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1 DE102006030267A1 Nano-Einprägetechnik mit erhöhter Flexibilität in Bezug auf die Justierung und die Formung von Strukturelementen
2 DE102006040352B3 Verfahren zum Aufbringen von elektrischen Kontakten auf halbleitende Substrate, halbleitendes Substrat und Verwendung des Verfahrens
3 DE102006007052B3 Erzeugung von Halbleiterzonen mit steilem Dotierprofil
4 DE102006012369A1 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer metallischen Steuerelektrode und Halbleiterbauelement
5 DE102006042617A1 Lokale Heterostrukturkontakte
6 DE102006004412B3 Verfahren zum Erhöhen der Ätzselektivität in einer Kontaktstruktur in Halbleiterbauelementen
7 DE102006062029A1 Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
8 DE102005063092B3 Halbleiterbauelement mit einer Kontaktstruktur mit erhöhter Ätzselektivität
9 DE102005063258A1 Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontakts für ein elektrisches Bauelement
10 DE102005052000B3 Halbleiterbauelement mit einer Kontaktstruktur auf der Grundlage von Kupfer und Wolfram
11 DE102005051973B3 Herstellungsverfahren für vertikale Leitbahnstruktur, Speichervorrichtung sowie zugehöriges Herstellungsverfahren
12 DE102005061821A1 Verfahren zum Steuern einer Dicke einer ersten Schicht und Verfahren zum Anpassen der Dicke unterschiedlicher erster Schichten
13 DE102005057061B3 Verfahren zum Entfernen einer Passivierungsschicht vor dem Abscheiden einer Barrierenschicht in einer Kupfer-metallisierungsschicht
14 DE102006045822A1 Herstellungsverfahren für eine integrierte Halbleiterstruktur und entsprechende integrierte Halbleiterstruktur
15 DE102005035728B3 Verfahren zum Reduzieren der Kontamination durch Entfernung eines Zwischenschichtdielektrikums von dem Substratrand
16 DE102005026301B3 Verfahren zum Herstellen eines Metall- Halbleiter-Kontakts bei Halbleiterbauelementen
17 DE102005024944B3 Kontaktstruktur für einen Stack-DRAM-Speicherkondensator
18 DE102005024914A1 Verfahren zum Ausbilden elektrisch leitfähiger Leitungen in einem integrierten Schaltkreis
19 DE102005030940A1 Verfahren zum Bilden eines Kontakts eines Halbleiterbauelements durch Verwendung eines Festphasenepitaxieprozesses
20 DE102005022840B3 Verfahren zum Herstellen von Kontaktstrukturen für DRAM-Halbleiterspeicher
21 DE102004061093A1 Verfahren zur Herstellung einer Elektrode
22 DE102005022372A1 Verfahren zur Bildung eines Source-Kontakts eines Flash-Speicherbauelements
23 DE102005022371A1 Verfahren zur Bildung einer Metallleitung in einem Halbleiterspeicherbauelement
24 DE102004062834A1 Verfahren zum Bilden einer Metallstruktur zur Verringerung des spezifischen Kontaktwiderstandes mit einem Verbindungskontakt
25 DE102005015789A1 Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
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