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1 DE69935179T2 Strukturierungstechnik unter Verwendung eines Templates und Tintenstrahlsystems
2 DE69837483T2 Belichtungsverfahren und Belichtungsapparat
3 DE102007007080A1 Mustererzeugungsverfahren und Einrichtung zum Schreiben mit geladenen Teilchen
4 DE102006052140A1 Ladungsteilchenstrahl-Schreibverfahren und -Schreibvorrichtung, Positionsabweichungsmessverfahren und Positionsmessvorrichtung
5 DE69934019T2 HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EIN HALBLEITERBAUELEMENT UND GATE-STAPEL
6 DE102006021507A1 Übertragungsvorrichtung
7 DE112004002199T5 Verfahren zur Herstellung einer Extrem-Ultraviolettstrahlung reflektierenden Maske unter Verwendung von Rasterkraftmikroskop-Lithographie
8 DE69635824T2 GRABEN-DMOS-TRANSISTOR MIT VERGRABENER SCHICHT FÜR VERMINDERTEN ANSCHALTWIDERSTAND UND VERBESSERTER ROBUSTHEIT
9 DE69930398T2 Belichtungssystem mit einem parallelen Verbindungsmechanismus und Belichtungsverfahren
10 DE69534602T2 STRUKTUR UND VERFAHREN ZUR BELICHTUNG VON PHOTORESIST
11 DE112004000236T5 Maskenbearbeitungsvorrichtung, Maskenbearbeitungs-Verfahren, Programm und Maske
12 DE69913314T2 HERSTELLUNG ELEKTRONISCHER BAUELEMENTE MIT DÜNNSCHICHTSCHALTKREISELEMENTEN
13 DE69724980T2 LEITENDE SCHICHT MIT ANTIREFLEXIONSOBERFLÄCHE
14 DE69625679T2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERANORDNUNG
15 DE69624415T2 Verbesserungen in Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen
16 DE69624413T2 Verbesserungen bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen
17 DE69430696T2 HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINE ANZEIGEANORDNUNG
18 DE69428185T2 VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG DES BRENNPUNKTS
19 DE69706910T2 Herstellungsverfahren einer T-förmigen Gate-Elektrode in einem Halbleiterbauelement, und die T-förmige Gate-Elektrode
20 DE69127792T2 Verfahren zur Herstellung eines Musters in einer Schicht
21 DE69207952T2 Selektive Epitaxie von Silizium in Siliziumdioxidöffnungen mit Unterdrückung unerwünschter Bildung von Facetten
22 DE69114175T2 Verfahren zur Herstellung von einer Maske und einem Dünnschichttransistor.
23 DE69015472T2 Gezielte Metallniederschlagung.
24 DE69014347T2 Feinstruktur-Litographieverfahren unter Verwendung von Fotolackschichten und einer plattierten Transferschicht.
25 DE69015381T2 Herstellungsverfahren für ein Halbleiter-Bauelement und musterbildende Beschichtungslösung dafür.
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