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Dokumentenidentifikation DE60130286T2 20.12.2007
EP-Veröffentlichungsnummer 0001158669
Titel Akustische Oberflächenwellenanordnung
Anmelder Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo, Kyoto, JP
Erfinder Iwamoto, Takashi, Nagaokakyo-shi, Kyoto-fu 617-8555, JP;
Koshido, Yoshihiro, Nagaokakyo-shi, Kyoto-fu 617-8555, JP
Vertreter Schoppe, Zimmermann, Stöckeler & Zinkler, 82049 Pullach
DE-Aktenzeichen 60130286
Vertragsstaaten DE, FR, GB
Sprache des Dokument EN
EP-Anmeldetag 21.05.2001
EP-Aktenzeichen 014013155
EP-Offenlegungsdatum 28.11.2001
EP date of grant 05.09.2007
Veröffentlichungstag im Patentblatt 20.12.2007
IPC-Hauptklasse H03H 3/08(2006.01)A, F, I, 20051017, B, H, EP
IPC-Nebenklasse H03H 9/145(2006.01)A, L, I, 20051017, B, H, EP   

Beschreibung[de]
Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Oberflächenwellenbauelement und insbesondere auf ein Oberflächenwellenbauelement, das als Bandfilter oder Resonator besonders nützlich ist.

Beschreibung der verwandten Technik

Herkömmlicherweise werden Oberflächenwellenbauelemente weithin als Bandfilter und Resonator verwendet. Für Oberflächenwellenbauelemente, die auf diesen Gebieten verwendet werden sollen, ist es sehr vonnöten, dass sie eine gute Frequenzcharakteristik aufweisen. In dem Fall, in dem ein Interdigitalwandler (hiernach als IDT, interdigital transducer bezeichnet) und ein Reflektor als Film auf einem Oberflächenwellenbauelement angeordnet sind, ist die Filmbildungszeit umso länger, und ist es außerdem umso schwieriger, eine gleichmäßige Filmdicke zu erhalten, je größer die Filmdicke ist. Somit ist gewünscht, dass die Filmdicke des IDT und des Reflektors gering sind.

Demgemäß werden für die IDTs und die Reflektoren in vielen Fällen Oberflächenwellenbauelemente, die eine Shear-Horizontal- bzw. SH-Welle verwenden, Metalle, die eine hohe Dichte aufweisen, wie z.B. Au, W, Ta, Pt usw., verwendet. Wenn ein Metallmaterial, das eine große Dichte aufweist, z.B. Au, für die IDTs und die Reflektoren verwendet wird, die eine geringe Filmdicke aufweisen, kann eine SH ohne weiteres angeregt und reflektiert werden. Somit können die Dicken der IDTs und der Reflektoren verringert werden.

Wenn mehrere Oberflächenwellenbauelemente (besonders Oberflächenwellenbauelemente zur Verwendung als Schmalbandfilter) erzeugt werden, ist außerdem gewünscht, dass Dispersionen der Mittenfrequenz zwischen den jeweiligen Oberflächenwellenbauelementen so gering wie möglich sind. Demgemäß werden bezüglich Oberflächenwellenbauelementen, die IDTs und Reflektoren aufweisen, die Metalle mit einer hohen Dichte wie z.B. Au, W, Ta, Pt verwenden, Dispersionen der Frequenz zwischen den jeweiligen Oberflächenwellenbauelementen in demselben Wafer dadurch unterdrückt, dass die Filmdicken der IDTs und der Reflektoren so gleichmäßig wie möglich gestaltet werden, wenn die IDTs und die Reflektoren einer Filmbildung unterzogen werden.

Jedoch weisen Techniken zum Gleichmäßigmachen der Dicken der IDTs und der Reflektoren eine Einschränkung auf. Deshalb werden Dispersionen der Frequenz zwischen den jeweiligen Oberflächenwellenbauelementen groß, wenn zu einem Zeitpunkt auf einem Wafer eine Mehrzahl von Oberflächenwellenbauelementen erzeugt werden. Deshalb ist es praktisch notwendig, die Frequenzen der fertig gestellten Oberflächenwellenbauelemente auch dann einzeln anzupassen, wenn die Metallmaterialien, die eine hohe Dichte aufweisen, z.B. Au, W, Ta, Pt, verwendet werden.

