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Dokumentenidentifikation DE102005047475B4 22.01.2009
Titel Verfahren zum Herstellen eines Maskensatzes und Maskensatz zum Definieren eines Musters
Anmelder Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon, Kyonggi, KR
Erfinder Lee, Doo-Youl, Seoul/Soul, KR;
Oh, Seok-Hwan, Suwon, Kyonggi, KR;
Yeo, Gi-Sung, Seoul/Soul, KR;
Woo, Sang-Gyun, Yongin, Kyonggi, KR;
Lee, Sook, Seoul/Soul, KR;
Park, Joo-On, Suwon, Kyonggi, KR;
Jung, Sung-Gon, Seoul/Soul, KR
Vertreter Kuhnen & Wacker Patent- und Rechtsanwaltsbüro, 85354 Freising
DE-Anmeldedatum 04.10.2005
DE-Aktenzeichen 102005047475
Offenlegungstag 27.04.2006
Veröffentlichungstag der Patenterteilung 22.01.2009
Veröffentlichungstag im Patentblatt 22.01.2009
IPC-Hauptklasse G03F 7/20  (2006.01)  A,  F,  I,  20051103,  B,  H,  DE
IPC-Nebenklasse G03F 1/00  (2006.01)  A,  L,  I,  20051103,  B,  H,  DE

Beschreibung[de]
GEBIET DER ERFINDUNG

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Maskensatzes zum Definieren eines Musters nach dem Anspruch 1, sowie einen Maskensatz zum Definieren eines Musters nach dem Anspruch 5.

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

Aus der US 2004/0170906 A1 ist eine Maske mit einem Muster bekannt, um ein Schaltungsmerkmal zu modifizieren, welches in einer strahlungsempfindlichen Schicht ausgebildet wird, indem eine modifizierende Strahlung in eine Zone der strahlungsempfindlichen Schicht eingestrahlt wird, welche das Schaltungsmerkmal aufweist. Die Maske ist dafür ausgebildet, um Subwellenlängen-Verzerrungen und Nachbarschafts-Effekt-Verzerrungen in Bezug auf das zu erreichende Schaltungsmerkmal zu reduzieren. Die Maske wird zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit Schaltungsanordnung verwendet, die auf dem modifizierten Schaltungsmerkmal basiert.

Aus der US 2002/0187440 A1 ist ein Belichtungsverfahren und eine Vorrichtung, die mit diesem Belichtungsverfahren hergestellt wird, bekannt, wobei das Verfahren das Ausbilden eines feinen Musters auf einem Substrat durch Belichtung, Ausbilden eines Maskenmusters durch Belichtung umfasst, welches eine kleinste Linienbreite besitzt, die größer ist als diejenige des feinen Musters. Das feine Muster und das Maskenmuster werden auf einem Substrat einander überlagernd ausgebildet und es entsteht dabei eine feine Musterbelichtungszone, in welcher das feine Muster ausgebildet wird und eine Größe aufweist, die eine Ausbildungszone für eine darin vorzusehende Chipvorrichtung umfasst, in welcher ein darin enthaltendes Chip in einer einzelnen Chipzone ausgebildet wird.

Aus der DE 100 06 952 C2 ist ein Maskensatz zur Erzeugung von Strukturen bekannt, die als Resistmaske für Ätzungen oder Implantationen dienen, umfassend eine erste chromlose Phasenmaske zur Erzeugung von belichteten und unbelichteten Bereichen auf einem Fotolack mit minimalen Strukturgrößen und mit einer zweiten Maske, die der Unterteilung der unbelichteten Bereiche durch Belichtung von Teilbereichen der durch die erste Phasenmaske nicht belichteten Bereiche dient, wobei das Wesentliche dieses bekannten Maskensatzes darin besteht, dass die zweite Maske eine Chrom-on-Glasmaske oder eine Halbtonmaske ist.

Aus der US 2004/0074868 A1 ist die Verwendung einer Phasenschiebe-Trimmmaske bekannt, die bei der zweiten Belichtung eines Doppelbelichtungs-Abwechslungs-Phasenschiebemaske-Prozesses verwendet wird. Ein Halbleiterwafer wird zunächst unter Verwendung einer Dunkelfeld-alt-PSM belichtet und wird dann zum Zweiten unter Verwendung einer tri-tone Dämpfungs-PSM belichtet. Die tri-tone Dämpfungs-PSM kann ein transparentes Substrat wie beispielsweise Quarz auf einer lichtundurchlässigen Schicht wie beispielsweise Chrom enthalten und auch eine dämpfende Schicht wie beispielsweise 6% transparentes Molybdänsilizid (MoSi). Die lichtundurchlässige Schicht bildet ein Muster entsprechend Polysiliziumgates, die auf dem Halbleiterwafer auszubilden sind, um die Polysilizium-Fotoresistmuster zu schützen.

Aus der US 2003/0027366 A1 ist ein Verfahren zur Ausbildung und Herstellung eines Maskenmusters und einer resultierenden Maske zur Herstellung von isolierten oder eng beabstandeten Kontaktlöchern in einer integrierten Schaltung bekannt. Die Maske umfasst ein transparentes Maskensubstrat und strukturierte Zonen aus einem dämpfenden Phasenschiebematerial und einem lichtundurchlässigen, teilweise lichtdurchlässigem oder transparentem Material, welches so angeordnet wird, um den Effekt von Seitenkeulen zu reduzieren und die Fokussierungstiefe zu verbessern.

Somit sind Maskensätze und Verfahren zur Doppel- und Mehrfachbelichtung bekannt, bei denen Masken und Maskenkombinationen verschiedenster Art eingesetzt werden, um Strukturen/Musterregionen/Schutzregionen im Rahmen der Herstellungs- und Belichtungsschritte für integrierte Schaltungen verschiedenster Art zu realisieren.

