Die vorliegende Erfindung betrifft eine Elektrolumineszenzeinrichtung.
Die vorliegende Erfindung schlägt insbesondere die Herstellung
einer Elektrolumineszenzeinrichtung neuartiger Konzeption vor, die sich besonders
für die Anwendung auf das Gebiet der Photonik eignet und sich wettbewerblich
auf einer Ebene mit traditionellen Elektrolumineszenzeinrichtungen wie etwa LED
und O-LED sowohl hinsichtlich Kosten als auch erzielbarer Leistungen befindet.
Aus US 5,796,120 ist eine
Tunneldünnfilm-Elektrolumineszenzeinrichtung bekannt.
Die Aufgabe wird gemäß der vorliegenden Erfindung durch
eine Elektrolumineszenzeinrichtung mit den Charakteristiken der beigefügten
Ansprüche erzielt, die einen integralen Teil der vorliegenden Beschreibung
darstellen. Weitere Aufgaben, Charakteristiken und Vorteile der vorliegenden Erfindung
ergeben sich aus der folgenden Beschreibung und den beigefügten Zeichnungen,
die lediglich als ein nicht-beschränkendes Beispiel vorgesehen sind. Es zeigen:
1 eine graphische Darstellung der Potentialbarriere
zwischen einem generischen Metall und dem Vakuum unter verschiedenen Bedingungen;
2 eine schematische Darstellung einer gemäß
der vorliegenden Erfindung hergestellten Elektrolumineszenzeinrichtung;
3 eine schematische Darstellung einer gemäß
einer ersten möglichen Variante der vorliegenden Erfindung hergestellten Elektrolumineszenzeinrichtung;
4 eine schematische Darstellung einer gemäß
einer zweiten möglichen Variante der vorliegenden Erfindung hergestellten Elektrolumineszenzeinrichtung.
Die Elektrolumineszenzeinrichtung gemäß der Erfindung basiert
auf dem Tunnelungseffekt in einer dreidimensionalen perkolierten Schicht.
Eine dreidimensionale perkolierte Schicht ist eine metallische mesoporöse
Struktur, die aus metallischen Nanoteilchen besteht, die miteinander verbunden sind,
oder dielektrischen metallischen Zwischenverbindungen, die derart verbunden sind,
daß eine elektrische Leitung garantiert wird; die Zwischenverbindung oder Verbindung
kann durch Tunnelung hergestellt werden, wie unten erläutert wird. Gemäß
der Erfindung nehmen die Hohlräume von mikrometrischen oder nanometrischen
Abmessungen, die in der mesoporösen Struktur gefunden werden, lumineszente
Nanoteilchen oder Makromoleküle auf; wie zu sehen ist, emittieren diese Licht,
wenn sie von den Elektronen aktiviert werden, die in Folge von Tunnelung durch die
perkolierte Schicht hindurchtreten.
Die üblicherweise akzeptierte Definition für mesoporöse
Materialien umfaßt anorganische Materialien mit Poren mit Abmessungen unter
50 nm. Poröse Materialien mit Poren von nanometrischen Abmessungen sind bei
der Herstellung die schwierigsten. Insbesondere werden für geordnete mesoporöse
Materialien im allgemeinen "Supramolecular Templating"-Techniken verwendet, die
asymmetrische organische Moleküle als Matrizen verwenden, um entfernt zu werden,
nachdem die nanoporöse Struktur hergestellt worden ist. Metallische mesoporöse
Materialien können statt dessen unter Verwendung von Aufdampfungstechniken
wie etwa thermische Aufdampfung oder Elektronenstrahlaufdampfung aufgewachsen werden.
Hinsichtlich des Tunnelungseffekts muß berücksichtigt werden,
daß die Metall-Isolator-Grenzfläche eine typische Situation innerhalb
eines metallischen Systems auf Perkolationsebene ist, die bei jeder Diskontinuität
des Systems auftritt.
Es gibt verschiedene Elektronentransportmechanismen durch die Metall-Isolator-Grenzfläche
wie etwa ohmsche Leitung, Ionenleitung, thermische Emission und Feldeffektemission.
