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No Patent No Titel
1 EP1416495 Behandlung von einem Tunnelbarrierenschicht
2 EP1852873 Magnetspeichervorrichtung
3 EP1320102 Magnetischer Direktzugriffspeicher und sein Betriebsverfahren
4 EP1844471 MAGNETISCHER ROM-INFORMATIONSTRÄGER MIT ZUSÄTZLICHER STABILISIERUNGSSCHICHT
5 EP1690261 VERFAHREN UND EINRICHTUNG ZUR VERHINDERUNG EINER FALSCHEN PROGRAMMIERUNG EINES MAGNETORESISTIVEN SPEICHERELEMENTS
6 EP1627392 SCHALTUNGSKONFIGURATION FÜR EINEN STROMSCHALTER EINER BIT-/WORTLEITUNG EINES MRAM-BAUSTEINS
7 EP1486985 Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung und deren Steuerungsverfahren
8 DE602004004566T2 Nichtflüchtiger Speicher und sein Programmier- und Löschverfahren
9 EP1826770 Magnetische Tunnelübergangszelle für Logikschaltung und Betriebsverfahren dafür
10 DE102006028387A1 Magnetische Speichervorrichtung und Verfahren zum Ansteuern derselben
11 EP1826771 Magnetspeichervorrichtung unter Verwendung von Dragging einer magnetischen Domäne
12 EP1826772 Magnetspeichervorrichtung und Verfahren zum Schreiben von Daten in eine Magnetspeichervorrichtung
13 EP1826773 Magnetspeichervorrichtung unter Verwendung der Bewegung magnetischer Domänen
14 EP1814120 Magnetischer Domain-Verschiebungsspeicher und Betriebsverfahren
15 DE60309190T2 MAGNETELEMENT MIT SPINTRANSFER UND MRAM-BAUELEMENT MIT DEM MAGNETELEMENT
16 DE69932872T2 Magnetisches Dünnfilmelement, Speicherelement damit und Schreibe- und Leseverfahren mit einem solchen Speicherelement
17 EP1455363 Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher
18 EP1340230 MAGNETORESISTIVER SPEICHER UND VERFAHREN ZU SEINEM AUSLESEN
19 EP1788576 Referenzzellenschema für MRAM Speicher
20 DE69935148T2 EINE MAGNETORESISTIVE RAM SPEICHERZELLE MIT GERINGER UMSCHALTFELDSTÄRKE
21 EP1108257 EINE MAGNETORESISTIVE RAM SPEICHERZELLE MIT GERINGER UMSCHALTFELDSTÄRKE
22 EP1751766 DIGITAL-MAGNETSTROMSENSOR UND LOGIK
23 EP1489620 Nichtflüchtiger Speicher und sein Programmier- und Löschverfahren
24 EP1148511 MRAM-Speicher
25 EP1743340 NICHTFLÜCHTIGER PROGRAMMIERBARER SPEICHER
26 EP1727148 Magnetischer Direktzugriffsspeicher mit gestapelten Kippschalterspeicherzellen mit entgegengerichteter Easy-Axis-Vorspannung
27 DE69932589T2 MAGNETISCHER TUNNELÜBERGANG MIT GERINGER UMSCHALTFELDSTÄRKE FÜR MAGNETISCHE MEHRZUSTANDSSPEICHERZELLE
28 EP1552526 MAGNETELEMENT MIT SPINTRANSFER UND MRAM-BAUELEMENT MIT DEM MAGNETELEMENT
29 DE60212903T2 Magnetisches Aufzeichnungselement, magnetischer Speicher, magnetisches Aufzeichnungsverfahren, Herstellungsverfahren für ein magnetisches Aufzeichnungselement, und Herstellungsverfahren für einen magnetischen Speicher
30 EP1701356 Speicherzelle und Speichervorrichtung
31 DE102006008264A1 MRAM Zelle mit Domänenwandumschaltung und Feldauswahl