Halbleiterspeichervorrichtungen weisen allgemein eine Zellarray-Region und eine Peripherieschaltungsregion auf. Die Zellarray-Region wird durch wiederholtes Anwenden des gleichen Musters auf die Vorrichtung gebildet, während eine Anzahl von unterschiedlichen Muster in der Peripherieschaltungsregion angewendet werden kann. Das in der Zellarray-Region erreichte Niveau der Integration ist typischerweise der primäre Faktor, der das Gesamtniveau der Integration der Halbleiterschaltungsvorrichtung bestimmt. Das Niveau der erreichten Integration kann u. a. von der minimalen Auflösung des verwendeten Verfahrens bzw. Prozesses, der Schärfentiefe (DOF; DOF = Depth-of-Focus) und/oder dem Belichtungsspielraum bzw. der Belichtungsbreite (EL; EL = Exposure Latitude) abhängen. In den letzten Jahren wurden Außer-Achsen-Beleuchtungs-(OAI-; OAI = Off-Axis Illumination) Verfahren eingeführt, die das Sicherstellen erleichtern, dass eine minimale Auflösung selbst dann erhalten wird, wenn die Linienbreite von Mustern verringert wird. Außer-Achsen-Beleuchtungs-(OAI-)Verfahren liefern allgemein eine ausgezeichnete Auflösung und DOF und können folglich verwendet werden, um Muster mit kleinen Schrittweiten bzw. Abständen zu bilden. OAI-Verfahren können jedoch, was eine Belichtungsbedingung betrifft, Nachteile hinsichtlich der Größe, Form und Richtung von Mustern aufweisen. Als solches können herkömmliche Beleuchtungen, die ringförmige Öffnungen bzw. Blenden verwenden, verwendet werden, um verschiedene Muster zu übertragen. Die gelieferten Muster können jedoch abhängig von der Form und der Geometrie der erforderlichen Muster nicht ideal sein. Doppelbelichtungsverfahren können verwendet werden, um verbesserte Muster zu liefern. Bei Doppelbelichtungsverfahren wird eine primäre Belichtung hinsichtlich einer ersten Musterregion durchgeführt, und dann wird eine sekundäre Belichtung hinsichtlich einer zweiten Musterregion durchgeführt.

1 ist eine Draufsicht von einem Teil einer herkömmlichen Halbleiterspeichervorrichtung mit einer Musterregion, die Muster mit zwei unterschiedlichen Schrittweiten bzw. Teilungen aufweist.

Viele herkömmliche Halbleitervorrichtungen weisen eine Musterregion auf, die Muster aufweist, die zwei oder mehrere unterschiedliche Schrittweiten aufweisen. Bei herkömmlichen Halbleiterspeichervorrichtungen kann beispielsweise die Zellarray-Region ein Muster aufweisen, das eine erste Schrittweite aufweist, und die Peripherieschaltungsregion kann eines oder mehrere Muster aufweisen, die andere Schrittweiten aufweisen. Um die Integration der Vorrichtung zu maximieren, weisen die Speicherzellen in der Zellarray-Region typischerweise die minimale Linienbreite auf. Ein Muster mit einer relativ größeren Schrittweite kann im Gegensatz dazu in der Peripherieschaltungsregion vorgesehen sein. Wie in 1 gezeigt ist, kann beispielsweise die Musterregion der Halbleiterspeichervorrichtung ein erstes Muster 34a mit einer ersten Schrittweite P1 und ein zweites Muster 34b, das eine zweite Schrittweite P2 aufweist, aufweisen. Die zweite Schrittweite P2 ist größer als die erste Schrittweite P1. Durch Teilen der Halbleitervorrichtung in Regionen und Verwenden eines Doppelbelichtungsverfahrens, das Belichtungsbedingungen anwendet, die für jede Region optimiert sein können, kann es möglich sein, verbesserte Muster zu erhalten. Bei der ersten (primären) Belichtung wird eine Region 16, in der ein erstes Muster gebildet wird, belichtet, um das erste Muster zu übertragen. Bei der zweiten Belichtung wird eine Region 26, in der ein zweites Muster gebildet wird, belichtet, um das zweite Muster 34b zu übertragen.

2A und 2B sind Draufsichten der ersten Maskenschicht 10 bzw. der zweiten Maskenschicht 20 eines herkömmlichen Doppelbelichtungsmaskensatzes. Die erste Schicht 10 kann verwendet werden, um das erste Muster 34a, das in 1 dargestellt ist, zu bilden. Die zweite Maskenschicht 20 kann verwendet werden, um das zweite Muster 34b von 1 zu bilden. Wie durch die gestrichelte Linie in 2A gezeigt ist, weist die erste Maskenschicht 10 eine erste Abschirmregion 11 und eine erste Belichtungsregion 13 auf. Die erste Abschirmregion 11 ist durch eine Schutzschicht 12 bedeckt, während ein erstes Muster 14 in der ersten Belichtungsregion 13 gebildet ist. Wie in 2B gezeigt ist, weist die zweite Maskenschicht 20 eine zweite Abschirmregion 17 und eine zweite Belichtungsregion 15 auf. Die zweite Abschirmregion 17 ist mit einer Schutzschicht 22 bedeckt, während ein zweites Muster 24 in der zweiten Belichtungsregion 15 gebildet ist. Die erste und die zweite Maskenschicht 10, 20 können verwendet werden, um ein Substrat unter Verwendung eines Doppelbelichtungsverfahrens zu mustern bzw. zu strukturieren.

Eine Fehlausrichtung der ersten und der zweiten Belichtung kann bei einem Doppelbelichtungsverfahren auftreten. Als solches können die erste und die zweite Maskenschicht 10, 20 derart gebildet sein, dass die erste und die zweite Belichtungsregion 13, 15 überlappen. Die Überlappungsregion bildet ein gewünschtes Muster durch Durchführen einer Optischen Nahkorrektur (OPC; OPC = Optical Proximity Correction), die die Doppelbelichtung berücksichtigt. Eine Halbtonmaske mit einem hohen Kontrast kann jedoch aufgrund einer Fehlausrichtung und fehlenden Übereinstimmung bzw. Deckungsgenauigkeit an den Belichtungsgrenzen ein schlechtes Muster in der Überlappungsregion liefern.

3A bis 3D sind Draufsichten, die darstellen, wie eine Fehlausrichtung und fehlende Übereinstimmung die Muster, die unter Verwendung eines herkömmlichen Doppelbelichtungsmaskensatzes gebildet werden, beeinflussen.