Bei einem gegebenen Material herrscht jeder der oben genannten Mechanismen in einem
bestimmten Temperatur- und Spannungsbereich (elektrisches Feld) vor und weist eine
charakteristische Abhängigkeit von dem Strom, der Spannung und der Temperatur
auf. Diese verschiedenen Prozesse sind nicht notwendigerweise unabhängig voneinander.
Feldemission, auch als Fowler-Nordheim-Elektronentunnelung bezeichnet,
besteht aus dem Transportieren von Elektronen durch eine Metall-Isolator-Grenzfläche
aufgrund des Durchgangs der Elektronen von dem Fermi-Niveau des Metalls zu dem Leitungsband
des Isolatormittels durch einen Tunnelungseffekt.
Dieser Tunneleffekt tritt auf, wenn starke elektrische Felder vorliegen
(somit der Ausdruck "Emission für Feldeffekt"), die in der Lage sind, die Energiebänder
des Isolatormittels zu beugen, um eine schmale dreieckige Potentialbarriere zwischen
dem Metall und dem Isolator auszubilden.
1 liefert für diese Aufgabe eine schematische
Darstellung der Potentialbarriere zwischen einem generischen Metall und dem Vakuum
in drei verschiedenen möglichen Situationen. Allgemein wird angenommen,
daß die Potentialenergie eines Elektrons von Null innerhalb des Metalls zu
dem Wert EF + &PHgr; unmittelbar außerhalb der Oberfläche
des Metalls verläuft. In 1 ist dieser Fall durch
die Kurve (a) dargestellt.
Die Potentialbarriere, die ein sich von dem Metall wegbewegendes Elektron
antrifft, weist statt dessen einen allmählicheren Trend auf, da es sinnvoll
ist zu denken, daß das Potential anfänglich linear mit dem Abstand von
der Oberfläche des Metalls zunimmt; wenn ein Elektron den Abstand einiger weniger
Å (1 Å ≙ 0,1 nm) von dieser Oberfläche erreicht, sollte es
den Effekt einer Anziehungskraft spüren, die gleichwertig der Kraft aufgrund
einer Ladung e ist, in deren Gegenwart die potentielle Energie des Elektrons mit
einer Funktion von dem folgenden Typ dargestellt werden kann:
wobei x den Abstand des Elektrons von der Oberfläche des Metalls darstellt.
In 1 ist dieser Fall durch die Kurve (b) dargestellt.
Wenn schließlich ein elektrisches Feld in Richtung X in dem Vakuumgebiet
das erhitzte Metall umgebend angelegt wird, wird die potentielle Energie des Elektrons
vom Typ:
wobei E das angelegte elektrische Feld darstellt. Durch Durchführen der Ableitung
dieses Ausdrucks findet man das Vorliegen eines Maximums der Potentialbarriere,
in 1 durch die Kurve (c) dargestellt, die gefunden
wird bei:
Wie in 1 ersichtlich, erzeugt das Vorliegen
eines externen elektrischen Felds eine geringfügige Verringerung bei der effektiven
Austrittsarbeit. Die Abnahme des Werts der typischen Austrittsarbeit des Metalls
im Vakuum ist klein, wenn das externe elektrische Feld nicht sehr intensiv ist (bis
zu dem Wert einiger Tausend Volt/Meter): in diesem Fall findet man das größte
Potential bei vielen Å (1 Å ≙ 0,1 nm) Abstand von der äußeren
Oberfläche des Metalls. Selbst eine geringe Abnahme beim Wert von &PHgr; ermöglicht
das Phänomen der thermischen Emission und daß viele Elektronen ohne ausreichende
Energie bei Abwesenheit des externen elektrischen Felds die Potentialbarriere überwinden.
Wenn das elektrische Feld sehr intensiv wird, etwa 109
Volt/Meter, zusätzlich zu der Abnahme der typischen Austrittsarbeit des Metalls,
tritt auch das Phänomen der Feldeffektemission oder der Elektrotunnelung auf.