32 EP0933782 Magnetisches Dünnfilmelement, Speicherelement damit und Schreibe- und Leseverfahren mit einem solchen Speicherelement
33 DE60303835T2 Magnetischer Direktzugriffsspeicher sowie entsprechendes Leseverfahren
34 EP1690262 NICHTHOMOGENE ABSCHIRMUNG EINES MRAM-CHIPS MIT EINEM MAGNETFELDSENSOR
35 EP0875901 Magnetisches Dünnfilmspeicherelement unter Verwendung des GMR-Effekts und magnetischer Dünnfilmspeicher
36 EP1038299 MAGNETISCHER TUNNELÜBERGANG MIT GERINGER UMSCHALT-FELDSTÄRKE FÜR MAGNETISCHE MEHRZUSTANDS-SPEICHERZELLE
37 DE102004042338B4 MRAM mit verbesserten Speicher- und Ausleseeigenschaften
38 DE60211531T2 MRAM MIT MITTELPUNKTSREFERENZGENERATOR
39 DE60303194T2 ANTIFERROMAGNETISCH STABILISIERTES PSEUDODREHVENTIL FÜR SPEICHERANWENDUNGEN
40 DE69930129T2 MRAM SPEICHER MIT MEHREREN SPEICHERBANKEN
41 EP1262992 Magnetisches Aufzeichnungselement, magnetischer Speicher, magnetisches Aufzeichnungsverfahren, Herstellungsverfahren für ein magnetisches Aufzeichnungselement, und Herstellungsverfahren für einen magnetischen Speicher
42 DE102006001117A1 Verfahren und Apparat für Strom-Erfass-Verstärker-Kalibrierung in MRAM-Einrichtungen
43 DE60025152T2 MRAM Speicher mit Differenzleseverstärkern
44 EP1376598 Speicherzelle und Speichervorrichtung
45 EP1665279 AKTIVE ABSCHIRMUNG FÜR EINE SCHALTUNG MIT MAGNETISCH EMPFINDLICHEN MATERIALIEN
46 DE60207006T2 Magneto-resistiver Film und Speicher mit diesem Film
47 DE102005053717A1 Erfass-Verstärker-Bitleitungs-Verstärkungs-Schaltkreis
48 DE10301092B4 MRAM-Speicherzelle
49 EP1658614 MAGNETSPEICHERELEMENT MIT SPIN-TRANSFERWECHSEL UND SPEICHERUNG MEHRERER BIT
50 EP1423855 MRAM MIT MITTELPUNKTSREFERENZGENERATOR
51 DE60301344T2 MATERIALKOMBINATION FÜR TUNNELÜBERGANGSDECKSCHICHT, HARTMASKE UND STACKKEIMSCHICHT IN DER MRAM-HERSTELLUNG
52 DE60205569T2 MRAM mit gestapelten Speicherzellen
53 EP1447810 Magnetischer Direktzugriffsspeicher sowie entsprechendes Leseverfahren
54 EP1105879 MRAM SPEICHER MIT MEHREREN SPEICHERBANKEN
55 DE69927487T2 Verfahren zum Schreiben und Lesen von magnetoresistiven Speichern
56 EP1620858 BAUELEMENT MIT EINER IN IHRER FUNKTIONALIT T KONFIGURIERBARE N LOGIKSCHALTUNGSANORDNUNG
57 DE60300379T2 Magnetisches Logikelement, magnetisches Speicherelement und Aufreihungen derselben
58 EP1474806 ANTIFERROMAGNETISCH STABILISIERTES PSEUDODREHVENTIL FÜR SPEICHERANWENDUNGEN
59 DE60201625T2 Halbleiterspeicheranordnung mit Magnetwiderstandselement und Herstellungsverfahren
60 DE102004042338A1 MRAM mit verbesserten Speicher- und Ausleseeigenschaften
61 EP1126468 MRAM Speicher mit Differenzleseverstärkern
62 EP1610340 MAGNETSPEICHERBAUSTEIN, LESEVERSTÄRKERSCHALTUNG UND LESEVERFAHREN EINES MAGNETSPEICHERBAUSTEINS
63 EP1610339 MAGNETSPEICHERVORRICHTUNG UND LESEVERFAHREN DAFÜR
64 DE60021997T2 Magnetischer MRAM Speicher mit einer darin integrierten Halbleiteranordnung
