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Dokumentenidentifikation DE60034836T2 29.11.2007
EP-Veröffentlichungsnummer 0001033810
Titel Herstellungsverfahren für akustische Oberflächenwellenanordnungen
Anmelder Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo, Kyoto, JP
Erfinder Taga, Shigeto, Nagaokakyo-shi, Kyoto-fu 617-8555, JP
Vertreter Schoppe, Zimmermann, Stöckeler & Zinkler, 82049 Pullach
DE-Aktenzeichen 60034836
Vertragsstaaten DE, FI, FR, GB, SE
Sprache des Dokument EN
EP-Anmeldetag 02.03.2000
EP-Aktenzeichen 004005625
EP-Offenlegungsdatum 06.09.2000
EP date of grant 16.05.2007
Veröffentlichungstag im Patentblatt 29.11.2007
IPC-Hauptklasse H03H 9/05(2006.01)A, F, I, 20051017, B, H, EP
IPC-Nebenklasse H03H 3/08(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, EP   

Beschreibung[de]
Hintergrund der Erfindung 1. Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvorrichtung, bei der ein Oberflächenwellenelement in einem Gehäuse abgedichtet ist.

2. Beschreibung der verwandten Technik

Herkömmlicherweise wird eine Oberflächenwellenvorrichtung durch ein Verbinden und Fixieren eines Oberflächenwellenelements auf ein Basisbauglied durch eine Bump-Verbindung, anschließend durch ein Abdichten des Oberflächenwellenelements in einem Gehäuse, das durch ein Verbinden eines Abdeckungsbauglieds auf das Basisbauglied definiert ist, gebildet. In der Vergangenheit wurde bei einer derartigen Oberflächenwellenvorrichtung ein Nahtschweißverfahren verwendet und eine Kovar-Legierung wird verwendet, um eine Verbindungsstelle zu definieren, um eine luftdichte Fixierung zwischen dem Basisbauglied und dem Abdeckungsbauglied zu bilden.

Ferner umfassen andere Abdichtverfahren als das Nahtschweißverfahren ein Wachsabdichtverfahren, das erfordert, dass ein Wachsmaterial auf Verbindungsabschnitte entweder des Basisbauglieds oder des Abdeckungsbauglieds aufgebracht wird, dann ein kleiner Heizerblock mit beispielsweise dem Abdeckungsbauglied in Kontakt gebracht wird, wodurch das Abdeckungsbauglied erwärmt wird, um das Wachsmaterial zu schmelzen, gefolgt durch eine Kühlbehandlung, um das Basisbauglied mit dem Abdeckungsbauglied zu verbinden.

Wenn das obige Nahtschweißverfahren verwendet wird, um das Basisbauglied mit dem Abdeckungsbauglied zu verbinden, wird während eines Nahtschweißprozesses der Verbindungsabschnitt von entweder dem Abdeckungsbauglied oder dem Basisbauglied lediglich partiell erwärmt, um auf eine hohe Temperatur erhöht zu sein, was darin resultiert, dass das Basisbauglied und das Abdeckungsbauglied unter einer Bedingung miteinander verbunden sind, die eine erhebliche Temperaturdifferenz zwischen den Verbindungsabschnitten und anderen Abschnitten betrifft. Bei dem Kühlen der Oberflächenwellenvorrichtung wird dann eine große Restbelastung zwischen dem Basisbauglied und dem Abdeckungsbauglied erzeugt, wobei daher bewirkt wird, dass sich das Basisbauglied 10 und das Abdeckungsbauglied 30 erheblich verformen, wie es in 3 gezeigt ist. Aufgrund einer derartigen Verformung ist nachfolgend eine Belastung an Metall-Bumps 51 (Metall-Kontakthügeln) konzentriert, die verwendet wurden, um das Oberflächenwellenelement 20 auf das Basisbauglied 10 zu verbinden und zu fixieren, und ist ebenfalls an Elektroden 12 und 25 konzentriert, die mit den Metall-Bumps 51 kombiniert sind. Folglich gab es ein Problem, dass die Metall-Bumps 51 und die Elektroden 12, 25 beschädigt wurden und bewirkt wird, dass sich dieselben ablösen, was in einigen fehlerhaften Verbindungen und fehlerhaften Charakteristika resultiert.