Die Potentialbarriere, die an der Metall-Isolator-Oberfläche
erzeugt wird, wird so dünn, daß die Elektronen des Metalls durch Quantentunneln
dort hindurchtreten können. Bei einem kritischen Wert des elektrischen Felds
wird die Potentialbarriere dünn genug und die Elektronen, die sich auf dem
Fermi-Niveau des Metalls befinden, erhalten eine viel niedrigere Wahrscheinlichkeit
des Hindurchtretens. Für höhere Werte des elektrischen Felds gestattet
die noch geringere Dicke der Potentialbarriere, daß Elektronen mit noch geringeren
Energien durch den Tunneleffekt hindurchtreten.
Die Stromdichte der Emission für den Feldeffekt hängt streng
von der Intensität des elektrischen Felds ab, während sie von der Temperatur
im wesentlichen unabhängig ist:
wobei E die Intensität des elektrischen Felds, &PHgr; die Höhe der Potentialbarriere
und b eine Proportionalitätskonstante darstellen.
Es ist wichtig anzumerken, daß im Fall einer Emission durch Elektronentunnelung
die Elektronen keine thermische Aktivierung erfordern (und dies erklärt die
Tatsache, daß j nicht von der Temperatur abhängt), aber ein intensives
elektrisches Feld, das die Dicke der Potentialbarriere reduziert, das Leitungs-
und Valenzband des Isolatormittels beugen. Dies erklärt die strenge Abhängigkeit
von j von der Intensität des elektrischen Felds: Tatsächlich übersteigen
in diesem Fall die Elektronen nicht die Potentialbarriere, sondern tunneln sich
durch sie hindurch.
Es sollte nur eine geringfügige Tunnelungswahrscheinlichkeit
für Elektronen auf dem Fermi-Niveau vorliegen, sofern nicht die Barriere dünner
ist als 1 nm (10 Å). Deshalb ist es sinnvoll zu erwarten, daß der kritische
Wert des elektrischen Felds, über dem das Phänomen der Emission durch
Feldeffekt auftritt, etwa 3·109 Volt/Meter beträgt. Diese Art
von Emission tritt jedoch auch mit makroskopischen elektrischen Feldern auf, die
bis zum 30fachen weniger intensiv sind. Es ist wahrscheinlich, daß die lokale
Rauheit in der Oberfläche des Metalls die Ursache für das Vorliegen extrem
intensiver elektrischer Felder ist, wenngleich nur auf einer lokalen
Skala, und daß der größte Teil der Emission durch Feldeffekt aus
diesen Zonen kommt.
Innerhalb eines perkolierten metallischen Systems und spezifisch an
jeder Metall-Vakuum-Grenzfläche gibt es lokale Zunahmen bei dem elektrischen
Feld, die es ermöglichen, die Intensitätswerte des elektrischen Felds
zu erreichen, die erforderlich sind, damit eine Elektronentunnelung stattfindet.
Es ist wichtig zu betonen, daß die lokale Zunahme des elektrischen Feldes nur
so größer ist, je kleiner die Abmessungen sind, die am Feldemissionsphänomen
beteiligt sind. Bei jeder Diskontinuität des perkolierten metallischen Systems,
wo eine lokale Zunahme beim elektrischen Feld und Elektronenemission durch Feldeffekt
stattfindet sollte eine lokale Zunahme bei der Stromdichte auftreten. Tatsächlich
tragen genau wie jene von der thermischen Emission abgeleiteten die durch Feldeffekt
emittierten Elektronen zu dem gesamten elektrischen Strom bei. Deswegen sollte das
perkolierte metallische System eine Spannungs-Strom-Kennlinie mit nicht-ohmschen
Trend aufweisen; die Zunahme beim Strom mit der angelegten Spannung sollte dank
den Beiträgen der thermischen Emission und der Feldeffektemission schneller
sein, als dies in einem ohmschen Leiter mit linearen Kennlinien ist.
In 2 zeigt die Zahl 1 insgesamt
eine gemäß den Vorschriften der vorliegenden Erfindung hergestellte Elektrolumineszenzeinrichtung
an, deren Betrieb auf den oben dargelegten Konzepten basiert.
