| No |
Patent No |
Titel |
| 1 |
EP1857575 |
Halbleiter-Nanokristall-Metallkomplex und Herstellungsverfahren dafür |
| 2 |
DE10204178B4 |
Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Einkristalls aus Halbleitermaterial |
| 3 |
DE102006029830A1 |
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung pyroelektrischer Einkristalle |
| 4 |
DE60220939T2 |
VERFAHREN ZUR SCHRITTWEISEN ZUFÜHRUNG VON SILIZIUM UM DIE ABSCHMELZRATE VON POLYKRISTALLINEM SILIZIUM ZU ERHÖHEN |
| 5 |
DE60128134T2 |
GALLIUM NITRID MATERIALEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON SCHICHTEN DIESER MATERIALEN |
| 6 |
DE102006028243A1 |
Verfahren und Vorrichtung zum Kristallisieren amorpher Halbleiterschichten |
| 7 |
DE69935822T2 |
Einkristalline Siliziumscheibe und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| 8 |
DE102007021944A1 |
Freistehendes Nitrid-Halbleitersubstrat |
| 9 |
EP1852528 |
Verfahren und Vorrichtung für das Wachstum eines Aluminiumnitrideinkristallkörpers |
| 10 |
EP1851369 |
LICHTEMITTIERENDE GALLIUMNITRIDVORRICHTUNGEN AUF DIAMANT |
| 11 |
DE60127252T2 |
EPITAKTISCHER SILIZIUMWAFER FREI VON SELBSTDOTIERUNG UND RÜCKSEITENHALO |
| 12 |
EP1852526 |
VERFAHREN UND WERKZEUGSATZ ZUR ÜBERPRÜFUNG DES KRISTALLISIERUNGSZUSTANDES BIOLOGISCHER MAKROMOLEKÜLE |
| 13 |
DE602004008022T2 |
Verfahren zur Züchtung von Siliziumkristall |
| 14 |
EP1848843 |
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON GERICHTET ERSTARRTEN VERFESTIGTEN SILICIUMSTÄBEN |
| 15 |
EP1849893 |
VORRICHTUNG ZUM ZIEHEN VON METALLFLUORID-EINKRISTALLEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON METALLFLUORID-EINKRISTALLEN MIT DER VORRICHTUNG |
| 16 |
DE602004005594T2 |
VERFAHREN ZUR SYNTHESE EINES KRISTALLINEN MATERIALS UND DANACH ERHALTENES MATERIAL |
| 17 |
DE10137856B4 |
Durch tiegelloses Zonenziehen hergestellter Einkristall aus Silicium |
| 18 |
EP1160359 |
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Oxid-Einkristalles |
| 19 |
EP1842943 |
Nanodrahtzusammensetzung und Herstellungsverfahren dafür |
| 20 |
EP1842942 |
Kristallinische GaN-Substrat |
| 21 |
DE102006022534A1 |
Quellenbehälter einse VPE-Reaktors |
| 22 |
EP1840247 |
Verfahren zur Herstellung von Siliziumnanodrähten mit einem porösen Glasmuster und Vorrichtung mit damit hergestellten Siliziumnanodrähten |
| 23 |
EP1838906 |
HERSTELLUNG VON SUSPENSIONEN |
| 24 |
EP1836332 |
VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR KRISTALLISATION UNTER VERWENDUNG VON HYDRODYNAMISCHER KAVITATION |
| 25 |
EP1837420 |
DRUCKBEHÄLTER ZUR EINKRISTALLZÜCHTUNG |
| 26 |
EP1837421 |
Vorrichtung und Verfahren zur Kristallherstellung und Kristall |
| 27 |
EP1837422 |
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Gruppe-III-Nitridkristallen |
| 28 |
EP1835053 |
Synthetische Perlmutter, Verfahren und Vorrichtung zu ihrer Herstellung |
| 29 |
EP1835054 |
Galliumnitridsubstrat sowie Prüf- und Herstellungsverfahren dafür |
| 30 |
EP1832673 |
Verfahren zur Herstellung eines Substrats für Einkristalldiamantwachstum |
| 31 |
EP1831437 |
CVD-REAKTOR MIT RF-GEHEIZTER PROZESSKAMMER |
| 32 |
EP1831438 |
VERFAHREN ZUM ZIEHEN VON GEGEBENENFALLS BESCHICHTETEN BETA-SIC- ODER ALPHA-SI3N4-NANODRÄHTEN |
| 33 |
EP1832672 |
EINKRISTALLINER DIAMANT |
| 34 |
DE102007020239A1 |
Vorrichtung zur Herstellung von Kristallen aus elektrisch leitfähigen Schmelzen |
| 35 |
DE69934643T2 |
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES EINKRISTALLS MIT HALBLEITENDER ZUSAMMENSETZUNG |