Obwohl angenommen wird, dass die Metallmaterialien, die eine hohe Dichte aufweisen, z.B. Au, W, Ta, Pt, wünschenswerterweise dazu verwendet werden, die IDTs und die Reflektoren der Oberflächenwellenbauelemente, die eine SH-Welle verwenden, zu erzeugen, ist es somit notwendig, die Frequenzen individuell einzustellen. Somit wird der Durchsatz verringert, wodurch die Kosten erhöht werden.

Als Verfahren zum individuellen Einstellen der Frequenzen der Oberflächenwellenbauelemente werden allgemein ein Verfahren zum Ätzen der Oberflächen der IDTs und der Reflektoren durch Verwendung von Ionenstrahlen, ein Verfahren zum Bilden von Filmen als Isolatoren zwischen Substraten, den IDTs und den Reflektoren, ein Verfahren zum Ätzen der Substrate, der IDTs und der Reflektoren gemäß RIE (reactive ion etching, reaktives Ionenätzen) usw. verwendet. Aus diesem Grund erleiden die IDTs, die Reflektoren und die Substrate Schaden, wenn die Frequenzen anhand einer Verwendung von Ionenstrahlen oder dergleichen eingestellt werden, wodurch sich die Charakteristika der Oberflächenwellenbauelemente verschlechtern.

Wenn mehrere Oberflächenwellenbauelemente unter Verwendung derselben Wafers hergestellt werden, können Dispersionen der Mittenfrequenz durch Verwendung von Metallmaterialien, die eine hohe Dichte aufweisen, z.B. Ni, Al, Cr, Cu, für die IDTs und die Reflektoren verringert werden. Jedoch ist es unter Verwendung von Metallmaterialien wie z.B. Ni, Al schwierig, eine SH-Welle anzuregen und zu reflektieren. Somit können Filter und Resonatoren, die eine gute Frequenzcharakteristik aufweisen, zwar erhalten werden, jedoch unter großen Schwierigkeiten. Die Metallmaterialien eignen sich nicht als Materialien für die IDTs und die Reflektoren.

Die JP 62-168410 beschreibt einen SAW-Resonator (surface acoustic wave resonator, akustischer Oberflächenwellenresonator), bei dem die IDT-Elektroden aus drei laminierten Schichten – Al, Au und Al – bestehen, um eine gute Resonatorcharakteristik in einem eine relativ niedrige Frequenz aufweisenden Bereich des VHF-Bandes zu erhalten.

Die JP 10-247835 beschreibt einen SAW-Resonator, der eine Love-Welle verwendet, wobei über einer Schicht aus Al eine Schicht aus Ta (oder W oder Pd) gebildet ist. Die Dicke der Ta-Schicht ist auf einen gewünschten Wert festgelegt, um eine Erzeugung einer Love-Welle zu ermöglichen. Die Al-Schicht weist einen niedrigen Widerstand auf. Dadurch, dass statt Au Ta verwendet wird, werden Kosten eingespart.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Um die oben beschriebenen Probleme zu lösen, liefern bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung ein Oberflächenwellenbauelement, das eine SH-Welle verwendet, die Dispersionen der Mittenfrequenz minimiert, so dass es nicht notwendig ist, die Frequenz einzustellen, nachdem der IDT und der Reflektor hergestellt wurden.