Die Einrichtung 1 weist eine "Strom in der Ebene"-Architektur
auf und besteht aus mehreren Teilen, nämlich:
– einem Substrat, mit 2 bezeichnet;
– zwei seitlichen Elektroden, mit 3 bezeichnet;
– einer Schicht aus metallischem mesoporösem Material auf Perkolationsebene,
mit 4 bezeichnet;
– lumineszente nanometrische Einschlüsse 5 in der Schicht
aus perkoliertem Material 4;
– eine transparente Schutzschicht, mit 6 bezeichnet.
Das Substrat 2 kann transparent und in üblichem Glas
produziert sein, beispielsweise mit einem Ultraschallreinigungsprozeß vorbereitet
sein, oder kann opak und in Kunststoffmaterial produziert sein. Gemäß
der Erfindung sind nicht in jedem Fall transparente Substrate erforderlich, die
mit speziellen teuren Beschichtungen bedeckt sind, wie etwa mit ITO bedecktes Glas,
das in der O-LED-, der P-LED- und der Flüssigkristalleinrichtungstechnologie
verwendet wird.
Die seitlichen Elektroden 3 sind auf dem Glassubstrat
2 auf dergleichen Ebene positioniert und bestehen aus einer durch Aufdampfung
abgeschiedenen kontinuierlichen metallischen Schicht, wobei das für den Zweck
verwendete metallische Material Kupfer, Silber, Gold, Aluminium oder etwas ähnliches
sein kann.
Der elektrische Kontakt zwischen dem Stromgenerator, schematisch mit
"niedrige VDC" angezeigt, der Elektrolumineszenzeinrichtung
1 und der aktiven Schicht des Bauelements, bestehend aus der Schicht
4 aus metallischem mesoporösem Material auf Perkolationsebene, wird
durch die Elektroden 3 hergestellt.
An den Enden der Schicht 4 erzeugen die Elektroden
3 eine Potentialdifferenz, die eine Tunnelung elektrischer Ladung durch
diese Schicht induziert. Wenn die angelegte Spannung hoch genug ist, um sehr intensive
lokale elektrische Felder zu erzeugen (E ≈ 107 V/cm), kommt es
zu Elektronenleitung durch Tunnelung wie oben beschrieben innerhalb der metallischen
Schicht 4 bei Perkolation.
Der Perkolationspunkt eines diskontinuierlichen metallischen Systems
ist definiert als der Punkt, bei dem sich der Film dahingehend ändert, daß
er als ein Isolator wirkt, insbesondere in der Situation, in der der Film eine größere
Anzahl Diskontinuitäten in Relation zu den metallischen Inseln aufweist, zum
Wirken als ein Leiter, in der Regel der Situation, in der die metallischen Inseln
über die Diskontinuitäten in dem Film vorherrschen, direkte "Verbindungen"
zwischen seinen beiden Enden ausgebildet werden, in denen eine Leitung elektrischen
Stroms stattfinden kann.
Bei einem diskontinuierlichen metallischen Film auf Perkolationsebene
gibt es verschiedene Elektronentransportmechanismen. Wie erwähnt treten zusätzlich
zur normalen ohmschen Leitung des Stroms andere Transportmechanismen auf, die die
Grenzflächenzonen zwischen dem Metall und den Diskontinuitäten involvieren,
insbesondere thermische Emission und Elektronentunnelung.
Thermische Emission tritt nur in diskontinuierlichen Filmen für
ausreichend hohe Temperaturwerte auf, während Elektronentunnelung vorherrschend
in Filmen auftritt, die durch eine große Anzahl von Diskontinuitäten extrem
geringer Größe gekennzeichnet sind, wo ausreichend intensive lokale elektrische
Felder entstehen.
