnet sind.

Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Oberflächenbefestigungstyp-Antenne zu schaffen, die bessere Mehrfachresonanzbedingungen ermöglicht.

Diese Aufgabe wird durch eine Oberflächenbefestigungstyp-Antenne gemäß Anspruch 1 oder 3 gelöst.

Die vorliegende Erfindung wurde mit Hinsicht auf das Lösen der oben beschriebenen Probleme hergestellt, und zielt darauf ab, eine Oberflächenbefestigungstyp-Antenne zu präsentieren, deren Miniaturisierung und Verdünnung realisiert wurde, und die es ermöglicht, dass bessere Mehrfachresonanzbedingungen erreicht werden durch Einstellen der Stärke der kapazitiven Kopplung zwischen den beiden Strahlungselektroden, und zielt ferner darauf ab, eine Kommunikationsvorrichtung zu schaffen, die mit derselben versehen ist.

Um die oben beschriebenen Aufgaben zu erreichen, weist die vorliegende Erfindung die folgenden Aufbauten auf, als Einrichtung zum Lösen der oben beschriebenen Probleme. Eine Oberflächenbefestigungstyp-Antenne gemäß einer ersten Erfindung umfasst ein dielektrisches Substrat, eine erste Strahlungselektrode, die auf dem dielektrischen Substrat gebildet ist, und eine zweite Strahlungselektrode, die auf dem dielektrischen Substrat an einem vorbestimmten Abstand von der ersten Strahlungselektrode angeordnet ist. In dieser Oberflächenbefestigungstyp-Antenne ist eine Kapazitive-Kopplung-Einstelleinrichtung vorgesehen, die bewirkt, dass sich die Permittivität zwischen der ersten Strahlungselektrode und der zweiten Strahlungselektrode von der des dielektrischen Körpers unterscheidet, und die die Stärke der kapazitiven Kopplung zwischen der ersten Strahlungselektrode und der zweiten Strahlungselektrode variiert.

Eine Oberflächenbefestigungstyp-Antenne gemäß einer zweiten Erfindung hat den Aufbau der ersten Erfindung und ist dadurch gekennzeichnet, dass die Kapazitive-Kopplung-Einstelleinrichtung derselben aus einer Ausnehmung oder einer Rille besteht, in der eine Kapazität auftritt, und die zwischen der ersten Strahlungselektrode und der zweiten Strahlungselektrode in der Oberfläche des dielektrischen Substrats gebildet ist.

Eine Oberflächenbefestigungstyp-Antenne gemäß einer dritten Erfindung hat den Aufbau der ersten Erfindung und ist dadurch gekennzeichnet, dass ein Permittivitätseinstellmaterialabschnitt, der eine andere Permittivität aufweist als diejenige des dielektrischen Substrats zwischen der ersten Strahlungselektrode und der zweiten Strahlungselektrode angeordnet ist, und dass dieser Permittivitätseinstellmaterialabschnitt eine Kapazitive-Kopplung-Einstelleinrichtung bildet.

Eine Oberflächenbefestigungstyp-Antenne gemäß einer vierten Erfindung weist den Aufbau der ersten Erfindung auf, und ist dadurch gekennzeichnet, dass die Kapazitive-Kopplung-Einstelleinrichtung aus Flächen der ersten Strahlungselektrode und der zweiten Strahlungselektrode besteht, wobei die Fläche ein hohler Abschnitt ist, der in dem dielektrischen Substrat angeordnet ist.

Eine Oberflächenbefestigungstyp-Antenne gemäß einer fünften Erfindung umfasst ein dielektrisches Substrat, eine erste Strahlungselektrode, die auf der Oberfläche des dielektrischen Substrats gebildet ist, und eine zweite Strahlungselektrode, die auf der Oberfläche des dielektrischen Substrats in einem vorbestimmten Abstand von der ersten Strahlungselektrode gebildet ist. Diese Oberflächenbefestigungstyp-Antenne ist dadurch gekennzeichnet, dass das dielektrische Substrat gebildet wird durch Verbinden eines ersten dielektrischen Substrats und eines zweiten dielektrischen Substrats, das eine andere Permittivität aufweist als diejenigen des ersten dielektrischen Substrats, dadurch, dass die erste Strahlungselektrode auf dem ersten dielektrischen Substrat gebildet ist, während die zweite Strahlungselektrode auf dem zweiten dielektrischen Substrat gebildet ist, und dadurch, dass der verbundene Abschnitt zwischen dem ersten dielektrischen Substrat und dem zweiten dielektrischen Substrat in dem Raum angeordnet ist, der zwischen der ersten Strahlungselektrode und der zweiten Strahlungselektrode angeordnet ist, und in dem eine Kapazität auftritt.

Eine Kommunikationsvorrichtung in einer sechsten Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass dieselbe mit einer Oberflächenbefestigungstyp-Antenne versehen ist, die einen Aufbau gemäß einer der ersten bis fünften Erfindungen aufweist.

Bei der Erfindung, die die oben beschriebenen Merkmale aufweist, bewirkt beispielsweise die Kapazitive-Kopplung-Einstelleinrichtung, dass sich die Permittivität zwischen der ersten Strahlungselektrode und der zweiten Strahlungselektrode von der des dielektrischen Körpers unterscheidet. Als Folge variiert die Stärke der kapazitiven Kopplung in dem Raum, der zwischen der ersten Strahlungselektrode und der zweiten Strahlungselektrode angeordnet ist und in dem eine Kapazität auftritt, in der „stärkeren" Richtung oder in der „schwächeren" Richtung gemäß der Permittivität zwischen der ersten Strahlungselektrode und der zweiten Strahlungselektrode, als im Vergleich zu dem Fall, wo die Permittivität zwischen der ersten Strahlungselektrode und der zweiten Strahlungselektrode die Permittivität des dielektrischen Substrats ist. Da die Stärke der kapazitiven Kopplung in dem Raum, der zwischen der ersten Strahlungselektrode und der zweiten Strahlungselektrode angeordnet ist, und in dem eine Kapazität auftritt, eingestellt werden kann, ist es bei der vorliegenden Erfindung möglich, die gegenseitige Interferenz der Resonanzen der ersten Strahlungselektrode und der zweiten Strahlungselektrode zu unterdrücken, und dadurch Antennencharakteristika zu verbessern, während die Miniaturisierung und Verdünnung der Oberflächenbefestigungstyp-Antenne erreicht wird.

