| No |
Patent No |
Titel |
| 1 |
DE69637074T2 |
Halbleiterspeicheranordnung |
| 2 |
DE112004003023T5 |
Halbleiterbauelement und Verfahren zum Steuern des Halbleiterbauelements |
| 3 |
EP1859452 |
MULTIPLIKATIONSREDUNDANTES RAID-SYSTEM UND XOR-EFFIZIENTE IMPLEMENTIERUNG |
| 4 |
DE112004003022T5 |
Halbleiterbauelement und Verfahren zum Steuern desselben |
| 5 |
DE69936028T2 |
Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher |
| 6 |
EP1859448 |
NICHTFLÜCHTIGER SPEICHER UND VERFAHREN MIT STROMSPARENDEN LESE- UND PROGRAMMVERIFIZIEROPERATIONEN |
| 7 |
EP1859451 |
VERFAHREN ZUR ERZIELUNG VON ABNUTZUNGSAUSGLEICH IN EINEM FLASH-SPEICHER UNTER VERWENDUNG RELATIVER GRADUIERUNGEN |
| 8 |
EP1467377 |
Leseverfahren eines nichtflüchtigen Halbleiterspeichers und zugehörige Vorrichtung |
| 9 |
DE10105285B4 |
Halbleiterspeicher mit Precharge-Steuerung |
| 10 |
DE602005001094T2 |
Wärmeabstrahlungs-und- Schutzvorrichtung für einen Speichersteifen |
| 11 |
EP1860663 |
Vorrichtung zur Verarbeitung eines Eingabesignals |
| 12 |
DE102007028154A1 |
Wärmesensor mit Umschaltsteuerung |
| 13 |
EP1540660 |
VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR ERKENNUNG VON FEHLERN WÄHREND DES SCHREIBENS IN EINEN NICHTFLÜCHTIGEN SPEICHER |
| 14 |
EP1416495 |
Behandlung von einem Tunnelbarrierenschicht |
| 15 |
EP1860661 |
Schreib- und Leseverfahren für Floating-Gate-Speicherzelle |
| 16 |
EP1859450 |
STEUERUNG EINER SPEICHERMATRIX MIT WIDERSTANDSHYSTERESE-ELEMENTEN |
| 17 |
EP1859449 |
ANSTEUERUNG EINER SPEICHERMATRIX VON WIDERSTANDSHYSTERESEELEMENTEN |
| 18 |
DE69936039T2 |
Prüfungsschaltung zur Messung des Ausganspotentials einer Spannungserhöhungsschaltung in einer Halbleiter-IC-Schaltung |
| 19 |
EP1511041 |
Magnetische Speicherzelle und magnetische Speichervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
| 20 |
EP1860662 |
Decodierschaltung zur Verwendung in einer nichtflüchtigen Halbleiterspeichervorrichtung |
| 21 |
DE112006000516T5 |
Schneller Leseanschluss für Registerdatei |
| 22 |
EP1858023 |
Speichervorrichtung mit einer nicht-flüchtigen Speichermatrix |
| 23 |
DE10120054B4 |
Halbleiterspeicherbauelement |
| 24 |
EP1858021 |
Phasenwechselspeicher mit Wärmestrahlungssensor |
| 25 |
DE60313462T2 |
SUBLITHOGRAPHISCHE NANOBEREICHS-SPEICHERARCHITEKTUR |
| 26 |
DE102007028472A1 |
Anordnung einer Doppelbitzelle in einem NV-SRAM Speicherschaltkreis |
| 27 |
EP1858026 |
Halbleiterspeichervorrichtung mit reduziertem Stromverbrauch |
| 28 |
DE19963502B4 |
Schaltungsanordnung für einen integrierten Halbleiterspeicher mit Spaltenzugriff |
| 29 |
DE112005003425T5 |
Einzelchip mit magnetoresistivem Speicher |
| 30 |
EP1858025 |
Halbleiterspeicher mit internem und externem Refresh |
| 31 |
DE202007011988U1 |
Abschirmeinrichtung gegen elektromagnetische Beeinflussung |
| 32 |
DE60222354T2 |
Halbleiterspeicheranordnung |
| 33 |
DE60313302T2 |
SPEICHERMODULBAUGRUPPE, DIE TEILWEISE DEFEKTE CHIPS VERWENDET |
| 34 |
EP1858022 |
Halbleiterspeicher und Betriebsverfahren dafür |
| 35 |
EP1858028 |
Testvorrichtung für Speicher |
| 36 |
EP1858024 |
Halbleiterspeicher und Steuerungsverfahren für den Auffrischungszyklus |
| 37 |
EP1598831 |
Verbesserter Seitenspeicher für eine programmierbare Speichervorrichtung |
