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Beschreibung[de]

Die Erfindung betrifft ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 und eine Vorrichtung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 25.

Bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen werden in der Regel Wafer als Substrate verwendet, auf denen in vielen Prozessschritten die eigentlichen Bauelemente aufgebaut werden. Typische Wafer sind z.B. Siliziumwafer für die Herstellung von DRAM Speicherchips oder Mikroprozessoren. Auch werden microelectromechanische Systeme (MEMS) auf Wafern erzeugt. Zur Herstellung anderer Bauelemente werden Wafer aus InP oder Germanium verwendet.

Im Rahmen dieser Herstellungsverfahren werden die Wafer zahlreichen Prozessschritten unterzogen, die den Wafer mechanisch und/oder thermisch belasten.

Mechanische Spannungen können z.B. dadurch entstehen, indem auf dem Wafer auf der Vorder- und/oder Rückseite Schichten abgeschieden werden. Je nach Eigenschaften der Schichten (tensil oder kompressiv), wird der Waferrand relativ zur Wafermitte entweder nach oben oder nach unten verbogen (waferbow). Die mechanischen Verformungen treten dabei nicht homogen innerhalb eines Loses von Wafern auf, sondern weisen eine große Schwankungsbreite auf.

Diese Effekte wirken sich zunehmend störend aus, da die Waferfläche immer größer wird. Die heute verwendeten Wafer mit einem Durchmesser von 300 mm sind für mechanische Spannungen anfälliger als Wafer mit einem Durchmesser von 200 mm. Die erhöhte Strukturdichte bei ständig kleineren Strukturdimensionen erfordern mehr Prozessschritte, die einen Wafer belasten könnten, als dies noch vor einigen Jahren der Fall war.

Die auf Grund mechanischer Spannungen verformten Wafer können ab einer kritischen Verformung bei vielen Prozessschritten gar nicht oder nur mit Einschränkungen verwendet werden.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung zu schaffen, mit denen Waferverformungen gezielt behoben werden können.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.

Vorteilhafte Ausgestaltungen werden im Zusammenhang mit den Figuren beschrieben und/oder sind Gegenstand von Unteransprüchen.

Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Figuren der Zeichnungen an mehreren Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:

1A eine perspektivische Ansicht eines gegenüber der gewünschten Form verbogenen Wafers;

1B eine perspektivische Ansicht des Wafers gemäß 1A nach der Behandlung mit einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens;

2 eine schematische Darstellung einer ersten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung mit einer Ätzvorrichtung;

3 eine schematische Darstellung einer zweiten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung für einen gebündelten Ionenstrahl;

4 eine Variation der zweiten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung für eine in-situ Bearbeitung;

5 eine Darstellung einer Ausführungsform mit einer gezielten ringförmigen Ätzung zur Kompensation einer Verformung eines Wafers;

6 eine Darstellung einer Ausführungsform mit einer gezielten kreisförmigen Ätzung zur Kompensation einer Verformung eines Wafers;

7 eine Darstellung einer Ausführungsform mit einer gezielten Ätzung in Form von Ringsegmenten zur Kompensation einer Verformung eines Wafers;

8 eine Darstellung einer Ausführungsform mit einer gezielten Ätzung in Form von Kreissektoren zur Kompensation einer Verformung eines Wafers;

9 eine Darstellung einer Ausführungsform mit einer gezielten Ätzung in Form von konzentrischen Ringen zur Kompensation einer Verformung eines Wafers;

10 eine Darstellung einer Ausführungsform mit einer gezielten Ätzung in Form von Kreissegmenten zur Kompensation einer Verformung eines Wafers.

In 1A ist in einer perspektivischen Ansicht ein Siliziumwafer 10 dargestellt, der auf seiner Rückseite eine Schicht 1 aufweist. Die Schicht 1 auf der Rückseite kann eine im Rahmen des Processings entstehende oder eine gezielt aufgetragene Schicht, wie z.B. eine Schutz- oder Ausgleichsschicht sein.