Wie in 3A gezeigt ist, kann, wenn eine Fehlausrichtung und eine fehlende Übereinstimmung auftreten, es sein, dass die Schutzschicht 12 das Halbtonmuster 14 bei einer Grenze der ersten Belichtungsregion 13 der ersten Maskenschicht 10 (siehe z. B. die Region 13, die mit F1 in 3A bezeichnet ist) nicht vollständig bedeckt. Wie in 3C gezeigt ist, kann es ähnlicherweise sein, dass als ein Resultat der Fehlausrichtung und der fehlenden Übereinstimmung die Schutzschicht 22 das Halbtonmuster 24 bei einer Grenze der zweiten Belichtungsregion 15 der zweiten Maskenschicht 20 (siehe z. B. die Region, die in 3B mit F2 bezeichnet ist) nicht vollständig bedeckt. Alternativ (oder zusätzlich), wie in 3B gezeigt, kann sich ein Teil der Schutzschicht 12 in die erste Belichtungsregion 13 der ersten Maskenschicht 10 erstrecken, wodurch ein Abschnitt des Halbtonmusters 14 bei einer Grenze der ersten Belichtungsregion 13 (siehe z. B. die Region, die in 3C mit F3 bezeichnet ist) bedeckt wird. Ähnlicherweise kann sich, wie in 3D gezeigt ist, die Schutzschicht 22 in die zweite Belichtungsregion 15 der zweiten Maskenschicht 20 erstrecken, wodurch ein Abschnitt des Halbtonmusters 24 bei einer Grenze der zweiten Belichtungsregion 15 (siehe z. B. die Region, die in 3D mit F4 bezeichnet ist) bedeckt wird. Die erste und die zweite Maskenschicht bilden eine OPC, die die Doppelbelichtung der Überlappungsregion berücksichtigt. Die fehlerhaften Muster in den Regionen, die mit F1, F2, F3 und F4 bezeichnet sind, an den Grenzen der Belichtungsregionen können eine geeignete Belichtung verhindern oder eine unerwünschte Doppelbelichtung hervorrufen.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht darin ein Verfahren zum Herstellen eines Maskensatzes zum Definieren eines Musters sowie einen Maskensatz zum Definieren eines Musters zu schaffen, mit dem an den Grenzen von einer ersten und einer zweiten Belichtungsregion während eines Doppel-(oder Mehrfach)-Belichtungsverfahrens verbesserte Muster ausgebildet werden können bzw. ausgebildet sind.

Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren wird die genannte Aufgabe durch die im Anspruch 1 aufgeführten Merkmale gelöst.

Besonders vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Verfahrens ergeben sich aus den Ansprüchen 2 bis 4.

In Verbindung mit dem erfindungsgemäßen Maskensatz zum Definieren eines Musters wird die genannte Aufgabe durch die im Anspruch 5 aufgeführten Merkmale gelöst, wobei vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Maskensatzes aus den Ansprüchen 6 bis 14 hervorgehen.

Gemäß bestimmten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung sind Maskensätze geschaffen, die eine erste Maskenschicht, die eine erste Schutzregion und eine erste Belichtungsregion aufweist, in der ein erstes Halbtonmuster gebildet ist, um die erste Musterregion zu definieren, und eine zweite Maskenschicht aufweisen, die eine zweite Belichtungsregion, in der ein binäres Muster und ein zweites Halbtonmuster gebildet sind, um eine zweite Musterregion zu definieren, aufweist. Bei diesen Maskensätzen kann das erste Halbtonmuster eine erste Schrittweite aufweisen, und das zweite Halbtonmuster kann eine zweite Schrittweite, die größer als die erste Schrittweite ist, aufweisen. Das binäre Muster kann einen Abschnitt der zweiten Musterregion, der benachbart zu der ersten Musterregion ist, definieren, und das binäre Muster kann mit dem ersten Halbtonmuster verbunden sein. Ein Teil der zweiten Belichtungsregion kann zusätzlich einen Teil der ersten Belichtungsregion überlappen. Bei solchen Ausführungsbeispielen kann das binäre Muster in dem Abschnitt der zweiten Belichtungsregion, der die erste Belichtungsregion überlappt, und in einem Abschnitt der zweiten Musterregion, der benachbart zu dem Abschnitt der zweiten Belichtungsregion ist, der die erste Belichtungsregion überlappt, vorgesehen sein.

Gemäß weiteren Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung sind Maskensätze geschaffen, die verwendet werden können, um eine erste Musterregion, die ein Muster mit einer ersten Schrittweite aufweist, und eine zweite Musterregion, die ein Muster mit einer zweiten Schrittweite aufweist, während der Herstellung einer Halbleitervorrichtung zu definieren. Diese Maskensätze weisen eine erst Maske auf, die eine erste Belichtungsregion, in der ein erstes Halbtonmuster die erste Musterregion definiert, und eine erste Abschirmregion, in der eine erste Schutzschicht die zweite Musterregion bedeckt, aufweist. Diese Maskensätze weisen ferner eine zweite Maske auf, die eine zweite Belichtungsregion, in der ein zweites Halbtonmuster die zweite Musterregion definiert, und eine zweite Abschirmregion, in der eine zweite Schutzschicht die erste Musterregion bedeckt, aufweist. Die zweite Schutzschicht erstreckt sich ferner von der zweiten Abschirmregion, um einen Abschnitt des zweiten Halbtonmusters zu bedecken.

Bei spezifischen Ausführungsbeispielen dieser Maskensätze können die erste Belichtungsregion und die zweite Belichtungsregion überlappen, um eine Überlappungsregion zu definieren. Bei solchen Ausführungsbeispielen kann die Breite der Überlappungsregion kleiner als eine vorbestimmte Breite sein und/oder der Abschnitt des zweiten Halbtonmusters, der durch die zweite Abschirmschicht bedeckt ist, kann mehr als das Doppelte des Bereichs bzw. der Fläche der Überlappungsregion sein. Die zweite Schrittweite kann größer als die erste Schrittweite sein. Das erste Halbtonmuster kann zusätzlich ein Muster, das periodisch wiederholt wird, definieren, während das zweite Halbtonmuster ein unregelmäßiges Muster definieren kann.

Gemäß weiteren Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung sind Maskensätze zum Definieren einer Zellarray-Region und einer Peripherieschaltungsregion während der Herstellung einer Halbleiterspeichervorrichtung vorgesehen, die (1) eine erste Maskenschicht, die (a) ein erstes Halbtonmuster, das die Zellarray-Region definiert, und (b) eine erste Schutzschicht, die die Peripherieschaltungsregion bedeckt, aufweist, und (2) eine zweite Maskenschicht aufweist, die (a) ein zweites Halbtonmuster, das die Peripherieschaltungsregion definiert, und (b) eine zweite Schutzschicht, die die Zellarray-Region und einen Abschnitt des zweiten Halbtonmusters bedeckt, aufweist.

