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No Patent No Titel
1 DE102006019881A1 Technik zur Herstellung einer Siliziumnitridschicht mit hoher intrinsischer kompressiver Verspannung
2 DE112005003233T5 Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Silizium-Wafers
3 DE69934684T2 VORRICHTUNG ZUR GASBEHANDLUNG
4 DE112005002854T5 Halbleitermehrschichtensubstrat, Verfahren zur Herstellung desselben und lichtemittierende Vorrichtung
5 DE69836654T2 Halbleiterstruktur mit abruptem Dotierungsprofil
6 DE112005002005T5 Clusterfreier amorpher Siliziumfilm, und Verfahren und Vorrichtung zu dessen Herstellung
7 DE102006045912A1 Verfahren zur Fertigung einer Halbleitervorrichtung und Epitaxialwachstumseinrichtung
8 DE102006043991A1 Verfahren zum Herstellen eines Halbleiters und Satellit
9 DE102006047169A1 Herstellungsverfahren für Halbleitersubstrate
10 DE102005021099A1 GaN-Schichten
11 DE112004002173T5 Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Verbindungshalbleitersubstrats
12 DE69929775T2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VERBINDUNGSHALBLEITERSICHCHT UND VERBINDUNGSHALBLEITERBAUELEMENT
13 DE102004055636A1 Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und daraus hergestellte Halbleiterbauelemente
14 DE102004038573A1 Verfahren zum epitaktischen Wachstum dicker, rissfreier Gruppe-III-Nitrid Halbleiterschichten mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie auf Si oder SIC
15 DE69731017T2 Verfahren zum Aufwachsen einer Dünnschicht aus monokristallinem Silizium aus der Gasphase
16 DE69732722T2 CVD Verfahren
17 DE102004060444A1 Verfahren zum Bilden einer Polysiliziumschicht in einem Halbleiterbauelement
18 DE102004024207A1 Verfahren und Vorrichtung zur Niedertemperaturepitaxie auf einer Vielzahl von Halbleitersubstraten
19 DE69531654T2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES DÜNNSCHICHT-HALBLEITER-TRANSISTORS
20 DE69721931T2 APPARAT ZUR ABSCHEIDUNG AUS DER DAMPFPHASE
21 DE69628505T2 Halbleitendes Substrat und dessen Herstellungsverfahren
22 DE69526092T2 AUSBILDUNG EINER METALLORGANISCHEN VERBINDUNG FÜR DAS EPITAKTISCHE WACHSTUM VON METALL- UND HALBLEITERSCHICHTEN
23 DE69429906T2 Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren
24 DE69616429T2 Herstellungsverfahren für eine einkristalline dünne Schicht
25 DE69609307T2 HERSTELLUNG EINER HALBLEITEREINRICHTUNG MIT EINER SELEKTIV ABGESCHIEDENEN HALBLEITERZONE
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