1 ist eine Modellansicht, die eine Oberflächenbefestigungstyp-Antenne gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.

2 ist eine Modellansicht, die eine Oberflächenbefestigungstyp-Antenne gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.

3 ist eine Modellansicht, die eine Oberflächenbefestigungstyp-Antenne gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.

4 ist eine Modellansicht, die eine Oberflächenbefestigungstyp-Antenne gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.

5 ist eine Modellansicht, die eine Kommunikationsvorrichtung gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.

6 ist eine erklärende Ansicht, die andere Formbeispiele von Strahlungselektroden der mit Leistung versorgten Seite und Strahlungselektroden der nicht mit Leistung versorgten Seite gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.

7 ist eine weitere erklärende Ansicht, die noch andere Formbeispiele einer Strahlungselektrode der mit Leistung versorgten Seite und einer Strahlungselektrode der nicht mit Leistung versorgten Seiten gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.

8 ist eine erklärende Ansicht, die ein weiteres Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.

9 ist eine weitere erklärende Ansicht, die noch ein weiteres Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.

10 ist ein Diagramm, das ein Beispiel von Frequenzcharakteristika von einer Mehrfachresonanzoberflächenbefestigungstyp-Antenne zeigt.

11 ist eine erklärende Ansicht, die einen Aufbau zum Stärken der Kapazität zwischen der Strahlungselektrode der mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode der nicht mit Leistung versorgten Seite gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.

Hierin nachfolgend werden die Ausführungsbeispiele gemäß der vorliegenden Erfindung mit Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.

1 zeigt eine schematische perspektivische Ansicht, die eine Oberflächenbefestigungstyp-Antenne gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel zeigt. Die in 1 gezeigte Oberflächenbefestigungstyp-Antenne 1 weist ein dielektrisches Substrat 2 auf, und auf der oberen Oberfläche 2a des dielektrischen Substrats 2 sind eine Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite, die eine erste Strahlungselektrode ist, und eine Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite, die eine zweite Strahlungselektrode ist, mit einem Zwischenraum zwischen denselben gebildet. Bei diesem ersten Ausführungsbeispiel ist der Zwischenraum S zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite so gebildet, dass sich die longitudinalen Seiten desselben bezüglich jeder Seite der oberen Oberfläche 2a des dielektrischen Substrats 2 neigen (beispielsweise in einem Winkel von 45 Grad).

Auf einer Seitenoberfläche 2b des dielektrischen Substrats 2 sind eine Masseelektrode 5, die mit der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite, und eine Leistungsversorgungselektrode 6, die mit der Strahlungselektrode 4 der nicht mit Leistung versorgten Seite verbunden ist, jeweils von der oberen Oberflächenseite zu der unteren Oberflächenseite linear gebildet. Die Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite erstreckt sich von der oberen Oberfläche 2a und bildet das offene Ende 4a derselben auf einer Seitenoberfläche 2c des dielektrischen Substrats 2, während die Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite sich von der oberen Oberfläche 2a erstreckt und das offene Ende 3a derselben auf einer Seitenoberfläche 2d bildet.

Der Zwischenraum S ist gebildet, um sich allmählich von der Seitenoberfläche 2b, wo die Masseelektrode 5 und die Leistungsversorgungselektrode 6 gebildet sind, zu der Seitenoberfläche 2d, die ein offenes Ende bildet, zu verbreitern. Der Grund dafür ist wie folgt. Die Masseelektrode 5 und die Leistungsversorgungselektrode 6 sind in einem elektrischen Feld gekoppelt. Um daher die Menge an elektrischer Feldkopplung effektiv zu steuern, ist es effektiv, den Zwischenraum S an dem offenen Ende zu verbreitern, wo ein starkes elektrisches Feld vorliegt, d. h. den Zwischenraum S auf der Seite der Seitenoberfläche 2d.

Ein Permittivitätseinstellmaterialabschnitt 8, der die charakteristischste Kapazitive-Kopplung-Einstelleinrichtung des ersten Ausführungsbeispiels ist, ist in dem Zwischenraum S zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite vorgesehen. Der Zweck des Bereitstellens des Permittivitätseinstellmaterialabschnitts 8, der in dem ersten Ausführungsbeispiel gezeigt ist, ist es, die kapazitive Kopplung zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite zu schwächen. Der Permittivitätseinstellmaterialabschnitt 8 weist eine geringere Permittivität auf als derjenige des dielektrischen Substrats 2. Bei dem in 1 gezeigten Beispiel ist der Permittivitätseinstellmaterialabschnitt 8 nur in der oberen Seite des Zwischenraums S zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite in dem dielektrischen Substrat 2 eingebettet (d. h. nur in dem Bereich, der hauptsächlich die Kapazität zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite betrifft).