Bei spezifischen Ausführungsbeispielen dieser Maskensätze kann das erste Halbtonmuster in einer ersten Belichtungsregion positioniert sein, und das zweite Halbtonmuster kann in einer zweiten Belichtungsregion positioniert sein. Die erste Belichtungsregion und die zweite Belichtungsregion können ferner überlappen, um eine Überlappungsregion zu definieren. Der Abschnitt des zweiten Halbtonmusters, der durch die zweite Schutzschicht bedeckt ist, kann mehr als die doppelte Fläche der Überlappungsregion aufweisen. Ein vorbestimmter Abschnitt des ersten Halbtonmusters kann außerdem das zweite Halbtonmuster in der Überlappungsregion nicht überlappen. Die erste Belichtungsregion kann sich in einen Abschnitt der Peripherieschaltungsregion, der benachbart zu der Zellarray-Region ist, erstrecken.

Gemäß weiteren Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Herstellen eines Maskensatzes geschaffen, der ein Muster, das eine erste Musterregion und eine zweite Musterregion aufweist, definiert. Gemäß diesen Verfahren wird eine erste Halbtonschicht an einem ersten Maskensubstrat gebildet. Eine erste Schutzschicht wird an der ersten Halbtonschicht gebildet. Die erste Halbtonschicht und die erste Schutzschicht werden gemustert bzw. strukturiert, um eine erste Maskenschicht zu bilden, wobei die erste Maskenschicht eine erste Belichtungsregion, in der die erste Musterregion definiert ist, und eine erste Abschirmregion, die die zweite Musterregion bedeckt, aufweist. Eine zweite Halbtonschicht wird an einem zweiten Maskensubstrat gebildet. Eine zweite Schutzschicht wird an der zweiten Halbtonschicht gebildet. Die zweite Halbtonschicht und die zweite Schutzschicht werden gemustert, um eine zweite Maskenschicht zu bilden, wobei die zweite Maskenschicht eine zweite Belichtungsregion, in der die zweite Musterregion definiert ist, und eine zweite Abschirmregion, die die erste Musterregion bedeckt, aufweist. Die erste Schutzschicht wird in der ersten Belichtungsregion entfernt. Die zweite Schutzschicht wird schließlich in lediglich einem Abschnitt der zweiten Belichtungsregion entfernt, derart, dass sich die zweite Schutzschicht von der zweiten Abschirmregion in einen Abschnitt der zweiten Belichtungsregion erstreckt.

Bei diesen Verfahren können sich die erste Belichtungsregion und die zweite Belichtungsregion teilweise überlappen, um eine Überlappungsregion zu definieren. Der Abschnitt der zweiten Belichtungsregion, der die zweite Schutzschicht aufweist, kann eine Fläche aufweisen, die mindestens die doppelte Fläche der Überlappungsregion aufweist. Die erste Musterregion kann ferner ein Muster mit einer ersten Schrittweite aufweisen, und die zweite Musterregion kann ein Muster mit einer zweiten Schrittweite, das größer als das Muster mit der ersten Schrittweite ist, aufweisen.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Die beigefügten Zeichnungen, die umfasst sind, um ein weiteres Verständnis der Erfindung zu liefern, und in dieser Anmeldung enthalten sind und einen Teil derselben bilden, stellen bestimmte Ausführungsbeispiele der Erfindung dar. Es zeigen:

1 eine Draufsicht eines Abschnitts einer herkömmlichen Halbleitervorrichtung, die eine Musterregion mit zwei unterschiedlichen Schrittweiten aufweist,

2A und 2B Draufsichten eines herkömmlichen Doppelbelichtungsmaskensatzes,

3A bis 3D Draufsichten, die darstellen, wie eine Fehlausrichtung und fehlende Übereinstimmung die Muster, die unter Verwendung eines herkömmlichen Doppelbelichtungsmaskensatzes gebildet werden, beeinflussen können,

4A und 4B Draufsichten eines Doppelbelichtungsmaskensatzes gemäß bestimmten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung,

5 eine Draufsicht eines Resistmusters, das unter Verwendung des Doppelbelichtungsmaskensatzes von 4A und 4B gebildet wird,

6A und 7A Draufsichten, die ein Verfahren zum Herstellen einer ersten Maske eines Doppelbelichtungsmaskensatzes gemäß bestimmten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung darstellen,

6B und 7B Querschnittsansichten entlang einer Linie I-I' von 6A bzw. 7A,

8A und 9A Draufsichten, die ein Verfahren zum Herstellen einer zweiten Maske eines Doppelbelichtungsmaskensatzes gemäß bestimmten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung darstellen,

8B und 9B Querschnittsansichten entlang einer Linie II-II' von 8A bzw. 9A, und

10A bis 10C Draufsichten, die ein photolithographisches Ätzverfahren unter Verwendung eines Maskensatzes gemäß bestimmten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung darstellen.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE

Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung sind im Folgenden unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen, in denen Ausführungsbeispiele der Erfindung gezeigt sind, vollständiger beschrieben. Diese Erfindung kann jedoch in vielen unterschiedlichen Formen ausgeführt sein und sollte nicht als auf die hierin dargelegten Ausführungsbeispiele begrenzt aufgefasst werden. Diese Ausführungsbeispiele sind vielmehr vorgesehen, derart, dass diese Offenbarung gründlich und vollständig ist, und dieselben vermitteln Fachleuten vollständig den Schutzbereich der Erfindung. Gleiche Ziffern beziehen sich durchgehend auf gleiche Elemente.

Es ist offensichtlich, dass, obwohl die Ausdrücke erste(r, s), zweiter, s), etc. hierin verwendet werden können, um verschiedene Elemente zu beschreiben, diese Elemente nicht durch diese Ausdrücke begrenzt sein sollen. Diese Ausdrücke werden lediglich verwendet, um ein Element von einem anderen zu unterscheiden. Ein erstes Element kann beispielsweise als ein zweites Element bezeichnet werden, und ähnlicherweise kann ein zweites Element als ein erstes Element bezeichnet werden, ohne von dem Schutzbereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Wie hierin verwendet, umfasst der Ausdruck "und/oder" jede und alle Kombinationen von einem oder mehreren der zugeordneten aufgelisteten Gegenstände.