Wenn das Wachsabdichtverfahren verwendet wurde, um das Basisbauglied mit dem Abdeckungsbauglied zu verbinden, entsteht ebenfalls ein Problem, dass das Basisbauglied nach der obigen Verbindungsbehandlung aufgrund des gleichen oben erwähnten Grundes verformt würde, was Probleme bewirkt, die Problemen ähnlich sind, die bei dem Nahtschweißverfahren auftreten.

Es ist zu beachten, dass es notwendig ist, einen Raum zum Ermöglichen einer freien Schwingung der Elektroden an der Oberfläche (Oberflächenwellenausbreitungsoberfläche) des Oberflächenwellenelements vorzusehen. Da es jedoch unmöglich ist, einen Raum zwischen dem Oberflächenwellenelement und dem Basisbauglied mit einem Harz unter Verwendung eines Prozesses auszufüllen, der einem Bilden eines Halbleiterbauelements ähnlich ist, ist es unmöglich, die Belastung zu reduzieren oder zu eliminieren, die an den Metall-Bumps konzentriert ist, wobei es daher unmöglich gemacht ist, die Verbindungsfestigkeit zu verbessern. Um folglich die Zuverlässigkeit einer Oberflächenwellenvorrichtung zu verbessern, ist es extrem wichtig, die Belastung zu reduzieren, die auf die Metall-Bumps ausgeübt wird.

Die EP-A-0608827 offenbart eine Technik zum Anlegen einer einheitlichen Erwärmung an Abdeckungs- und Basisbauglieder eines Gehäuses, um diese Bauglieder miteinander zu verbinden. Das Verbindungsmaterial jedoch ist geschmolzenes Glas und die piezoelektrische Platte ist unter Verwendung eines Haftmittels mit dem Basisbauglied verbunden.

Das Dokument „Miniaturized SAW filters using a flip-chip technique" von Yatsuda u. a. (IEEE Proc. Ultrasonics Symposium, Bd. 1, 1. Nov. 1994) beschreibt ein SAW-Filter, bei dem der SAW-Chip unter Verwendung von Goldverbindungs-Bumps mit einem Basisbauglied verbunden ist. Die Gehäuseabdeckung ist unter Verwendung eines Au-Sn-Legierung-Lötmittels verbunden.

Zusammenfassung der Erfindung

Um die oben beschriebenen Probleme zu überwinden, sehen bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvorrichtung vor, das eine Belastung reduziert und minimiert, die während eines Prozesses eines Verbindens des Basisbauglieds und des Abdeckungsbauglieds auf die Metall-Bumps ausgeübt wird, und Probleme verhindert, die bei Verbindungsabschnitten der Metall-Bumps auftreten, wodurch eine ausreichende Zuverlässigkeit sichergestellt ist.

Die vorliegende Erfindung sieht ein Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvorrichtung vor, das folgenden Schritt aufweist: Bump-Verbinden eines Oberflächenwellenelements und eines Basisbauglieds miteinander durch Bumps, die einen Schmelzpunkt von 450°C oder höher aufweisen, derart, dass das Oberflächenwellenelement mit einer Oberseite-nach-unten-Konfiguration an einer unteren Oberfläche einer Ausnehmung des Basisbauglieds fixiert ist; dadurch gekennzeichnet, dass dasselbe ferner den Schritt eines Verbindens eines Abdeckungsbauglieds und des Basisbauglieds mit einem Verbindungsmaterial, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus einem Lötmittel, einer Au-Sn-Legierung oder einem Glas mit niedrigem Schmelzpunkt besteht, durch ein Erwärmen des Abdeckungsbauglieds und des Basisbauglieds einheitlich auf eine Temperatur, die höher als der Schmelzpunkt des Verbindungsmaterials liegt, um das Verbindungsmaterial zu schmelzen, wobei die Temperatur niedriger als 450°C ist, aufweist.