Das Oberflächenwellenbauelement gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet eine Anregung einer SH-Welle und umfasst einen Interdigitalwandler, der durch einen laminierten Körper definiert ist, der zumindest insgesamt drei Metallschichten umfasst, bei denen zumindest zwei erste Schichten aus einem Metall mit einer Dichte von zumindest etwa 15 g/cm3 als Hauptkomponente hergestellt sind und zumindest eine zweite Schicht aus einem Metall mit einer Dichte von bis zu etwa 12 g/cm3 auf einem piezoelektrischen Substrat hergestellt ist, wobei das Gesamtvolumen der ersten Schichten von etwa 20 % bis etwa 95 % des Gesamtvolumens des Interdigitalwandlers oder des Reflektors beträgt. Die erste und die zweite Schicht werden vorzugsweise mittels Dampfabscheidung oder Sputtern gebildet.

Das Oberflächenwellenbauelement gemäß bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung wird vorzugsweise als Filter, als Resonator oder als sonstige elektronische Komponente, das bzw. der bzw. die eine SH-Welle verwendet, eingesetzt. Die Zweitschicht, die ein Metall mit einer Dichte von bis zu etwa 12 g/cm3 wie z.B. Ni, Cr, Cu, Al, Ti oder ein anderes geeignetes Material enthält, befindet sich zwischen den ersten Schichten, die als Hauptkomponente ein Metall mit einer Dichte von mindestens etwa 15 g/cm3, z.B. Au, W, Ta, Pt, oder ein anderes geeignetes Material, enthalten. Die zweite Schicht ist eine Metallschicht, die eine geringe Wirkung bezüglich eines Reduzierens der Ausbreitungsgeschwindigkeit einer Oberflächenwelle auf dem piezoelektrischen Substrat hat. Da die zweite Schicht zwischen den ersten Schichten angeordnet ist, werden Dispersionen der Frequenz des IDT oder des Reflektors, die durch Dispersionen der Filmdicke derselben bewirkt werden, minimiert. Somit werden hervorragende Resonator- und Filtercharakteristika erzielt.

Demgemäß ist in dem Fall, in dem eine Mehrzahl von Oberflächenwellenbauelementen auf demselben Wafer gebildet sind, eine Frequenzanpassung der einzelnen Oberflächenwellenbauelemente unnötig. Die Kosten des Oberflächenwellenbauelements können auf Grund des verbesserten Durchsatzes verringert werden. Überdies ist die Frequenzanpassung mittels Ionenstrahlätzen oder eines anderen geeigneten Prozesses nicht erforderlich. Somit wird eine Beschädigung des piezoelektrischen Substrats, des IDT und des Reflektors verhindert, und überdies wird das Akzeptanzverhältnis der Oberflächenwellenbauelemente stark verbessert.

Das Gesamtvolumen der ersten Schichten liegt zwischen etwa 20 % und 95 % des Gesamtvolumens des IDT oder des Reflektors. Um die Filmdicke des IDT oder des Reflektors zu verringern, ist die Verhältniszahl der ersten Schicht hoch. Aus diesem Grund sind in den IDT zumindest zwei Erstschichten enthalten.

Bei dem Oberflächenwellenbauelement bevorzugter Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung beträgt das Gesamtvolumen der Erstschichten bei den Schichten, die im Bereich der Dicke von bis zu einem Viertel der Gesamtdicke des Interdigitalwandlers oder des Reflektors, gemessen von der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats der Metallschichten, die den Interdigitalwandler oder den Reflektor bilden, liegen, vorzugsweise zumindest etwa 50 %. Überdies ist die direkt auf dem piezoelektrischen Substrat angeordnete Metallschicht vorzugsweise die erste Schicht oder die zweite Schicht, die eine geringe Dicke aufweist. Das heißt, dass von den Schichten, die jeweils eine Dicke von zumindest etwa einem Zwanzigstel der Gesamtdicke des Interdigitalwandlers oder des Reflektors aufweisen, diejenige Schicht, die sich am nächsten an dem piezoelektrischen Substrat befindet, die Erstschicht ist. Außerdem umfasst die Oberfläche des IDT oder des Reflektors vorzugsweise die erste Schicht.