| 36 |
DE102004058547B4 |
Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen mit großem Durchmesser |
| 37 |
EP1556529 |
VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR KRISTALLZÜCHTUNG |
| 38 |
DE102006017622A1 |
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von multikristallinem Silizium |
| 39 |
EP1828444 |
TOPOTAKTISCHE ANIONENAUSTAUSCH-OXIDSCHICHTEN UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR |
| 40 |
DE102006017621A1 |
Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von ein- oder multikristallinen Materialien, insbesondere von multikristallinem Silizium |
| 41 |
DE60213687T2 |
BEHÄLTER FÜR SILICIUM UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG |
| 42 |
EP1828443 |
HERSTELLUNG VON SUPERLEITERMATERIALIEN |
| 43 |
EP1038996 |
KOMBINATORISCHE VORRICHTUNG FÜR EPITAKTISCHE MOLEKULARSCHICHT |
| 44 |
DE102007015184A1 |
Silicaglastiegel |
| 45 |
DE602004001802T2 |
Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Einkristallen durch Dampfphasenabscheidung |
| 46 |
DE60125689T2 |
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Siliziumkarbidkristallen unter Verwendung von Quellegasen |
| 47 |
EP1825034 |
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON KRISTALLEN UND ZUM SCREENING VON KRISTALLISATIONSBEDINGUNGEN |
| 48 |
DE10085308B4 |
Polykristallines Material, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung |
| 49 |
DE60217163T2 |
BESCHICHTUNG AUS MCRALY |
| 50 |
EP1820886 |
MAGNETISCHER GRANATEINKRISTALL, OPTISCHE VORRICHTUNG DAMIT UND VERFAHREN ZUR EINKRISTALLHERSTELLUNG |
| 51 |
EP1820887 |
Substrat aus Galliumnitridkristall und Verfahren zu seiner Herstellung |
| 52 |
DE60217156T2 |
VERFAHREN ZUR ZÜCHTUNG EINER MCRALY-BESCHICHTUNG UND EIN MIT MCRALY-BESCHICHTETER GEGENSTAND |
| 53 |
DE69934565T2 |
Ultraschall-Füllstandmessung in einem chemischen Nachfüllsystem |
| 54 |
EP1196646 |
VORRICHTUNG ZUR REGLUNG DER SCHICHTDICKE EINES DENDRITS WÄHREND DER ZÜCHTUNG EINES SILIZIUMBANDES |
| 55 |
EP1818430 |
GRUPPE-III-NITRID-EINKRISTALL UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR UND HALBLEITERVORRICHTUNG |
| 56 |
DE10328859B4 |
Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen durch Zonenziehen |
| 57 |
EP1817444 |
PROTEINGERÜSTE UND IHRE VERWENDUNG |
| 58 |
DE19913123B4 |
Kristallwachstumsverfahren für Dünnfilme aus BiSrCaCuO-Oxiden |
| 59 |
EP1816241 |
PR-HALTIGER EINKRISTALL FÜR SZINTILLATOR, HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR, STRAHLUNGSDETEKTOR UND INSPEKTIONSAPPARATUR |
| 60 |
DE102007011347A1 |
Nitridhalbleitereinkristallfilm |
| 61 |
EP1816240 |
EINKRISTALL VOM HEXAGONALEN WURTZIT-TYP, HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR UND EINKRISTALLSUBSTRAT VOM HEXAGONALEN WURTZIT-TYP |
| 62 |
EP1816239 |
Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements |
| 63 |
DE10083498B4 |
Verfahren zur Herstellung einer dünnen polykristallinen Schicht und eines supraleitenden Oxidelements |
| 64 |
EP1809793 |
AUSWAHL UND ABSCHEIDUNG VON NANOPARTIKELN MITTELS CO2-EXPANDIERTER FLÜSSIGKEITEN |
| 65 |
DE19758833B4 |
Impfkristallhalter |
| 66 |
EP1509642 |
ANORDNUNG ZUR HERSTELLUNG VON KRISTALLSTÄBEN MIT DEFINIERTEM QUERSCHNITT UND KOLUMNARER POLYKRISTALLINER STRUKTUR MITTELS TIEGELFREIER KONTINUIERLICHER KRISTALLISATION |
| 67 |
EP1807555 |
KRISTALLZIEHVERFAHREN UND VORRICHTUNG |
| 68 |
DE60307578T2 |
Kristallziehvorrichtung für Metallfluoride |