Bei der Verwendung des obigen Herstellungsverfahrens ist, da es keine Temperaturdifferenz zwischen den unterschiedlichen Baugliedern während des Prozesses des Miteinanderverbindens des Basisbauglieds und des Abdeckungsbauglieds gibt, eine Restbelastung, die auf die Oberflächenwellenvorrichtung nach einer Kühlbehandlung ausgeübt wird, minimiert, wobei so die Belastung auf die Metallbump-Verbindungsabschnitte stark reduziert ist. Aus diesem Grund ist es möglich, eine Beschädigung an den Metall-Bumps und eine Beschädigung an den Elektroden, die an den Bump-Verbindungsabschnitten verbunden sind, zuverlässig und stark zu reduzieren und Verbindungsprobleme stark zu reduzieren, wie beispielsweise das Ablösen der Metallbumps oder Bump-Verbindungsabschnitte. Das Oberflächenwellenelement kann jedoch im Voraus mittels Metall-Bumps Bump-verbunden oder verbunden werden, die einen Schmelzpunkt von 450°C oder höher aufweisen, um fest an dem Basisbauglied getragen und fixiert zu sein, während dieselben zur gleichen Zeit elektrisch verbunden sind.

Wie es oben erwähnt ist, ist das Wachsmaterial ein Lötmittel, eine Au-Sn-Legierung oder ein Glas mit niedrigem Schmelzpunkt, das einen Erweichungspunkt von nicht mehr als 450°C aufweist.

Wie es in dem Obigen beschrieben ist, wird gemäß bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung das Oberflächenwellenelement über Metall-Bumps, die einen Schmelzpunkt von 450°C oder höher aufweisen, fest an dem Basisbauglied verbunden und fixiert und die Oberflächenwellenvorrichtung als Ganzes wird einheitlich erwärmt, um das Basisbauglied mit dem Abdeckungsbauglied zu verbinden, wodurch eine Belastung, die auf die Metallbump-Verbindungsabschnitte ausgeübt wird, stark reduziert wird. Deshalb ist es möglich, die Verbindungsprobleme zu verhindern, die bei den Metall-Bumps und den Bump-Verbindungsabschnitten auftreten, wodurch eine Oberflächenwellenvorrichtung erhalten wird, die eine hohe Zuverlässigkeit aufweist.

Zum Zweck eines Darstellens der Erfindung sind in den Zeichnungen mehrere Formen gezeigt, die gegenwärtig bevorzugt sind, wobei jedoch klar ist, dass die Erfindung nicht auf die präzisen Anordnungen und Instrumentalitäten, die gezeigt sind, begrenzt ist.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

1 ist eine Querschnittsansicht einer Oberflächenwellenvorrichtung, die gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung hergestellt ist.

2 ist eine Draufsicht, die ein Oberflächenwellenelement angibt, das gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel hergestellt ist.

3 ist eine kurze Querschnittsansicht zum Erläutern einer Verformung, die während eines Prozesses auftritt, wenn das Basisbauglied und das Abdeckungsbauglied miteinander verbunden werden, um eine herkömmliche Oberflächenwellenvorrichtung zu bilden.

Detaillierte Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele

Hierin im Folgenden sind bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die Zeichnungen detailliert erläutert.

1 ist eine Querschnittsansicht, die eine Oberflächenwellenvorrichtung darstellt, die gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung hergestellt ist, und 2 ist eine Draufsicht, die ein Oberflächenwellenelement darstellt, das in 1 gezeigt ist.

