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No Patent No Titel
1 DE69636818T2 Verfahren zur selbst-justierten Herstellung von implantierten Gebieten
2 DE10325011B4 Verfahren zur Herstellung unterschiedlich tiefer Dotierungsgebiete in einem Substrat
3 DE10146933B4 Integrierte Halbleiteranordnung mit Abstandselement und Verfahren zu ihrer Herstellung
4 DE102004058412A1 Mehrfachmaske und Verfahren zur Herstellung unterschiedlich dotierter Gebiete
5 DE10325011A1 Verfahren zur Herstellung unterschiedlich tiefer Dotierungsgebiete in einem Substrat
6 DE10302632B4 Verfahren zum Erzeugen eines definierten Dotierungsgebietes in einem Halbleitermaterial
7 DE10302632A1 Verfahren zum Erzeugen eines definierten Dotierungsgebietes in einem Halbleitermaterial
8 DE10346608A1 Herstellverfahren für ein Halbleiterbauteil
9 DE19835891B4 Verfahren zur Herstellung eines Transistors
10 DE10146933A1 Integrierte Halbleiteranordnung mit Abstandselement und zugehörige Verwendung des Abstandselementes
11 DE10121181A1 Stencilmaske für Hoch- und Ultrahochenergieimplantation
12 DE10062016C2 Silizium-Kontaktmaske zur Ionenimplantation, Verwendung einer solchen Kontaktmaske, Verfahren zur Herstellung einer solchen Kontaktmaske, Verwendung eines derartigen Herstellungsverfahrens und Verfahren zur Herstellung eines Wafers mit einer solchen Maske
13 DE10062016A1 Silizium-Kontaktmaske zur Ionenimplantation, Verwendung einer solchen Kontaktmaske, Verfahren zur Herstellung einer solchen Kontaktmaske, Verwendung eines derartigen Herstellungsverfahrens und Verfahren zur Herstellung eines Wafers mit einer solchen Maske
14 DE10054937A1 Verfahren zum automatischen Entwerfen einer Maske zum Bilden einer Implantationswanne in einem Halbleitersubstrat
15 DE69522413T2 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
16 DE19948906C2 Verfahren zum Herstellen tiefdiffundierter n-leitender Gebiete in einem p-dotierten Siliziumsubstrat
17 DE19928714C2 Implantationsverfahren für SiC-Substrate
18 DE19948906A1 Verfahren zum Herstellen tiefdiffundierter n-leitender Gebiete in einem p-dotierten Siliziumsubstrat
19 DE19928714A1 Implantationsverfahren für SiC-Substrate
20 DE69230988T2 Verfahren zum Herstellen einer Anordnung, bei dem ein Stoff in einen Körper implantiert wird
21 DE69601981T2 HERSTELLUNGSVERFAHREN EINER HALBLEITERANORDNUNG AUS SILIZIUMKARBID
22 DE19835891A1 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils
23 DE69127028T2 Verfahren der Herstellung lokalisierter vergrabener Isolationsstrukturen
24 DE69220846T2 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit Ionenimplantierung
25 DE69025899T2 Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung
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