| 69 |
EP1806439 |
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON ALN-EINKRISTALL UND ALN-EINKRISTALL |
| 70 |
EP1805354 |
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON GRUPPE-III-NITRID- VOLUMENKRISTALLEN ODER -KRISTALLSCHICHTEN AUS METALLSCHMELZEN |
| 71 |
EP1806440 |
Verfahren zur Herstellung eines Aluminiumnitrideinkristalls und Aluminiumnitrideinkristall |
| 72 |
EP1799886 |
HERSTELLUNG VON INDIUMNITRIDSCHICHTEN |
| 73 |
EP1801269 |
Verfahren zur Herstellung einer freistehenden III-V Schicht und dadurch hergestelltes freistehende III-N Substrat |
| 74 |
DE102006002682A1 |
Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls, Einkristall und Halbleiterscheibe |
| 75 |
EP1797224 |
SYNTHESE HOCHLUMINESZIERENDER KOLLOIDPARTIKEL |
| 76 |
DE60029816T2 |
GEMUSTERTE KARBON-NANORÖHREN |
| 77 |
EP1132504 |
Verfahren zur Abscheidung von dünnen Schichten unter Verwendung eines FTIR-Gasanalysators und einer Mischgasversorgungsvorrichtung |
| 78 |
DE102006003464A1 |
Verfahren zur Erzeugung einer Siliciumschicht auf einer Substratoberfläche durch Gasphasenabscheidung |
| 79 |
DE602004001510T2 |
VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES EINKRISTALLSTABS |
| 80 |
EP1793020 |
Verfahren und Giessform zum Giessen von Gegenständen mit einer vorbestimmten kristallinen Orientierung |
| 81 |
EP1793021 |
Verfahren zur Behandlung von Halbleitern unter Verwendung von einem Gegenstand aus Silizium Karbid |
| 82 |
DE102005031692B4 |
Verfahren zur Herstellung eines hochohmigen Siliciumcarbid-Einkristalls |
| 83 |
DE602004004095T2 |
TIEGEL FÜR EINE VORRICHTUNG ZUR HERSTELLUNG EINES KRISTALLINEN BLOCKES, UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG |
| 84 |
EP1790759 |
NITRIDHALBLEITEREINKRISTALL MIT GALLIUM, HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR SOWIE SUBSTRAT UND VORRICHTUNG MIT DEM KRISTALL |
| 85 |
DE10051885B4 |
Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls durch Zonenziehen |
| 86 |
DE60310866T2 |
Durch Gerüst unterstützte Kristallzüchtung |
| 87 |
DE10392847B4 |
Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer dünnen Lage |
| 88 |
EP1788126 |
Verfahren zur Herstellung einkristallinen dicken Schichten aus Gallium Nitrid |
| 89 |
DE60125338T2 |
GRADIERTE DÜNNE SCHICHTEN |
| 90 |
EP1784529 |
HERSTELLUNG VON CADMIUMQUECKSILBERTELLURID AUF STRUKTURIERTEM SILICIUM |
| 91 |
EP1456436 |
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON PARTIKELN MIT DIAMANT -STRUKTUR |
| 92 |
DE102004003596B4 |
Verfahren zur Herstellung von ZnO-Einkristallen |
| 93 |
EP1778897 |
III-NITRID-MATERIALIEN MIT GERINGER VERSETZUNGSDICHTE UND DAMIT ASSOZIIERTE VERFAHREN |
| 94 |
DE102005059531A1 |
Herstellung hochreiner, besonders strahlungsbeständiger großvolumiger Einkristalle aus Kristallscherben |
| 95 |
EP1780315 |
Bordotierter Diamant |
| 96 |
EP1777324 |
DÜNNFILMMATERIAL UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR |
| 97 |
EP1777325 |
Einkristalline Scheibe aus a-Plane Nitrid-Halbleiter mit einer Orientierungs-Aufflachung |
| 98 |
EP1775356 |
Kristallziehungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Gruppe-III-Nitrid Kristallen |
| 99 |
EP1709217 |
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON CU(IN,GA)SE2-EINKRISTALLINEM PULVER UND DIESES PULVER ENTHALTENDE MONOKORNMEMBRAN-SOLARZELLE |
| 100 |
DE102006055376A1 |
Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Halbleiterkristalls |
