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No Patent No Titel
1 DE60127635T2 Speicher, Verfahren und Anordnung zum Schreiben und Lesen
2 DE60312961T2 MULTI-LEVEL SPEICHERZELLE
3 EP1839312 VERFAHREN UND SYSTEM ZUR VERRINGERUNG DES SOFT-SCHREIBENS IN EINEM MEHREBENEN-FLASH-SPEICHER
4 EP1830362 Mittels selbstausrichtendem Verfahren hergestellter Phasenwechselspeicher
5 DE60216708T2 Speicherzellestruktur
6 EP1489622 Schreibschaltung für Phasenwechsel-Speicher
7 DE60307214T2 Verfahren zur Herstellung eines resistiven 1T1R Speicherzellenfeldes
8 DE60311238T2 Speichervorrichtung
9 EP1476876 MULTI-LEVEL SPEICHERZELLE
10 EP1202285 Speicher, Verfahren und Anordnung zum Schreiben und Lesen
11 DE102006042621A1 Phasenwechselspeicherbauelement
12 EP1751767 DÜNNFILM-SPEICHERBAUSTEIN MIT VARIABLEM WIDERSTAND
13 EP1745487 LADUNGSPUMPENTAKT FÜR NICHTFLÜCHTIGE SPEICHER
14 EP1489621 Transistorfreier Direktzugriffsspeicher
15 DE60213875T2 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR PROGRAMMIERUNG EINES PHASENÄNDERUNGSSPEICHERS
16 EP1308961 Speicherzellestruktur
17 EP1721321 NICHTFLÜCHTIGE SPEICHERMATRIX MIT DEM MERKMAL VON GLEICHZEITIGEM SCHREIBEN UND LÖSCHEN
18 EP1700310 SPEICHERBAUSTEIN, INFORMATIONSSPEICHERiPROZESS, PROZESS UND STRUKTURIERTES MATERIAL
19 EP1306852 Speicheranordnung
20 EP1468421 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR PROGRAMMIERUNG EINES PHASENÄNDERUNGSSPEICHERS
21 EP1685569 PHASENWECHSELSPEICHER, PHASENWECHSELSPEICHERANORDNUNG, PHASENWECHSELSPEICHERZELLE, 2D-PHASENWECHSELSPEICHERZELLEN-ARRAY, 3D-PHASENWECHSELSPEICHERZELLEN-ARRAY UND ELEKTRONIKBAUSTEIN
22 EP1431982 Verfahren zur Herstellung eines resistiven 1T1R Speicherzellenfeldes
23 EP1661142 LESE-BIAS-SCHEMA FÜR PHASENÄNDERUNGSSPEICHER
24 EP1654735 MEHRSCHICHTIGER PHASENÄNDERUNGSSPEICHER
25 EP1634300 SIGNALINTEGRITÄTSPRÜFSCHALTUNG
26 EP1623431 NICHTFLÜCHTIGER SPEICHER MIT EINER VORSPANNUNG AUF DER SOURCE-ELEKTRODE FÜR HCI-PROGRAMMIERUNG
27 EP1626411 Geteilter Adressleitungen für Kreuzpunkt-Speichermatrix
28 EP1624459 Nichtflüchtige Phasenwechselspeicheranordnung und Verfahren zu deren Vorspannung
29 EP1609154 PHASENWECHSELSPEICHERVORRICHTUNG
30 EP1607981 Phasenwechselspeicheranordnung, Schreibtreiberschaltung und Programmierverfahren
31 EP1606821 VORRICHTUNG UND VERFAHREN FÜR EINEN KONFIGURIERBAREN SPIEGELSCHNELLLESEVERSTÄRKER
32 EP1588374 FLOATING-GATE-ANALOGSPANNUNGSRÜCKKOPPLUNGSSCHALTUNG
33 DE69825923T2 Programmierbare aggregierende Unterflächenmetallisierungsstruktur
34 DE10297786T5 Programmierung eines Phasenübergangsmaterialspeichers
35 DE10297767T5 Verfahren zum Lesen eines Speichers mit einer strukturellen Phasenänderung
36 EP1548745 Speicheranordnung mit schneller Leseoperation und niedrigerem Stromverbrauch sowie entsprechendes Leseverfahren
37 EP1548744 Speicheranordnung mit schneller Leseoperation und niedrigerem Stromverbrauch sowie entsprechendes Leseverfahren
