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1 DE112005002334T5 Niedrig-K dielelektrische Schicht gebildet aus Vorläufern eines Aluminiumsilikats
2 DE102007018304A1 Verfahren zur Behandlung mit ultravioletter (UV) Strahlung für unteratmosphärisches-chemisches Gasphasenabscheiden (SACVD) von Ozon-Tetra-Ethyl-Ortho-Silikat (O3-TEOS)
3 DE102007015942A1 Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren derselben
4 DE102006029335A1 Zusammensetzung zum Ausbilden eines Isolierfilms und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
5 DE69835479T2 Abscheidung von einem fluorierten Siliziumglas
6 DE102005048361A1 Verfahren zur lokalen Beschichtung von Halbleiterschaltungen und diskreten Bauelementen mit einer thermischen SiO2-Schicht, deren Oberflächen Gebiete mit nadelförmigen Strukturen in Nanometerdimensionen enthalten
7 DE112004002798T5 Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
8 DE102004058958B4 Halbleiter-Bauelement aus einem Material mit hoher Bandlücke und Dielektrizitätskonstante
9 DE69929771T2 PLASMAABSCHEIDUNGSPROZESS VON DIELEKTRISCHEN FILMEN MIT GERINGER DIELEKTRIZITÄTSKONSTANTE
10 DE69931276T2 FERROELEKTRISCHES MATERIAL FÜR VERBESSERTE SPEICHERUNG UND SEIN HERSTELLUNGSVERFAHREN
11 DE69635867T2 HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR HALBLEITERANORDNUNG
12 DE69635236T2 Verbesserungen an Halbleiteranordnungen
13 DE102004058958A1 Material mit hoher Bandlücke und Dielektrizitätskonstante
14 DE102004054818A1 Reversibler Oxidationsschutz von Mikro-Bauelementen
15 DE102005021988A1 Verfahren zur Herstellung eines Flash-Speicherbauelements
16 DE102004060692A1 Verfahren zum Bilden einer dielektrischen Schicht in einem Halbleiterbauelement
17 DE69826015T2 HERSTELLUNG VON LAYERED - SUPERLATTICE - MATERIALIEN UNTER AUSSCHLUSS VON SAUERSTOFF
18 DE102004060440A1 Verfahren zum Bilden einer Oxidschicht in einem Halbleiterbauelement
19 DE69730370T2 Niederdruck-CVD-System
20 DE69728999T2 Substratglättungsverfahren
21 DE102004016162A1 Verfahren zum Bilden eines Metalloxidfilmes
22 DE102004001099A1 Oxidationsverfahren mit hochdichtem Plasma
23 DE69628704T2 Verfahren zum Herstellen eines Oxidfilms auf der Oberfläche eines Halbleitersubstrats
24 DE69709597T2 Opake Keramikbeschichtung
25 DE69705915T2 Herstellungsmethode eines Phosphor-gedopten Silica-Glasfilms
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