Die Oberflächenbefestigungstyp-Antenne gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel hat die Merkmale, wie sie oben beschrieben sind. Eine solche Oberflächenbefestigungstyp-Antenne 1 ist auf der Schaltungsplatine befestigt, die in einer Kommunikationsvorrichtung enthalten ist, wie z. B. einem tragbaren Telefon oder dergleichen, auf eine solche Weise, bei der die Unterseite 2f des dielektrischen Substrats 2 auf der Schaltungsplatinenseite angeordnet ist. Auf der Schaltungsplatine ist eine Leistungsversorgungsschaltung 10 gebildet. Durch Befestigen der Oberflächenbefestigungstyp-Antenne 1 auf der Schaltungsplatine ist die Leistungsversorgungselektrode 6 der Oberflächenbefestigungstyp-Antenne 1 mit der Leistungsversorgungsschaltung 10 verbunden.

Wenn Leistung von der Leistungsversorgungsschaltung 10 zu der Leistungsversorgungselektrode 6 geliefert wird, wird die Leistung direkt von der Leistungsversorgungselektrode 6 zu der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite geliefert, und die Leistung wird durch die Leistungsversorgungselektrode 6 zu der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite übertragen, aufgrund elektromagnetischer Kopplung, wodurch die Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und die Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite in Resonanz sind und die Funktion einer Antenne durchführen.

Wie es oben beschrieben ist, neigen sich bei diesem ersten Ausführungsbeispiel die longitudinalen Seiten des Zwischenraums S zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite bezüglich jeder Seite der oberen Oberfläche 2a des dielektrischen Substrats 2, und die Masseelektrode 5 und die Leistungsversorgungselektrode 6 sind benachbart zueinander angeordnet, und ebenso sind das offene Ende 3a der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und das offene Ende 4a der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite auf den unterschiedlichen Seitenoberflächen des dielektrischen Substrats 2 gebildet. Durch diese Merkmale, wie es in 1 gezeigt ist, schneiden die Resonanzrichtung A der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und die Resonanzrichtung B der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite einander im Wesentlichen in rechten Winkeln. Dies ermöglicht es, dass die gegenseitige Interferenz der Resonanzen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite unterdrückt wird, und ermöglicht es, dass hervorragende Antennencharakteristika erreicht werden, ohne den Zwischenraum S zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite zu verbreitern.

Somit kann die gegenseitige Interferenz der Resonanzen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite wesentlich unterdrückt werden durch Anordnen der Resonanzrichtung A der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Resonanzrichtung B der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite, damit sich dieselben im Wesentlichen in rechten Winkeln schneiden. Wenn das dielektrische Substrat 2 jedoch aus einem Material gebildet ist, das eine hohe Permittivität aufweist oder zum Zweck der Miniaturisierung verdünnt ist, kann die oben beschriebene Anordnung nicht selbst die Kapazität zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite erreichen, wobei die Kapazität gleich groß ist wie die Kapazität (Streukapazität) zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und Masse oder der Kapazität (Streukapazität) zwischen der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite und Masse. Dies führt dazu, dass eine gegenseitige Interferenz der Resonanzen zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite nicht vollständig unterdrückt werden kann.

Im Gegensatz dazu, wenn die Kapazität zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite größer ist als die oben beschriebene Streukapazität, ist der Permittivitätseinstellmaterialabschnitt 8, der eine niedrigere Permittivität hat als diejenige des dielektrischen Substrats 2, bei diesem ersten Ausführungsbeispiel, wie es oben beschrieben ist, zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite angeordnet, so dass die Kapazität, die zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite auftritt, kleiner gemacht werden kann als der Fall, wo die gesamte Fläche zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite das dielektrische Substrat 2 ist. Dies ermöglicht es, dass die kapazitive Kopplung zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite wesentlich geschwächt wird.

Bei diesem ersten Ausführungsbeispiel ist es daher durch Bereitstellen sowohl der Anordnung zum Bewirken, dass sich die Resonanzrichtungen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite einander im Wesentlichen in rechten Winkeln schneiden, und der Anordnung zum Schwächen der kapazitiven Kopplung zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite möglich, die gegenseitige Interferenz der Resonanzen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite im Wesentlichen sicher zu unterdrücken, ohne Maßnahmen zu ergreifen, wie z. B. eine Reduktion der Permittivität des dielektrischen Substrats 2, oder Verbreitern des Zwischenraums S zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite aus Sicht der Miniaturisierung des dielektrischen Substrats 2. Dies ermöglicht es, dass hervorragende Mehrfachresonanzbedingungen stabil erreicht werden, und ermöglicht es, dass Antennencharakteristika verbessert werden.

Da außerdem der Zwischenraum S auf der Seite der Seitenoberfläche 2d, die ein offenes Ende bildet, breiter ist, kann die Steuerung der Menge der kapazitiven Kopplung zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite effektiv durchgeführt werden, in Verbindung mit der Einstellung der kapazitiven Kopplung durch den Permittivitätseinstellmaterialabschnitt 8.

Da somit hervorragende Mehrfachresonanzbedingungen stabil erreicht werden können, werden bei diesem ersten Ausführungsbeispiel hervorragende Effekte erzeugt, die eine Oberflächenbefestigungstyp-Antenne 1 ermöglichen, die klein ist und ein flaches Profil aufweist und die hoch zuverlässige Antennencharakteristika liefert.

Als Nächstes wird ein zweites Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beschrieben. Dieses zweite Ausführungsbeispiel unterscheidet sich charakteristisch von dem oben beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel darin, dass eine Rille 12 vorgesehen ist, wie es in 2 gezeigt ist, die eine Kapazitätskopplungseinrichtung darstellt, anstatt des Permittivitätseinstellmaterialabschnitts 8, der zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite vorgesehen ist. Andere Merkmale sind gleich wie diejenigen des ersten Ausführungsbeispiels. Bei diesem zweiten Ausführungsbeispiel wurden die gleichen Komponenten wie diejenigen des ersten Ausführungsbeispiels mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet, und wiederholte Beschreibungen der gemeinsamen Komponenten derselben werden ausgelassen.

