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1 DE69837112T2 VERFAHREN UND ZUSAMMENSETZUNG ZUR ENTFERNUNG VON PHOTORESIST IN DER HALBLEITERFERTIGUNG
2 DE102006010981A1 Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren
3 DE69932664T2 Verfahren und Vorrichtung zum Schutz eines Gebietes, welches einem zu ätzenden Gebiet benachbart ist, und Verfahren zur Herstellung einer Sicherung
4 DE102006060800A1 Verfahren zum Bilden eines Grabens
5 DE102005063089A1 Verfahren zum Reduzieren der Kontaminierung durch Vorsehen einer Ätzstoppschicht am Substratrand
6 DE69835032T2 VERBESSERTE METHODE EINE OXIDSCHICHT ZU ÄTZEN
7 DE102005030588A1 Technik zum Reduzieren des Ätzschadens während der Herstellung von Kontaktdurchführungen und Gräben in Zwischenschichtdielektrika
8 DE69635972T2 Plasma-Ätz-Verfahren
9 DE102005025116A1 Verfahren zum Herstellen einer Struktur
10 DE102005020060A1 Verfahren zum Strukturieren eines Dielektrikums mit kleinem
11 DE102005004409A1 Technik zur Erhöhung der Prozessflexibilität während der Herstellung von Kontaktdurchführungen und Gräben in Zwischenschichtdielektrika mit kleinem
12 DE69928916T2 PROZESS ZUR ENTFERNUNG VON ORGANISCHEM MATERIAL
13 DE69733962T2 PLASMA-ÄTZMETHODE
14 DE102004053338A1 Reduktion einer Oxidschicht auf einer Oberfläche eines Siliziumhalbleiters
15 DE102005005229A1 Ätzverfahren für MOS-Schichtstrukturen mit praseodymoxidhaltigem Dielektrikum
16 DE102004021085A1 Eine Technik zum Verringern der Rauhigkeit von Metallleitungen in einer Metallisierungsschicht
17 DE102004018817A1 Vorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten von Substraten
18 DE102004037007A1 Ätzverfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
19 DE102004017533A1 Verfahren zum Ätzen von porösem Dielektrikum
20 DE69912712T2 Zusammensetzung und Verfahren zum selektiven Ätzen eines Siliciumnitrid-Films
21 DE69723566T2 Verfahren zur Behandlung eines Halbleitersubstrates
22 DE69723106T2 BESTRAHLUNG/HALOGENBEHANDLUNG ZUM TROCKENÄTZEN EINES OXIDS
23 DE69628358T2 Plasmaätzmethode
24 DE69529858T2 Oberflächenbehandlung für Halbleitersubstrat
25 DE69528117T2 Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Anordnungen
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