38 EP1537584 PROGRAMMIERUNG EINES PHASENWECHSELMATERIALSPEICHER
39 EP1538632 Phasenänderungsspeicher mit Überspannungsschutz und Schutzverfahren für Phasenänderungsspeicher mit Überspannungsschutz
40 EP1527456 AUFFRISCHEN VON SPEICHERZELLEN EINES PHASENWECHSELMATERIALSPEICHERBAUSTEINS
41 EP1528570 Phasenwechelspeicheranordnung und Verfahren zum Betrieb derselben
42 EP1511042 Phasenübergangsspeicheranordnung mit Vorspannung von nicht-selektierten Bit-Leitungen
43 EP1482513 Aufzeichnungsverfahren zur Vermeidung von unnötigem Anlegen einer Spannung an ein Speicherelement
44 EP1476877 DIREKTZUGRIFFSSPEICHER MIT PROGRAMMIERBAREN LEITERN UND VERFAHREN ZU SEINEM LESEN
45 EP1468423 ARCHITEKTUR AUF ARRAY-BASIS FÜR DIE MOLEKULARE ELEKTRONIK
46 EP1468422 PCRAM-UMSCHREIBEVERHINDERUNG
47 EP1456851 SPEICHER MIT WAHLFREIEM ZUGRIFF MIT PROGRAMMIERBAREM LEITER UND DAZUGEHÖRIGES PROGRAMMIERVERFAHREN
48 EP1454325 KOMPLEMENTÄR-BIT-PCRAM-LESEVERSTÄRKER UND BETRIEBSVERFAHREN
49 EP1235227 Programmierbare aggregierende Unterflächenmetallisierungsstruktur
50 EP1450373 Phasenwechselspeicheranordnung
51 DE10297198T5 Kohlenstoff enthaltende Zwischenschicht für einen Phasenübergangsspeicher
52 DE10309390A8 Halbleiterspeichervorrichtung
53 EP1420412 Schaltung und Anordnung zur Tempeaturüberwachung von chalcogenische Elementen, insbesondere von Phasenänderungsspeicherelementen
54 DE69629315T2 FLASHSPEICHERANORDNUNG MIT LÖSCHUNGSUNTERBRECHUNGSLOGIK UNTER VERWENDUNG VON MEHREREN PRÜFPUNKTEN
55 DE10309390A1 Halbleiterspeichervorrichtung
56 EP1384232 WIEDERHERSTELLUNG DYNAMISCHER DATEN IN EINEM SPEICHERBAUSTEIN AUF THYRISTORBASIS
57 EP1376604 Speicherstrukturen
58 DE69812425T2 PROGRAMMIERBARE METALLISIERUNGSSTRUKTUR MIT OBERFLÄCHENNAHER VERFESTIGUNG UNDHERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
59 EP1360693 PROGRAMMIERBARE SCHMELZVERBINDUNG UND ANTISCHMELZVERBINDUNG UND VERFAHREN DAFÜR
60 DE69625494T2 INTEGRIERTE SCHALTUNG ZUR SPEICHERUNG UND WIEDERAUFFINDUNG VON MEHREREN DIGITALEN BITS PRO NICHTFLÜCHTIGER SPEICHERZELLE
61 EP0900440 FLASHSPEICHERANORDNUNG MIT LÖSCHUNGSUNTERBRECHUNGSLOGIK UNTER VERWENDUNG VON MEHREREN PRÜFPUNKTEN
62 DE69625207T2 SPEICHERSYSTEM MIT NICHT-FLÜCHTIGER DATENSPEICHERSTRUKTUR FÜR SPEICHERSTEUERUNGSPARAMETER UND VERFAHREN DAFÜR
63 DE10241158A1 Halbleiterspeichervorrichtung und Verfahren zum Herstellen der Gleichen
64 EP1326254 Architektur einer nichtflüchtigen Phasenwechsel -Speichermatrix
65 EP1308960 Ruckgekoppelte schreibeverfahren für programmierbaren speicher
66 DE19814143C2 Halbleiterspeichereinrichtung die einen Normalbetriebsmodus, einen Störungstestmodus und einen Selbst-Auffrischmodus aufweist
67 EP1044452 PROGRAMMIERBARE METALLISIERUNGSSTRUKTUR MIT OBERFLÄCHENNAHER VERFESTIGUNG UNDHERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
68 EP0853806 INTEGRIERTE SCHALTUNG ZUR SPEICHERUNG UND WIEDERAUFFINDUNG VON MEHREREN DIGITALEN BITS PRO NICHTFLÜCHTIGER SPEICHERZELLE