Auf der Vorderseite 11 werden in üblichen Prozessschritten hier nicht dargestellte Strukturen, z.B. durch Ätzschritte und/oder Lithographie, aufgebracht. Die Vorderseite 11 des Wafers 10 weist normalerweise eine Vielzahl von unterschiedlichen Schichten (hier nicht dargestellt) auf, die nacheinander aufgebracht und teilweise im Rahmen der Strukturierung wieder abgetragen werden.

Die Dicke des Wafers 10 beträgt zwischen 600 und 800 &mgr;m. Der Wafer hat einen Durchmesser von 300 mm.

Im vorliegenden Fall werden auf dem Wafer 10 DRAM-Speicherchips hergestellt. Idealerweise ist der Wafer 10 vollkommen eben. Durch die Prozessschritte, insbesondere mechanische Spannungen zwischen verschiedenen Schichten des Wafers 10, weicht jeder Wafer 10 in der Produktion mehr oder weniger von diesem Ideal ab.

Eine solche Abweichung wird im Folgenden als Verformungszustand &Dgr; bezeichnet. Der Verformungszustand &Dgr; kann dabei anhand einer Messung in Bezug auf eine kritische Ebene, insbesondere eine Overlay Ebene, erfolgen.

In 1A ist beispielhaft ein Verformungszustand &Dgr; (waferbow) dargestellt, wobei eine zum Mittelpunkt 3 des Wafers 10 symmetrische, konkave Durchbiegung, eine Art Schüssel vorliegt. Die Abweichungen von der Mittelebene des Wafers betragen zwischen –80 und 300 &mgr;m. Die Verformung ist meist weder punkt- noch achsensymmetrisch.

Grundsätzlich können auch wesentlich komplexere Verformungszustände &Dgr; oder Verbiegungszustände vorliegen, die nicht symmetrisch zum Mittelpunkt 3 sind, z.B. wellenförmige Abweichungen nach oben oder unten. Auch können innerhalb des Wafers 10 verschiedene Buckel entstehen.

Durch eine Bearbeitung der Schicht 1 auf der Rückseite des Wafers 10 mit Ausführungsformen der Erfindung soll dieser Verformungszustand &Dgr; normalisiert werden. Nach der Behandlung der Schicht 1 auf der Rückseite des Wafers 10 soll der Zustand gemäß 1B erreicht werden; d.h. ein in sich flacher Wafer 10.

Dazu ist vorgesehen, dass der Verformungszustand &Dgr; des Wafers 10 durch ein Messmittel 30 (siehe 2) ermittelt wird. Das Messmittel 30 kann den Wafer 10 mittels einer kapazitiven Methode abtasten, um die Kontur zu ermitteln. Alternativ oder zusätzlich kann den Wafer 10 mit optischen Methoden (z.B. einem Laserverfahren oder anderen photogrammetrischen Methoden) getastet werden, um die Kontur zu ermitteln.

Es wird automatisch ein Verformungsdatensatz 31 erzeugt, der angibt, an welcher Stelle des Wafers 10 eine Verformung vorliegt und welches Ausmaß sie hat. Diese Information kann z.B. in Form einer Tabelle oder einer Kontur gespeichert sein. Aus dem Verformungsdatensatz 31 lässt sich eine dreidimensionale Kontur des Wafers 10 ableiten.

Nachfolgend wird dann ein Abtragungsprozess mittels eines nasschemischen Ätzprozesses in einer Ätzvorrichtung 22 die Schicht 1 auf der Rückseite des Wafers 10 mindestens teilweise abgetragen, wodurch sich der innere Spannungszustand des Wafers 10 ändert. Das Abtragen durch den Ätzprozess geschieht in Abhängigkeit vom automatisch ermittelten Verformungsdatensatz 31 des Wafers 10. Da die Verformungen &Dgr; bekannt sind, erfolgt das Abtragen der Schicht 1 auf der Rückseite des Wafers 10 so, dass der geänderte innere mechanische Spannungszustand des Wafers 10dazu führt, dass der Wafer 10 sich wieder der Idealform annähert (1B). Die dazu notwendigen Berechnungen werden in einer Steuervorrichtung 20 ausgeführt. Die Steuervorrichtung 20 erzeugt einen Steuerdatensatz 21, der an die Ätzvorrichtung 22 übertragen wird. Der Steuerdatensatz 21 enthält die Angaben zur Steuerung der Prozessparameter, wie z.B. der Ätzzeit.

