PatentDe  


Dokumentenidentifikation DE102006025135A1 06.12.2007
Titel Halbleiterbauelement mit einer mehrere Abschnitte aufweisenden Passivierungsschicht
Anmelder Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
Erfinder Barthelmess, Reiner, Dr., 59494 Soest, DE;
Schulze, Hans-Joachim, Dr., 85521 Ottobrunn, DE
Vertreter Westphal, Mussgnug & Partner, 80336 München
DE-Anmeldedatum 30.05.2006
DE-Aktenzeichen 102006025135
Offenlegungstag 06.12.2007
Veröffentlichungstag im Patentblatt 06.12.2007
IPC-Hauptklasse H01L 29/06(2006.01)A, F, I, 20060530, B, H, DE
IPC-Nebenklasse H01L 23/28(2006.01)A, L, I, 20060530, B, H, DE   
Zusammenfassung Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (100) und wenigstens einem in dem Halbleiterkörper (100) vorhandenen pn-Übergang und einer wenigstens abschnittsweise auf einer Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) angeordneten semiisolierenden Passivierungsschicht (70), wobei die Passivierungsschicht (70) wenigstens zwei voneinander getrennte Abschnitte (71-74) aufweist.

Beschreibung[de]

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem in einer Halbleiterschicht vorhandenem pn-Übergang und mit einer auf eine Oberfläche der Halbleiterschicht aufgebrachten Passivierungsschicht.

Die Durchbruchspannung eines in Sperrrichtung gepolten Halbleiterübergangs eines Leistungs-Halbleiterbauelementes hängt neben der elektrischen Volumenfeldstärke im Inneren des Bauelementes insbesondere von der Feldverteilung derjenigen Halbleiterübergänge ab, die an die Oberfläche treten. Ohne geeignete Maßnahmen zur Reduzierung der Feldstärke bestimmen die an der Oberfläche liegenden Halbleiterübergänge, die sich meistens im Randbereich des Bauelementes befinden, die maximale Durchbruchspannung. Aufgrund des einsetzendem Avalanche-Effektes unter der Oberfläche bei höheren Sperrspannungen kann die maximale Durchbruchspannung deutlich unter der angestrebten und im Bauteilvolumen gegebenen Durchbruchspannung liegen.

Eine Reduzierung der lokalen elektrischen Feldstärke in der Raumladungszone des gesperrten Halbleiterüberganges an der Oberfläche lässt sich durch Maßnahmen oberhalb der Oberfläche des Bauelementes, z.B. durch Feldplatten wie in den EP 0 077 481 B1 und EP 0 341 453 A1 ausgeführt, durch geometrische Modifikationen der Randabschlusskante selbst, beispielsweise durch Randabschrägung wie in B.J.Baliga: "Power Semiconductor Devices", PWS Publishing 1995, Seite 198 ff., beschrieben, und durch die Art und Anordnung von zusätzlichen Dotierungen unterhalb der Oberfläche im Randabschluss erreichen.

Die Wirksamkeit solcher Maßnahmen setzt stets eine stabile Passivierung der Oberfläche des Halbleiterkörpers voraus.

Als Materialien für Passivierungen, die in direktem Kontakt mit dem Halbleiterkörper stehen, kommen neben Dielektrika wie thermischen Oxiden auch Si3N4 und organische Polyimide zum Einsatz. Aufgrund niedriger Abscheidetemperaturen unterhalb von ca. 300 °C, der guten elektrischen Ankopplung mit variablen Bandlücken und hohen Defektdichten innerhalb der Bandlücke eignen sich als Passivierungsmaterialien insbesondere wasserstoffdotiertes amorphes Silizium (a-Si:H) und wegen der verbesserten Ankoppelbarkeit an p-leitende Substrate wasserstoffdotierter amorpher Kohlenstoff (a-C:H) wie in EP 0381111 A2 beschrieben ist.

Derartige Passivierungsmaterialien mit semiisolierenden Eigenschaften führen bezugnehmend auf die DE 103 58 985 B3 zu einer Erhöhung der Durchbruchspannung aufgrund einer gezielt erhöhten Oberflächenzustandsdichte.

