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No Patent No Titel
1 DE60314099T2 ELEKTRISCHE ANTISCHMELZVERBINDUNG MIT EXTERNER KAPAZITÄT ZUR PROGRAMMIERUNG
2 DE602005002117T2 Antifuse-Element für einen Transistor
3 DE112005002087A5 ROM-Speicher mit reduziertem Leckstrom und Methode zum Beschreiben desselben
4 DE4407210B4 Halbleiterspeicherbauelementaufbau
5 DE102005019587B4 Fuse-Speicherzelle mit verbessertem Schutz gegen unberechtigten Zugriff
6 DE102006033189A1 Signaturdatenschaltkreis, Halbleiterbauelement und Verfahren zum Lesen von Signaturinformationen
7 DE102005019587A1 Fuse-Speicherzelle mit verbessertem Schutz gegen unberechtigten Zugriff
8 DE112004002090T5 Zener-Zap-Speicher
9 DE60118458T2 Programmierbare Schaltung mit Vorschaufunktion
10 DE60302361T2 SCHIEBEREGISTER FÜR SEQUENTIELLEN FUSE-LATCH-BETRIEB
11 DE69732361T2 Antifuse-Detektorschaltung
12 DE60107633T2 Abtast- und Verriegelungsschaltung für Schmelzsicherungsabgleichverbindungen auf einem Chip
13 DE69724803T2 ANTISCHMELZSICHERUNGSDETEKTORSCHALTUNG
14 DE69721796T2 ABGLEICHSCHALTUNG
15 DE10063684A1 Schaltungsanordnung zur Ansteuerung einer programmierbaren Verbindung
16 DE10063685A1 Schaltungsanordnung zur Ansteuerung einer programmierbaren Verbindung
17 DE10063686A1 Schaltungsanordnung zur Pegelerhöhung, insbesondere zum Ansteuern einer programmierbaren Verbindung
18 DE69424108T2 Störungsunempfindliche Codeeinstellungsschaltung
19 DE69319198T2 Durch Schmelzsicherung programmierbare verbesserte Steuerschaltung
20 DE69219518T2 Halbleiterspeicheranordnung
21 DE69122065T2 Programmierbare integrierte Schaltung
22 DE69120156T2 Schaltung zur Programmierung eines Kodes
23 DE69301225T2 Verfahren und Schaltung zum Durchbrennen von Sicherung in einen integrierten Schaltkreis
24 DE69202338T2 VERFAHREN ZUM PROGRAMMIEREN EINES INTEGRIERTEN SPEICHERS, BESONDERS FÜR SPEICHERKARTEN.
25 DE4407210A1 Halbleiterspeicherbauelementschaltung und diese realisierender Halbleiterspeicherbauelementaufbau
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