Insbesondere enthält die erste Schicht gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung vorzugsweise Au als Hauptkomponente, und die Gesamtheit von in dem IDT vorliegenden ersten Schichten weist ein Volumen von etwa 40 % bis etwa 80 % des Gesamtvolumens auf, und die zweite Schicht enthält Ni als Hauptkomponente, und die Gesamtheit von in dem IDT vorliegenden zweiten Schichten weist ein Volumen von etwa 20 % bis etwa 60 % des Gesamtvolumens auf.

Gemäß einem weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung enthält die erste Schicht Au als Hauptkomponente, und die Gesamtheit von in dem IDT vorliegenden ersten Schichten weist ein Volumen von etwa 20 % bis etwa 50 % des Gesamtvolumens auf, und die zweite Schicht enthält Al als Hauptkomponente, und die Gesamtheit von in dem IDT vorliegenden zweiten Schichten weist ein Volumen von etwa 50 % bis etwa 80 % des Gesamtvolumens auf.

Gemäß Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung sind zumindest zwei der ersten Schichten mit einer hohen Dichte, die eine hohe Wirkung bezüglich dessen aufweisen, die Ausbreitungsgeschwindigkeit einer Oberflächenwelle auf einem piezoelektrischen Substrat zu verringern, und die zweite Schicht mit einer geringen Dichte, die eine geringe Wirkung bezüglich dessen aufweist, die Ausbreitungsgeschwindigkeit der Oberflächenwelle auf dem piezoelektrischen Substrat zu verringern, d.h, in der Lage ist, Dispersionen der Frequenz, die durch Dispersionen der Filmdicke verursacht sind, zu verringern, so angeordnet, dass sie eine laminierte Struktur aufweisen. Dadurch werden hervorragende Resonator- und Filtercharakteristika erhalten. Überdies werden Dispersionen der Mittenfrequenz zwischen mehreren in demselben Wafer hergestellten Oberflächenwellenbauelementen minimiert.

Demgemäß wird es unnötig, die Frequenzanpassung individuell durchzuführen, was bisher herkömmlicherweise notwendig ist. Es kann eine beträchtliche Verbesserung des Durchsatzes verwirklicht werden. Außerdem kann eine Kostenverringerung erzielt werden. Überdies können Beschädigungen und ein Festkleben von Fremdkörpern an dem piezoelektrischen Substrat, was durch die Frequenzanpassung bewirkt wird, eliminiert werden. Dies ist vom Standpunkt der Charakteristika her betrachtet vorteilhaft. Das Akzeptanzverhältnis wird stark erhöht.

Andere Merkmale, Elemente, Charakteristika und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der folgenden ausführlichen Beschreibung von bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen.

Zum Zweck der Veranschaulichung der Erfindung sind in den Zeichnungen mehrere Formen gezeigt, die derzeit bevorzugt werden, wobei es sich jedoch versteht, dass die Erfindung nicht auf die genauen gezeigten Anordnungen und Hilfsmittel beschränkt ist.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

1 ist eine schematische Draufsicht auf ein Oberflächenwellenbauelement gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.

2 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch die Struktur eines in dem Oberflächenwellenbauelement vorgesehenen IDT zeigt.

3 veranschaulicht Messpunkte auf einem Wafer, die zum Erhalten der Daten der Tabelle 1 verwendet werden.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSBEISPIELE

Hiernach werden spezifische Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.

1 ist eine schematische Draufsicht auf ein Oberflächenwellenbauelement 1 gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Bei dem Oberflächenwellenbauelement 1 ist ein IDT 3 auf der Oberfläche eines piezoelektrischen Substrats 2 wie z.B. eines Quartzsubstrats oder eines anderen geeigneten Substrats vorgesehen. Der IDT 3 umfasst ein Paar von Interdigitalelektroden 3a und 3b. Die Elektrodenabschnitte beider Interdigitalelektroden 3a und 3b sind abwechselnd angeordnet, um fingerartig ineinander zu greifen. Überdies erstrecken sich die Elektrodenabschnitte des IDT 3 in einer Richtung, die zu der Ausbreitungsrichtung der Oberflächenwelle im Wesentlichen senkrecht ist. Bei der Oberflächenwellenausbreitungsrichtung des IDT 3 sind Reflektoren 4 und 5 auf den jeweiligen Seiten des IDT 3 angeordnet. Die Reflektoren 4 und 5 sind Reflektoren vom Gittertyp und weisen die Konfiguration auf, bei der die Mehrzahl von Elektrodenabschnitten an beiden Enden derselben kurzgeschlossen sind. Überdies ist das Oberflächenwellenbauelement 1 ein Oberflächenwellenresonator, der eine Oberflächenwelle, d.h. eine SH-Welle wie z.B. eine Love-Welle, verwendet.