65 DE69924655T2 Magnetische Tunnelübergangsvorrichtungen
66 DE69923244T2 Magnetoresistiven Speicheranordnungen
67 DE112004000152T5 Magnetspeicher, Schreibstrom-Treiberschaltung und Schreibstrom-Treiberverfahren
68 EP1593126 MRAM-ARCHITEKTUR FÜR NIEDRIGE STROMAUFNAHME UND HOHE SELEKTIVITûT
69 EP1265249 Magneto-resistiver Film und Speicher mit diesem Film
70 EP1062667 VERFAHREN ZUM SCHREIBEN UND LESEN VON MAGNETO-RESISTIVEN SPEICHERN (MRAM)
71 DE102005005584A1 1R1D-MRAM-Blockarchitektur
72 DE69826090T2 Magnetische Tunnelübergangseinrichtung mit verbesserten ferromagnetischen Schichten
73 EP1495470 MATERIALKOMBINATION FÜR TUNNELÜBERGANGSDECKSCHICHT, HARTMASKE UND STACKKEIMSCHICHT IN DER MRAM-HERSTELLUNG
74 EP1109169 Magnetischer MRAM Speicher mit einer darin integrierten Halbleiteranordnung
75 EP1321941 MRAM mit gestapelten Speicherzellen
76 EP1003176 Magnetischer Speicher
77 DE102004039235A1 Speicherzellenfolgen
78 DE102004039236A1 System und Verfahren zum Lesen einer Speicherzelle
79 DE60201036T2 Verfahren zum Herstellen von Verkleidungsschicht auf einem Top-leiter
80 DE102004059409A1 Magnetische Speichervorrichtung
81 EP1542235 ZUSAMMENGESETZTE SPEICHERSCHALTUNG UND HALBLEITERBAUELEMENT MIT DERSELBEN ZUSAMMENGESETZTEN SPEICHERSCHALTUNG
82 DE102004031140A1 Speichervorrichtung
83 EP1527455 MAGNETORESISTIVER ZUGRIFFSPEICHER (MRAM) MIT REDUZIERTEM SCHALTFELD
84 DE102004030587A1 Thermisch gestützte magnetische Speicherstrukturen
85 DE102004024377A1 Wärmeunterstützte Schaltarraykonfiguration für MRAM
86 EP0936623 Magnetische Tunnelübergangsvorrichtungen
87 DE102004025422A1 Resistiver Kreuzpunktspeicher
88 DE102004028114A1 Speicher
89 EP1521269 Magnetischer Speicher mit asymmetrischer Struktur
90 DE102004023821A1 Magnetischer Speicher mit einer Fehlerkorrekturcodierung
91 DE102004028696A1 Magnetische Speichervorrichtung, die Gruppen von in Reihe geschalteten Speicherelementen aufweist
92 EP1349172 Magnetisches Logikelement, magnetisches Speicherelement und Aufreihungen derselben
93 DE102004029955A1 Vergrößerte Magnetspeicherarraygrößen und Betriebsreserven
94 EP1504456 METHODE ZUR HERSTELLUNG VERSETZTER MRAM ZELLEN IN EINEM DOPPEL-DAMASZENER PROZESS MIT REDUZIERTER ANZAHL VON ÄTZSCHRITTEN
95 EP0936624 Magnetoresistiven Speicheranordnungen
96 DE69920390T2 MRAM MIT GETEILTEN WORT-UND BITLEITUNGEN
97 EP1496518 SPEICHEREINRICHTUNG MIT EINEM WIDERSTANDSVERÄNDERLICHEN SPEICHERELEMENT UND REFERENZ-WIDERSTANDSWERTENTSCHEIDUNGSVERFAHREN FÜR DIE EINRICHTUNG
98 EP1490878 PIXELINTERNER SPEICHER FÜR DISPLAY-EINRICHTUNGEN
99 DE60013079T2 Doppeltes magnetisches Element mit zwei magnetischen Zuständen und Herstellungsverfahren dafür
100 DE102004008218A1 Wiedergewinnen von in einem integrierten Magnetspeicher gespeicherten Daten
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