Bei der Oberflächenwellenvorrichtung sind eine Mehrzahl von Elektrodenanschlussflächen 25 des Oberflächenwellenelements 20 und eine Mehrzahl von Elektrodenanschlussbereichen 12, die an der Oberfläche eines Ausnehmungsabschnitts eines Basisbauglieds 10 gebildet sind, durch Metall-Bumps 51 mit einer Oberseite-nach-unten-Konfiguration Bump-verbunden. Das Oberflächenwellenelement 20 ist an dem Basisbauglied 10 fixiert und getragen und ist elektrisch an demselben verbunden. Ferner ist ein Abdeckungsbauglied 30 mit dem Basisbauglied 10 über ein Wachsmaterial 52 verbunden, das ein Wachs mit hohem Schmelzpunkt aufweist, derart, dass das Oberflächenwellenelement 20 bedeckt ist. Somit kann das Oberflächenwellenelement 20 in dem Gehäuse (innerhalb des Raums), das durch das Basisbauglied 10 und das Abdeckungsbauglied 30 definiert ist, luftdicht abgedichtet sein. Bei dieser Oberflächenwellenvorrichtung ist zwischen der Oberflächenwellenausbreitungsoberfläche des Oberflächenwellenelements 20 und dem Basisbauglied 10 ein Zwischenraum (ein Raum) zum effizienteren Ausbreiten der Oberflächenwelle vorgesehen, wie es in 1 gezeigt ist.

Das Oberflächenwellenelement 20 umfasst, wie es in 2 gezeigt ist, ein piezoelektrisches Substrat 21. An der oberen Oberfläche des piezoelektrischen Substrats 21 befindet sich eine Elektrodenstruktur, die IDT-Elektroden (IDT = interdigital transducer = Interdigitalwandler) 22, Reflektorelektroden 23, Auslasselektroden 24, die sich von allen IDT-Elektroden 22 erstrecken, und Elektrodenanschlussflächen 25, die mit allen Auslasselektroden 24 verbunden sind, umfasst. Die Elektrodenstruktur ist vorzugsweise aus Al hergestellt oder dieselbe kann aus einer Legierung hergestellt sein, die Al enthält, und ist vorzugsweise durch ein Verwenden eines bekannten Filmbildungsverfahrens gebildet. Es ist möglich, ein piezoelektrisches Material, wie beispielsweise Lithiumtantalat oder Lithiumniobat oder ein anderes geeignetes Material als das piezoelektrische Substrat 21 zu verwenden.

Das Basisbauglied 10 weist vorzugsweise eine konkave Konfiguration auf und ist vorzugsweise durch ein Laminieren einer Mehrzahl von Keramikschichten gebildet und weist eine Eingang/Ausgang-Elektrodenstruktur und eine Erdelektrodenstruktur auf, die eine Mehrzahl von Elektrodenanschlussbereichen 12 umfasst, die sich an der Unterseitenoberfläche desselben, der inneren Oberfläche des Ausnehmungsabschnitts desselben und im Inneren desselben erstrecken. Obwohl es nicht in den Zeichnungen gezeigt ist, sind Eingangs- und Ausgangsanschlusselektroden an der Unterseitenoberfläche des Basisbauglieds 10 vorgesehen. Unter Verwendung der Unterseitenoberfläche des Basisbauglieds 10 als eine Befestigungsoberfläche kann die Oberflächenwellenvorrichtung an einer Befestigungsplatine (einer Schaltungsplatine) befestigt werden.

Das Abdeckungsbauglied 30 ist vorzugsweise eine Metallplatte, die aus einer Fe-Ni-Legierung oder einer Legierung, die Fe enthält, oder einem anderen geeigneten Material hergestellt ist, und kann falls nötig einer Plattierungsbehandlung unterzogen werden.

Die Oberflächenwellenvorrichtung wird vorzugsweise in der folgenden Weise hergestellt. Zuerst wird vorzugsweise ein Kugelverbindungsverfahren verwendet, um einen Metall-Bump 51 an jeder Elektrodenanschlussfläche 25 des Oberflächenwellenelements 20 zu bilden, wobei jeder Metall-Bump 51 vorzugsweise aus Au oder einem Material, das Au als die Hauptkomponente desselben enthält, hergestellt ist. Dann wird das Oberflächenwellenelement 20 mit der Oberseite nach unten angeordnet, derart, dass bewirkt wird, dass die Oberflächenwellenausbreitungsoberfläche, die IDTs und andere Elektroden umfasst, dem Basisbauglied 10 zugewandt ist, gefolgt durch die simultane Anlegung einer Überschallwelle und von Wärme. Auf diese Weise werden jede Elektrodenanschlussfläche 25 und der entsprechende Elektrodenanschlussbereich 12 derselben des Basisbauglieds 10 durch einen Metall-Bump 51 miteinander verbunden, wobei das Oberflächenwellenelement 20 an dem Basisbauglied 10 verbunden und fixiert wird.