Unter Bezugnahme auf das oben beschriebene Oberflächenwellenbauelement 1 wird der Abschnitt des piezoelektrischen Substrats 2, auf dem der IDT 3 vorgesehen ist, dann, wenn über die Interdigitalelektroden 3a und 3b ein Signal angelegt wird, angeregt, so dass eine Oberflächenwelle erzeugt wird. Die Oberflächenwelle wird auf der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats 2, das ein einheitliches Ausbreitungsmedium ist, zu beiden Seiten des IDT 3 ausgebreitet, d.h. um den jeweiligen Reflektor 4 und 5 zu erreichen. Der Abschnitt des Substrats 2, an dem sich die Reflektoren 4 und 5 befinden, weist eine Ausbreitungskonstante auf, die sich von der des anderen Abschnitts des Substrats 2 unterscheidet. Somit wird ein Abschnitt der Oberflächenwelle, der die Reflektoren 4 und 5 erreicht, von denselben abreflektiert.

In dem Fall, in dem die Oberflächenwelle eine Wellenlänge &lgr; aufweist, die im Wesentlichen etwa das Zweifache des Intervalls &lgr;/2 zwischen den jeweiligen Elektrodenabschnitten der Reflektoren 4 und 5 beträgt, verstärken sich Reflexionswellen von den Elektrodenabschnitten der Reflektoren 4 und 5 gegenseitig und werden zu starken Reflexionswellen.

Die oben beschriebenen verstärkten Reflexionswellen werden in einer Hinundherbewegung zwischen den Reflektoren 4 und 5 ausgebreitet, wodurch eine Resonanzwirkung erhalten werden kann.

2 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch die Filmstruktur des IDT 3 (oder der Interdigitalelektroden 3a und 3b) zeigt. Bei dem IDT 3 ist auf der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats 2 ein Ti-Film 6 (zweite Schicht) mit einer Filmdicke von beispielsweise etwa 5 nm gebildet, darauf ist als Film ein Au-Film 7 (erste Schicht) mit einer Filmdicke von beispielsweise etwa 150 nm gebildet, darauf ist ein Ni-Film 8 (zweiter Film) mit einer Filmdicke von beispielsweise etwa 200 nm gebildet, und darauf ist ein Au-Film 9 (erste Schicht) mit einer Filmdicke von beispielsweise etwa 50 nm gebildet. Somit weist der IDT 3 bei diesem Beispiel vorzugsweise eine Vierschicht-Struktur auf.

Die Reflektoren 4 und 5 weisen dieselbe Filmstruktur auf, die oben beschrieben wurde, die nicht gezeigt ist. Dadurch können der IDT 3 und die Reflektoren 4 und 5 gleichzeitig hergestellt werden. Somit kann ein Prozess zum Herstellen des IDT 3 und der Reflektoren 4 und 5 vereinfacht werden.

