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No Patent No Titel
101 DE60203677T2 Verfahren zum Ändern der Schaltfeldeigenschaften von magnetischen Tunnelübergängen
102 DE60108543T2 Verbesserte Referenzschichtstruktur in einer magnetischen Speicherzelle
103 EP1580759 Vorrichtung zum Erzeugen eines Schreibstroms in einem MRAM und eine solche Vorrichtung enthaltender Speicher
104 EP1610341 Magnetisches Speicherzellenfeld mit benachbarter gekoppelter weichmagnetischer Schicht
105 EP1607980 Neue Abdeckstruktur zum Verbessern von dR/R einer MTJ-Vorrichtung
106 EP1600977 Magnetische Multibit-Speicherzellenvorrichtung mit wahlfreiem Zugriff
107 DE10158795B4 Magnetoresistive Speicherzelle mit dynamischer Referenzschicht
108 EP1595263 MAGNETSPEICHER MIT SPINDETEKTION
109 EP1592023 Magnetisches Direktzugriffspeicherelement.
110 EP1488426 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER REFERENZSCHICHT UND MIT EINER DERARTIGEN REFERENZSCHICHT VERSEHENE MRAM-SPEICHERZELLE
111 EP1425754 KOMPENSATION EINES MAGNETISCHEN BIASFELDES IN EINER SPEICHERSCHICHT EINER MAGNETORESISTIVEN SPEICHERZELLE
112 EP1585138 Magnetischer Direktzugriffspeicherarray mit Freischichtsperrmechanismus
113 EP1581951 SPEICHER MIT EINER VORLADESCHALTUNG UND VERFAHREN DAFÜR
114 EP1580760 MRAM mit hoher Stromdichte
115 EP1580758 Magnetspeicher mit drei Leiterbahnen pro Zelle und magnetisch weicher Referenzschicht
116 EP1573744 STROMUMLENKSCHEMA FÜR EINEN SERIELL PROGRAMMIERTEN MRAM
117 EP1575054 Magnetische Abschirmung und magnetische Speichervorrichtung
118 EP1570487 ARCHITEKTUR FÜR HOCHGESCHWINDIGKEITSSPEICHERN
119 EP1568040 VERFAHREN UND EINRICHTUNG ZUR VERBESSERTEN MAGNETFELDERZEUGUNG WûHREND EINER SCHREIBOPERATION EINES MAGNETORESISTIVEN SPEICHERBAUSTEINS
120 EP1568039 MAGNETISCHE SPEICHERARCHITEKTUR MIT VERTEILTER STROMLEITUNG
121 EP1568038 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM ERKENNEN DES BEGINNS EINER THERMISCHEN RELAXATION IN MAGNETISCHEN DATENSPEICHERN
122 EP1564750 Magnetischer Direktzugriffsspeicher sowie entsprechendes Leseverfahren
123 EP1359590 Magnetspeichervorrichtungen
124 EP1561220 PROGRAMMIERBARER MAGNETISCHER SPEICHERBAUSTEIN
125 EP1559106 MAGNETSPEICHERBAUSTEIN
126 DE102005002526A1 Wärmeunterstützte Magnetspeichervorrichtung mit gesteuerter Temperatur
127 EP1560223 Stromschwellendetektor
128 EP1376600 Datenspeichervorrichtung
129 EP1556862 MAGNETISCHE SPEICHERANORDNUNG
130 EP1403874 Digitale Speicheranordnung
131 EP1556864 STRUKTURIERUNG VON METALLSTAPELSCHICHTEN EINER MAGNETSCHALTEINRICHTUNG DURCH VERWENDUNG EINER ZWEISCHICHT-METALLHARTMASKE
132 EP1339067 MRAM Architektur
133 EP1550132 PROGRAMMIERBARER MAGNETSPEICHERBAUSTEIN, FP-MRAM
134 EP1547090 MAGNETISCHER DIREKTZUGRIFFSSPEICHER MIT VERTIKAL-SCHREIBLEITUNG
135 EP1542236 Anordnung und Verfahren zur Analyse eines magnetischen Direktzugriffspeichers
136 EP1540656 SPEICHERERSETZUNGSANORDNUNG
137 EP1538631 Regeln eines Schreibstromes eines magnetischen Speichers
138 DE102004033159A1 Erwärmen von MRAM-Zellen, um ein Umschalten zwischen Zuständen zu erleichtern
139 EP1531481 Magnetische Tunnelübergangsanordnungszelle, enthaltend eine freie magnetische Schicht mit niedrigem magnetischem Moment und magnetischer Direktzugriffsspeicher mit dieser Zelle
140 EP1529290 SPEICHERSCHALTUNGEN
141 EP1528568 Magnetische Speicheranordnung mit einer stromführenden Referenzschicht
142 EP1528569 Magnetoresistives Element Element , magnetische Speicherzelle und magnetische Speicheranordnung
143 EP1525584 MAGNETORESISTIVER DIREKTZUGRIFFSPEICHER MIT WEICHMAGNETISCHEN REFERENZSCHICHT
144 EP1524672 Magnetische Speichereinrichtung und Verfahren zum Herstellen von der magnetischen Speichereinrichtung
145 DE102004033113A1 Magnetspeichervorrichtung
146 EP1523011 Magnetoresistives element, magnetische Speicherzelle und magnetische Speicheranordnung
147 EP1449220 MAGNETORESISTIVE SPEICHERZELLE MIT DYNAMISCHER REFERENZSCHICHT
