PatentDe  


No Patent No Titel
1 EP1843389 Verfahren und Vorrichtung zur Dotierung mit Hilfe von Diffusion, Oberflächenoxidation und Rückätzung sowie Verfahren zur Herstellung von Solarzellen
2 DE10121778B4 Verfahren zur Erzeugung eines Dotierprofils bei einer Gasphasendotierung
3 DE10301244B4 Verfahren zum Dotieren von Halbleiterkörpern
4 DE19840866B4 Verfahren zur Dotierung der externen Basisanschlußgebiete von Si-basierten Einfach-Polysilizium-npn-Bipolartransistoren
5 DE10301244A1 Verfahren zum Dotieren von Halbleiterkörpern
6 DE10121778A1 Verfahren zur Verbesserung eines Dotierprofils bei einer Gasphasendotierung
7 EP1196945 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG ZWEIER UNTERSCHIEDLICH DOTIERTER BENACHBARTER GEBIETE IN EINEM INTEGRIERTEN HALBLEITER
8 EP1143494 WÄRMEBEHANDLUNGSVERFAHREN
9 DE69511957T2 Heissbehandlungsofen
10 DE19840866A1 Verfahren zur Dotierung der externen Basisanschlußgebiete von Si-basierten Einfach-Polysilizium-npn-Bipolartransistoren
11 DE19635816A1 Verfahren zur Einstellung der elektrischen Leitfähigkeit in dotierten Oberflächenschichten von Halbleitern
12 DE4432564C1 Verfahren zur Herstellung eines dotierten Gebietes in einem monokristallinen Halbleitersubstrat
13 DE4343606A1 Diffusionsverfahren für Halbleiterkörper
14 DE3430009C2 Verfahren und Vorrichtung zum Dotieren von Halbleitersubstraten
15 DE4312527A1 Verfahren zur Bildung Bor-dotierter, halbleitender Diamantschichten
16 DE3687354T2 Verfahren zur Dotierungsdiffusion in einem Halbleiterkörper.
17 DE4106933A1 Strukturierungsverfahren
18 DE3922833C2 Ofen zur Wärmebehandlung von Halbleiterscheiben
19 DE3931587A1 Verfahren zum Herstellen von Halbleiterschichten
20 DE3922833A1 Ofen zur Wärmebehandlung von Halbleiterscheiben und Verfahren zum Betrieb desselben
21 DE8908382U1 Ofen zur Wärmebehandlung von Halbleiterscheiben
22 DE3041071C2 Verfahren zum Behandeln von hocherhitzten Halbleiterplättchen
23 DE3719548A1 Verfahren zur Diffusion eines Materials, das einen Leitfähigkeits-Typ verleiht, in ein Halbleiter-Material einer III-V-Verbindung
24 DE3719547A1 Verfahren der Diffusion eines Materials, das einen Leitfähigkeits-Typ verleiht, in Halbleitermaterial einer III-V-Verbindung
25 DE3620848A1 Vorrichtung zur Dotierung eines Halbleiterkörpers
1

IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

Anmelder
Datum

Patentrecherche

Copyright © 2008 Patent-De Alle Rechte vorbehalten. eMail: info@patent-de.com