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1 DE102006056811A1 Heizvorrichtung für Halbleiterchargen
2 DE102006002903A1 Verfahren zur Behandlung eines Sauerstoff enthaltenden Halbleiterwafers und Halbleiterbauelement
3 DE102006059002A1 Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung auf einem Halbleitersubstrat
4 DE102004029103B4 Wärmebehandlungseinrichtung und Wärmebehandlungsverfahren
5 DE102005043303A1 Verfahren zur Rekristallisierung von Schichtstrukturen mittels Zonenschmelzen, hierfür verwendete Vorrichtung und dessen Verwendung
6 DE102005038672A1 Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Halbleitersubstraten
7 DE60027686T2 Reaktor zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
8 DE102005024118A1 Vorrichtung und Verfahren zur Reduktion von Partikeln bei der thermischen Behandlung rotierender Substrate
9 DE112004002277T5 Anlage zur raschen thermischen Bearbeitung
10 DE112004001735T5 Vorrichtung zur schnellen Plasmawärmebehandlung mit verbessertem Zufuhrstutzen der Radikalquelle
11 DE102005010953A1 Rekristallisation determinierter Flächen
12 DE69833018T2 SCHNELLE WÄRMEBEHANDLUNGSANLAGE MIT UMLAUFENDEM SUBSTRAT
13 DE60302754T2 Heizvorrichtung mit einer elektrostatischen Anziehungsfunktion und Verfahren zu ihrer Herstellung
14 DE69928434T2 WÄRMEBEHANDELTE SILIZIUMPLÄTTCHEN MIT VERBESSERTER EIGENGETTERUNG
15 DE102004039443A1 Verfahren zum thermischen Behandeln von scheibenförmigen Substraten
16 DE102004021392A1 Hotplate-Apparatur zur Prozessierung von Halbleiterwafern
17 DE102004061596A1 Lasermaske und Kristallationsverfahren unter Verwendung derselben
18 DE102004041346A1 Halbleiter und Verfahren zur Herstellung desselben
19 DE20319104U1 Anordnung zur Wärmebehandlung von Siliziumscheiben in einer Prozesskammer
20 DE69329233T2 WÄRMEBEHANDLUNG EINER HALBLEITERSCHEIBE
21 DE19936081A1 Vorrichtung und Verfahren zum Temperieren eines Mehrschichtkörpers, sowie ein unter Anwendung des Verfahrens hergestellter Mehrschichtkörper
22 DE69319759T2 Verfahren zum schnellen Plasma-Hydrogenieren für MOSFET aus Polysilizium
23 DE69124686T2 Wärmebehandlung von Halbleiterbauelementen
24 DE69025994T2 Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats
25 DE69019334T2 GaAs-Passivierung mittels Wasserstoffplasma.
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