Der IDT 3 und die Reflektoren 4 und 5, die die oben beschriebene Filmstruktur aufweisen, werden bei einem Elektronenstrahldampfabscheidungsverfahren (EB-Dampfabscheidungsverfahren, EB = electron beam, Elektronenstrahl) und einem Ablöseprozess hergestellt. Insbesondere wird ein lichtempfindliches Harz (Photoresist) auf die Oberfläche eines piezoelektrischen Substrats 2 (Wafer) aufgebracht. Danach wird das lichtempfindliche Harz strukturiert, so dass Öffnungen, die dem IDT 3 und den Reflektoren 4 und 5 entsprechen, gebildet werden. Dann werden nacheinander Filme aus Ti, Au, Ni und Au bei einem EB-Dampfabscheidungsverfahren auf dem lichtempfindlichen Harz gebildet, um eine Ti-Schicht 6, eine Au-Schicht 7, eine Ni-Schicht 8 und eine Au-Schicht 9 zu bilden. Danach wird das lichtempfindliche harz freigegeben, und gleichzeitig werden die Vierschicht-Metallfilme in den unnötigen Bereichen entfernt, so dass der IDT 3 und die Reflektoren 4 und 5 strukturiert werden. Es versteht sich, dass eine geschichtete Struktur gemäß der vorliegenden Erfindung unter Verwendung anderer Techniken als den bei diesem spezifischen Beispiel verwendeten erzeugt werden kann.

Die folgende Tabelle 1 zeigt die Messergebnisse, die erhalten werden, wenn die Mehrzahl von Oberflächenwellenbauelementen 1, die die oben beschriebene Elektrodenstruktur aufweisen, die auf einem gemeinsamen Wafer 10 gebildet ist, und die Einfügungsverluste und die Mittenfrequenzen der jeweiligen Oberflächenwellenbauelemente 1 an jeweiligen Punkten P1 bis P9 in dem Wafer 10 gemessen werden, wie in 3 gezeigt ist. Außerdem zeigt Tabelle 1 den Maximalwert (MAX), den Minimalwert (MIN) und den Mittelwert (AVE, average = Mittelwert) der Einfügungsverluste sowie die Abweichung (&sgr;) der Mittenfrequenz.

Außerdem zeigt Tabelle 1 die Messergebnisse, die erhalten werden, wenn eine Mehrzahl von herkömmlichen Oberflächenwellenbauelementen durch Verwendung desselben Wafers und derselben Filmbildungsvorrichtung auf demselben Wafer gebildet wurden, und die Einfügungsverluste und die Mittenfrequenzen der herkömmlichen Oberflächenwellenbauelemente wurden an denselben Punkten P1 bis P9 in dem Wafer gemessen. Bei den herkömmlichen Oberflächenwellenbauelementen sind die IDTs und die Reflektoren, die jeweils eine Zweischicht-Struktur (Au/Ti), die einen Ti-Film als Adhäsionsschicht auf der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats und einen Au-Film als Hauptkomponente der Elektroden umfasst, aufweisen, vorgesehen.

Obwohl bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung offenbart wurden, werden verschiedene Modi eines Durchführens der hierin offenbarten Prinzipien als in den Schutzumfang der folgenden Patentansprüche fallend angesehen. Somit versteht es sich, dass der Schutzumfang der Erfindung nicht eingeschränkt sein soll, mit der Ausnahme dessen, wo dies in den Patentansprüchen anderweitig dargelegt ist.


Anspruch[de]
Ein Oberflächenwellenbauelement, das eine Shear-Horizontal-Welle verwendet und folgende Merkmale aufweist:

ein piezoelektrisches Substrat (2); und

einen Interdigitalwandler (3), der auf dem piezoelektrischen Substrat vorgesehen ist, wobei der Interdigitalwandler zumindest drei Metallschichten umfasst;

