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No Patent No Titel
1 EP1831437 CVD-REAKTOR MIT RF-GEHEIZTER PROZESSKAMMER
2 EP1456436 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON PARTIKELN MIT DIAMANT -STRUKTUR
3 EP1780315 Bordotierter Diamant
4 EP1772538 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen
5 EP1581676 SCHNELLES DIAMANTWACHSTUM UNTER VERWENDUNG EINESMIRKOWELLENPLASMAS IN PULSMODUS
6 EP1337700 CVD-REAKTOR MIT VON EINEM GASSTROM DREHGELAGERTEN UND -ANGETRIEBENEN SUBSTRATHALTER
7 DE69919419T2 Vorrichtung zur Abscheidung eines Filmes und Verfahren zur Herstellung eines kristallinen Filmes aus Silizium
8 DE69730246T2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON DIAMANTSCHICHTEN MITTELS GASPHASENSYNTHESE
9 EP1466041 GEFÄRBTER DIAMANT
10 EP1315854 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR REINIGUNG EINER GLOCKE IN EINEM ZYLINDRISCHEN EPITAXIE-REAKTOR
11 DE60001673T2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES DIAMANT-BESCHICHTETEN METALLISCHEN GEGENSTANDES UND SOLCHER GEGENSTAND SO HERGESTELLT
12 EP1321545 Verfahren zur Herstellung von Teilchen mit Diamantstruktur
13 DE3634131C2 Vorrichtung zum Heizen oder Erwärmen eines scheibenförmigen Substrats
14 DE69224541T2 Verfahren und Gebrauch einer Vorrichtung zur Dampfphasen-Abscheidung
15 DE69022437T2 Vorrichtung und Verfahren zur epitaktischen Abscheidung.
16 DE68918049T2 Verfahren und Vorrichtung zur epitaktischen Züchtung.
17 DE69007733T2 VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR BEHANDLUNG EINES FLACHEN, SCHEIBENFÖRMIGEN SUBSTRATES UNTER NIEDRIGEM DRUCK.
18 DE3887002T2 Induktionsheizungsvorrichtung für einen Epitaxiereaktor.
19 DE3634131A1 Verfahren und Vorrichtung zur Substrat-Beheizung in einer Vorrichtung zum axial symmetrischen epitaxialen Abscheiden
20 DE3004710C2 Verfahren und Vorrichtung zum Aufwachsen einer epitaktischen Schicht auf einem Scheibchen
21 DE2743950C2 Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleitermaterial
22 DE2950827C2 Verfahren zum epitaktischen Abscheiden von einkristallinem Material
23 DE3432638A1 Verfahren zur Abscheidung von kohlenstoffhaltigem polykristallinem Silicium
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