Die Oberflächenbefestigungstyp-Antenne gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel ist ebenfalls mit einer Anordnung zum Schwächen der kapazitiven Kopplung zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite versehen, wie in dem Fall des ersten Ausführungsbeispiels. Genauer gesagt, die Rille 12, die dieses zweite Ausführungsbeispiel charakterisiert, ist entlang den longitudinalen Seiten des Zwischenraums S zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite vorgesehen, und die Größe der Rille 12 ist ausreichend, um die Permittivität zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite auf einen kleinen Wert zu reduzieren, um die gegenseitige Interferenz der Resonanzen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite zu unterdrücken.

Gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel sind die Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und die Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite gebildet, um einander im Wesentlichen in rechten Winkeln zu schneiden, wie in dem Fall des ersten Ausführungsbeispiels. Außerdem ist die Rille 12 zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite gebildet, wodurch die Permittivität zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite geringer gemacht wird als diejenige des dielektrischen Substrats 2, und dadurch ist die kapazitive Kopplung zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite geschwächt. Durch solche Merkmale ist es auch bei diesem zweiten Ausführungsbeispiel möglich, die gegenseitige Interferenz der Resonanzen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite zuverlässig zu unterdrücken, und stabil hervorragende Mehrfachresonanzbedingungen zu erreichen, wie es bei dem ersten Ausführungsbeispiel der Fall ist. Dies kann hervorragende Effekte erzeugen, die eine Oberflächenbefestigungstyp-Antenne 1 ermöglichen, die klein ist und ein flaches Profil aufweist und die hoch zuverlässige Antennencharakteristika liefert.

Als Nächstes wird ein drittes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beschrieben. Dieses dritte Ausführungsbeispiel ist dadurch gekennzeichnet, dass hohle Abschnitte 14 und 15 als Kapazitive-Kopplung-Einstelleinrichtung in dem dielektrischen Substrat 2 vorgesehen sind, wie es in 3 gezeigt ist. Andere Merkmale sind gleich wie diejenigen der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele. Bei diesem dritten Ausführungsbeispiel wurden die gleichen Komponenten wie diejenigen des ersten Ausführungsbeispiels mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet, und wiederholte Beschreibungen der gemeinsamen Komponenten derselben werden ausgelassen.

Wie es in 3 dargestellt ist, ist bei diesem dritten Ausführungsbeispiel der hohle Abschnitt 14 in dem Bereich der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite in dem dielektrischen Substrat 2 vorgesehen, während der hohle Abschnitt 15 zusammen mit dem hohlen Abschnitt 14 in einem Abstand davon vorgesehen ist.

Da gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel der hohle Abschnitt 14 in dem Bereich der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite in dem dielektrischen Substrat 2 gebildet ist, ermöglicht es der hohle Abschnitt 14, dass die Kapazität zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und Masse reduziert wird. Da außerdem der hohle Abschnitt 15 in dem Bereich der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite gebildet ist, in dem dielektrischen Substrat 2, ermöglicht es der hohle Abschnitt 15, dass die Kapazität zwischen der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite und Masse reduziert wird.

Genauer gesagt, da bei dem dritten Ausführungsbeispiel jede der Streukapazitäten zwischen den Strahlungselektroden 3 und 4 und Masse ohne weiteres variiert werden kann, um gleich groß zu sein wie die Kapazität zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite, ist es möglich, die Kapazität zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite und die oben beschriebene Streukapazität einzustellen, um eine ordnungsgemäße Beziehung zu erreichen, bei der dieselben gleich groß zueinander sind.

Dies unterdrückt im Wesentlichen sicherlich die gegenseitige Interferenz der Resonanzen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite, und ermöglicht es, dass hervorragende Mehrfachresonanzbedingungen stabil erreicht werden, wie in den Fällen der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele. Dadurch können hervorragende Effekte erzeugt werden, die eine Oberflächenbefestigungstyp-Antenne 1 ermöglichen, die klein ist und ein flaches Profil aufweist und die hoch zuverlässige Antennencharakteristika liefert.

Dabei dem dritten Ausführungsbeispiel, wie es oben beschrieben ist, der hohle Abschnitt 14 benachbart zu dem offenen Ende 3a der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite angeordnet ist, und der hohle Abschnitt 15 benachbart zu dem offenen Ende 4a der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite gebildet ist, ist es möglich, die Permittivität zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und Masse zu reduzieren, und diejenige zwischen der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite und Masse, und es ist dadurch möglich, die Konzentration des elektrischen Feldes zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und Masse und diejenige zwischen der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite und Masse abzubauen.

Dieser Effekt gekoppelt mit dem Unterdrückungseffekt bezüglich der gegenseitigen Interferenz der Resonanzen zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite kann das Verbreitern der Bandbreite der Oberflächenbefestigungstyp-Antenne 1 und einen Anstieg bei dem Gewinn derselben fördern.

Als Nächstes wird ein viertes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beschrieben. Bei den Beschreibungen dieses vierten Ausführungsbeispiels wurden die gleichen Komponenten wie diejenigen des ersten Ausführungsbeispiels mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet, und wiederholte Beschreibungen der gemeinsamen Komponenten derselben werden ausgelassen.

Das vierte Ausführungsbeispiel ist dadurch gekennzeichnet, dass, wie in den Fällen mit den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen eine Anordnung vorgesehen ist zum Schwächen der kapazitiven Kopplung zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite. Genauer gesagt, wie es in 4A und 4B dargestellt ist, ist das dielektrische Substrat 2 gebildet durch Verbinden eines ersten und zweiten dielektrischen Substrats 17 und 18, die zueinander unterschiedliche Permittivitäten aufweisen, und der verbundene Abschnitt 20 zwischen dem ersten dielektrischen Substrat 17 und dem zweiten dielektrischen Substrat 18 ist in dem Zwischenraum S zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite vorgesehen. Andere Merkmale sind im Wesentlichen gleich wie diejenigen der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele. Bei diesem vierten Ausführungsbeispiel wurden die gleichen Komponenten wie diejenigen des ersten Ausführungsbeispiels mit gleichen Bezugszeichen bezeichnet, und wiederholte Beschreibungen der gemeinsamen Komponenten derselben werden ausgelassen.