Es ist offensichtlich, dass, wenn auf ein Element, wie z. B. eine Schicht, Region oder ein Substrat, als "an" bzw. "auf" oder sich "an" bzw. "auf" ein anderes Element erstreckend Bezug genommen wird, dasselbe direkt an bzw. auf dem anderen Element sein kann oder sich direkt auf bzw. an das andere Element erstrecken kann oder dazwischenliegende Elemente ebenfalls vorhanden sein können. Wenn im Gegensatz dazu auf ein Element als sich "direkt an" bzw. "direkt auf" oder sich "direkt auf" bzw. "direkt an" ein anderes Element erstreckend Bezug genommen wird, sind keine dazwischenliegenden Elemente vorhanden. Andere Wörter, die verwendet werden, um die Beziehung zwischen Elementen zu beschreiben, sollten auf eine ähnliche Art und Weise interpretiert werden (d. h. "zwischen" gegenüber "direkt zwischen", "benachbart" gegenüber "direkt benachbart", etc.).

Relative Ausdrücke, wie z. B. "unterhalb" oder "oberhalb" oder "obere(r, s)" oder "untere(r, s)" oder "horizontal" oder "vertikal" können hierin verwendet werden, um eine Beziehung von einem Element, einer Schicht oder einer Region zu einem anderen Element, Schicht oder Region, wie in den Figuren dargestellt ist, zu beschreiben. Es ist offensichtlich, dass diese Ausdrücke lediglich unterschiedliche Ausrichtungen der Vorrichtung zusätzlich zu der in den Figuren dargestellten Ausrichtung umfassen sollen.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind hierin unter Bezugnahme auf Querschnittsdarstellungen, die schematische Darstellungen von idealisierten Ausführungsbeispielen (und Zwischenstrukturen) der Erfindung sind, beschrieben. Die Dicken von Schichten und Regionen in den Zeichnungen können zur Klarheit übertrieben dargestellt sein. Zusätzliche Variationen von den Formen der Darstellungen als ein Resultat von beispielsweise Herstellungs-Verfahren und/oder -Toleranzen sind zu erwarten. Ausführungsbeispiele der Erfindung sollen somit nicht als auf die speziellen Formen von hierin dargestellten Regionen begrenzt aufgefasst werden, sondern sollen Abweichungen in den Formen, die beispielsweise aus der Herstellung resultieren, umfassen.

Die hierin verwendete Terminologie dient lediglich dem Zweck des Beschreibens von speziellen Ausführungsbeispielen und soll nicht die Erfindung begrenzen. Wie hierin verwendet, sollen die Singularformen "eine(r, s)" und "der, die, das" ebenso die Pluralformen umfassen, es sei denn, dass es der Zusammenhang klar anders zeigt. Es ist ferner offensichtlich, dass die Ausdrücke "aufweisen", "aufweisend", "umfassen" und/oder "umfassend", wenn dieselben hierin verwendet werden, die Anwesenheit von angegebenen Merkmalen, Ganzzahlen, Schritten, Operationen, Elementen und/oder Komponenten spezifizieren, jedoch nicht die Anwesenheit oder Hinzufügung von einem oder mehreren anderen Merkmalen, Ganzzahlen, Schritten, Operationen, Elementen, Komponenten und/oder Gruppen derselben ausschließen.

Es sei denn, dass es anders definiert ist, besitzen alle hierin verwendeten Ausdrücke (einschließlich technischer und wissenschaftlicher Ausdrücke) die gleiche Bedeutung, wie sie üblicherweise durch Fachleute, die diese Erfindung betrifft, verstanden wird. Es ist ferner offensichtlich, dass Ausdrücke, wie z. B. dieselben, die in allgemein verwendeten Wörterbüchern definiert sind, als eine Bedeutung aufweisend interpretiert werden sollten, die mit der Bedeutung derselben im Zusammenhang mit der relevanten Technik konsistent ist, und nicht in einem idealisierten oder übermäßig formalen Sinn interpretiert werden, es sei denn, dass es ausdrücklich hierin so definiert ist.

4A und 4B sind Draufsichten eines Doppelbelichtungsmaskensatzes gemäß bestimmten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung. 4A ist eine Draufsicht einer ersten Maskenschicht 30, die bei der ersten Belichtung der Doppelbelichtung verwendet wird, und 4B ist eine Draufsicht einer zweiten Maskenschicht 40, die bei der zweiten Belichtung der Doppelbelichtung verwendet wird. Wie in 4A gezeigt ist, weist die erste Maskenschicht 30 eine erste Belichtungsregion 56, die eine erste Musterregion definiert, und eine erste Abschirmregion, die eine Schutzschicht 52 aufweist, die eine Belichtung einer zweiten Musterregion verhindert, auf. Wie in 4B gezeigt ist, weist die zweiten Maskenschicht 40 eine zweite Belichtungsregion 66, die eine zweite Musterregion definiert, und eine zweite Abschirmregion auf, die eine Schutzschicht 62, die die erste Musterregion 56 bedeckt, aufweist. Um Vorkehrungen für eine mögliche Fehlausrichtung einer oder von sowohl der ersten als auch der zweiten Maskenschicht 30, 40 zu treffen, können die erste und die zweite Belichtungsregion 56 und 66 entworfen sein, um einander bis zu einer Breite Wm zu überlappen. Die zweite Belichtungsregion 66 weist daher die erste Abschirmregion (Schutzschicht 52) zuzüglich der Überlappungsregion 69 auf, und die erste Belichtungsregion 56 weist die zweite Abschirmregion (Schutzschicht 62) zuzüglich der Überlappungsregion 69 auf. Die Überlappungsregion 69 kann bei Abschnitten des Substrats vorgesehen sein, die durch eine Fehlausrichtung der primären und der sekundären Belichtung beeinflusst sind. Grenzen von Muster, die die primäre und die sekundäre Belichtung empfangen, können beispielsweise entworfen sein, um zu überlappen. Aufgrund der Doppelbelichtung der Überlappungsregion kann dies eine optische Nahkorrektur (OPC) bilden.