Beweis für das Elektronentunnelungsphänomen erhält
man durch den nichtlinearen Trend der von perkolierten metallischen Systemen gezeigten
Spannungs-Strom-Kennlinie. Diese zeigen eine Stromentladung, die bei einem kritischen
Wert der angelegten Spannung auftritt. Die Stromentladung beweist, daß die
Leitfähigkeit des Systems bei dem kritischen Spannungswert plötzlich ansteigt:
Dies bedeutet, daß durch Anlegen einer geeigneten Spannung
bei den Diskontinuitäten, wo ausreichend intensive elektrische Felder erzeugt
worden sind, ein Elektronentunnelungseffekt erhalten wird. Die von den metallischen
Inseln in Richtung der Diskontinuitätszonen extrahierten Elektronen tragen
zu dem Gesamtstrom bei, der das System durchläuft, weshalb sie für die
Stromentladung verantwortlich werden, die auf makroskopischer Ebene beobachtet werden
kann.
Es ist genau dieses Phänomen, das das perkolierte metallische
System für die Anwendungen in einer Elektrolumineszenzeinrichtung sehr interessant
macht. Tatsächlich wird Elektronenemission durch die metallischen Inseln durch
den Elektronentunnelungseffekt verwendet, um die lumineszierenden Teilchen
5, beispielsweise in Form von Halbleiternanokristallen, metallischen Nanoteilchen
oder Molekülen mit phosphoreszierenden Eigenschaften, zu aktivieren, die in
den Hohlräumen der perkolierten metallischen Schicht 4 enthalten sind.
Die von den metallischen Inseln durch Elektronentunnelung extrahierten
Elektronen weisen ausreichend Energie zum Aktivieren einer Lumineszenz in den lumineszierenden
Nanoteilchen auf, die in der Matrix eingeschlossen sind, die aus der perkolierten
metallischen Struktur besteht. Die Lumineszenzzentren mit nanometrischen Abmessungen
können von unterschiedlichen Arten sein. Insbesondere können sie erzeugt
werden durch:
– organische Leuchtstoffe, das heißt lumineszierende organische
Moleküle, die zusammen mit der metallischen Struktur aufgedampft werden, unter
denen sich befinden: Coumarin-7, Aluminium-8-hydroxychinolin, Spiro-Verbindungen,
elektrolumineszenten Polymeren;
– anorganische Halbleiter (Si, CdSe, CdTe, "Kern-Hülle"-CdSe/ZnS-
und CdSe/CdS-Strukturen), hergestellt mit Selbstorganisationstechniken (die eine
Steuerung des Durchmessers der Teilchen gestatten), elektrochemische Abscheidung,
Langmuir-Blodgett-Techniken; Nanostrukturen dieses Typs können bei Aktivierung
mit einfallenden Elektronen mit einer gewissen Energiemenge Photonen in dem sichtbaren
Feld und dem Nahinfrarotbereich emittieren;
– metallische Nanokristalle (Au, Ag, Co, Ni, Pt, ...), hergestellt beispielsweise
chemisch durch Reduktion von Metallionen in Lösung oder physikalisch durch
Aufdampfen des Metalls bei hoher Temperatur; auf der nanometrischen Skala verhalten
sich diese Metalle ähnlich einem Halbleiter und können bei Aktivierung
sichtbare Photonen oder im Nahinfrarotbereich emittieren;
– lumineszierende seltene Erden, wie etwa metallorganische Verbindungen
von Europium, Terbium (Emission in sichtbarem Bereich), Erbium, Ytterbium (Emission
im Infrarotbereich).
Die transparente Schutzschicht 6 der Einrichtung
1 gemäß der Erfindung kann schließlich aus sehr dünnem
transparentem Glas (etwa 0,5 mm) bestehen, produziert mit einem Sol-Gel-Prozeß
und auf der perkolierten metallischen Schicht 4 durch Aufschleudern, Tauchen,
Aufdampfen oder Sputtern hergestellt, oder kann mit einem anderen transparenten
Kunststoffdielektrikum hergestellt werden.
Diese Schutzschicht 6 erfordert nicht die Einführung
eines Polarisationsfilms, wie bei der O-LED-Technologie erforderlich, für den
es notwendig ist, den Kontrast des ausgegebenen Lichts zu erhöhen. Die Schutzschicht
6 der Einrichtung 1 gemäß der Erfindung reduziert zusätzlich
dazu, daß sie leicht herzustellen und abzuscheiden ist, die Gesamtkosten des
Produktionsprozesses.
