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No Patent No Titel
1 DE102005043623A1 Herstellung hochhomogener spannungsarmer Einkristalle durch Ziehen, eine Vorrichtung hierfür sowie die Verwendung solcher Kristalle
2 DE112005000350T5 Verfahren zum Herstellen eines Einkristall-Halbleiters
3 DE112005000397T5 Verfahren zum Herstellen von Einkristall-Halbleitern
4 DE102005028202A1 Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Silizium mit bestimmten Defekteigenschaften und Halbleiterscheiben aus Silizium mit solchen Defekteigenschaften
5 DE19983450B4 Halbleiterkristall-Ziehvorrichtung und Kristall-Ziehverfahren
6 DE10205085B4 Einkristall aus Silicium und Verfahren zu dessen Herstellung
7 DE69919952T2 Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristalls und Wafer aus Silicium-Einkristall
8 DE10392918T5 Verfahren zur Herstellung eines Einkristallhalbleiters und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristallhalbleiters
9 DE102004004536A1 Siliciumeinkristall und Verfahren zu dessen Herstellung
10 DE60001274T2 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR STEUERUNG DES DURCHMESSERS EINES SILIZIUMKRISTALLES IN EINEM ZÜCHTUNGSVERFAHREN
11 DE10207284A1 Verfahren zur Herstellung eines hochdotierten Einkristalls aus Silicium
12 DE10205085A1 Einkristall aus Silicium und Verfahren zu dessen Herstellung
13 DE60000579T2 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR STEUERUNG DES KONUSWACHSTUMS IN EINEM HALBLEITERKRISTALLZÜCHTUNGSVERFAHREN
14 DE10227141A1 Schnelle thermische Temperung für Siliziumwafer in Argon/Ammoniak, dadurch hergestellte Siliziumwafer und Czochralski-Ziehvorrichtungen zur Herstellung von einkristallinen Siliziumblöcken
15 DE10119947A1 Verfahren zum Steuern einer Kristallziehanlage und Kristallziehanlage zu seiner Durchführung
16 DE69132009T2 VERFAHREN ZUM ZIEHEN VON EINKRISTALLEN
17 DE19847695A1 Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls
18 DE19823962A1 Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls
19 DE19806949A1 Verfahren zum Steuern von Kristallzüchtungsprozessen
20 DE69601424T2 Verfahren und Vorrichtung zur Steuerung des Kristallwachstums
21 DE19806045A1 Verfahren zum Herstellen von einkristallinen Siliziumstäben und Siliziumwafern unter Steuern des Ziehgeschwindigkeitsverlaufs in einem Heißzonenofen, sowie mit dem Verfahren hergestellte Stäbe und Wafer
22 DE19622664A1 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen
23 DE69206717T2 Verfahren zur Benutzung einer Vorrichtung zur Ziehung Einkristallstaben
24 DE4442239A1 Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Einkristallen
25 DE4436826A1 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Silicium-Einkristallen
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