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1 DE112006000596T5 Filmbildungssystem und -verfahren
2 DE112006000611T5 Verfahren zum Herstellen eines Films und Filmbildungssystem
3 DE60219903T2 WÄRMEBEHANDLUNGSEINRICHTUNG
4 DE60220039T2 VORRICHTUNG FÜR EIN PLASMAVERFAHREN
5 DE69737563T2 VERFAHREN ZUR CHEMISCHEN GASPHASENABSCHEIDUNG
6 DE102006027880A1 Isolationsschichtmaterial für die Mikroelektronik
7 DE60033423T2 OFEN
8 DE10330456B9 Vorrichtung zum Erstellen einer Oberflächenstruktur auf einem Wafer
9 DE60213536T2 VERFAHREN ZUR REINIGUNG VON CVD-EINRICHTUNGEN UND REINIGUNGSGERÄT DAFÜR
10 DE60217317T8 WÄRMEBEHANDLUNGSVERFAHREN
11 DE10330456B4 Vorrichtung zum Erstellen einer Oberflächenstruktur auf einem Wafer
12 DE60217317T2 WÄRMEBEHANDLUNGSVERFAHREN
13 DE10238590B4 Verfahren zur Erzeugung einer Struktur auf einem Substrat
14 DE60209697T2 EINRICHTUNG ZUR PLASMAVERARBEITUNG
15 DE112004002266T5 Dielektrischer Film mit sehr geringer Dielektrizitätskonstante für Kupferverbindungen
16 DE19706495B4 Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung fein getrennter Resistmuster
17 DE10344275B4 Verfahren zur gesteuerten Strukturierung einer ARC-Schicht in einer Halbleitereinrichtung
18 DE102004044083A1 Verfahren zur Strukturierung eines Substrats und Vorrichtung hierzu
19 DE19623450B4 Fotomaske und deren Verwendung
20 DE10393738T5 Abdichtung poröser Strukturen
21 DE10356668B4 Herstellungsverfahren für eine Hartmaske auf einer Halbleiterstruktur
22 DE102004008442A1 Siliciumverbindungen für die Erzeugung von SIO2-haltigen Isolierschichten auf Chips
23 DE10356668A1 Herstellungsverfahren für eine Hartmaske auf einer Halbleiterstruktur
24 DE10392894T5 Verfahren zur Reinigung eines Substratverarbeitungsapparats und ein Substratverarbeitungsapparat
25 DE69824368T2 HERSTELLUNGSVERFAHREN EINER HALBLEITERVORRICHTUNG MIT FLACHER GRABENISOLATION
26 DE102004048679A1 Verfahren zum Herstellen eines Isolator-Dünnfilms sowie Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils
27 DE4320033B4 Verfahren zur Bildung eines Metallmusters bei der Herstellung einer Halbleitereinrichtung
28 DE10344275A1 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur mit einer Schichtfolge und entsprechende Halbleiterstruktur
29 DE10311855B4 Anordnung zum Übertragen von Informationen/Strukturen auf Wafer unter Verwendung eines Stempels
30 DE10330456A1 Vorrichtung zum Erstellen einer Oberflächenstruktur auf einem Wafer
31 DE10324050A1 Schichtstapel und Verfahren zur Herstellung eines Schichtstapels
32 DE10311855A1 Anordnung zum Übertragen von Informationen/Strukturen auf Wafer
33 DE10260619A1 Verfahren zur Herstellung einer Deckschicht mit antireflektierenden Eigenschaften auf einem Dielektrikum mit kleinem
34 DE10253126A1 Dünnschichtmaske und Verfahren zu deren Herstellung
35 DE10063469B4 Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Chips und mit dem Verfahren hergestellter elektronischer Chip
36 DE10240099A1 Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur
37 DE10237508A1 Verfahren zum Bilden einer Maskierschicht auf einem Substrat
38 DE10238590A1 Verfahren zur Erzeugung einer Struktur auf einem Substrat
39 DE10237787A1 Schichtsystem mit einer Siliziumschicht und einer Passivierschicht, Verfahren zur Erzeugung einer Passivierschicht auf einer Siliziumschicht und deren Verwendung
40 DE4232821C2 Verfahren zur Herstellung eines feinstrukturierten Halbleiterbauelements
41 DE69809868T2 Pufferschicht zum Verbessern der Schichtdickenkontrolle
42 DE69718808T2 PLASMABEHANDLUNGSMETHODE
43 DE10300331A1 Struktur und Verfahren zur Isolierung poröser dielektrischer Filme mit niedriger Dielektrizitätskonstante
44 DE10237522A1 Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
45 DE10201178A1 Verfahren zur Maskierung einer Ausnehmung einer Struktur mit einem großen Aspektverhältnis
46 DE10156865A1 Verfahren zum Ausbilden einer Struktur in einem Halbleitersubstrat
47 DE4240504C2 Verfahren zur Herstellung von Leitbahnstrukturen über Grabengebieten von Substraten
48 DE10227344A1 Verfahren zum Bilden von Kontaktlöchern in Halbleitervorrichtungen und Verfahren zum Herstellen von Kondensatoren unter Verwendung derselben
