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No Patent No Titel
1 DE102005057407B4 Verfahren zur Behandlung von Material mit mindestens einer Vertiefung mit mindestens einer Wandung bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen
2 DE102007021000A1 Halbleiteranordnungen und Verfahren zur Herstellung derselben
3 DE102007016085A1 Verfahren zur Herstellung einer SIC-Halbleitervorrichtung
4 DE102007005332A1 Halbleiterbauelement mit Störstellenimplantationsbereich und Verfahren zur Herstellung desselben
5 DE112005002313T5 Verfahren zur Optimierung der Implantierungsbedingungen zum Minimieren der dadurch gebildeten Kanalisierungen und Strukturen
6 DE102005057407A1 Verfahren zur Behandlung von Material, insbesondere bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen
7 DE112004002606T5 Herstellungsverfahren für Halbleiterbauteil
8 DE102004009174B4 Verfahren zur Implantierung eines Halbleiterwafers und einer Vielzahl von Halbleiterwafern, Verfahren zur Bildung eines Feldeffekttransistors und integrierte Halbleiterschaltung mit wenigstens einem Feldeffekttransistor
9 DE102005043913A1 Verfahren zur Herstellung einer dotierten Zone in einem Halbleiterkörper
10 DE102004039208A1 Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen n-dotierten Halbleiterzone in einem Halbleiterkörper und Halbleiterbauelement
11 DE102004063691A1 Verfahren zum Implantieren von Ionen in einem Halbleiterbauelement
12 DE102004011175A1 Verfahren zur Aktivierung implantierter Dotierungsatome
13 DE102004009174A1 Verfahren zur Implantierung eines Halbleiterwafers und Verwendung des Verfahrens zur Bildung eines Transistors
14 DE69730019T2 KONTROLLE DER P-N-ÜBERGANGSTIEFE UND KANALLÄNGE DURCH ERZEUGUNG VON DIE DOTIERSTOFFDIFFUSION HEMMENDEN ZWISCHENGITTERSTELLEN-GRADIENTEN
15 DE69333100T2 LEISTUNGSANORDNUNGSSTRUKTUR HOHER DICHTE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG.
16 DE69524050T2 GEGENIMPLANTATIONSVERFAHREN BEI DER HERSTELLUNG EINER HALBLEITERVORRICHTUNG MIT SELBSTAUSRICHTENDEN ''ANTI-PUNCHTHROUGH''-GEBIETEN
17 DE69425797T2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES NICHTFLÜCHTIGEN SPEICHERBAUTEILS MIT ZWEI POLY-SCHICHTEN MITTELS EINER DRITTEN POLYSILIZIUM-SCHICHT
18 DE69231328T2 Verfahren zur Herstellung dünner Schichten aus Halbleitermaterial
19 DE69517336T2 VERWENDUNG SCHIEFER IMPLANTATION BEIM BILDEN DER BASIS VON BIPOLAREN TRANSISTOREN
20 DE69224545T2 Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung unter Verwendung der Ionenimplantation
21 DE69316677T2 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit durch Implantation mit einer Kohlenstoff-Halogenverbindung erhaltenem Heteroübergang
22 DE69030042T2 Flache Übergangsbildung mittels Ionen-Implantation
23 DE69117889T2 Verfahren zur Einführung und Diffundierung von Platin-Ionen in einem Siliziumplättchen
24 DE69024172T2 Methode zur Beseitigung von elektrischen Ladungen, welche sich auf dem Halbleitersubstrat während der Ionenimplantation aufbauen
25 DE69205193T2 Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkörper mit einer vergrabenen Silicidschicht.
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