Der geänderte Spannungszustand im Wafer 10 führt dazu, dass sich der Wafer 10 dem Ideal wieder annähert.

In 2 ist dargestellt, dass der Verformungszustand &Dgr; an einem Wafer 10 gemessen wird und eine Korrektur an allen Wafern 10, 11, 12 eines Loses vorgenommen wird. Aus Gründen der Einfachheit sind hier nur drei Wafer 10, 11, 12 eines Loses dargestellt. Diese Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens geht davon aus, dass die Wafer 10, 11, 12 eines Loses untereinander den gleichen Schichtaufbau haben und die gleichen Prozessschritte durchlaufen. Daher sollte der mechanische Verformungszustand &Dgr; der Wafer 10, 11, 12 untereinander ähnlich sein.

Alternativ können jeweils an einem Wafer 10 Messungen vorgenommen werden. Der dabei ermittelte Verformungsdatensatz 31 wird dann jeweils auf den gleichen Wafer 10 angewandt.

In einer anderen Ausführungsform können mehrere Wafer 10 eines Loses ausgewertet werden, um eine Art gemittelten Verformungsdatensatz 31 zu gewinnen, der für mehrere Lose verwendet werden kann.

In einer zweiten Ausführungsform, wird die in 2 dargestellte Vorrichtung abgewandelt, in dem die Abtragung der Schicht 1 nicht mittels eines Ätzverfahrens, sondern mittels eines gebündelten Ionenstrahls 24 erfolgt, der über den ganzen Bereich der Wafer-Rückseite auslenkbar ist. In 3 ist diese zweite Ausführungsform dargestellt, wobei die Ermittlung des Verformungszustandes &Dgr; und die Erzeugung des Steuerdatensatzes 21 analog zur ersten Ausführungsform erfolgt, so dass Bezug auf die Beschreibung der 2 genommen wird.

Allerdings erfolgt der Abtrag der Schicht 1 hier mittels eines gebündeltem Ionenstrahls 24, der von einer Ionenstrahlquelle 23 (z.B. ein Focused Ion Beam Source) entsprechend den Vorgaben des Steuerdatensatzes 21 geführt wird. Dabei werden die Verweildauer des Ionenstrahls 24 und/oder die Intensität als Steuergrößen für die Abtragungsdicke an einer bestimmten Stelle des Wafers verwendet. Damit ist der partielle Abtrag von Material von der Waferrückseite möglich.

Bei einer reinen Verwendung der Abtragung mittels eines gebündelten Ionenstrahls kann auf eine Abdeckung der Waferrückseite verzichtet werden.

Insbesondere ist es bei dieser Gestaltung möglich (siehe 4), den gebündelten Ionenstrahl 24 solange über einen Bereich der Schicht 1 zu führen und diese dabei partiell abzutragen, bis ein gewünschter Verformungszustand &Dgr; erreicht wird. Dazu kann das Messmittel 30 den Verformungszustand &Dgr; während des Ionenstrahl-Betriebes überwachen und entsprechende Signale an die Steuervorrichtung 20 senden. In 4 ist dargestellt, wie die Messwerte des Messmittels 30 über die Ionenstrahlquelle 23 und den Steuerdatensatz 21 auf den Wafer 10 in-situ einwirken.

Diese in-situ (fortlaufende Messung während des Materialabtrages) Bearbeitung erlaubt das individuelle, aber auch effiziente Bearbeiten der Wafer 10, 11, 12, bis eine in-situ gemessene Verformung auf einen akzeptablen (vorbestimmten) Wert verringert wurde.

