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No Patent No Titel
1 DE102006058814A1 Bearbeitungsvorrichtungen
2 DE69934942T2 Verfahren zur Reduzierung von Beschädigungen des Kanals durch heisse Ladungsträger
3 DE102006019424A1 Herstellungsverfahren für eine integrierte Halbleiterkontaktstruktur mit einer verbesserten Aluminiumfüllung
4 DE102006015096A1 Verfahren zur Verringerung der durch Polieren hervorgerufenen Schäden in einer Kontaktstruktur durch Bilden einer Deckschicht
5 DE69836607T2 Verfahren zum Minimieren von vertikaler und lateraler Dotierstoffdiffusion in Gatterstrukturen
6 DE102005055838B4 Verfahren und Vorrichtung zum ermöglichen tiefliegender Halbleiterkontakte
7 DE102006013336A1 Kontaktierungsverfahren für Halbleitermaterial sowie Halbleiterbauelement
8 DE112005002350T5 Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit High-k-Gate-Dielektrikumschicht und Silizid-Gate-Elektrode
9 DE69836184T2 Zuverlässige Polycid Gatterstappelung mit reduzierten Schichtwiderstand
10 DE69837657T2 HERSTELLUNG EINER SILIZID-REGION AUF EINEM SILIZIUMKÖRPER
11 DE102006010523B3 Verfahren zur Herstellung von planaren Isolierschichten mit positionsgerechten Durchbrüchen mittels Laserschneiden und entsprechend hergestellte Vorrichtungen
12 DE102005055838A1 Verfahren und Vorrichtung zum ermöglichen tiefliegender Halbleiterkontakte
13 DE69836117T2 Stabilisierung von Titanpolyzid mittels einer porösen Sperrschicht
14 DE102005046624B3 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
15 DE102005041310B3 Technik zum Reduzieren von Siliziddefekten durch Verringern der nachteiligen Auswirkungen eines Teilchenbeschusses vor der Silizidierung
16 DE102006024185A1 Verfahren zum Herstellen einer Siliziumkarbidhalbleitervorrichtung
17 DE102005026176B3 Verfahren zur flächigen Kontaktierung von Halbleiterbauelementen mit reduzierter Durchbiegung sowie entsprechendes Halbleiterbauelement und Herstellungsvorrichtung
18 DE102006015975A1 Halbleitervorrichtungen mit mehreren Ebenen und Verfahren zur Herstellung derselben
19 DE112004002155T5 Verfahren zum Integrieren eines Gatedielektrikums mit großem
20 DE112004001510T5 Speicherzellenstruktur mit einer Nitridschicht mit reduziertem Ladungsverlust und Verfahren zur Herstellung derselben
21 DE112004000745T5 Aufbau und Verfahren zum Bilden eines Feldeffekttransistors mit gekerbtem Gate
22 DE112004000699T5 Verfahren zur Herstellung einer Metallgatestruktur durch Abgleichen einer Austrittsarbeitsfunktion durch Siliziumeinbau
23 DE102005013575A1 Niedertemperatur-, Langzeitwärmebehandlung von Nickelkontakten, um einen Zwischenflächenwiderstand zu verringern
24 DE69825511T2 Herstellungsverfahren für Schichtstruktur aus Polysilizium und Wolframsilizid
25 DE69827058T2 Verbindungshalbleiter-Interfacestruktur und deren Herstellungsverfahren
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