Bei diesem vierten Ausführungsbeispiel hat das zweite dielektrische Substrat 18 eine niedrigere Permittivität als diejenige des ersten dielektrischen Substrats 17, und das erste dielektrische Substrat 17 und das zweite dielektrische Substrat 18 sind beispielsweise durch ein Keramikhaftmittel verbunden. Wie es in 4A dargestellt ist, ist eine Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite auf der Oberfläche des ersten dielektrischen Substrats 17 gebildet, während eine Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite auf der Oberfläche des zweiten dielektrischen Substrats 18 gebildet ist. Anders ausgedrückt, bei dem vierten Ausführungsbeispiel ist ein dielektrisches Substrat 2 gebildet durch Verbinden des ersten dielektrischen Substrats 17 zum Bilden der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite, und des zweiten dielektrischen Substrats 18 zum Bilden der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite, wobei die Strahlungselektroden 3 und 4 zueinander unterschiedliche Permittivitäten aufweisen.

Wie es oben beschrieben ist, ist bei dem vierten Ausführungsbeispiel der verbundene Abschnitt 20 zwischen dem ersten dielektrischen Substrat 17 und dem zweiten dielektrischen Substrat 18 in dem Zwischenraum S angeordnet zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite. Das heißt, das erste und zweite dielektrische Substrat 17 und 18, die zueinander unterschiedliche Permittivitäten aufweisen, sind zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite angeordnet. In solch einem Fall bezieht sich die Kapazität zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite selbstverständlich auf das Besetzungsverhältnis zwischen dem ersten dielektrischen Substrat 17 und dem zweiten dielektrischen Substrat 18 zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite, aber wird hauptsächlich bestimmt basierend auf der Permittivität des dielektrischen Substrats mit der niedrigeren Permittivität.

Unter Berücksichtigung dessen wird der verbundene Abschnitt 20 zwischen dem ersten dielektrischen Substrat 17 und dem zweiten dielektrischen Substrat 18 an der Position angeordnet, die es ermöglicht, dass die kapazitive Kopplung zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite geschwächt wird, und es dadurch ermöglicht, dass die gegenseitige Interferenz der Resonanzen zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite unterdrückt wird.

Gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel ist das dielektrische Substrat 2 gebildet durch Verbinden des ersten und zweiten dielektrischen Substrats 17 und 18, die zueinander unterschiedliche Permittivitäten aufweisen, und der verbundene Abschnitt 20 zwischen dem ersten dielektrischen Substrat 17 und dem zweiten dielektrischen Substrat 18 ist in dem Zwischenraum S zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite angeordnet.

Das Bereitstellen dieses Aufbaus ermöglicht es, dass die Kapazität zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite reduziert wird, und ermöglicht es, dass die gegenseitige Interferenz der Resonanzen zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite unterdrückt wird, mit dem Ergebnis, dass hervorragende Mehrfachresonanzbedingungen stabil erreicht werden. Dies kann hervorragende Effekte erzeugen, die eine Oberflächenbefestigungstyp-Antenne 1 ermöglichen, die klein ist und ein flaches Profil aufweist und die hoch zuverlässige Antennencharakteristika liefert.

Als Nächstes wird ein fünftes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beschrieben. Bei diesem fünften Ausführungsbeispiel ist ein Beispiel einer Kommunikationsvorrichtung dargestellt, die mit einer der in den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen gezeigten Oberflächenbefestigungstyp-Antennen versehen ist. 5 stellt schematisch ein Beispiel eines tragbaren Telefons dar, das eine Kommunikationsvorrichtung ist. Das in 5 gezeigte tragbare Telefon 25 weist eine Schaltungsplatine 27 auf, die in einem Gehäuse 26 vorgesehen ist. Eine Leistungsversorgungsschaltung 10, eine Schaltschaltung 30, eine Sendeschaltung 31 und eine Empfangsschaltung 32 sind auf der Schaltungsplatine 27 gebildet. Auf einer solchen Schaltungsplatine 27 befindet sich eine der Oberflächenbefestigungstyp-Antennen 1, die in den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen gezeigt sind, und diese Oberflächenbefestigungstyp-Antenne 1 ist mit der Sendeschaltung 31 und der Empfangsschaltung 32 über die Leistungsversorgungsschaltung 10 und die Schaltschaltung 30 verbunden.

Bei dem in 5 gezeigten tragbaren Telefon 25 führt die Oberflächenbefestigungstyp-Antenne 1 die Funktion einer Antenne durch, durch Empfangen der Leistungszufuhr von der Leistungsversorgungsschaltung 10 an dieselbe, wie es oben beschrieben ist, und die Sendung und der Empfang von Wellen werden durch die Schaltaktion der Schaltschaltung 30 gleichmäßig durchgeführt.

Da gemäß diesem fünften Ausführungsbeispiel das tragbare Telefon 25 mit einer der Oberflächenbefestigungstyp-Antennen 1, die in den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen gezeigt sind, ausgestattet ist, kann die Miniaturisierung des tragbaren Telefons 25 ohne weiteres erreicht werden als Folge der Größenreduktion der Oberflächenbefestigungstyp-Antenne 1. Außerdem kann ein tragbares Telefon 25 mit hoher Zuverlässigkeit der Kommunikation geliefert werden, da dasselbe eine Oberflächenbefestigungstyp-Antenne 1 umfasst, die hervorragende Antennencharakteristika aufweist, wie es oben beschrieben ist.

Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt, sondern verschiedene Ausführungsbeispiele können angenommen werden. Beispielsweise sind die Formen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite nicht auf die Formen beschränkt, die in den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen dargestellt sind, sondern es können verschiedene Formen verwendet werden. Beispielsweise können die Formen verwendet werden, wie sie in 6(a), 6(b) und 7(a) gezeigt sind. Bei dem in 6(a) gezeigten Beispiel sind die Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und die Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite in einer Mäanderform gebildet. Die Anordnung ist derart, dass eine Leistung von einem mäanderförmigen Endabschnitt &agr; zu der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite übertragen wird, während Leistung von einem mäanderförmigen Endabschnitt &bgr; zu der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite übertragen wird. Das offene Ende der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite ist auf einer Seitenoberfläche 2e des dielektrischen Substrats 2 gebildet, während das offene Ende der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite auf einer Seitenoberfläche 2c gebildet ist. Das Bilden der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite auf diese Weise führt dazu, dass die Resonanzrichtung A der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und die Resonanzrichtung B der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite einander im Wesentlichen in rechten Winkeln schneiden. Folglich, wie es bei den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen der Fall ist, ist es möglich, die gegenseitige Interferenz der Resonanzen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite wesentlich zu unterdrücken.

Das in 6(b) gezeigte Beispiel ist dasjenige, bei dem die Elektrodenfläche auf der offenen Endseite der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite, die in 6(a) gezeigt ist, vergrößert ist, und bei dem die elektrische Feldkonzentration auf der offenen Endseite der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite dadurch freigegeben wird, um die Antennencharakteristika weiter zu verbessern.

Die in 7(a) dargestellten Beispiele sind Formbeispiele der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite, die es ermöglichen, dass die oben beschriebene Mehrfachresonanz in einer Dualbandoberflächenbefestigungstyp-Antenne 1 erzeugt werden, die in der Lage ist, Wellen in zwei zueinander unterschiedlichen Frequenzbändern zu senden und zu empfangen, wie es bei den Frequenzcharakteristika in 7(b) und 7(c) gezeigt ist. Bei diesem in 7(a) dargestellten Beispiel ist die Anordnung derart, dass die Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und die Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite jeweils in Mäanderformen gebildet sind, dass eine Elektrode zu jedem der mäanderförmigen Endabschnitte &agr; und &bgr; der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite übertragen wird, und dass die Resonanzrichtung A der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und die Resonanzrichtung B der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite einander im Wesentlichen in rechten Winkeln schneiden.

Die Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite ist gebildet durch fortlaufendes Verbinden einer Mehrzahl von Elektrodenabschnitten 4a und 4b, die sich in dem Mäanderabstand voneinander unterscheiden, und ist so gebildet, um zwei Resonanzfrequenzen F1 und F2 zu haben, so dass die Frequenzbänder der Wellen einander nicht überlappen, wie es in 7(b) und 7(c) dargestellt ist.

Die Resonanzfrequenz der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite ist auf eine Frequenz in der Nähe der Resonanzfrequenz F1 der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite eingestellt, oder auf eine Frequenz in der Nähe der oben beschriebenen Resonanzfrequenz F2, um eine Mehrfachresonanzbeziehung zu der Resonanzfrequenz der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite zu haben.

Wenn die Resonanzfrequenz der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite auf eine Frequenz in der Nähe der Resonanzfrequenz F1 der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite eingestellt ist, beispielsweise auf die Frequenz F1', die in 7(b) gezeigt ist, wird bei der Resonanzfrequenz F1 ein Mehrfachresonanzzustand erzeugt, während, wenn die Resonanzfrequenz der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite auf eine Frequenz in der Nähe der Resonanzfrequenz F2 der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite eingestellt ist, beispielsweise auf die in 7(c) gezeigte Frequenz F2', bei der Resonanzfrequenz F2 ein Mehrfachresonanzzustand erzeugt wird.

Wenn der Aufbau, der das oben beschriebene erste und zweite Ausführungsbeispiel charakterisiert, an die Oberflächenbefestigungstyp-Antenne 1 angelegt wird, wobei die Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und die Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite in den Formen gebildet sind, die in 6(a), 6(b) oder 7(a) gezeigt sind, ist ein Permittivitätseinstellmaterialabschnitt 8 oder eine Rille 12 vorgesehen, beispielsweise wie es durch die gepunkteten Linien in 6(a), 6(b) oder 7(a) angezeigt ist.

Wenn ferner beispielsweise der Aufbau, der das oben beschriebene dritte Ausführungsbeispiel charakterisiert, an die Oberflächenbefestigungstyp-Antenne 1 angelegt wird, die in der Form gebildet ist, die in 6(b) oder 7(a) gezeigt ist, sind hohle Abschnitte 14 und 15 in dem dielektrischen Substrat 2 gebildet, wie es beispielsweise durch die gepunkteten Linien in 8(a) oder 8(b) angezeigt ist. Darüber hinaus, wenn der Aufbau, der das oben beschriebene vierte Ausführungsbeispiel kennzeichnet, angewendet wird, wird das dielektrische Substrat 2 gebildet durch Verbinden des ersten dielektrischen Substrats 17, das verwendet wird zum Bilden der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite, und des zweiten dielektrischen Substrats 18, das eine niedrigere Permittivität aufweist und das verwendet wird zum Bilden der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite, wie es beispielsweise in 8(a) und 8(b) gezeigt ist.

Bei den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen ist die Anordnung derart, dass Leistung direkt von der Leistungsversorgungselektrode 6 zu der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite geliefert wird, dieselbe kann aber auch derart sein, dass die Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite und die Leistungsversorgungselektrode 6 nicht miteinander verbunden sind, und dass Leistung von der Leistungsversorgungselektrode 6 zu der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite durch kapazitive Kopplung geliefert wird.

