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No Patent No Titel
1 EP1620583 HALBLEITERSUBSTRAT, HALBLEITERVORRICHTUNG, LEUCHTDIODE UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
2 DE10036672B4 GaAs-Flüssigphasenepitaxiewafer und Verfahren zum Herstellen desselben
3 DE102004015863A1 Siliziumdotierter Galliumarsenideinkristallblock und Herstellungsverfahren für diesen, und Herstellungsvorrichtung für einen Verbindungshalbleitereinkristallblock
4 DE69914820T2 Verbindungshalbleiter-Kristall und Verfahren zu seiner Herstellung
5 EP1428912 Verfahren zur Herstellung eines kohlenstoffdotierten Verbindungshalbleiter-Kristalls
6 EP0947609 Verbindungshalbleiter-Kristall und Verfahren zu seiner Herstellung
7 DE10036672A1 GaAs-Einkristallwafer und GaAs-Flüssigphasenepitaxiewafer
8 DE3815575C2 Halbisolierender GaAs-Einkristall mit gesteuerter Konzentration an Verunreinigungen und Verfahren zu seiner Herstellung
9 DE3830170C2 GaAs-Einkristallstab und Verfahren zu seiner Herstellung sowie seine Verwendung
10 EP0485537 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EBENER GaAS OBERFLÄCHEN.
11 DE4021252A1 GaAs-Einkristall mit geringer Versetzungsdichte und Verfahren zum Züchten desselben
12 DE3830170A1 Verfahren zur Herstellung eines GaAs-Einkristalls
13 DE3815575A1 Halbisolierender GaAs-Einkristall mit gesteuerter Konzentration an Verunreinigungen und Verfahren zu seiner Herstellung
14 DE3623508A1 Verfahren zur Abscheidung von Galliumarsenidschichten
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IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

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