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1 DE60128134T2 GALLIUM NITRID MATERIALEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON SCHICHTEN DIESER MATERIALEN
2 EP1852528 Verfahren und Vorrichtung für das Wachstum eines Aluminiumnitrideinkristallkörpers
3 EP1842942 Kristallinische GaN-Substrat
4 EP1835054 Galliumnitridsubstrat sowie Prüf- und Herstellungsverfahren dafür
5 EP1820887 Substrat aus Galliumnitridkristall und Verfahren zu seiner Herstellung
6 DE102007011347A1 Nitridhalbleitereinkristallfilm
7 EP1805354 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON GRUPPE-III-NITRID- VOLUMENKRISTALLEN ODER -KRISTALLSCHICHTEN AUS METALLSCHMELZEN
8 EP1806440 Verfahren zur Herstellung eines Aluminiumnitrideinkristalls und Aluminiumnitrideinkristall
9 EP1801269 Verfahren zur Herstellung einer freistehenden III-V Schicht und dadurch hergestelltes freistehende III-N Substrat
10 EP1788126 Verfahren zur Herstellung einkristallinen dicken Schichten aus Gallium Nitrid
11 EP1778897 III-NITRID-MATERIALIEN MIT GERINGER VERSETZUNGSDICHTE UND DAMIT ASSOZIIERTE VERFAHREN
12 EP1777325 Einkristalline Scheibe aus a-Plane Nitrid-Halbleiter mit einer Orientierungs-Aufflachung
13 EP1775356 Kristallziehungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Gruppe-III-Nitrid Kristallen
14 EP1772541 Galliumnitriddünnschicht auf einem Saphirsubstrat mit reduzierter Verformung
15 EP1743961 VERBINDUNGSHALBLEITERSUBSTRAT
16 EP1731632 Substrat aus Nitrid-Halbleiter und Verfahren zu seiner Herstellung
17 EP1724378 Epitaktisches Substrat, Halbleiterbauteil, Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Substrats und Verfahren zur unregelmässigen Verteilung von Versetzungen in einer Gruppe III-Nitrid Kristall
18 EP1694887 KONTROLLIERTES WACHSTUM VON GALLIUMNITRID-NANOSTRUKTUREN
19 EP1634981 INDIUMPHOSPHIDSUBSTRAT, INDIUMPHOSPHIDEINKRISTALL UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
20 EP1624095 Einkristallines Substrat aus Nitrid-Halbleiter und Verfahren zu seiner Herstellung
21 EP1614776 Verfahren zur Herstellung eines Einkristalles aus Aluminumnitrid
22 DE69118941T2 Zusammengesetztes Halbleitersubstrat und Verfahren zu seiner Herstellung
23 DE69019639T2 PLÄTTCHEN AUS HALBLEITERKOMPOSIT.
24 DE69103464T2 Halbisolierende Indiumphosphid-Einkristalle und Verfahren zu ihrer Herstellung.
25 DE3614079A1 Einkristall einer III/V-Verbindung, insbesondere GaAs und Verfahren zu seiner Herstellung
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