PatentDe  


No Patent No Titel
1 DE60033035T2 GEKÜHLTES FENSTER
2 DE69434773T2 Vorrichtung zur schnellen thermischen Behandlung zur Herstellung von Halbleiterwafern
3 DE102005061327A1 Verfahren und Vorrichtung zur Plasma CVD-Beschichtung von Substraten
4 DE112004002735A5 Anordnung zur Wärmebehandlung von Siliziumscheiben in einer Prozesskammer
5 DE60021302T2 Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung eines Werkstoffes mit elektromagnetischer Strahlung in einer kontrollierten Atmosphäre
6 DE102005015517A1 Verarbeitungskammer mit einem Reflektor
7 DE69818267T2 REFLEKTIERENDE FLÄCHE FÜR WÄNDE VON CVD-REAKTOREN
8 DE69132982T2 Reaktor mit Strahlungsheizung
9 DE69803737T2 VERFAHREN ZUR INNENWANDBESCHICHTUNG VON EINEM BEHÄLTER
10 DE69229809T2 Verfahren zur photochemischen Materialbehandlung unter Verwendung von einer zylindrischen Blitz-Lampe als Lichtquelle
11 DE69130662T2 Vorrichtung und Verfahren zum Heizen von Substraten in der Halbleiterherstellung
12 DE69222892T2 Verfahren zur Herstellung dünner Schichten und mehrlagiger Schichten
13 DE19507206C2 Anordnung und Verfahren zur flexiblen Erzeugung von Mikrostrukturen auf großen Flächen
14 DE19507206A1 Verfahren und Anordnung zur flexiblen Erzeugung von Mikrostrukturen auf großen Flächen
15 DE69205494T2 Beschichtungssystem zur plasmachemischen Gasphasenabscheidung.
16 DE68922323T2 Anlage für Halbleiterverfahren einschliesslich eines photochemischen Verfahrens.
17 DE69108876T2 Modul zum Spülen einer Prozesskammer für eine Anlage zur Behandlung von Halbleitern.
18 DE4339550C1 Verfahren und Einrichtung zum Erzeugen dreidimensionaler Strukturen durch optisch stimulierte Materialabscheidung aus einer fluiden Verbindung
19 DE69106285T2 Termische Reaktoranlage zur Bearbeitung von Halbleiterscheiben und Betriebsverfahren eines solchem Reaktors.
20 DE69014811T2 Verfahren zur Auftragung einer amorphen anorganischen Schutzschicht auf ein polymeres organisches Substrat.
21 DE4126759A1 Verfahren zur Erzeugung siliciumhaltiger organischer Schichten
22 DE4129227C1 Verfahren zur laserchemischen Abscheidung aus der Gasphase
23 DE4011529A1 Verfahren zur laserinduzierten photolytischen reaktiven Abscheidung aus einer Gasphase
24 DE4108142A1 Reaktor
25 DE4003882A1 Verfahren zur laserinduzierten photolytischen reaktiven Abscheidung aus einer Gasphase
1

IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

Anmelder
Datum

Patentrecherche

Copyright © 2008 Patent-De Alle Rechte vorbehalten. eMail: info@patent-de.com