dadurch gekennzeichnet, dass der Interdigitalwandler zumindest zwei erste Schichten (7, 9), die aus einem Metall mit einer Dichte von etwa 15 g/cm3 oder mehr als Hauptkomponente hergestellt sind, und zumindest eine zweite Schicht (6, 8), die aus einem Metall mit einer Dichte von etwa 12 g/cm3 oder weniger als Hauptkomponente hergestellt ist, umfasst, wobei das Gesamtvolumen der ersten Schichten zwischen etwa 20 % und etwa 95 % des Gesamtvolumens des Interdigitalwandlers beträgt.
Ein Oberflächenwellenbauelement gemäß Anspruch 1, bei dem das Metall mit einer Dichte von zumindest etwa 15 g/cm3, das eine Hauptkomponente der zumindest zwei ersten Schichten (7, 9) darstellt, aus der Gruppe Au, W, Ta und Pt ausgewählt ist, wobei die Auswahl nicht unbedingt dieselbe für jede erste Schicht ist. Ein Oberflächenwellenbauelement gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem das Metall mit einer Dichte von zumindest etwa 12 g/cm3, das eine Hauptkomponente der zumindest einen zweiten Schicht (6, 8) darstellt, aus der Gruppe Ni, Cr, Cu, Al und Ti ausgewählt ist, wobei die Auswahl nicht unbedingt dieselbe für jede zweite Schicht ist. Ein Oberflächenwellenbauelement gemäß Anspruch 1, 2 oder 3, bei dem jede der Metallschichten, die den Interdigitalwandler darstellt, eine Dicke von bis zu etwa einem Viertel der Gesamtdicke des Interdigitalwandlers (3), von der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats (2) gemessen, aufweist, und die Gesamtheit der ersten Schichten ein Volumen von zumindest 50 des Gesamtvolumens aufweist. Ein Oberflächenwellenbauelement gemäß Anspruch 1, bei dem jede der Metallschichten, die den Interdigitalwandler darstellen, eine Dicke von zumindest etwa einem Zwanzigstel der Gesamtdicke des Interdigitalwandlers aufweist und die am nächsten an dem piezoelektrischen Substrat befindliche Schicht eine erste Schicht (7, 9) ist. Ein Oberflächenwellenbauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine erste Schicht (7, 9) an der Oberfläche des Interdigitalwandlers angeordnet ist. Ein Oberflächenwellenbauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem bei dem Interdigitalwandler (3) die zumindest zwei ersten Schichten (7, 9) Au als Hauptkomponente enthalten und ein Volumen von etwa 40 % bis etwa 80 % des Gesamtvolumens aufweisen, und die zumindest eine zweite Schicht (6, 8) Ni als Hauptkomponente enthält und ein Volumen von etwa 20 bis etwa 60 % des Gesamtvolumens aufweist. Ein Oberflächenwellenbauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem bei dem Interdigitalwandler die zumindest zwei ersten Schichten (7, 9) Au als Hauptkomponente aufweisen und ein Volumen von etwa 20 bis etwa 50 % des Gesamtvolumens aufweisen und die zumindest eine zweite Schicht (6, 8) Al als Hauptkomponente enthält und ein Volumen von etwa 50 % bis etwa 80 % des Gesamtvolumens aufweist. Ein Oberflächenwellenbauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, das ferner Reflektoren (4, 5) aufweist, die zu beiden Seiten des IDT (3) angeordnet sind. Ein Oberflächenwellenbauelement gemäß Anspruch 9, bei dem die Reflektoren Reflektoren vom Gittertyp (4, 5) sind und die Konfiguration aufweisen, bei der die Mehrzahl von Elektrodenabschnitten an beiden Enden derselben kurzgeschlossen werden. Ein Oberflächenwellenbauelement gemäß Anspruch 9 oder 10, bei dem Abschnitte des Substrats (2), an denen sich die Reflektoren (4, 5) befinden, eine Ausbreitungskonstante aufweisen, die sich von der des restlichen Abschnitts des Substrats (2) unterscheidet. Ein Oberflächenwellenbauelement gemäß Anspruch 9, bei dem jeder der Reflektoren zumindest eine zweite Schicht (6, 8), die einen Ti-Film umfasst, und zumindest zwei erste Schichten (7, 9), die einen Au-Film umfassen, aufweist. Ein Oberflächenwellenbauelement gemäß Anspruch 9, bei dem jeder der Reflektoren (4, 5) eine Vierschicht-Struktur aufweist. Ein Oberflächenwellenbauelement gemäß Anspruch 13, bei dem die Vierschicht-Struktur der Reflektoren (4, 5) Filme aus Ti, Au, Ni und Au umfasst.






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