Es ist nicht notwendig, jeden Metall-Bump 51 aus Au zu bilden, und es ist möglich, den Metall-Bump 51 aus anderen Metallmaterialien zu bilden, vorausgesetzt, dass derartige Metallmaterialien während eines nachfolgenden Prozesses zum miteinander Verbinden des Basisbauglieds 10 und des Abdeckungsbauglieds 30 nicht ohne weiteres geschmolzen oder weichgemacht werden, und dass derartige Materialien einen Schmelzpunkt von 450°C oder höher aufweisen.

Obwohl die obige Beschreibung ein Verfahren erläutert hat, bei dem eine Überschallwelle und Wärme simultan während des obigen Bump-Verbindungsprozesses angelegt werden können, ist es ebenfalls möglich, ein Verfahren zu verwenden, bei dem lediglich eine Überschallwelle oder Wärme während des obigen Bump-Verbindungsprozesses angelegt wird. Ferner ist ein Verfahren zum Bilden der Metall-Bumps nicht notwendigerweise auf das Kugelverbindungsverfahren begrenzt. Es ist ebenfalls möglich, andere Verfahren zum Bilden der Metall-Bumps zu verwenden, wie beispielsweise ein Bump-Bildungsverfahren, das eine Plattierbehandlung betrifft.

Als Nächstes wird das Abdeckungsbauglied 30, an dem ein Wachs zum Bilden des Wachsmaterials 52 und mit einem hohen Schmelzpunkt befestigt ist, um an das Abdeckungsbauglied zu drücken, über das Basisbauglied 10 gelegt. Dann werden das Abdeckungsbauglied 30 und das Basisbauglied 10 in einen Aufschmelzofen eingebracht, so dass das Basisbauglied 10, das Oberflächenwellenelement 20 und das Abdeckungsbauglied 30 alle einheitlich auf eine Temperatur erwärmt werden, die höher als der Schmelzpunkt des Wachsmaterials 52 ist, wie es durch Pfeile in 1 angegeben ist, wodurch das Wachsmaterial 52 geschmolzen wird und somit bewirkt wird, dass das Basisbauglied 10 und das Abdeckungsbauglied 30 miteinander verbunden werden. Zu der Zeit beträgt die Temperatur für eine Wärme nicht mehr als 450°C, so dass der Bump nicht schmilzt.

Da das Basisbauglied und das Abdeckungsbauglied miteinander in einem Prozess verbunden werden, bei dem die Oberflächenwellenvorrichtung als Ganzes einheitlich erwärmt wird, gibt es auf diese Weise bei der Verwendung des Verfahrens zum Herstellen der Oberflächenwellenvorrichtung gemäß dem vorliegenden bevorzugten Ausführungsbeispiel keine Temperaturdifferenz zwischen den unterschiedlichen Baugliedern während der Verbindungsbehandlung. Deshalb ist eine Restbelastung, die auf die Oberflächenwellenvorrichtung nach einer Kühlbehandlung ausgeübt wird, minimiert, um extrem gering zu sein, wodurch die Belastung auf die Metallbump-Verbindungsabschnitte stark reduziert ist. Aus diesem Grund ist es möglich, eine Beschädigung der Metall-Bumps und eine Beschädigung der Elektroden, die an den Bump-Verbindungsabschnitten verbunden sind, zuverlässig und stark zu reduzieren und Verbindungsprobleme stark zu reduzieren, wie beispielsweise das Ablösen dieser Bauglieder, wodurch es möglich gemacht wird, die Ausbeute zu verbessern, die Ausfallsrate zu reduzieren und große Verbesserungen bei der Zuverlässigkeit derselben zu erreichen.