Die Forderungen nach mechanischer Härte und Dichtigkeit gegen Feuchte bei moderater Leitfähigkeit ergeben bei Leistungshalbleiterbauelementen einen Konflikt, der durch die korrosive Wirkung des Stromflusses über die Grenzfläche des Halbleiters und seiner passivierten Oberfläche, beispielsweise Silizium/a-C:H, verursacht wird. In Anwesenheit von Feuchtigkeit kann sich bei Sperrbelastung aufgrund des Stromflusses durch die Grenzfläche H die Passivierungsschicht von der Oberfläche ablösen, mit der Folge, dass das Bauelement zerstört wird. Verfahren zur Vermeidung von Sauerstoff an der Silizium/a-C:H-Grenzfläche können eine solche Korrosion vermeiden, stellen aber hohe Reinheitsansprüche an die Herstellung und verkleinern das Prozessfenster ohne Erfolgsgarantie erheblich.

Ziel der vorliegenden Erfindung ist, ein Halbleiterbauelement mit einer semiisolierenden Passivierungsschicht zur Verfügung zu stellen, das robust gegen Feuchtigkeit arbeitet.

Dieses Ziel wird durch ein Halbleiterbauelement gemäß der Merkmale des Anspruchs 1 erreicht. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.

Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement umfasst einen Halbleiterkörper mit wenigstens einem in dem Halbleiterkörper vorhandenen pn-Übergang und einer abschnittsweise auf einer Oberfläche des Halbleiterkörpers angeordneten semiisolierenden Passivierungsschicht, die wenigstens zwei voneinander getrennte Abschnitte aufweist.

Die Passivierungsschicht überdeckt dabei vorzugsweise den an die Oberfläche grenzenden pn-Übergang des Halbleiterbauelementes. Wird bei diesem Bauelement ein Strom in eine der dem pn-Übergang bildenden Halbleiterzone eingeprägt, so führt dies zu einem Leckstrom in der semiisolierenden Passivierungsschicht. Durch die Trennung der Passivierungsschicht in mehrere Abschnitte wird der Stromfluss zwischen den einzelnen Abschnitten unterbunden und der Strom wird stattdessen in das Volumen des Halbleiterkörpers eingeprägt. Ausgedehnte Stromfilamentierungen, die unter Anwesenheit von Feuchtigkeit im Sperrbetrieb zur Zerstörung des Halbleiterbauelementes führen können, werden dadurch wirkungsvoll vermieden.

Die gegenseitigen Abstände zwischen zwei benachbarten Abschnitten betragen zur Aufrechterhaltung der passivierenden Eigenschaften in dem Bereich, in dem sich während des Betriebs des Bauelements eine Raumladungszone ausbreiten kann, weniger als 1 &mgr;m. In übrigen Bereichen des Bauelements können diese Abstände beliebig sein.

Das erfindungsgemäße Konzept einer wenigstens zwei Abschnitte aufweisenden semiisolierenden Passivierungsschicht ist auf beliebige Halbleiterbauelemente mit einem pn-Übergang anwendbar. Bei einer Ausführungsform befindet sich die Passivierungsschicht an der Oberfläche im Randbereich eines Halbleiterkörpers und bildet einen Teil des Randabschlusses. Durch die Aufteilung der Passivierungsschicht in mehrere Abschnitte kann die Wirksamkeit weiterer Randabschlussstrukturen, wie z.B. von Feldringen einer VLD-Zone oder eines Kanalstoppers noch erhöht werden.

Eine Passivierungsschicht, die wenigstens zwei Abschnitte aufweist, kann abhängig von der Struktur des Bauelements sowohl für sogenannte Planare Randabschlüsse als auch für sogenannte Mesa-Randaschlüsse verwendet werden. Bei Planaren Randabschlüssen ist die Passivierungsschicht auf eine Vorder- oder Rückseite des Halbleiterkörpers, der den pn-Übergang aufweist, aufgebracht. Bei sogenannten Mesa-Randabschlüssen ist die Passivierungsschicht auf einen äußeren Rand des Halbleiterkörpers, der zur Oberfläche des Halbleiterkörpers abgeschrägt sein kann, oder auf einen durch einen Graben in dem Halbleiterkörper gebildeten Rand aufgebracht.

Die Passivierungsschicht besteht vorzugsweise aus einem amorphen wasserstoffhaltigen Kohlenstoff oder amorphem wasserstoffhaltigen Silizium, wobei auch andere semiisolierende Materialien mit passivierenden Eigenschaften geeignet sind.

Bei einer Ausführungsform befindet sich über der in direktem Kontakt zum Halbleiterkörper stehenden, mehrere Abschnitte aufweisenden Passivierungsschicht eine weitere Passivierungsschicht, beispielsweise aus Siliziumnitrid und/oder einem Polyimid.

Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend anhand von Figuren näher erläutert.

1 zeigt ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement mit einem mindestens einen Feldring und einen Kanalstopper aufweisenden Randabschluss, wobei auf einer Oberfläche eines Halbleiterkörpers des Halbleiterbauelementes eine in mehrere Abschnitte aufgeteilte amorphe Passivierungsschicht aufgebracht ist.

2 zeigt ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement mit einem ein VLD-Dotierungsprofil aufweisenden Randabschluss und einer in mehrere Abschnitte aufgeteilten amorphen Passivierungsschicht.

3 zeigt den Randabschluss eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes mit einer in mehrere Abschnitte aufgeteilten amorphen Passivierungsschicht in der Draufsicht.

4 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes mit einem abgeschrägten Rand und einer auf den Rand aufgebrachten und in mehrere Abschnitte aufgeteilten amorphen Passivierungsschicht.

In den Figuren bezeichnen, sofern nicht anders angegeben, gleiche Bezugszeichen gleiche Teile und Bereiche mit gleicher Bedeutung.

In den Figuren bezeichnen, sofern nicht anders angegeben, gleiche Bezugszeichen gleiche Teile und Bereiche mit gleicher Bedeutung.

1 zeigt ausschnittsweise einen Randbereich eines Halbleiterkörpers 100 eines Halbleiterbauelements in Seitenansicht im Querschnitt. Der Halbleiterkörper 100 weist eine erste Oberfläche 101, eine der ersten Oberfläche abgewandte zweite Oberfläche 103 und eine senkrecht zu der ersten und zweiten Oberfläche 101, 103 verlaufende Randfläche 102 aufweist. Die ersten und zweiten Oberflächen werden auch als Vorder- und Rückseiten des Halbleiterkörpers 100 bezeichnet. Der dargestellte Halbleiterkörper umfasst eine Halbleiterschicht 12, die in dem Beispiel eine n-Grunddotierung aufweist. Im Bereich einer Seite 101 des Halbleiterkörpers 100 ist in diese Halbleiterschicht 12 zur Bildung eines pn-Übergangs eine wannenförmige Halbleiterzone 20, eines zu der Grunddotierung der Halbleiterschicht 12 komplementären Leitungstyps eingebracht. Diese Halbleiterzone ist in dem Beispiel p-dotiert und ist in einer lateralen Richtung des Halbleiterkörpers 100 beabstandet zu der Randfläche 102 des Halbleiterkörpers 100 angeordnet.

Die p-Halbleiterzone kann durch eine Anschlusselektrode 50 (gestrichelt dargestellt) kontaktiert sein.

Die n-Halbleiterschicht 12, die beispielsweise als Epitaxieschicht realisiert ist, ist in dem Beispiel auf einem höher dotierten Halbleitersubstrat 14 angeordnet, das abhängig von den gewünschten Bauelementeigenschaften vom gleichen Leitungstyp wie die Grunddotierung oder von einem komplementären Leitungstyp ist.

Das dargestellte Halbleiterbauelement sperrt, wenn der pn-Übergang zwischen der Halbleiterzone 20 und der Halbleiterschicht 12 in Sperrrichtung gepolt ist. Ausgehend von der Halbleiterzone 20 breitet sich dabei in der Halbleiterschicht 12 eine Raumladungszone aus, die sich im Randbereich, also dem Bereich zwischen der Halbleiterzone 20 und dem Rand 102 auch in Richtung der Vorderseite 101 ausbreitet. Um den Verlauf des mit dieser Raumladungszone verbundenen elektrischen Feldes im Randbereich zu beeinflussen, und insbesondere eine zu starke Krümmung der Feldlinien in Richtung der Vorderseite 101 zu verhindern, ist wenigstens ein Feldring 30 vorhanden, der im Randbereich in lateraler Richtung beabstandet zu der Halbleiterzone 20 angeordnet und komplementär zu dieser Halbleiterzone 20 dotiert ist. Optional sind mehrere solcher Feldringe 30 vorhanden, die in lateraler Richtung beabstandet zueinander angeordnet sind.

Optional ist zwischen den Feldringen 30 und dem Rand eine Feldstoppzone 40 vorhanden, die vom gleichen Leistungstyp wie die Grunddotierung der Halbleiterschicht 12 ist, die jedoch höher dotiert ist und die zur Begrenzung des elektrischen Feldes dient.