Grundsätzlich ist es auch möglich beide Ausführungsformen für gleiche oder auch unterschiedliche Bereiche des Wafers 10, 11, 12 zu verwenden. So kann z.B. ein gleichförmiger relativ großer Teil einer Schicht 1 mittels Ätzen abgetragen werden. Kleinere Bereiche können dann z.B. mittels eines in-situ Verfahrens mit einem gebündelten Ionenstrahl 24 bearbeitet werden.

Die Erfindung wird hier und im Folgenden anhand eines Siliziumwafers für die DRAM-Speicherchip Herstellung beschrieben, z.B. mit einem DRAM-Speicherchip mit Deep-Trench Strukturen. Grundsätzlich sind die Maßnahmen aber auch bei anderen Substraten, wie z.B. Wafer aus InP oder Germanium und/oder anderen Abmessungen anwendbar.

Die Ausführungsformen der Erfindung sind bisher davon ausgegangen, dass die Abtragung der Schicht 1 auf der Rückseite des Wafers 10 ganzflächig geätzt wird, um die Schicht 1 dünner zu machen, was zu einer Änderung des Spannungszustandes führt.

In anderen Ausführungsformen wird die Schicht 1 auf der Rückseite des Wafers 10 nur teilweise abgetragen, insbesondere durch Ätzung oder mit einem gebündelten Ionenstrahl abgetragen, um einen Ausgleich der Verspannung zu erreichen.

Diese Ausführungsformen sind in 5 bis 10 dargestellt. Im Folgenden wird jeweils Bezug auf das Ätzen genommen, wobei die gleichen Abtragungsvorgänge und -muster auch mit einem gebündelten Ionenstrahl 24 gemäß der zweiten Ausführungsform herstellbar sind.

In 5 ist eine Ansicht auf die Schicht 1 der Rückseite des Wafers 10 dargestellt. Dabei wird nur ein ringförmiger Bereich mit einer Breite B am Rand des Wafers 10 geätzt. Die Schicht 1 auf der Rückseite des Wafers 10 innerhalb dieses ringförmigen Bereiches 1 wird nicht geätzt. Dies kann z.B. dadurch erreicht werden, dass dieser innere Bereich mit einer ätzresistenten Folie als Abdeckung 2 beklebt ist. Ein Beispiel für eine solche ätzresistente Folie ist eine Polyimidfolie (Kapton) der Firma DuPont.

Somit kann in der Ätzvorrichtung 2 nur der ringförmige Bereich geätzt werden. Durch die gezielte Ätzung nur im ringförmigen Bereich kann gezielt einer Verformung im Randbereich des Wafers 10 begegnet werden. Die Breite B richtet sich nach dem ermittelten Verformungszustand &Dgr;.

In 6 ist eine zu 5 komplementäre Ausführungsform dargestellt. Dabei wird der Randbereich des Wafer 10 mit einer Abdeckung 2 versehen, so dass der Innenbereich mit dem Durchmesser B gezielt geätzt wird.

Eine weitere Ausführungsform ist in 7 dargestellt. Während in 4 ein kontinuierlicher Ringbereich der Schicht 1 auf der Rückseite des Wafers 10 mit einer Breite B geätzt wurde, werden hier nur Teile des Randes mit einer Breite B geätzt, d.h., es erfolgt eine Ätzung von Ringsegmenten der Schicht 1. Der restliche Bereich ist z.B. mit einer Abdeckung 2 aus ätzresistenter Folie abgedeckt.

Dabei kann die Breite B des Randes von Segment zu Segment unterschiedlich sein. Die Segmente können symmetrisch zum Mittelpunkt 3 angeordnet sein, wie in 5 dargestellt, oder auch asymmetrisch.

In 8 ist eine Ausführungsform dargestellt, bei der Kreissektoren 2 mit einer Abdeckung versehen sind. Die nicht abgedeckten Teile der Schicht 1 der Rückseite des Wafers 10 können damit gezielt geätzt werden, um z.B. Verformungen &Dgr; in radialer Richtung auszugleichen. Die Anordnung der Kreissektoren kann wiederum symmetrisch zum Mittelpunkt 3 erfolgen oder asymmetrisch.