Bei dem oben beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel ist die Breite des Permittivitätseinstellmaterialabschnitts 8 schmaler als diejenige des Zwischenraums S zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite. Wie es in 9 gezeigt ist, kann jedoch die Breite des Permittivitätseinstellmaterialabschnitts 8 angeordnet sein, um breiter zu sein als diejenige des Raums S, so dass die Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und die Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite rittlings zu den Randabschnitten des Permittivitätseinstellmaterialabschnitts 8 gebildet sind.

Bei dem oben beschriebenen zweiten Ausführungsbeispiel ist die Rille 12 in dem Zwischenraum S zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite angeordnet, aber beispielsweise kann anstatt der Rille 12 eine Ausnehmung ohne Öffnung auf der Seitenoberfläche 2b und 2d gebildet sein. Ferner kann eine Mehrzahl von Ausnehmungen als Kapazitive-Kopplung-Einstelleinrichtung mit einem Zwischenraum dazwischen angeordnet sein.

Bei dem oben beschriebenen dritten Ausführungsbeispiel sind die beiden hohlen Abschnitte 14 und 15 vorgesehen, aber nur einer dieser hohlen Abschnitte 14 und 15 kann gebildet sein. Außerdem ist die Form der hohlen Abschnitte 14 und 15 nicht auf diejenige begrenzt, die in 3 gezeigt ist, sondern verschiedene Formen können angenommen werden. Beispielsweise verlaufen die hohlen Abschnitte 14 und 15, die in 3 gezeigt sind, durch das dielektrische Substrat von der Seitenoberfläche 2b zu der Seitenoberfläche 2d, aber dieselben können geschlossene hohle Abschnitte ohne Öffnungen sein. Ferner können die hohlen Abschnitte 14 und 15 Ausnehmungen oder rillenförmige hohle Abschnitte sein, so dass die Unterseite 2f des dielektrischen Substrats 2 offen ist.

Von den Aufbauten, bei denen ein Permittivitätseinstellmaterialabschnitt vorgesehen ist, wie es in dem ersten Ausführungsbeispiel gezeigt ist, dem Aufbau, bei dem eine Rille oder eine Ausnehmung vorgesehen ist, wie es bei dem zweiten Ausführungsbeispiel gezeigt ist, dem Aufbau, bei dem hohle Abschnitte vorgesehen sind, wie es in dem dritten Ausführungsbeispiel gezeigt ist und dem Aufbau, bei dem das dielektrische Substrat 2 einen verbundenen Körper einer Mehrzahl von dielektrischen Substraten bildet, die sich in der Permittivität voneinander unterscheiden, wie es in dem vierten Ausführungsbeispiel gezeigt ist, können zwei oder mehr Aufbauten für die Verwendung kombiniert werden.

Obwohl ferner bei dem oben beschriebenen fünften Ausführungsbeispiel das eine Beispiel eines tragbaren Telefons als Kommunikationsvorrichtung gezeigt ist, ist diese Erfindung nicht auf tragbare Telefone beschränkt, sondern kann auch auf andere Kommunikationsvorrichtungen als tragbare Telefone angewendet werden.

Bei den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen wurde der Aufbau zum Schwächen der kapazitiven Kopplung zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite beschrieben. Wenn jedoch die Kapazität zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite wesentlich kleiner ist als die oben beschriebene Streukapazität, wird es bevorzugt, die Kapazität zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite zu erhöhen, um gleich groß zu sein wie die Streukapazität, und um dadurch die kapazitive Kopplung zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite zu stärken.

In solch einem Fall ist eine Kapazitive-Kopplung-Einstelleinrichtung zum Stärken der kapazitiven Kopplung zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite vorgesehen. Wie es beispielsweise durch die gepunkteten Linien in 7(a) angezeigt ist und wie es in 9 dargestellt ist, ist der folgende Permittivitätseinstellmaterialabschnitt 8 als Kapazitive-Kopplung-Einstelleinrichtung in dem Zwischenraum S zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite vorgesehen. Dieser Permittivitätseinstellmaterialabschnitt 8 ist aus einem Material gebildet, das eine höhere Permittivität aufweist als dasjenige des dielektrischen Substrats 2. Es ist daher möglich, die Permittivität zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite größer zu machen als diejenige des dielektrischen Substrats 2, und dadurch die Kapazität zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite einzustellen, damit dieselbe zu einer Kapazität wird, die gleich groß ist wie diejenige der oben beschriebenen Streukapazität. Unterdessen ist es in dem Fall, wo die Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und die Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite Formen aufweisen, wie es in 9 gezeigt ist, vorzuziehen, dass jede der Strahlungselektroden 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und die Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite rittlings zu den Seitenrändern des Permittivitätseinstellmaterialabschnitts 8 angeordnet sind.

Außerdem können die Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und die Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite in Formen gebildet sein, wie es in 11 gezeigt ist, so dass der Zwischenraum S zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite verschmälert ist, und dass die Kapazität zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite erhöht ist, um eine Kapazität zu werden, die gleich groß ist wie diejenige der oben beschriebenen Streukapazität, durch Vergrößern der Flächen der gegenüberliegenden Elektroden.

Wie es oben beschrieben ist, wenn zufriedenstellende Mehrfachresonanzbedingungen nicht erreicht werden können, weil die Kapazität zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite wesentlich kleiner ist als die Streukapazität, können die Kapazität zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite und die Streukapazität in eine ordnungsgemäße Übereinstimmungsbeziehung gebracht werden, durch Einstellen der Kapazität zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite, um sich zu erhöhen, um zu einer Kapazität zu werden, die gleich groß ist wie die Streukapazität, durch die oben beschriebene Kapazitive-Kopplung-Einstelleinrichtung zum Erhöhen der Kapazität zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite. Somit ist es möglich, die gegenseitige Interferenz der Resonanzen zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite zu unterdrücken, was zu hervorragenden Mehrfachresonanzbedingungen führt.