In dem in 2 gezeigten Fall befindet sich
das metallische mesoporöse Material 4 auf Perkolationsebene in Form
einer einzelnen Schicht. Gemäß einer möglichen Variante, schematisch
in 3 gezeigt, kann der Effekt des Extrahierens der
Elektronen durch die metallischen Inseln, die die perkolierte Schicht darstellen,
dadurch erhöht werden, daß die einzelne Schicht 4 von
2 durch ein mehrschichtiges perkoliertes System ersetzt
wird.
Die verschiedenen Schichten können aus verschiedenen Metallen
oder alternativ Metall/Dielektrikum hergestellt sein. Im ersten Fall, wie in
3 gezeigt, müssen alle die Schichten des Systems,
mit 4A angegeben, auf Perkolationsebene sein, um die gleichen Leistungen
des in der einzelnen Schicht erhaltenen Elektronentransports zu garantieren, und
müssen so verteilt sein, daß sie in direktem Kontakt mit Metallen mit
unterschiedlichen Austrittsarbeiten (oder Extraktionspotentialen) stehen. In dem
zweiten Fall, in 4 gezeigt, müssen die verschiedenen
Schichten 4A von Metall auf Perkolationsebene mit diskontinuierlichen Schichten
aus dielektrischem Material, von denen eine mit 4B angezeigt ist, abgewechselt
werden. Die Diskontinuität der dielektrischen Schichten 4B soll im
wesentlichen eine elektrische Leitung durch das mehrschichtige System (und nicht
durch jede einzelne metallische Schicht) garantieren.
Bekannterweise steigen Phänomene der Elektronenemission durch
ein Metall, entweder aufgrund thermischer Emission oder Elektronentunnelung, hinsichtlich
Intensität, wenn Atome eines Elements, das durch eine niedrige Austrittsarbeit
charakterisiert ist, auf der Oberfläche eines Metalls verteilt sind, das durch
einen hohen Austrittsarbeitswert gekennzeichnet ist, und umgekehrt. Die mehrschichtige
Lösung stellt sicher, daß das Elektrolumineszenzbauelement einen extrem
riesigen Kontaktbereich aufweist, der die Möglichkeiten eines Kontakts zwischen
metallischen Inseln verschiedener Elemente erhöht und zum
Heraufsetzen der Anzahl von Elektronen beiträgt, die durch Tunnelungseffekt
extrahiert werden. Kombinationen von Metallen, für die Elektronenemission durch
Tunnelungseffekt für an kontinuierliche Elektroden angelegte wenige Elektronenvolt
möglich ist, sind: Ca-Al, Ca-Ag, Ca-Cu, Ca-Au, Al-Au, Ag-Au.
Die Charakteristiken der Erfindung ergeben sich aus der angegebenen
Beschreibung. Abgesehen von vergrößerter Stabilität zählen zu
den Vorteilen, die die neue Elektrolumineszenzeinrichtung von den Charakteristiken
der perkolierten metallischen Schicht bezieht:
– die Möglichkeit, Lichtemission in beiden Richtungen zu erhalten,
da ein metallisches System auf Perkolationsebene fast vollständig transparent
ist;
– die Verwendung von Lösungen mit mehreren Schichten unterschiedlicher
Schichten aus diskontinuierlichen Filmen hat den Vorteil, das Gesamtvolumen zu vergrößern,
aus dem Licht emittiert wird.
Dem Fachmann ist klar, daß es für die als ein Beispiel beschriebene
Elektrolumineszenzeinrichtung zahlreiche mögliche Varianten gibt, ohne von
den Schutzbereichen intrinsischer Neuheit der Erfindung abzuweichen.