Oberhalb der Vorderseite 101 ist im Randbereich des Halbleiterkörpers 100 eine semiisolierende Passivierungsschicht 70 vorhanden, die unmittelbar auf den Halbleiterkörper 100 aufgebracht ist. Diese Passivierungsschicht weist mehrere Passivierungsschichtabschnitte 7174 auf, die in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers 100 beabstandet zueinander angeordnet sind, wobei bei dem in 1 dargestellten Bauelement ein Abschnitt 71 der Passivierungsschicht die p-Zone 20 des pn-Übergangs teilweise überdeckt.

Bei sperrend angesteuertem Bauelement wird in die semiisolierende Passivierungsschicht 70, die an die Anschlusselektrode 50 gekoppelt ist, ein Leckstrom eingeprägt. Die Realisierung der semiisolierenden Passivierungsschicht 70 mit mehreren Schichtabschnitten 7174 bewirkt hierbei, dass die Stromverteilung in der Passivierungsschicht 70 derart modifiziert ist, dass lokale hohe Stromdichten über die Grenzfläche zwischen dem Halbleiterkörper 100 und der Passivierungsschicht 70 vermieden werden. Bedingt durch die Unterbrechungen 60 wird eine Ausbreitung dieses Stromes in lateraler Richtung der Passivierungsschicht vermieden. Dieser Strom wird stattdessen in das Volumen des Halbleiterkörpers 100 eingeprägt. Stromfilamentierungen in der Passivierungsschicht 70, die – besonders unter Feuchtigkeitseinfluss – zu Zerstörungen bzw. einem Ablösen der Passivierungsschicht führen können, werden auf diese Weise vermieden.

Die Zwischenräume 60 zwischen den einzelnen Abschnitten 7174 der Passivierungsschicht 70 können sowohl oberhalb von solchen Bereichen der Halbleiterschicht 12 angeordnet sein, die die n-Grunddotierung aufweisen, als auch oberhalb von Feldringen 30.

Die Abstände der einzelnen Passivierurgsabschnitte 7174 sind so gewählt, dass einerseits eine ausreichende Passivierung gewährleistet ist, die sich mit zunehmendem Abstand verschlechtern würde, dass anderseits jedoch auch eine ausreichende Isolation der einzelnem Abschnitte 7174 gegeneinander gewährleistet ist, um den Strom an den Zwischenräumen 60 in den Halbleiterkörper 100 zu "zwingen". Geeignete Abstände d der Passivierungsschichtabschnitte 7174 sind insbesondere im Bereich einer Raumladungszone kleiner als 1 &mgr;m.

Die Strukturierung der Passivierungsschicht 70 in mehrere Abschnitte 7174 kann durch übliche Verfahren unter Verwendung einer Maske und eines Ätzverfahrens erfolgen. Die Anzahl der einzelnen Abschnitte 7174 bzw. der Zwischenräume/Fugen 60 ist hierbei vom jeweiligen Design des Leistungshalbleiterbauelementes abhängig. Die gewünschte Vermeidung einer Stromfilamentierung tritt bereits bei einem einzigen Zwischenraum 60 auf, eine Verbesserung wird jedoch mit einer zunehmenden Anzahl von Zwischenräumen 60 erreicht.

Die semiisolierende Passivierungsschicht besteht beispielsweise aus amorphem wasserstoffdotiertem Kohlenstoff (a-C:H) oder amorphem wasserstoffdotiertem Halbleitermaterial (a-Si:H), insbesondere amorphem Silizium oder Germanium. Wasserstoffhaltiger Kohlenstoff besitzt bei geeigneten Abscheidebedingungen diamantartige Eigenschaften, eine hohe Wärmeleitfähigkeit, eine hohe mechanische Härte, einen niedrigen Wasserpermeationskoeffizienten und eine gute Beständigkeit gegenüber konzentrierten Säuren und Laugen.

Optional kann eine weitere isolierende und passivierende Schicht 80 vorhanden sein, die auf die Abschnitte 7174 Passivierungsschicht und in den Zwischenräumen 60 auf die Vorderseite 101 des Halbleiterkörpers 100 aufgebracht ist. Geeignete Materialien für diese weitere Schicht 80 sind Siliziumnitrid oder Polyimid, wobei auch eine mehrlagige Schicht aus diesen Materialien einsetzbar ist. Diese weitere Isolationsschicht ist so gewählt, dass deren elektrischer Widerstand deutlich höher ist als der der Passivierungsschicht 70.