49 DE10063469A1 Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Chips
50 DE10041698A1 Verfahren zur Herstellung einer ferroelektrischen Festkörperschicht unter Verwendung eines Hilfsstoffes
51 DE19904390A1 Verfahren zur Aufbringung einer DLC-Schicht
52 DE4138999C2 Belichtungsverfahren für die Herstellung einer Halbleitervorrichtung
53 DE69418447T2 VERFAHREN ZUR AUSFORMUNG DÜNNER TUNNELFENSTER IN EEPROMs
54 DE68928977T2 Trockenätzen mit Wasserstoffbromid oder Brom
55 DE69413195T2 Verfahren zur Passivierung einer integrierten Schaltung
56 DE68928291T2 Veraschungsverfahren zum Entfernen einer organischen Schicht auf einer Halbleiteranordnung während ihrer Herstellung
57 DE19715730A1 Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
58 DE19706495A1 Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
59 DE19724245A1 Flüssigkristallanzeige und Herstellungsverfahren dafür
60 DE19710237A1 Feinverarbeitungsverfahren
61 DE19653614A1 Verfahren zur Herstellung von Zwischenanschlüssen in Halbleitereinrichtungen
62 DE19654737A1 Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
63 DE19654096A1 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
64 DE68927353T2 Verfahren zur Herstellung einer Planarisolierung
65 DE19623450A1 Fotomaske
66 DE19617027A1 Isolatorauftrag unter Verwendung eines fokussierten Ionenstrahls
67 DE4442648C2 Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung einer Anti-Reflexionsschicht
68 DE69206367T2 CVD VORRICHTUNG ZUM HERSTELLEN VON HALBLEITERN.
69 DE3854561T2 Verfahren zum Trockenätzen.
70 DE69022637T2 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes auf welchem eine isolierende Shicht eine gleichmässige Dicke hat.
71 DE4432294A1 Verfahren zur Reduzierung der Oberflächenrekombinationsgeschwindigkeit in Silizium
72 DE4423326A1 Verfahren und Vorrichtung zum Rückseitenätzen einer Silicium-Waferstruktur
73 DE69203669T2 VORRICHTUNG ZUM HERSTELLEN VON HALBLEITERN.
74 DE4106978C2 Verfahren zur Bildung eines Materialmusters auf einer Hauptoberfläche eines verzogenen Substrats
75 DE4401590A1 Verfahren zur Herstellung strukturierter Metallisierungen
76 DE4442648A1 Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
77 DE3852370T2 Flankenstruktur aus organischem Material.
78 DE68918738T2 Planarisierungsverfahren der Oberflächen von Halbleiterbauelementen.
79 DE4434090A1 Verfahren zur Ausbildung feiner Muster in Halbleitervorrichtungen
80 DE3889849T2 Verfahren zum bevorzugten Ätzen von polykristallinem Silicium.
81 DE68914162T2 MIKROSTRUKTUREN AUS POLYSILICIUM MIT NIEDRIGER SPANNUNG.
82 DE3887740T2 Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, bei dem Photolack von einer Siliciumoxidschicht auf einem Halbleitersubstrat entfernt wird.
83 DE4300632A1 Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von plattenförmigen Werkstücken
84 DE68911174T2 Methode zur Erzeugung von Ortsverbindungen mit Gebrauch von chlorenthaltenden Mitteln.
85 DE3885121T2 Herstellung von Widerständen aus polykristallinem Silizium.
86 DE3885375T2 Verfahren zur Herstellung einer Maskenbildung und MESFET mit gelagertem Gatter.
87 DE4232373A1 Verfahren zum Auftragen strukturierter Schichten
88 DE4228218A1 Verfahren und Vorrichtung zur Planarisierung einer Schicht auf einem Halbleitersubstrat
89 DE3879527T2 Plasma-Ätzen.
90 DE3879321T2 Bestimmung des Ätzungsendpunktes.
91 DE3877877T2 Veränderung der grenzschichtfelder zwischen Isolatoren und Halbleitern.
92 DE4232821A1 Feinstrukturiertes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
93 DE3874411T2 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einer Schicht aus Titan-Wolfram.
94 DE3876303T2 Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichttransistors.
95 DE3873848T2 Behandlungsapparat und -verfahren.
96 DE3871851T2 Trockenätzverfahren für Aluminiumschichten.
97 DE4033658A1 Verfahren zur Bearbeitung von Grabenflanken in Halbleitersubstraten
98 DE4122019A1 Halbleitereinrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
99 DE3903121A1 Amorphisierungsverfahren zur Strukturierung eines Halbleiterkörpers
100 DE8631388U1 Wandschrank zum Aufbewahren von Boxen für Halbleitermasken
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