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1 DE69835078T2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON POLYSILIZIUM UNTER VERWENDUNG VON EXOTHERMER REAKTIONSWÄRME
2 DE60026286T2 MIT Ga DOTIERTER CZOCHRALSKI-EINKRISTALL UND WAFER UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
3 DE60115078T2 MIT STICKSTOFF DOTIERTES SILIZIUM DAS WESENTLICH FREI VON OXIDATIONSINDUZIERTEN STAPELFEHLERN IST
4 DE60207657T2 Halbleitersubstrat aus Silizium und Verfahren zu ihrer Herstellung
5 DE60205316T2 Halbleitersubstrat aus Silizium und Verfahren zu ihrer Herstellung
6 DE60106074T2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON SILIZIUM MIT NIEDRIGER DEFEKTDICHTE MIT HOHER WACHSTUMRATE
7 DE102004039197A1 Verfahren zur Herstellung von dotierten Halbleiterscheiben aus Silizium und derartige Halbleiterscheiben
8 DE10393635T5 Verfahren zur Herstellung eines Siliziumwafers
9 DE60111071T2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON SILICIUM MIT NIEDRIGER DEFEKTDICHTE
10 DE10393271T5 Wärmeabschirmungselement einer Vorrichtung zum Heraufziehen eines Siliciumeinkristalls
11 DE69820940T2 Verfahren zur Herstellung von hochdotiertem Silicium
12 DE60007066T2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SILIZIUMEINKRISTALLS DAMIT HERGESTELLTER SILIZIUMEINKRISTALL UND SILIZIUMWAFER
13 DE10259588A1 Einkristall aus Silicium und Verfahren zu dessen Herstellung
14 DE10205084A1 Verfahren zur thermischen Behandlung einer Siliciumscheibe sowie dadurch hergestellte Siliciumscheibe
15 DE10228518A1 Verfahren zum Kristallisieren von Polysilicium, Verfahren zum Herstellen eines Dünnschichttransistors unter Verwendung desselben sowie Verfahren zum Herstellen eines zugehörigen Flüssigkristalldisplays
16 DE10236023A1 Herstellungsverfahren für Silizium-Einkristallwafer und Silizium-Einkristallwafer
17 DE69713231T2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON SILIZIUM-EINKRISTALLEN
18 DE69801069T2 Vorrichtung zur Kristallhaltung
19 DE19961126A1 Siliziumkristall, insbesondere für Solarzellen, und Verfahren zur Herstellung
20 DE19983188T1 Siliziumhalbleitersubstrat und Verfahren zu dessen Herstellung
21 DE69703028T2 Siliziumeinkristall ohne Kristalldefekte im peripheren Waferteil
22 DE19882805T1 Epitaxiwachstumsofen
23 DE19935184A1 Verfahren zur Herstellung eines Siliciumeinkristalls
24 DE69417009T2 Zubereitung einer Siliciumschmelze zur Verwendung bei der Herstellung von Einkristallen nach der Ziehmethode
25 DE69301035T2 Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Einkristalls
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