Die Aufteilung der Passivierungsschicht 70 in die Abschnitte 7174 bewirkt zusammenfassend eine Vermeidung der Ausbreitung eines Leckstromes in der Passivierungsschicht 70 und mithin das Ablösen der Passivierungsschicht 70 bei Anwesenheit von Feuchtigkeit. Da die Unterbrechung der Passivierungsschicht 70 in mehrere Abschnitte 71 bis 74 sowohl an der Grenzfläche zu p-dotiertem Halbleitermaterial, beispielsweise an den Feldringen 30, als auch an der Grenzfläche zu n-dotiertem Halbleitermaterial unabhängig von dem Grad der Dotierung erfolgen kann, ist das erfindungsgemäße Konzept, auf beliebige Halbleiterbauelemente mit einem pn-Übergang, insbesondere auf Leistungsbauelemente, anwendbar. So kann das Bauelement beispielsweise als Diode, als MOSFET, als IGBT oder als Thyristor realisiert sein.

Bei einer Diode bildet die p-dotierte Halbleiterzone 20 deren p-Emitter bzw. Anodenzone, die Halbleiterschicht 12 die n-Basis und das Halbleitersubstrat 14, das bei einer Diode vom gleichen Leitungstyp wie die Halbleiterschicht 12 ist, dessen n-Emitter.

Bei einem n-Kanal-MOSFET bildet die p-dotierte Halbleiterzone 20 dessen Bodyzone, die Halbleiterschicht 12 die Driftzone und das Halbleitersubstrat 14, das bei einem MOSFET vom gleichen Leitungstyp wie die Halbleiterschicht 12 ist, dessen Drainzone. Bei einem MOSFET ist bekanntlich in einem nicht näher dargestellten Innenbereich des Halbleiterkörpers in der Bodyzone 20 wenigstens eine komplementär zu der Bodyzone 20 dotierte Sourcezone angeordnet. Außerdem ist eine Gateelektrode vorhanden, die zur Steuerung eines Inversionskanals in der Bodyzone 20 zwischen der Source-Zone und der Driftzone 12 dient.

Bei einem p-Kanal-MOSFET sind die zuvor erläuterten Halbleiterzonen entsprechend komplementär dotiert.

Ein IGBT unterscheidet sich von einem n-Kanal-MOSFET im wesentlichen dadurch dass die Drainzone, die bei einem IGBT auch ale Emitter bezeichnet wird, komplementär zu der Driftzone, dotiert ist.

Bei einem Thyristor bildet die p-dotierte Halbleiterzone 20 dessen p-Basis, die Halbleiterschicht 12 die n-Basis und das Halbleitersubstrat 14, das bei einem Thyristor vom gleichen Leitungstyp wie die Halbleiterschicht 12 ist, dessen p-Basis. Bei einem Thyristor ist bekanntlich in einem nicht näher dargestellten Innenbereich des Halbleiterkörpers in der p-Basis zudem ein n-Emitter angeordnet.

Die Elektrode 50 bildet bei einer Diode die Anode und bei einem MOSFET oder IGBT die Source-Elektrode.

2 zeigt eine Abwandlung des anhand von 1 erläuterten Bauelements. An die im Bereich der Vorderseite 101 angeordnete p-dotierte Halbleiterzone schließt sich bei diesem Bauelement eine VLD-Zone 31 (VLD = Variation of Lateral Doping) deren Dotierstoffdosis in lateraler Richtung des Halbleiterkörper 100 zum Rand 102 hin abnimmt. Die Dotierung der p-Zone 31 kann dabei kontinuierlich oder diskontinuierlich in die Dotierung der hochdotierten Wanne 20 übergehen.

Die semiisolierende Passivierungsschicht 70 weist in dem Beispiel vier Abschnitte 7174 auf, die in lateraler Richtung beabstandet zueinander oberhalb der Vorderseite 101, und dabei teilweise auf der VLD-Zone 31, angeordnet sind.

3 zeigt ein Draufsicht auf den Randbereich der Bauelemente gemäß der 1 und 2. Die Unterteilung der Passivierungsschicht 70 in die einzelnen Abschnitte 7174 erfolgt in dem dargestellten Beispiel derart, dass die Zwischenräume im wesentlichen parallel zu dem Rand 102 des Halbleiterkörpers 100 verlaufen. Die einzelnen Abschnitte 7174 umschließen die p-Zone 20 in nicht näher dargestellter Weise ringförmig.