Wie in 4A gezeigt ist, kann ein erstes Halbtonmuster 54 in der ersten Belichtungsregion 56 der ersten Maskenschicht 30 gebildet sein. Wie in 4B gezeigt ist, kann dann ein binäres Muster 67 und ein zweites Halbtonmuster 64 in der zweiten Belichtungsregion 66 der zweiten Maskenschicht 40 gebildet sein. Das binäre Muster 67 ist in einer binären Region 68 gebildet. Eine Schutzschicht 62 bedeckt die zweite Abschirmregion und erstreckt sich ferner von der zweiten Abschirmregion auf das zweite Halbtonmuster 64, um das binäre Muster 67 zu bilden. Als ein Resultat ist das binäre Muster 67 in der Überlappungsregion 69 und in der binären Region 68 gebildet, um einen Abschnitt der zweiten Musterregion, der benachbart zu der ersten Musterregion ist, zu definieren. Wie in 4A und 4B gezeigt ist, ist die binäre Region 68 breiter als die Überlappungsregion 69. Das binäre Muster 67 kann ein Muster definieren, das mit dem ersten Halbtonmuster 54 verbunden ist.

Wie in 4B gezeigt ist, ist die Grenze zwischen dem binären Muster 67 und dem zweiten Halbtonmuster 64 von der Überlappungsregion 69 versetzt. Selbst wenn dementsprechend eine Fehlausrichtung oder fehlenden Übereinstimmung des zweiten Halbtonmusters 64 und der Schutzschicht 62 auftritt, können niederqualitative Musterregionen, wie z. B. Regionen F3 oder F4 von 3C und 3D, vermieden werden. Selbst wenn außerdem eine Fehlausrichtung oder fehlende Übereinstimmung einer Schutzschicht und einer Halbtonschicht bei der Überlappungsregion 69 der ersten Maskenschicht auftritt, kann eine reduzierte Fehlausrichtung oder fehlende Übereinstimmung bei der Überlappungsregion 69 der zweiten Maskenschicht vorhanden sein. Bei der primären Belichtung kann als ein Resultat ein schlechtes Muster durch die sekundäre Belichtung reduziert oder korrigiert werden.

Ein Muster mit einer ungleichmäßigen Linienbreite kann bei oder benachbart zu der Grenze zwischen dem binären Muster 67 und dem zweiten Halbtonmuster 64 gebildet sein. Da die zweite Musterregion jedoch typischerweise einen hohen Verfahrensspielraum bzw. Prozessspielraum aufweist, kann eine solche ungleichmäßige Linienbreite typischerweise nicht das Verhalten der Vorrichtung verschlechtern. Einer jeden solchen ungleichmäßigen Linienbreite kann man sich außerdem durch Anwenden einer OPC an der Grenze zwischen dem binären Muster 67 und dem Halbtonmuster 64 zuwenden.

Bei Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann die erste Maskenschicht 30 die Zellarray-Region der Halbleiterspeichervorrichtung definieren, und die zweite Maskenschicht 40 kann die Peripherieschaltungsregion der Halbleiterspeichervorrichtung definieren.

5 ist eine Draufsicht eines Resistmusters, das unter Verwendung des Doppelbelichtungsmaskensatzes, der in 4A und 4B dargestellt ist, gebildet werden kann.

Wie in 5 gezeigt ist, kann ein Resistmuster an einem Halbleitersubstrat unter Verwendung des Doppelbelichtungsmaskensatzes von 4A und 4B gebildet werden. Eine erste Musterregion wird durch eine erste Belichtungsregion 56 belichtet, und eine zweite Musterregion wird durch eine zweite Belichtungsregion 66 belichtet. Die Überlappungsregion 69 zwischen der ersten Belichtungsregion 56 und der zweiten Belichtungsregion 66 wird doppelt belichtet, um eine Muster zu bilden. Wenn eine Photolithographie nach der Doppelbelichtung durchgeführt wird, wird ein erstes Resistmuster 74a gebildet, das während der primären Belichtung belichtet wird, und ein zweites Resistmuster 74b wird gebildet, das während der sekundären Belichtung belichtet wird. Ein Verbindungsabschnitt zwischen dem ersten und dem zweiten Resistmuster 74a und 74b wird durch die Doppelbelichtung in der Überlappregion 69 gebildet. Das erste Resistmuster 74a kann mit einer ersten Schrittweite P1 angeordnet sein, und das zweite Resistmuster 74b kann mit einer zweiten Schrittweite P2, die größer als die erste Schrittweite P1 ist, angeordnet sein.

6A und 7A sind Draufsichten, die ein Verfahren zum Herstellen einer ersten Maskenschicht 30 eines Doppelbelichtungsmaskensatzes gemäß bestimmten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung darstellen. 6B und 7B sind Querschnittsansichten entlang einer Linie I-I' von 6A bzw. 7A.

Unter Bezugnahme auf 6A und 6B sind eine Halbtonschicht 54 und eine Schutzschicht 52 an einem Substrat 50 vorgesehen. Die Halbtonschicht 54 und die Schutzschicht 52 werden gemustert, um eine erste Belichtungsregion 56 und eine erste Abschirmregion zu bilden. Wie in 6A und 6B gezeigt ist, werden die gestapelte Halbtonschicht 54 und Schutzschicht 52 in der ersten Belichtungsregion 56 gemustert, um ein Schutzmuster 52p zu bilden. In der ersten Abschirmregion werden die Halbtonschicht 54 und die Schutzschicht 52 nicht gemustert.

Wie in 7A und 7B gezeigt ist, wird, um die erste Maskenschicht 30 zu bilden, die Schutzschicht 52 der ersten Belichtungsregion 56 entfernt, wodurch ein erstes Halbtonmuster 54p in der ersten Belichtungsregion 56 vorgesehen wird. Die erste Maskenschicht 30 weist eine erste Belichtungsregion 56 und eine erste Abschirmregion auf. Das erste Halbtonmuster 54p wird in der ersten Belichtungsregion 56 vorgesehen, und die erste Abschirmregion wird mit der Schutzschicht 52 bedeckt.

8A und 9A sind Draufsichten, die ein Verfahren zum Herstellen der zweiten Maskenschicht 40 eines Doppelbelichtungsmaskensatzes gemäß bestimmten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung darstellen. 8B und 9B sind Querschnittsansichten entlang einer Linie II-II' von 8A bzw. 9A.

Wie in 8A und 8B gezeigt ist, sind eine Halbtonschicht 64 und eine Schutzschicht 62 an einem Substrat 60 vorgesehen. Die Halbtonschicht 64 und die Schutzschicht 62 werden gemustert, um eine zweite Belichtungsregion 66 und eine zweite Abschirmregion zu bilden. In der zweiten Belichtungsregion 66 werden die Halbtonschicht 64 und die Schutzschicht 62 gemustert, um ein Schutzmuster 62p zu liefern. Die zweite Abschirmregion wird mit der Halbtonschicht 64 und der Schutzschicht 62 bedeckt.