In 9 ist eine Ausführungsform dargestellt, bei der die Abdeckung 2a, 2b des Wafers 10 in Form von konzentrischen Ringen erfolgt, wobei die Breite der Ringe in Abhängigkeit von der Verformung &Dgr; gleich oder unterschiedlich sein kann. In 9 ist die Breite der Abdeckungen 2a, 2b jeweils gleich.

In 10 ist eine Ausführungsform dargestellt, bei der die Abdeckung 2a, 2b des Wafers 10 durch Kreissegmente erfolgt.

Grundsätzlich sind auch andere Formen der Abdeckung möglich. So kann das Steuermittel 20 auch eine Abdeckung 2 individuell für einen Wafer 10 erstellen, die eine wesentlich komplexere Form aufweist, wobei die Form vom individuellen Verformungszustand &Dgr; des Wafers 10 abhängt.

Die Erfindung beschränkt sich in ihrer Ausführung nicht auf die vorstehend angegebenen bevorzugten Ausführungsbeispiele. Vielmehr ist eine Anzahl von Varianten denkbar, die von dem erfindungsgemäßen Verfahren und der erfindungsgemäßen Vorrichtung auch bei grundsätzlich anders gearteten Ausführungen Gebrauch machen.

1
Schicht auf Rückseite des Wafers
2, 2a, 2b
Abdeckung
3
Mittelpunkt des Wafers
10
Wafer
11, 12
Wafer eines Loses
20
Steuervorrichtung
21
Steuerdatensatz
22
Ätzvorrichtung
23
Ionenstrahlquelle
24
gebündelter Ionenstrahl
30
Messmittel
31
Verformungsdatensatz
&Dgr;
Verformungszustand
B
Breite eines Ätzbereiches


Anspruch[de]
Verfahren zur Reduktion einer Verformung eines Wafers in einer Produktion für Halbleiterbauelemente,

gekennzeichnet durch

a) die Bestimmung des Verformungszustandes (&Dgr;) des Wafers (10, 11, 12) und/oder vergleichbarer Wafer (10, 11, 12) eines Loses mit einem Messmittel (30) und automatische Generierung eines Verformungsdatensatzes (31) und