| 38 |
EP1858027 |
Leseanordnung für Halbleiterspeicher |
| 39 |
EP1622166 |
Integrierender und abtastender Verstärker für Pulslängen-angepasstes Filter |
| 40 |
DE112006000217T5 |
Anschlussflächennahe Ordnungslogik |
| 41 |
DE102005040109B4 |
Halbleiterspeicherchip |
| 42 |
DE102006041018B3 |
Speicherschaltung |
| 43 |
EP1555673 |
Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher und dessen Betriebsverfahren |
| 44 |
EP1305803 |
INTEGRIERTE SCHALTUNG MIT TEMPERATURSENSOR |
| 45 |
DE102005004379B4 |
Speicherbauelement und Verfahren zum Testen von Speicherbauelementen mit reparaturfähiger Redundanz |
| 46 |
EP1412948 |
MAGNETISCHE SPEICHEREINHEIT UND MAGNETISCHES SPEICHERARRAY |
| 47 |
EP1430484 |
MAGNETISCHE SPEICHERANORDNUNG BESCHREIBBAR DURCH SPIN-POLARISIERTEN STROM UNTER BENÜTZUNG VON AMORPHEN FERRIMAGNETISCHEN LEGIERUNGEN, UND SCHREIBVERFAHREN IN DIESER SPEICHERANORDNUNG |
| 48 |
DE60127635T2 |
Speicher, Verfahren und Anordnung zum Schreiben und Lesen |
| 49 |
EP1649468 |
KOMPENSATION EINER LANGEN LESEZEIT EINER SPEICHERVORRICHTUNG IN DATENVERGLEICHS- UND SCHREIBOPERATIONEN |
| 50 |
DE60127651T2 |
Bitleitungs-Vorladungs- und -Entladungsschaltung zum Programmieren eines nichtflüchtigen Speichers |
| 51 |
EP1438722 |
MAGNETSPEICHER MIT SCHREIBSPERRAUSWAHL UND SCHREIBVERFAHREN DAFÜR |
| 52 |
DE102007028246A1 |
Magnetoresistive Speicherzelle, Verfahren zum Programmieren einer magnetoresistiven Speicherzelle und Verfahren zum Auslesen einer magnetoresistiven Speicherzelle |
| 53 |
DE102006028483A1 |
Verfahren zum Zugreifen auf einen Speicher |
| 54 |
DE102004032402B4 |
Speichercontroller mit mehreren parallelen Transferblöcken |
| 55 |
DE102007023533A1 |
Nichtflüchtiges Multibit-Speicherelement, System und Verfahren zum Programmieren eines nichtflüchtigen Multibit-Speicherelements |
| 56 |
EP1854102 |
MEHRSTUFIGE PROGRAMMIERUNG BEI EINER NICHTFLÜCHTIGEN SPEICHERVORRICHTUNG |
| 57 |
DE10318771B4 |
Integrierte Speicherschaltung mit einer Redundanzschaltung sowie ein Verfahren zum Ersetzen eines Speicherbereichs |
| 58 |
DE60127260T2 |
VERFAHREN ZUR VERMINDERUNG KAPAZITIVER LAST IN EINEM FLASH-SPEICHER-ZEILENDEKODIERER ZUR GENAUEN SPANNUNGSREGULIERUNG VON WORT- UND AUSWAHLLEITUNGEN |
| 59 |
DE102007006308A1 |
Halbleiterbauelement und Verfahren zum Kompensieren eines Spannungsabfalls |
| 60 |
EP1483763 |
EXTRAKTION EINES BINÄRCODES AUS DEN PHYSISCHEN PARAMETERN EINER INTEGRIERTEN SCHALTUNG |
| 61 |
DE60219526T2 |
MAGNETISCHE TUNNELÜBERGANGSEINRICHTUNG, SPEICHER UND SCHREIBE- UND LESE- VERFAHREN UNTER VERWENDUNG EINER SOLCHEN |
| 62 |
DE102004051152B4 |
NOR-Speicheranordnung von resistiven Speicherelementen |
| 63 |
DE60033873T2 |
Ein DRAM fähig zur selektiven Ausführung eines Selbstauffrischungsvorgangs |
| 64 |
EP1852873 |
Magnetspeichervorrichtung |
| 65 |
DE602004007865T2 |
Integrierte Halbleiterschaltung mit Temperaturdetektor |
| 66 |
DE60221490T2 |
Verfahren zum Datenzugriff in einer Auffrischung benötigenden Halbleiterspeicheranordnung und Halbleiterspeicheranordnung dafür |
| 67 |
DE602004008877T2 |
MOLEKULAR-CROSSBAR-LATCH MIT GESTEUERTEM EINGANG |
| 68 |
EP1851771 |
NAND-FLASH-SPEICHERSYSTEMARCHITEKTUR |
| 69 |
EP1852872 |