Wie in 9A und 9B gezeigt ist, wird, um die zweite Maskenschicht 40 zu vervollständigen, ein Teil der Schutzschicht 62 in der zweiten Belichtungsregion 66 entfernt, wodurch ein zweites Halbtonmuster 64p gebildet wird. Wie in 9A gezeigt ist, weist die zweite Maskenschicht 40 eine zweite Belichtungsregion 66 und eine zweite Abschirmregion auf. Die zweite Belichtungsregion 66 weist ein zweites Halbtonmuster 64p und ein binäres Muster 67, das in einer binären Region 68, die benachbart zu der zweiten Abschirmregion ist, vorgesehen ist, auf. Die zweite Abschirmregion wird mit der Halbtonschicht 64 und der Schutzschicht 62 bedeckt.

Wie in 7A, 8A und 9A gezeigt ist, können sich die erste und die zweite Belichtungsregion 56 und 66 bis zu einer Breite Wm überlappen, wodurch eine Überlappungsregion 69 (siehe 9A) definiert ist. Wenn eine solche Überlappung auftritt, entspricht die erste Abschirmregion der zweiten Belichtungsregion 66 abzüglich der Überlappungsregion 69. Die zweite Abschirmregion entspricht der ersten Belichtungsregion 56 abzüglich der Überlappungsregion 69. Das binäre Muster 67 ist in einer binären Region 68, die größer als die Überlappungsregion 69 ist, vorgesehen. In 9A kann beispielsweise die Breite Ws größer als die Breite Wm sein.

10A bis 10C sind Verfahrensdiagramme, die ein photolithographisches Ätzverfahren darstellen, das unter Verwendung eines Maskensatzes gemäß bestimmten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung durchgeführt wird.

Unter Bezugnahme auf 10A wird eine Photoresistschicht 74 an einem Halbleitersubstrat gebildet. Ein primäres Belichtungsverfahren wird an dem Halbleitersubstrat unter Verwendung der ersten Maskenschicht durchgeführt. In 10A ist während der primären Belichtung die Region, die mit R1 bezeichnet ist, die Nicht-Belichtungsregion. Als ein Resultat des primären Belichtungsverfahrens wird ein erstes Halbtonmuster 74a in der ersten Belichtungsregion gebildet. Wie im Vorhergehenden bemerkt ist, kann eine Fehlausrichtung zwischen der Halbtonschicht und einer Schutzschicht in der ersten Maskenschicht auftreten, und als solches kann eine abnorme Belichtung 76 der Photoresistschicht benachbart zu der Grenze zwischen der ersten Belichtungsregion und der ersten Abschirmregion auftreten.

Unter Bezugnahme auf 10B wird eine sekundäre Belichtung anschließend unter Verwendung einer zweiten Maskenschicht durchgeführt. In 10B ist während der sekundären Belichtung die mit R2 bezeichnete Region die Nicht-Belichtungsregion. Wie in 10B gezeigt ist, wird ein Teil des ersten Halbtonmusters 74a durch die zweite Maskenschicht belichtet. Der abnorme Belichtungsabschnitt 76 wird ebenfalls belichtet. Die zweite Maskenschicht bildet keinen abnormen Belichtungsabschnitt, wie z. B. die erste Maskenschicht, da die Grenze der zweiten Abschirmung eine binäre Maske ist.

Unter Bezugnahme auf 10C wird die sekundäre Belichtung unter Verwendung der zweiten Maskenschicht durchgeführt, derart, dass ein binäres Muster und ein zweites Halbtonmuster zu einer Region, die der zweiten Belichtungsregion entspricht, übertragen werden. Nachdem die primäre Belichtung und die sekundäre Belichtung beendet sind, wird der Photoresist 74 entwickelt, um ein erstes Photoresistmuster 74a und ein zweites Photoresistmuster 74b zu bilden.

Gemäß einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann ein Photoresist unter Verwendung eines Doppelbelichtungsmaskensatzes entwickelt werden, nachdem die primäre Belichtung und die sekundäre Belichtung beendet sind, derart, dass ein Photoresistmuster mit einer ersten Schrittweite und ein Photoresistmuster mit einer zweiten Schrittweite gebildet werden. Während der primären Belichtung kann eine Halbtonmaske verwendet werden, um ein Muster mit einer kleinen Schrittweite zu bilden. Während der sekundären Belichtung kann eine Halbtonmaske, die eine ausgebesserte binäre Maske aufweist, verwendet werden, um ein unerwünschte Belichtung bei oder benachbart zu der Grenze zwischen einer Belichtungsregion und einer Abschirmregion zu reduzieren oder zu minimieren.

Gemäß weiteren Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung können mehr als zwei Maskenschichten verwendet werden, die die gleichen im Vorhergehenden erörterten Verfahren anwenden.

Wie im Vorhergehenden erörtert ist, kann die zweite Maskenschicht ein binäres Muster und ein Halbtonmuster aufweisen. Die zweite Maskenschicht kann nach dem Durchführen einer primären Belichtung unter Verwendung einer ersten Maskenschicht, die ein Halbtonmuster aufweist, verwendet werden. Die zweite Maskenschicht kann verwendet werden, um eine abnorme Belichtung, die während der primären Belichtung hervorgerufen und durch eine Fehlausrichtung und fehlende Übereinstimmung einer Halbtonschicht und einer Abschirmschicht auftreten kann, teilweise oder vollständig zu korrigieren.

Gemäß bestimmten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann daher ein Verfahrensspielraum eines Belichtungsverfahrens durch Überwindung von Problemen, wie z. B. der Verringerung der Entwurfsregel und einer Variation des Entwurfs, verbessert werden.

In den Zeichnungen und der Beschreibung sind typische Ausführungsbeispiele der Erfindung offenbart, und obwohl spezifische Ausdrücke verwendet werden, werden dieselben lediglich in einem allgemeinen und beschreibenden Sinn und nicht zum Zweck der Begrenzung verwendet, wobei der Schutzbereich der Erfindung in den folgenden Ansprüchen dargelegt ist.


