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No Patent No Titel
1 DE102006022534A1 Quellenbehälter einse VPE-Reaktors
2 DE102005004311A1 Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von aus mehreren Komponentenhalbleitern bestehende Schichtenfolgen
3 DE10194628B4 Gassammler für einen Epitaxiereaktor
4 EP1566468 Verfahren zur Herstellung von integrierten Schaltungen und entsprechende Vorrichtung
5 EP1334222 CVD-REAKTOR MIT GRAPHITSCHAUM-ISOLIERTEM, ROHRFÖRMIGEM SUSZEPTOR
6 DE69810969T2 ANORDNUNG FÜR DIE OBERE WANDUNG EINES REAKTORS FÜR EPITAXISCHES WACHSTUM
7 DE10153463A1 Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf insbesondere kristallinen Substraten
8 EP1060301 ANORDNUNG FÜR DIE OBERE WANDUNG EINES REAKTORS FÜR EPITAXISCHES WACHSTUM
9 DE10043599A1 Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf einem oder mehreren insbesondere ebenfalls kristalliner Substraten
10 EP1114210 NIEDRIGTEMPERATURVERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EPITAKTISCHER SCHICHTEN AUF EIN HALBLEITERSUBSTRAT
11 EP1070161 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM EPITAKTISCHEN WACHSTUM VON OBJEKTEN MITTELS CHEMISCHER DAMPFPHASENABSCHEIDUNG
12 DE68909817T2 Epitaxiereaktor mit einer gegen Beschlag geschützten Wand.
13 EP0334432 Epitaxiereaktor mit einer gegen Beschlag geschützten Wand.
14 DE4103086A1 Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden von reinem Halbleitermaterial durch thermische Zersetzung
15 DE3927726A1 Anlage für epitaktische Beschichtung von Halbleiterwafern
16 DE3816788A1 Epitaxievorrichtung
17 DE2826860C2 Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleitermaterial
18 DE2743856C2 Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleitermaterial
19 DE2906290C2 Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleitermaterial
20 DE3342586C2 Vorrichtung zur Gasphasen-Epitaxie
21 DE3148620C2 Vorrichtung zum Niederschlagen dünner Filme auf Siliciumplättchen
22 DE3525870A1 Epitaxialreaktor
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