b) mindestens einem Abtragungsprozess zur mindestens teilweisen Abtragung einer Schicht (1) auf der Rückseite des Wafers (10) und/oder vergleichbarer Wafer (10, 11, 12) eines Loses, wobei mindestens ein Parameter des Abtragungsprozesses in Abhängigkeit vom Verformungsdatensatz (21) eingestellt und/oder gesteuert wird.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der mindestens eine Abtragungsprozess durch einen gebündelten Ionenstrahl (24) erfolgt. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Einwirkdauer des gebündelten Ionenstrahls und/oder die Intensität des gebündelten Ionenstrahls für den Abtragungsprozess gezielt für einzelne Bereiche des Wafers gesteuert wird. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der mindestens eine Abtragungsprozess als Ätzprozess ausgebildet ist. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass der mindestens eine Parameter des Abtragungsprozesses die Ätzzeit und/oder die Zusammensetzung des Ätzmediums ist. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Ätzprozess der Schicht (1) auf der Rückseite des Wafers (10) eine nasschemische Ätzung umfasst. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Abtragung der Schicht (1) auf der Rückseite des Wafers (10) in einem Randbereich mit einer definierten Breite (B) erfolgt. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (1) einen Anteil an Silizium, Siliziumoxiden, Siliziumnitriden, Al2O3, high k-Materialien, insbesondere HfO2 und/oder Metallverbindungen, insbesondere Titan und Titannitrid aufweist oder aus den Materialien besteht. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zur teilweisen Abtragung, insbesondere der Ätzung der Schicht (1) auf der Rückseite des Wafers (10) ein Bereich der Schicht (1) mit einer Abdeckung (2, 2a, 2b) versehen wird. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Abdeckung (2, 2a, 2b) punktsymmetrisch zum Mittelpunkt (3) des Wafers (10) angeordnet ist. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Abdeckung (2, 2a, 2b) mindestens teilweise konzentrisch zum Mittelpunkt (3) des Wafers (10) angeordnet ist. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Abdeckung (2, 2a, 2b) einen Kreis, ein Streifenmuster, ein Gittermuster, mindestens einen Kreissektor, mindestens ein Kreissegment und/oder mindestens einen Kreisring aufweist. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Abdeckung (2, 2a, 2b) als ätzresistente Klebefolie auf die Schicht (1) auf der Rückseite des Wafers (10) aufgebracht wird. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 9 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Form und/oder das Ausmaß der Abdeckung (2, 2a, 2b) automatisch in Abhängigkeit vom gemessenen Verformungszustand (&Dgr;) bestimmt und/oder hergestellt wird. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Abtragung der Schicht (1) auf der Rückseite des Wafers (10) ganzflächig erfolgt. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der gebündelte Ionenstrahl (24) nur auf bestimmte, mittels des Verformungsdatensatzes (31) ermittelte Bereiches des Wafers (10, 11, 12) einwirkt und somit der Abtrag nur in diesen ermittelten Bereichen erfolgt, ohne dass die übrigen Bereiche des Wafers (10, 11, 12) eine Abdeckung erhalten. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Wafer (10, 11, 12) während des Abtrages fortlaufend von dem Messmittel (30) vermessen wird und der Abtrag beendet wird, wenn die Messung ergibt, dass die Verformung des Wafers (10, 11, 12) auf einen zulässigen Wert reduziert ist. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (1) auf der Rückseite des Wafers (10, 11, 12) eine ohnehin vorhandene oder eine im Rahmen des Processings auftretende Rückseitenbeschichtung ist. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Bestimmung des Verformungszustandes (&Dgr;) anhand einer Messung in Bezug auf eine kritische Ebene, insbesondere eine Overlay Ebene, erfolgt. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Wafer (10, 11, 12) Silizium, InP und/oder Germanium aufweist oder aus diesen Materialien besteht. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Wafer (10, 11, 12) der Herstellung von DRAM Speicherchips, optoelektronischen Bauelementen oder Mikroprozessoren dient. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Wafer (10, 11, 12) einen Durchmesser von 300 mm oder 450 mm aufweist. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Messmittel (30) den Verformungzustand (&Dgr;) optisch, insbesondere mittels eines Lasermessverfahrens oder einer photogrammetrischen Methode, und/oder einer kapazitiven Methode ermittelt. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein großflächiger Abtrag der Schicht (1) mittels eines Ätzprozesses erfolgt und anschließend eine punktuelle Abtragung der Schicht (1) mittels eines gebündelten Ionenstrahls (24), insbesondere mit einer in-situ Bearbeitung des Wafers (10, 11, 12). Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein Messmittel (30) zur Messung des Verformungszustands (&Dgr;) mindestens eines Wafers (10, 11, 12) und zur automatischen Generierung eines Verformungsdatensatzes (31) und ein Steuerungsmittel (20) für mindestens ein Abtragungsmittel (22) zur mindestens teilweisen Abtragung einer Schicht (1) auf der Rückseite des Wafers (10) und/oder vergleichbarer Wafer (10, 11, 12) eines Loses, wobei mindestens ein Parameter des Abtragungsprozesses in Abhängigkeit vom Verformungsdatensatz (31) einstellbar und/oder steuerbar ist. Vorrichtung nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, dass das mindestens eine Abtragungsmittel (22) ein gesteuertes Ionenstrahlmittel (23) ist, welches auf bestimmte, aus dem Verformungsdatensatz (21) des Wafers (10, 11, 12) ermittelte Bereiche des Wafers (10, 11, 12) einwirkt und dort einen Abtrag bewirkt, der über Anlagenparameter steuerbar ist. Vorrichtung nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass während die Messung des Wafers (10, 11, 12) fortlaufend während des Abtrags erfolgt und der Abtrag beendet wird, wenn die Verformung des Wafers (10, 11, 12) auf ein zulässiges Maß reduziert ist.






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