Anspruch[de]
Verfahren zum Herstellen eines Maskensatzes zum Definieren eines Musters, das eine erste Musterregion und eine zweite Musterregion aufweist, mit folgenden Schritten:

Bilden einer ersten Halbtonschicht (54) an einem ersten Maskensubstrat (50);

Bilden einer ersten Schutzschicht (52) an der ersten Halbtonschicht (54);

Strukturieren der ersten Halbtonschicht (54) und der ersten Schutzschicht (52), um eine erste Maskenschicht (30) zu bilden, wobei die erste Maskenschicht (30) eine erste Belichtungsregion (56), in der die erste Musterregion definiert ist, und eine erste Abschirmregion, die die zweite Musterregion bedeckt, aufweist, und

Bilden einer zweiten Halbtonschicht (64) an einem zweiten Maskensubstrat (60);

Bilden einer zweiten Schutzschicht (62) an der zweiten Halbtonschicht (64);

Strukturieren der zweiten Halbtonschicht (64) und der zweiten Schutzschicht (62), um eine zweite Maskenschicht (40) zu bilden, wobei die zweite Maskenschicht (40) eine zweite Belichtungsregion (66), in der die zweite Musterregion definiert ist, und eine zweite Abschirmregion, die die erste Musterregion bedeckt, aufweist,

Entfernen der ersten Schutzschicht (52) in der ersten Belichtungsregion (56); und

Entfernen der zweiten Schutzschicht (62) in lediglich einem Abschnitt der zweiten Belichtungsregion (66), derart, dass sich die zweite Schutzschicht (62) von der zweiten Abschirmregion in einen Abschnitt des zweiten Halbtonmusters (64) erstreckt und darin die Halbtonbereiche bedeckt und ein binäres Muster (67) bildet.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem sich die erste Belichtungsregion (56) und die zweite Belichtungsregion (66) teilweise überlappen, um eine Überlappungsregion (69) zu definieren. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem ein Abschnitt der zweiten Belichtungsregion (66), der die zweite Schutzschicht (62) aufweist, eine Fläche aufweist, die mindestens das Doppelte einer Fläche der Überlappungsregion (69) ist. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die erste Musterregion ein Muster mit einer ersten Schrittweite und die zweite Musterregion ein Muster mit einer zweiten Schrittweite, das größer als das Muster mit der ersten Schrittweite ist, aufweist. Maskensatz zum Definieren eines Musters, das eine erste Musterregion mit einem Muster mit einer ersten Schrittweite und eine zweite Musterregion mit einem Muster mit einer zweiten Schrittweite an einer Halbleitervorrichtung aufweist, während der Herstellung der Halbleitervorrichtung, mit:

einer ersten Maskenschicht (30), wobei die erste Maskenschicht (30) folgende Merkmale aufweist:

eine erste Belichtungsregion (56), die ein erstes Halbtonmuster (54), das die erste Musterregion definiert, aufweist; und

eine erste Abschirmregion, die eine erste Schutzschicht (52), die mindestens einen Teil der zweiten Musterregion bedeckt, aufweist; und

einer zweiten Maskenschicht (40), wobei die zweite Maskenschicht (40) folgende Merkmale aufweist:

eine zweite Belichtungsregion (66), die ein zweites Halbtonmuster (64), das die zweite Musterregion definiert, aufweist; und

eine zweite Abschirmregion, die eine zweite Schutzschicht (62), die mindestens einen Teil der ersten Musterregion bedeckt, aufweist,

wobei sich die zweite Schutzschicht (62) ferner von der zweiten Abschirmregion in einen Abschnitt des zweiten Halbtonmusters (64) erstreckt und darin die Halbtonbereiche bedeckt, um ein binäres Muster (67) zu bilden.
Maskensatz nach Anspruch 5, bei dem die erste Belichtungsregion (56) und die zweite Belichtungsregion (66) überlappen, um eine Überlappungsregion (69) zu definieren. Maskensatz nach Anspruch 6, bei dem der Abschnitt der zweiten Maskenschicht, in dem die Halbtonbereiche des zweiten Halbtonmusters (64) durch die zweite Schutzschicht (62) bedeckt sind und dadurch ein binäres Muster (67) gebildet wird, mehr als die doppelte Fläche der Überlappungsregion (69) beträgt. Maskensatz nach Anspruch 6, bei dem die zweite Schrittweite größer als die erste Schrittweite ist. Maskensatz nach Anspruch 6, bei dem das erste Halbtonmuster (54) ein Muster definiert, das periodisch wiederholt ist, und bei dem das zweite Halbtonmuster (64) ein unregelmäßiges Muster definiert. Maskensatz zum Definieren einer Zellarray-Region und einer Peripherieschaltungsregion während der Herstellung einer Halbleiterspeichervorrichtung, mit:

einer ersten Maskenschicht (30), die ein erstes Halbtonmuster (54), das die Zellarray-Region definiert, und eine erste Schutzschicht (62), die die Peripherieschaltungsregion bedeckt, aufweist; und

einer zweiten Maskenschicht (40), die ein zweites Halbtonmuster (64), das die Peripherieschaltungsregion definiert, und eine zweite Schutzschicht (62), die die Zellarray-Region und einen Abschnitt des zweiten Halbtonmusters (64) bedeckt, aufweist.
Maskensatz nach Anspruch 10, bei dem das erste Halbtonmuster (54) in einer ersten Belichtungsregion (56) positioniert ist und das zweite Halbtonmuster (64) in einer zweiten Belichtungsregion (66) positioniert ist, und bei dem sich die erste Belichtungsregion (56) und die zweite Belichtungsregion (66) überlappen, um eine Überlappungsregion (69) zu definieren. Maskensatz nach Anspruch 11, bei dem der Abschnitt der zweiten Maskenschicht, in dem die Halbtonbereiche des zweiten Halbtonmusters (64) durch die zweite Schutzschicht (62) bedeckt sind und dadurch ein binäres Muster (67) gebildet wird, mehr als die doppelte Fläche der Überlappungsregion (69) aufweist. Maskensatz nach Anspruch 11, bei dem sich die erste Belichtungsregion (56) in einen Abschnitt der Peripherieschaltungsregion, der benachbart zu der Zellarray-Region ist, erstreckt. Maskensatz nach Anspruch 10, bei dem das erste Halbtonmuster (54) ein Muster definiert, das periodisch wiederholt wird, und bei dem das zweite Halbtonmuster (64) ein unregelmäßiges Muster definiert.






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