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No Patent No Titel
1 DE69835765T2 Plasma-Verfahren
2 DE69836146T2 PLASMA-ABSCHEIDUNG VON FILMEN
3 DE102005062917A1 Atomlagenabscheideverfahren
4 DE102005051819B3 Herstellungsverfahren für Halbleiterstrukturen
5 DE69834660T2 BORHÄLTIGER FLUORKOHLENSTOFF-FILM UND HERSTELLUNGSMETHODE
6 DE102006012772A1 Halbleiterspeicherbauelement mit dielektrischer Struktur und Verfahren zur Herstellung desselben
7 DE69931656T2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SiON/SiO2 DIELEKTRISCHEN ZWISCHENSCHICHT MIT EINER NACHBEHANDLUNG DER CVD SILIZIUM OXYNITRIDSCHICHT
8 DE102005002675B4 Verfahren zum Herstellen einer ebenen Spin-on-Schicht auf einer Halbleiterstruktur
9 DE102005018161A1 Halbleiterbehandlungsvorrichtung zur Durchführung eines RTP Verfahrens
10 DE102005002675A1 Verfahren zum Herstellen einer ebenen Spin-on-Schicht auf einer Halbleiterstruktur und Halbleiterstruktur
11 DE69833262T2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERANORDNUNG MIT EINER ANTIREFLEKTIERENDEEN ÄTZSTOPPSCHICHT
12 DE112004002023T5 Flüssigkeitszusammensetzung, Herstellungsverfahren dafür, Filme mit niedriger Dielektrizitätskonstante, abrasive Materialien und elektronische Komponenten
13 DE102004028030B4 Katalytisches Beschichtungsverfahren für strukturierte Substratoberflächen und mit einer Siliziumdioxid-Dünnschicht beschichtetes Substrat mit einer strukturierten Oberfläche
14 DE112004001324T5 Filme mit niedriger Dielektrizitätskonstante und Herstellungsverfahren für diese Filme sowie elektronische Bauteile, die diese Filme verwenden
15 DE102005049998A1 Dielektrische Mehrfachschicht, mikroelektronisches Bauelement, Kondensator und Herstellungsverfahren
16 DE102005019683A1 Verfahren zur Bildung einer Passivierungsschicht in einem Halbleiterbauelement
17 DE102004040943A1 Verfahren zur selektiven Abscheidung einer Schicht mittels des ALD-Verfahrens
18 DE102004060442A1 Verfahren zum Bilden einer Passivierungsschicht eines Halbleiterbauelements und Struktur einer Passivierungsschicht eines Halbleiterbauelements
19 DE102004031453A1 Verfahren zur Erzeugung eines Dielektrikums und Halbleiterstruktur
20 DE102004028031A1 Selektives Beschichtungsverfahren und Dünnschichtsystem
21 DE102004028030A1 Beschichtungsverfahren für strukturierte Substratoberflächen
22 DE102004020328A1 Verfahren zur Abscheidung einer mit Kohlenstoff dotierten siliziumhaltigen dielektrischen Schicht
23 DE102004062585A1 Verfahren zur Ausbildung eines ultradünnen Films und Halbleitereinrichtung, die einen derartigen Film enthält
24 DE102004052411A1 Verfahren zur Bildung eines bearbeiteten Films auf Siliciumdioxidbasis, der gegenüber Waschen resistent ist, und durch dieses Verfahren erhaltener bearbeiteter Film auf Siliciumdioxidbasis, der gegenüber Waschen resistent ist
25 DE69901367T2 Ablagerung von Siliziumdioxid und Siliziumoxynitrid unter Gebrauch von Bis(tertiärbutylamino)silan
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