Das Wachsmaterial ist aus der Gruppe ausgewählt, die aus einem Lötmittel, einer Au-Sn-Legierung oder einem Glas mit niedrigem Schmelzpunkt besteht. Obwohl bei dem obigen bevorzugten Ausführungsbeispiel beschrieben wurde, dass das Wachsmaterial an dem Abdeckungsbauglied befestigt wurde, wobei dasselbe gepresst wird, ist es ferner ebenfalls möglich, dass das Wachsmaterial im Voraus an dem Basisbauglied gebildet wird, oder alternativ kann dasselbe durch eine Druckbehandlung gebildet werden.

Obwohl bei dem obigen bevorzugten Ausführungsbeispiel beschrieben wurde, dass ein Rückflussofen verwendet werden kann, um das Basisbauglied und das Abdeckungsbauglied miteinander zu verbinden, ist die vorliegende Erfindung ferner nicht so begrenzt. Es ist ebenfalls möglich, einen Erwärmungsofen oder einen Ofen, der zum einheitlichen Erwärmen der gesamten Oberflächenwellenvorrichtung in der Lage ist, zu verwenden.

Zudem sollte ein Material, das das Abdeckungsbauglied bildet, nicht auf die Fe-Ni-Legierung oder eine Legierung, die Fe enthält, begrenzt sein. Es ist ebenfalls möglich, ein anderes Material zu verwenden, das zum Erreichen einer hervorragenden luftdichten Abdichteigenschaft in der Lage ist, wenn dasselbe mit dem Wachsmaterial verwendet wird. Ferner sollte ein Material zum Bilden des Abdeckungsbauglieds nicht auf ein Metall begrenzt sein. Es ist ebenfalls möglich, ein Keramikmaterial zu verwenden, um das Abdeckungsbauglied zu bilden. In einem derartigen Fall ist es möglich, ein Glas mit niedrigem Schmelzpunkt als ein Wachsmaterial zu verwenden. Zusätzlich ist es möglich, ein Basisbauglied zu verwenden, das aus einem Metall gebildet ist.

Ferner sollten die Formen des Basisbauglieds und des Abdeckungsbauglieds nicht auf diese bei dem oben beschriebenen, bevorzugten Ausführungsbeispiel begrenzt sein. Es ist ebenfalls beispielsweise möglich, ein Gehäuse herzustellen, das durch ein Basisbauglied ähnlich einer flachen Platte und ein konkaves Abdeckungsbauglied definiert ist. Zudem sollte die Elektrodenstruktur des Oberflächenwellenelements nicht auf diese des obigen bevorzugten Ausführungsbeispiels begrenzt sein.

Während bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung offenbart wurden, werden verschiedene Ausführungsmodi der hierin offenbarten Prinzipien als innerhalb des Schutzbereichs der folgenden Ansprüche befindlich betrachtet. Deshalb ist klar, dass der Schutzbereich der Erfindung nicht begrenzt sein soll, außer wenn es in den Ansprüchen anderweitig dargelegt ist.


Anspruch[de]
Ein Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvorrichtung, das folgenden Schritt aufweist:

Bump-Verbinden eines Oberflächenwellenelements (20) und eines Basisbauglieds (10) miteinander durch Bumps (51), die einen Schmelzpunkt von 450°C oder höher aufweisen, derart, dass das Oberflächenwellenelement (20) mit einer Oberseite-nach-unten-Konfiguration an einer unteren Oberfläche einer Ausnehmung des Basisbauglieds (10) fixiert ist;

