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1 DE112005002414T5 Elektropolier-Elektrolyt und Verfahren zur Planarisierung einer Metallschicht unter Verwendung desselben
2 DE102006004396B3 Verfahren zum Entfernen von Refraktärmetallschichten und zur Silizierung von Kontaktflächen
3 DE69534832T2 Verbessertes Plasma-Ätzverfahren
4 DE69734626T2 Ätzen eines Metallsilizids mit HCI und Chlor
5 DE102005004110A1 Korrosionshemmende Reinigungszusammensetzungen für Metallschichten und Muster an Halbleitersubstraten
6 DE102005004401A1 Korrosionshemmende Reinigungszusammensetzungen für Metallschichten und Muster an Halbleitersubstraten
7 DE69729913T2 Ätzverfahren zum Herstellen von Metallfilmstrukturen mit abgeschrägten Seitenwänden
8 DE69825112T2 Verfahren zur Durchführung von Planarisierungs- und Grabensätzung und Vorrichtung dafür
9 DE69728953T2 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Anordnung
10 DE69626562T2 Verfahren zum isotropen Ätzen von Silizium, das hochselektiv gegenüber Wolfram ist
11 DE69625747T2 Ätzverfahren für CoSi2-Schichten und Verfahren zur Herstellung von Schottky-Barrieren Detektoren unter Verwendung desselben
12 DE69529775T2 Verfahren zur Herstellung einer Damaszenstruktur mit einer WGe Polierstoppschicht
13 DE69529023T2 VERFAHREN ZUR PHOTOLACK-ENTFERNUNG, PASSIVIERUNG UND KORROSIONSINHIBIERUNG VON HALBLEITENDEN SCHEIBEN
14 DE69623183T2 Polierlösung für Metalle auf Kupferbasis und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
15 DE69717900T2 Reinigungsmittelzusammensetzung für Photoresist und Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden integrierten Schaltkreises
16 DE69616981T2 VERFAHREN ZUR ÄTZUNG EINES POLYSILIZIUMMUSTERS
17 DE69330241T2 Trocken-Ätz-Verfahren für eine Silizium-Dünnschicht
18 DE69518506T2 VERFAHREN ZUR STRUKTURIERUNG VON LEITERBAHNEN OHNE UNTERÄTZUNG
19 DE69425812T2 Kupferbasierte Lösung zum Polieren von Metall und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Anordnung
20 DE69425643T2 Reinigungsmittel für Halbleiter-Anordnung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Anordnung
21 DE69231021T2 Verfahren zur Kontrolle der Ätzkontur einer Schicht einer integrierten Schaltung
22 DE69326908T2 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Anordnung
23 DE69229814T2 Methode für die Trockenätzung
24 DE69325849T2 Verfahren zum Herstellen von Metalleiter auf einem isolierenden Substrat
25 DE69228044T2 Verfahren zur Strukturierung von Wolframschichten
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