Das erfindungsgemäße Konzept der Aufteilung der Passivierungsschicht in mehrere Abschnitte zur Vermeidung der Ausbreitung von Leckströmen kann, wie in den 1 bis 3 dargestellt, auf planare Randabschlüsse von Halbleiterbauelementen angewendet werden, bei denen die Passivierungsschicht 70 auf der Vorderseite oder Rückseite eines des Halbleiterkörpers angeordnet ist. Das Konzept ist in nachfolgend erläuterter Weise jedoch auch auf sogenannte Mesa-Randabschlüsse anwendbar, bei denen eine Passivierungsschicht auf eine bezogen auf die Vorder- oder Rückseite senkrecht oder schräg verlaufende Fläche aufgebracht ist.

5 zeigt eine Abwandlung des in 4 dargestellten Bauelements, bei dem die Randfläche 102 abgeschrägt gegenüber der Vorderseite 101 verläuft.


Anspruch[de]
Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (100) und wenigstens einem in dem Halbleiterkörper (100) vorhandenem pn-Übergang und einer wenigstens abschnittsweise auf einer Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) angeordneten semiisolierenden Passivierungsschicht (70), die wenigstens zwei voneinander getrennte Abschnitte (7174) aufweist. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, bei dem der pn-Übergang an die Oberfläche des Halbleiterkörpers (100) reicht und bei dem die Passivierungsschicht (70) den pn-Übergang auf der Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) überdeckt. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Unterteilung der Passivierungsschicht in wenigstens zwei Abschnitte (7174) derart ausgestaltet ist, dass keine Stromleitung zwischen den Abschnitten (7174) auftritt. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, bei dem der Abstand zwischen den Abschnitten (7174) weniger als 1 um beträgt. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, bei dem der Halbleiterkörper (100) eine Halbleiterschicht (12) eines ersten Leitungstyps umfasst, in die ausgehend von der Oberfläche (101) eine komplementär zu der Halbleiterschicht (12) dotierte Halbleiterzone (20) aufgebracht ist, wobei die Halbleiterschicht (12) und die komplementär dotierte Zone (20) den pn-Übergang bilden. Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, bei dem die Halbleiterzone (20) in einer lateralen Richtung des Halbleiterkörpers (100) beabstandet zu einer Randfläche (102) des Halbleiterkörpers (100) endet, wobei die Passivierungsschicht (70) auf der Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) wenigstens in einem sich an die Randfläche (102) anschließenden Abschnitt aufgebracht ist. Halbleiterbauelement nach Anspruch 6, bei dem eine höher als die Halbleiterschicht (12) dotierte Kanalstoppzone (40) in einem Abschnitt zwischen Randfläche (102) und Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) vorhanden ist. Halbleiterbauelement nach Anspruch 7, bei dem zwischen der dotierten Halbleiterzone (20) und der Kanalstoppzone (40) wenigstens ein zu der Halbleiterschicht (12) komplementär dotierter Feldring (30) vorhanden ist. Halbleiterbauelement nach Anspruch 7, bei dem zwischen der dotierten Halbleiterzone (20) und der Kanalstopperzone (40) eine zu der Halbleiterschicht (12) komplementär dotierte Zone mit einem variablen lateralen Dotierungsprofil (31) vorhanden ist. Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, bei dem die Halbleiterzone (20) bis an die Randfläche (102) des Halbleiterkörpers (100) reicht, wobei die Abschnitte (7174) der Passivierungsschicht (70) auf die Randfläche (102) des Halbleiterkörpers aufgebracht sind. Halbleiterbauelement nach Anspruch 10, bei dem die Randfläche (102) abgeschrägt gegenüber der Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) verläuft. Halbleiterbauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem in der Halbleiterschicht (12) im Anschluss an die Passivierungsschicht (70) eine komplementär zu der Halbleiterschicht (12) dotierte Halbleiterzone (36) vorhanden ist. Halbleiterbauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die Passivierungsschicht (70) aus amorphem, wasserstoffhaltigen Kohlenstoff besteht. Halbleiterbauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem eine weitere Passivierungsschicht (80) auf die Passivierungsschicht (70) aufgebracht ist. Halbleiterbauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem die weitere Passivierungsschicht (80) aus Siliziumnitrid oder einem Polyimid besteht.






IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

Anmelder
Datum

Patentrecherche

  Patente PDF

Copyright © 2008 Patent-De Alle Rechte vorbehalten. eMail: info@patent-de.com