Dualport-RAM-Speicherschaltung |
| 70 |
DE60314279T2 |
2T2C-SIGNALRAUMTESTMODUS UNTER VERWENDUNG EINES RESISTIVEN ELEMENTS |
| 71 |
EP1852874 |
Magnetspeichervorrichtung |
| 72 |
DE102005053486B4 |
Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines n-Bit Ausgangszeigers, Halbleiterspeicher und Verfahren |
| 73 |
EP1771861 |
ZUGRIFF AUF PHASENÄNDERUNGSSPEICHER |
| 74 |
DE102007022945A1 |
Speichermodul, Speichersystem und Datenverarbeitungssystem |
| 75 |
DE60312961T2 |
MULTI-LEVEL SPEICHERZELLE |
| 76 |
DE60034103T2 |
System und Verfahren zur Handhabung einer Unterbrechung der Versorgungsspannung in einem nichtflüchtigen Speicher |
| 77 |
EP1850347 |
Verfahren und Vorrichtung zum Schreiben auf einen Flash-Speicher |
| 78 |
DE602004008030T2 |
MRAM-ARCHITEKTUR MIT EINER MIT MASSE VERBUNDENEN SCHREIBBITLEITUNG UND EINER ELEKTRISCH ISOLIERTEN LESEBITLEITUNG |
| 79 |
DE102007027024A1 |
Speichersystem mit einer Zeitsteuerschaltung und ein Verfahren zum Austauschen von Daten und Taktsignalen zwischen einer Speichersteuereinheit und einem Speicherbauelement |
| 80 |
DE102006025956B3 |
Nicht-flüchtiges Speicherzellenfeld |
| 81 |
DE112005003106T5 |
Puffertyp für einen Multi-Rank Dual Inline Memory Module bzw. Mehrrang-Doppelreihenanschluss-Speichermodul (DIMM) |
| 82 |
DE10058324B4 |
Eingangsschaltung für einen integrierten Speicher |
| 83 |
DE102006025291B3 |
Integrierter elektrischer Baustein mit regulären und redundanten Elementen |
| 84 |
DE69936119T2 |
Verschachtelte Bewerterschaltung mit einseitiger Vorladungsschaltung |
| 85 |
EP1849161 |
REGISTERLESEN FÜR FLÜCHTIGEN SPEICHER |
| 86 |
EP1850348 |
Verfahren und Vorrichtung zum Schreiben auf einen Flash-Speicher |
| 87 |
DE112005003436T5 |
Halbleiterbauelement, Adressenzuordnungsverfahren und Verifizierungsverfahren |
| 88 |
EP1252633 |
GESCHALTETE OPERATIONSVERSTÄRKER-TECHNIK FÜR SCHALTUNGEN MIT GESCHALTETER KAPAZITÄT UNTER NIEDRIGER SPANNUNG |
| 89 |
DE102006027381A1 |
Integrierte Speichervorrichtung, Verfahren zum Testen einer integrierten Speichervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Speicherkarte |
| 90 |
EP1320102 |
Magnetischer Direktzugriffspeicher und sein Betriebsverfahren |
| 91 |
DE60312729T2 |
INTELLIGENTE VERIFIKATION VON SPEICHERN MIT MEHREREN ZUSTÄNDEN |
| 92 |
EP1847999 |
Schaltung und Verfahren zur Bestimmung des resistiven Status einer resistiven Speicherzelle |
| 93 |
DE102006025913A1 |
Eine Adaptervorrichtung für Speicherkarten |
| 94 |
EP1848000 |
Zeilentreiberschaltung und zugehörige organische lichtemittierende Anzeige |
| 95 |
DE10146931B4 |
Verfahren und Anordnung zum Ersetzen fehlerhafter Speicherzellen in Datenverarbeitungsvorrichtungen |
| 96 |
EP1433181 |
STROMQUELLE UND DRAINANORDNUNG FÜR MAGNETORESITIVE SPEICHER |
| 97 |
DE112005003380T5 |
Mehrpegel-ONO-Flash-Programmieralgorithmus zur Steuerung der Breite der Schwellwertverteilung |
| 98 |
DE102007021617A1 |
Signalverarbeitungsschaltung |
| 99 |
DE60035827T2 |
Halbleiterspeicherkarte, Wiedergabegerät, Aufnahmegerät, Wiedergabeverfahren, Aufnahmeverfahren und vom Computer lesbarer Aufzeichnungsträger |
| 100 |
EP1848001 |
"Soft-Error"-Erkennung und Sensitivitätserkennung für programmierbare Vorrichtungen |