69 DE69623977T2 SPEICHERSYSTEM MIT PROGRAMMIERBAREN STEUERPARAMETERN
70 EP0842515 SPEICHERSYSTEM MIT NICHT-FLÜCHTIGER DATENSPEICHERSTRUKTUR FÜR SPEICHERSTEUERUNGSPARAMETER UND VERFAHREN DAFÜR
71 EP1246193 Integrierte Schaltung zur Speicherung und Wiederauffindung von mehreren digitalen Bits pro nichtflüchtiger Speicherzelle
72 EP0847582 SPEICHERSYSTEM MIT PROGRAMMIERBAREN STEUERPARAMETERN
73 EP1233418 Phasenveränderungsmaterialien für Datenspeicheranordnungen ultrahocher Dichte
74 EP1227496 NICHTFLÜCHTIGER SPEICHER
75 DE69618206T2 FLASH-SPEICHERLÖSCHUNG MIT GESTEUERTEM BAND-ZU-BAND TUNNELSTROM
76 EP0810609 Einzelelektron-Speicherzellenanordnung
77 DE69614153T2 PROGRAMMIERUNG EINES FLASH-SPEICHERS MITTELS VERTEILTER LERNVERFAHREN
78 EP0840929 FLASH-SPEICHERLÖSCHUNG MIT GESTEUERTEM BAND-ZU-BAND TUNNELSTROM
79 EP0886864 PROGRAMMIERUNG EINES FLASH-SPEICHERS MITTELS VERTEILTER LERNVERFAHREN
80 DE69517409T2 INTEGRIERTES SCHALTUNGSSYSTEM ZUR GEWINNUNG UND SPEICHERUNG VON ANALOGEN SIGNALEN, MIT ZEITGLEICHEN LESE- UND SCHREIBSPANNUNGSPROGRAMMVERFAHREN
81 DE69516761T2 PROGRAMMIERBARE HOCH-GESCHWINDIGKEITS SCHALTUNGSARCHITEKTUR MIT GERINGEM LEISTUNGS VERBRAUCH
82 EP0728361 INTEGRIERTES SCHALTUNGSSYSTEM ZUR GEWINNUNG UND SPEICHERUNG VON ANALOGEN SIGNALEN, MIT ZEITGLEICHEN LESE- UND SCHREIBSPANNUNGSPROGRAMMVERFAHREN
83 EP0693217 PROGRAMMIERBARE HOCH-GESCHWINDIGKEITS SCHALTUNGSARCHITEKTUR MIT GERINGEM LEISTUNGS VERBRAUCH
84 DE19882265T1 Flash-Speicher-VDS-Kompensationstechniken zum Verringern von Programmierschwankungen
85 DE19823584A1 Halbleiterspeicherbauelement sowie Reparaturschaltung für ausgefallene Zellen und Verfahren hierfür
86 DE19814143A1 Halbleiterspeichereinrichtung
87 EP0889477 DATENPROZESSOR MIT EINGEBAUTEM DRAM
88 EP0889479 DATENPROZESSOR MIT EINGEBAUTEM DRAM
89 EP0889478 DATENPROZESSOR MIT EINGEBAUTEM DRAM
90 DE19823583A1 Kombiniertes Halbleiterspeicher- und -logikbauelement sowie Speichertest-Steuerschaltung und Speichertestverfahren hierfür
91 EP0547673 Halbleiteranordnung mit mindestens einer Speicherzelle
92 EP0811983 Flash-Speicherzelle, elektronische Vorrichtung mit einer solchen Zelle und Herstellungsverfahren
93 DE69211719T2 Elektrisch löschbarer Phasenänderungsspeicher
94 EP0495494 Elektrisch löschbarer Phasenänderungsspeicher
95 EP0630513 SPEICHER-ARRAY-ANORDNUNG MIT SCHWEBENDEM GATE MIT VERBESSERTER SCHREIBESTOERUNGSIMMUNITAET.
96 EP0614567 NICHTFLÜCHTIGE DIREKTZUGRIFF- SPEICHERANORDNUNG.
97 EP0366424 Treiberverfahren für eine PNPN-Halbleiteranordnung.
98 DE3882791T2 Halbleiterspeicheranordnung mit einem Resonanz-Tunnel-Transistor.
99 EP0289420 Halbleiterspeicheranordnung mit einem Resonanz-Tunnel-Transistor.
100 DE4238063A1 Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung und Halbleiterspeichervorrichtung
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