Außerdem können die Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und die Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite in dem dielektrischen Substrat 2 gebildet sein. In diesem Fall kann als das dielektrische Substrat 2 ein Mehrschichtsubstrat verwendet werden, das durch Laminieren einer Mehrzahl von Keramikgrünschichten gebildet ist. Keramikgrünschichten mit einer unterschiedlichen Permittivität als derjenigen der oben erwähnten Keramikschichten können zwischen der Strahlungselektrode 3 der nicht mit Leistung versorgten Seite und der Strahlungselektrode 4 der mit Leistung versorgten Seite vorgesehen sein, für die Verwendung als Kapazitive-Kopplung-Einstelleinrichtung.

Wenn, wie es oben beschrieben ist, gemäß der vorliegenden Erfindung eine Kapazitive-Kopplung-Einstelleinrichtung vorgesehen ist, und die Stärke der kapazitiven Kopplung zwischen der ersten Strahlungselektrode und der zweiten Strahlungselektrode variiert wird, indem bewirkt wird, dass die Permittivität in dem Zwischenraum, der zwischen der ersten Strahlungselektrode und der zweiten Strahlungselektrode angeordnet ist und bei dem eine Kapazität auftritt, sich von der des dielektrischen Substrats unterscheidet durch die oben beschriebene Kapazitive-Kopplung-Einstelleinrichtung, kann die gegenseitige Interferenz der Resonanzen zwischen der ersten Strahlungselektrode und der zweiten Strahlungselektrode unterdrückt werden. Es ist daher möglich, hervorragende Mehrfachresonanzbedingungen stabil zu erreichen, ohne Maßnahmen durchzuführen, wie z. B. die Reduktion der Permittivität des dielektrischen Substrats oder Verbreitern des Zwischenraums S zwischen der ersten Strahlungselektrode und der zweiten Strahlungselektrode, wobei die Maßnahmen die Miniaturisierung des dielektrischen Substrats unterdrücken. Außerdem wird es vom Gesichtspunkt des Dünnermachens leicht, eine Kapazität zwischen der ersten Strahlungselektrode und der zweiten Strahlungselektrode zu erhalten, die gleich groß ist wie jede der Kapazitäten zwischen den oben erwähnten zwei Elektroden und Masse, was es ermöglicht, dass der Freiheitsgrad des Entwurfs verbessert wird.

Da somit mehrere hervorragende Mehrfachresonanzbedingungen stabil erreicht werden, kann eine Oberflächenbefestigungstyp-Antenne geschaffen werden, die klein ist und ein flaches Profil aufweist und die hoch zuverlässige Antennencharakteristika liefert.

Wenn eine Ausnehmung oder eine Rille, die eine Kapazitive-Kopplung-Einstelleinrichtung ist, gebildet ist, wenn ein Permittivitätseinstellmaterialabschnitt, der eine Kapazitive-Kopplung-Einstelleinrichtung ist, gebildet ist, oder wenn hohle Abschnitte, die Kapazitive-Kopplung-Einstelleinrichtungen sind, gebildet sind, kann die Stärke der kapazitiven Kopplung zwischen der ersten Strahlungselektrode und der zweiten Strahlungselektrode durch einen einfachen Aufbau variiert werden, wodurch hervorragende Effekte, wie oben beschrieben, erzeugt werden.

Wenn das dielektrische Substrat einen verbundenen Körper des ersten dielektrischen Substrats und des zweiten dielektrischen Substrats bildet, die sich in der Permittivität voneinander unterscheiden, ist die erste Strahlungselektrode auf dem ersten dielektrischen Substrat gebildet, während die zweite Strahlungselektrode auf dem zweiten dielektrischen Substrat gebildet ist, und ein verbundener Abschnitt zwischen dem ersten dielektrischen Substrat und dem zweiten dielektrischen Substrat ist zwischen der ersten Strahlungselektrode und der zweiten Strahlungselektrode vorgesehen, ist es möglich, die Permittivität zwischen der ersten Strahlungselektrode und der zweiten Strahlungselektrode zu variieren, wie bei dem oben beschriebenen Fall. Dies ermöglicht es, die gegenseitige Interferenz der Resonanzen zwischen der ersten Strahlungselektrode und der zweiten Strahlungselektrode zu unterdrücken, und ermöglicht es, eine Oberflächenbefestigungstyp-Antenne zu schaffen, die klein ist und ein flaches Profil aufweist und die hoch zuverlässige Antennencharakteristika liefert. Außerdem kann der Freiheitsgrad des Entwurfs verbessert werden.

Bei einer Kommunikationsvorrichtung, die mit der Oberflächenbefestigungstyp-Antenne versehen ist, die oben beschriebene Effekte erzeugt, ist es möglich, ohne weiteres die Miniaturisierung der Kommunikationsvorrichtung ohne weiteres zu fördern, als Folge der Größenreduktion der Oberflächenbefestigungstyp-Antenne und es ist auch möglich, die Zuverlässigkeit der Kommunikation zu verbessern.

Wie es von den obigen Beschreibungen offensichtlich ist, werden die Oberflächenbefestigungstyp-Antenne und die Kommunikationsvorrichtung, die mit derselben versehen ist, beispielsweise an Oberflächenbefestigungstyp-Antennen und dergleichen angewendet, die auf Schaltungsplatinen zu befestigen sind, die in Kommunikationsvorrichtungen, wie z. B. tragbaren Telefonen, enthalten sind.