148 EP1419506 STEUEREINRICHTUNG ZUR UMKEHR DER MAGNETISIERUNGSRICHTUNG OHNE EIN EXTERNES MAGNETFELD
149 EP1513158 Magnetoresistives Element, magnetische Speicherzelle, und magnetische Speicherordnung
150 EP1505606 Magnetische Speicherzelle und magnetische Speicheranordnung mit einer derartigen Zelle
151 DE102004015575A1 Verfahren, Vorrichtung und System zum Löschen und Schreiben eines magnetischen Direktzugriffsspeichers
152 DE102004015555A1 Verfahren zum adaptiven Schreiben eines magnetischen Direktzugriffsspeichers
153 DE102004015526A1 Logischer Datenblock, magnetischer Direktzugriffsspeicher, Speichermodul, Computersystem und Verfahren
154 EP1500108 HALBLEITERSPEICHEREINRICHTUNG UND BETRIEBSVERFAHREN FÜR EINE HALBLEITERSPEICHEREINRICHTUNG
155 EP1492123 Magnetischer Speicher
156 DE60200888T2 REFERENZSCHALTUNG FÜR MRAM ZELLE
157 EP1480226 MRAM in dem die Kreuzpunktzellen nach einem hierarchischen Bitleitungsschema angeordnet sind und Schreibverfahren dafür
158 EP1476875 MRAM OHNE ISOLATIONSEINRICHTUNGEN
159 EP1474807 BESCHREIBEN EINES SKALIERBAREN MRAM-ELEMENTS
160 EP1473735 Magnetische Doppelübergangsspeicheranordnung und Leseverfahren
161 EP1471536 Magnetischer Direktzugriffsspeicher mit Oxidationsschutzschicht und Verfahren zu seiner Herstellung
162 EP1466330 RESISTENTE SPEICHERELEMENTE MIT VERRINGERTER RAUHIGKEIT
163 EP1467376 Speicherzelle, Speichervorrichtung und Herstellungsverfahren für eine Speicherzelle
164 DE60008250T2 VERFAHREN UND ANORDNUNG ZUM LESEN EINES MAGNETORESITIVEN SPEICHERS
165 EP1463060 Verfahren zur Herstellung eines Widerstands-Kreuzpunkt-Speichers im Nanometerbereich und Vorrichtung
166 EP1459324 MAGNETISCHE ANORDNUNGEN MIT ERHÖHTER STABILITÄT ZUR VERWENDUNG ALS SUB-MICRON SPEICHER
167 EP1354320 AUSWAHLEINRICHTUNG FÜR EINE HALBLEITERSPEICHEREINRICHTUNG
168 EP1454324 SEGMENTIERTE SCHREIBLINIENGESTALTUNG
169 DE10358964A1 Magnetowiderstandsdirektzugriffsspeicher und Herstellungsverfahren hierzu
170 EP1449219 MRAM-SPEICHER MIT EINSTELLBARER SKALIERBARKEIT
171 EP1445774 Magnetische Ddirektzugriff -Speicheranordnung
172 EP1377983 REFERENZSCHALTUNG FÜR MRAM ZELLE
173 DE60009431T2 Magnetische Speicheranordnung
174 EP1441362 Magnetische Direktzugriffspeicheranordnungen
175 EP1441361 Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung
176 EP1435098 MRAM BITLEITUNGWORTLEITUNGSARCHITEKTUR
177 EP1429342 MRAM mit NAND-Struktur
178 EP1426966 Nichtflüchtige Speicherzelle und nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung
179 EP1342242 MRAM-ANORDNUNG MIT AUSWAHLTRANSISTOREN GROSSER KANALWEITE
180 EP1422720 Magnetischer RAM Speicher
181 EP1422721 Magnetische Speicheranordnung, Schreibestromtreiberschaltung und -verfahren
182 EP1420410 Stromsparendes Lesen in magnetischen Speicheranordnungen
183 EP1420411 MRAM mit asymmetrisch-beschichtetem Leiter
184 EP1418591 Magnetische Vorrichtung
185 EP1414044 MRAM und Schreibverfahren
186 EP1411525 Magnetische Speicheranordnung, Herstellungsverfahren und Schreib/Leseverfahren
187 EP1406266 Magnetischer Speicher und zugehöriges Schreib/Leseverfahren
188 EP1403875 Magnetoresistives Element und Magnetischer Speicher die hohe Dichte ermöglischen
189 EP1398790 Element mit magnetoresistivem Effekt, magnetische Speicheranordnung und zugehöriges Herstellungsverfahren
190 EP1391894 Magnetische Speicheranordnung und Methode zum Lesen/Schreiben
191 EP1389780 Integrierte Halbleitrschaltungsanordnung
192 EP1383133 Magnetische Speicheranordnung und Verfahren
193 DE60004215T2 LOKALE ABSCHIRMUNG FÜR SPEICHERZELLEN
194 EP1376601 Magnetoresitive Anordnungen
195 EP1376599 Magnetische Speicheranordnung mit XP-Zelle and STR-Zelle in einem Chip
196 EP1369875 Auslesen von Datenspeichervorrichtungen
197 DE10307926A1 Magnetische Dünnfilmspeichervorrichtung mit Unterdrückung interner magnetischer Störungen
198 EP1365416 Isolierung für Speicherzelle
199 EP1354322 NICHT ORTHOGONALE MRAM-EINRICHTUNG
200 DE69719727T2 Eine verbesserte logische Schaltung
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