dadurch gekennzeichnet, dass dasselbe ferner den Schritt eines Verbindens eines Abdeckungsbauglieds (30) und des Basisbauglieds (10) mit einem Verbindungsmaterial (52), das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus einem Lötmittel, einer Au-Sn-Legierung und einem Glas mit niedrigem Schmelzpunkt besteht, durch ein Erwärmen des Abdeckungsbauglieds (30) und des Basisbauglieds (10) einheitlich auf eine Temperatur, die höher als der Schmelzpunkt des Verbindungsmaterials liegt, um das Verbindungsmaterial zu schmelzen, wobei die Temperatur geringer als 450°C ist, aufweist.
Das Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvorrichtung gemäß Anspruch 1, bei dem eine Mehrzahl von Elektrodenanschlussflächen (25) an dem Oberflächenwellenelement (20) vorgesehen sind und eine Mehrzahl von Elektrodenanschlussbereichen (12) an der Oberfläche der Ausnehmung des Basisbauglieds (10) vorgesehen sind und die Bumps (51) die Elektrodenanschlussflächen (25) und die Elektrodenanschlussbereiche (12) verbinden. Das Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem die Bumps (51), die während des Bump-Verbindungsprozesses verwendet werden, aus einem Metall hergestellt sind. Das Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Oberflächenwellenelement (20) auf eine luftdichte Weise in dem Gehäuse abgedichtet ist, das durch das Basisbauglied (10) und das Abdeckungsbauglied (30) definiert ist. Das Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem ein Zwischenraum zwischen dem Oberflächenwellenelement (20) und dem Basisbauglied (10) definiert ist. Das Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Oberflächenwellenelement (20) ein piezoelektrisches Substrat (21) und Interdigitalwandlerelektroden (22), Reflektorelektroden (23), Auslasselektroden (24), die sich von den Interdigitalwandlerelektroden erstrecken, und Elektrodenanschlussflächen (25), die mit den Auslasselektroden verbunden sind, umfasst. Das Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvorrichtung gemäß Anspruch 6, bei dem das piezoelektrische Substrat (21) aus Lithiumtantalat oder Lithiumniobat hergestellt ist. Das Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvorrichtung gemäß Anspruch 6 oder 7, bei dem die Elektrodenstruktur entweder aus Al oder einer Legierung ist, die Al enthält. Das Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Basisbauglied (10) eine konkave Konfiguration aufweist. Das Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Basisbauglied (10) durch ein Laminieren einer Mehrzahl von Keramikschichten gebildet ist. Das Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Abdeckungsbauglied (30) eine Metallplatte umfasst, die aus einer Fe-Ni-Legierung oder einer Legierung, die Fe enthält, hergestellt ist. Das Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, das ferner den Schritt eines simultanen Anlegens einer Überschallwelle und von Wärme umfasst, so dass das Oberflächenwellenelement (20) mit einer Oberseite-nachunten-Konfiguration an der unteren Oberfläche der Ausnehmung des Basisbauglieds (10) fixiert ist. Das Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvorrichtung gemäß Anspruch 12, bei dem eine Mehrzahl von Elektrodenanschlussflächen (25) an dem Oberflächenwellenelement (20) vorgesehen ist und eine Mehrzahl von Elektrodenanschlussbereichen (12) an der Oberfläche der Ausnehmung des Basisbauglieds (10) vorgesehen ist und jede Elektrodenanschlussfläche (25) nach der Anlegung der Überschallwelle und der Wärme über den Bump (54) mit einem der Elektrodenanschlussbereiche (12) verbunden ist. Das Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, das ferner den Schritt eines Anlegens einer Überschallwelle oder von Wärme umfasst, so dass das Oberflächenwellenelement (20) mit einer Oberseite-nach-unten-Konfiguration an der unteren Oberfläche der Ausnehmung des Basisbauglieds (10) fixiert ist. Das Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvorrichtung gemäß Anspruch 14, bei dem eine Mehrzahl von Elektrodenanschlussflächen (25) an dem Oberflächenwellenelement (20) vorgesehen ist und eine Mehrzahl von Elektrodenanschlussbereichen (12) an der Oberfläche der Ausnehmung des Basisbauglieds (10) vorgesehen ist und jede Elektrodenanschlussfläche (25) nach der Anlegung einer Überschallwelle oder von Wärme über den Bump (51) mit einem der Elektrodenanschlussbereiche (12) verbunden ist. Das Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Bumps (51) aus einem Material hergestellt sind, das Au umfasst. Das Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Bump-Verbindungsprozess ein Kugelverbindungsprozess ist. Das Verfahren zum Herstellen einer Oberflächenwellenvorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, das ferner den Schritt eines Platzierens des Abdeckungsbauglieds (30) und des Basisbauglieds (10) in einen Aufschmelzofen aufweist, um das Basisbauglied (10), das Oberflächenwellenelement (20) und das Abdeckungsbauglied (30) einheitlich auf die Temperatur zu erwärmen, die höher als der Schmelzpunkt des Verbindungsmaterials liegt.






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