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No Patent No Titel
1 EP1848843 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON GERICHTET ERSTARRTEN VERFESTIGTEN SILICIUMSTÄBEN
2 DE10058320B8 Herstellungsverfahren für Silicium-Wafer
3 DE10250822B4 Verfahren zur Herstellung eines mit leichtflüchtigem Fremdstoff dotierten Einkristalls aus Silicium
4 DE10058320B4 Herstellungsverfahren für Silicium-Wafer
5 DE102005013787A1 Arsen-Dotiermittel für das Ziehen von Siliziumeinzelkristallen, Verfahren für deren Erzeugung und Verfahren zur Erzeugung eines Siliziumeinzelkristalls unter deren Verwendung
6 DE102004004555A1 Verfahren zur Herstellung von hoch dotierten Halbleiterscheiben und versetzungsfreie, hoch dotierte Halbleiterscheiben
7 DE10007179B4 Verfahren und Vorrichtung zum Dotieren einer Schmelze mit einem Dotierstoff
8 DE10250822A1 Verfahren zur Herstellung eines mit leichtflüchtigem Fremdstoff dotierten Einkristalls aus Silicium
9 EP1282733 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR ZUFÜHRUNG VON ARSEN ALS DOTIERUNGSSTOFF BEI EINEM VERFAHREN ZUR ZÜCHTUNG VON SILIZIUMEINKRISTALLEN
10 DE69804020T2 KRISTALLZIEHUNGSVORRICHTUNG MIT SCHMELZDOTIERUNGSANLAGE
11 EP1200648 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SEGMENTIERTEN KRISTALLS
12 DE10007179A1 Verfahren und Vorrichtung zum Dotieren einer Schmelze mit einem Dotierstoff
13 DE19941902A1 Verfahren zur Herstellung von mit Stickstoff dotierten Halbleiterscheiben
14 DE19936838A1 Verfahren zur Herstellung eines mit Stickstoff dotierten Einkristalls
15 DE19927604A1 Silicium mit strukturierter Sauerstoffdotierung, dessen Herstellung und Verwendung
16 DE69414652T2 Verbessertes Verfahren zur Bildung von Siliconkristallen
17 DE19637182A1 Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Silicium mit geringer Defektdichte
18 DE0786022T1 GUS-DOTIERSTOFF ZUM KRISTALL ZUECHTEN
19 DE4106589C2 Kontinuierliches Nachchargierverfahren mit flüssigem Silicium beim Tiegelziehen nach Czochralski
20 DE68908872T2 Verfahren zum Ziehen von Einkristallen.
21 DE4213097A1 Zuführvorrichtung für Dotierungsstoffe für eine Vorrichtung zur Herstellung von Siliziumeinkristallen
22 DE3234387C2 Verfahren zum Dotieren eines GaAs-Einkristalls mit Bor
23 DE4106589A1 Kontinuierliches Nachchargierverfahren mit flüssigem Silicium beim Tiegelziehen nach Czochralski
24 DE3806918A1 Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen
25 DE3437524A1 Verfahren zum Herstellen eines mit Indium oder Wismut dotierten Silicium-Halbleiterstabes
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