Anspruch[de]
Elektrolumineszenzeinrichtung (1), umfassend:
– ein Glas- oder Kunststoffträgersubstrat (2);
– mindestens zwei auf dem Substrat (2) positionierte Elektroden
(3);
– mindestens eine, auf dem Substrat (2) zwischen den Elektroden
(3) positionierte dreidimensionale perkolierte Schicht (4;
4A), wobei die dreidimensionale perkolierte Schicht (4;
4A) eine metallische mesoporöse Struktur aufweist, die eine Vielzahl
von Hohlräumen mit mikrometrischen oder nanometrischen Abmessungen definiert,
wobei die Struktur insbesondere aus metallischen Zwischenverbindungen oder metallischen
dielektrischen Zwischenverbindungen besteht, die so verbunden sind, daß eine
elektrische Leitung garantiert wird;
– mehrere lumineszente Einschlüsse (5), insbesondere in der
Form von Nanoteilchen oder Makromolekülen, in jeweiligen Hohlräumen der
dreidimensionalen perkolierten Schicht (4; 4A) untergebracht,
wobei die lumineszenten Einschlüsse (5) dahingehend arbeiten, Licht
zu emittieren, wenn sie von Elektronen aktiviert werden, die in Folge des Elektronentunnelungseffekts
durch die dreidimensionale perkolierte Schicht (4; 4A) hindurchtreten.Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden
(3) dahingehend arbeiten, den elektrischen Kontakt zwischen einem externen
Stromgenerator (niedriges VDC) und der dreidimensionalen perkolierten
Schicht (4; 4A) herzustellen, um an den Enden letzterer eine Potentialdifferenz
zu erzeugen, die den Transport einer elektrischen Ladung durch die Schicht induziert.Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie mit
einer Schutzschicht (6) der dreidimensionalen perkolierten Schicht (4;
4A) versehen ist.Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat
(2) in Glas- oder Kunststoffmaterial produziert ist.Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden
(3) aus einer jeweiligen kontinuierlichen metallischen Schicht bestehen.Einrichtung nach dem vorausgegangenen Anspruch, dadurch gekennzeichnet,
daß die kontinuierliche metallische Schicht durch Aufdampfung auf dem Substrat
(2) abgeschieden wird.Einrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die metallische
Schicht aus einem Material besteht ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus
Kupfer, Silber, Gold, Aluminium, Platin und Nickel.Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die lumineszenten
Einschlüsse (5) in Form von Halbleiternanokristallen, metallischen
Nanoteilchen oder Molekülen mit phosphoreszierenden Eigenschaften vorliegen.Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die lumineszenten
Einschlüsse (5) in Form organischer Leuchtstoffe wie etwa Coumarin-7,
Aluminium-8-hydroxychinolin, Spiro-Verbindungen, elektrolumineszenten Polymeren
vorliegen.Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die lumineszenten
Einschlüsse (5) in Form anorganischer Halbleiter wie etwa Si-, CdSe-,
CdTe-, "Kern-Hülle"-CdSe/ZnS- und CdSe/CdS-Strukturen vorliegen.Einrichtung nach Anspruch 1, wobei die lumineszenten Einschlüsse
(5) in Form metallischer Nanokristalle vorliegen.Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die lumineszenten
Einschlüsse (5) in Form lumineszenter seltener Erden wie etwa metallorganische
Verbindungen von Europium, Terbium, Erbium und Ytterbium vorliegen.Einrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die Schutzschicht (6) aus Glas oder einem anderen transparenten
Kunststoffdielektrikum besteht.Einrichtung nach dem vorausgegangenen Anspruch, dadurch gekennzeichnet,
daß das Glas mit einem Sol-Gel-Prozeß produziert und auf der perkolierten
metallischen Schicht (4; 4A) durch Aufschleudern, durch Tauchen,
durch Aufdampfen oder durch Sputtern hergestellt wird.Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie mit
mehreren dreidimensionalen perkolierten Schichten (4A) versehen ist.Einrichtung nach dem vorausgegangenen Anspruch, dadurch gekennzeichnet,
daß die Schichten (4A) aus Metallen hergestellt sind, die voneinander
differieren oder entsprechend einem wiederholten Layout von dem Typ Metall-Dielektrikum-Metall-Dielektrikum.Einrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten
(4A) aus einem Metall abwechselnd mit diskontinuierlichen Schichten aus
dielektrischem Material (4B) hergestellt sind.